CN108419193B - 具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法 - Google Patents
具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108419193B CN108419193B CN201810494268.3A CN201810494268A CN108419193B CN 108419193 B CN108419193 B CN 108419193B CN 201810494268 A CN201810494268 A CN 201810494268A CN 108419193 B CN108419193 B CN 108419193B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sio
- layer
- etching
- polysilicon
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 45
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 16
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 10
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
- H04R31/003—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor for diaphragms or their outer suspension
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2231/00—Details of apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor covered by H04R31/00, not provided for in its subgroups
- H04R2231/001—Moulding aspects of diaphragm or surround
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明涉及具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风及其制作方法。现有电容式MEMS麦克风不具备选用或调节麦克风的拾音频率范围功能。本发明由下向上依次包括硅衬底、SiO2刻蚀停止层、下多晶硅圆环电极、SiO2支撑层、上多晶硅振膜层。贯穿硅衬底、SiO2刻蚀停止层和下多晶硅圆环电极开设有背腔，贯穿SiO2支撑层开设有阻尼腔,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形。上多晶硅振膜层架设在阻尼腔上；上多晶硅振膜层靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构。本发明在上多晶硅振膜层与硅衬底之间设置阻尼腔，在振膜振动时，空腔会对振膜产生阻尼作用，根据对不同声音频率所产生的不同阻尼作用，实现麦克风的频率选择功能。
Description
技术领域
本发明属于微机电系统和声学传感器等技术领域，具体涉及一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风及其制作方法。
背景技术
麦克风是一种微型的声学传感器，主要包括柱极体麦克风(ECM)和微机电系统麦克风(简称：MEMS麦克风)。相对于传统的柱极体麦克风，MEMS麦克风具有包括尺寸小、成本少、功耗低、可靠性高等优势。根据工作原理和电学特性，MEMS麦克风的类型包括电容式、压电式和光电式等。其中，电容式MEMS麦克风是市场主流。
电容式MEMS麦克风，类似于可变电容，具有两个电极，即背板和振膜。振膜具有较好的弹性，在声波激励下会发生振动，产生位移变化，改变背板和振膜的间距，从而使麦克风的电容发生变化；后端的电路可以通过检测电容变化以获取声学信号。一般来说，具有传统结构的电容式MEMS麦克风的响应曲线在中间工作频率区间(如100Hz至10KHz)是比较平坦的，而在100Hz以下低频区域，灵敏度较低；在10KHz以上区间，会出现亥姆霍兹共振峰，存在很强的非线性。
具有平坦的频率响应曲线的麦克风，可以在很宽的频段内拾取声音信号，适用于不同应用场合。然而，不管是在日常生活中，还是在专业领域内，在一个特定的工作中，需要的频率范围往往不需要很宽。比如，人与人交谈，发声频率通常在百赫兹至千赫兹之间，其它频率的声音并不需要被拾取，获取后还需要专门过滤掉。在这样的应用背景下，频率选择是非常重要的。针对实际应用场合，选用或调节麦克风的拾音频率范围是现有电容式MEMS麦克风不具备的功能。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术的不足，提供一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，实现中心频率附近拾音，在物理层面上过滤低频和高频声音，解决现有电容式麦克风无法实现频率选择的问题。本发明同时提供该电容式MEMS麦克风的制作方法。
具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，由下向上依次包括硅衬底、SiO2刻蚀停止层、下多晶硅圆环电极、SiO2支撑层、上多晶硅振膜层。
贯穿硅衬底、SiO2刻蚀停止层和下多晶硅圆环电极开设有圆筒形的背腔；贯穿SiO2支撑层开设有圆筒形的阻尼腔；背腔和阻尼腔同轴设置，背腔的圆形横截面直径小于阻尼腔的圆形横截面直径,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形。
圆形的上多晶硅振膜层架设在阻尼腔上；上多晶硅振膜层靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构，弹性结构的圆周外沿与阻尼腔内壁对应。
所述的弹性结构由圆周排列的多组通槽组成，增加弹性结构环形内部分的上多晶硅振膜弹性。
进一步，所述的硅衬底的厚度为300～500um。
进一步，所述的SiO2刻蚀停止层是厚度为200～1000nm的SiO2薄膜。
进一步，所述的下多晶硅圆环电极是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜。
进一步，所述的SiO2支撑层是厚度为200～1000nm的SiO2薄膜。
进一步，所述的上多晶硅振膜层是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜。
进一步，所述的通槽是蛇形槽，或是由两个梳状槽形成的叉指形槽。
该电容式MEMS麦克风的具体制作方法如下：
步骤1.采用化学气相沉积技术、热氧化法或正硅酸乙酯热分解法在厚度为300～500um硅衬底上制备厚度为200～1000nm的SiO2薄膜，该SiO2薄膜层即为SiO2刻蚀停止层；
步骤2.在SiO2刻蚀停止层上采用化学气相沉积技术制备厚度为100～500nm的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜层即为下多晶硅电极层；
步骤3.按照设计的圆环形的沟槽图案，采用光刻刻蚀方法将下多晶硅电极层刻穿，作为下多晶硅圆环电极；
步骤4.在下多晶硅圆环电极上采用正硅酸乙酯热分解法覆盖厚度为200～1000nm的SiO2薄膜，该SiO2薄膜层即为SiO2支撑层；
步骤5.在SiO2支撑层上采用化学气相沉积技术制备厚度为100～500nm的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜层即为上多晶硅振膜层；
步骤6.采用光刻刻蚀方法，在上多晶硅振膜层上靠近边沿位置开设通槽，多个通槽圆周排列，形成圆环形的弹性结构；
步骤7.由硅衬底的下表面开始，对应下多晶硅圆环电极通孔位置，采用光刻刻蚀方法将硅衬底刻穿，形成硅衬底通孔；
步骤8.由SiO2刻蚀停止层的下表面开始，沿硅衬底通孔采用气态氢氟酸腐蚀技术或氢氟酸湿法刻蚀方法将SiO2刻蚀停止层以及SiO2支撑层刻穿；
步骤9.由上多晶硅振膜层圆周排列的通槽向下，采用气态氢氟酸腐蚀技术或氢氟酸湿法刻蚀方法，将SiO2支撑层对应圆环形的弹性结构范围内的SiO2薄膜腐蚀干净；硅衬底通孔、下多晶硅圆环电极通孔、SiO2刻蚀停止层通孔形成背腔，SiO2支撑层通孔形成阻尼腔，连通的背腔和阻尼腔为阶梯圆筒形。
作为优选，步骤2和5采用化学气相沉积技术的淀积过程中，采用气体在位掺杂技术进行磷元素掺杂。
作为优选，步骤7中所述的光刻刻蚀方法中的刻蚀工序采用深反应离子刻蚀方法。
麦克风的频率选择功能主要通过调节阻尼腔内压膜阻尼的影响实现，压膜阻尼的大小一般与振膜振动频率相关。例如，当入射声波频率为500Hz时，阻尼腔中压膜阻尼值最小，因此在此频率上麦克风的灵敏度最高。可以说在该频率附近都能实现麦克风的高灵敏度，而当声音频率过大或过小，麦克风的灵敏度都有显著的降低。因此，通过调节阻尼腔内压膜阻尼的大小即可实现频率选择功能。本发明方法主要为了形成振膜与基底之间的阻尼腔。在振膜振动时，空腔会对振膜产生阻尼作用，根据对不同声音频率所产生的不同阻尼作用，实现麦克风的频率选择功能。
附图说明
图1为本发明的电容式MEMS麦克风的剖面结构示意图；
图2为上多晶硅振膜的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例来详细描述本发明。图中相同的序号标记指示同一部件或相似项目。图示及其描述在本质上是示意性的，而非限制性的。因此，与本文所示方法和系统相似的不同实现应被视为属于本发明和所附权利要求的保护范围。
首先，介绍具有频率选择功能电容式MEMS麦克风的基本组成结构，参见图1所示。
由下向上依次包括硅衬底1、SiO2刻蚀停止层2、下多晶硅圆环电极3、SiO2支撑层4、上多晶硅振膜层5。上多晶硅振膜层5用于感知声波与振动。其中，硅衬底1的厚度为300～500um；SiO2刻蚀停止层2是厚度为200～1000nm的SiO2薄膜；下多晶硅圆环电极3是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜；SiO2支撑层4是厚度为200～1000nm的SiO2薄膜；上多晶硅振膜层5是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜。
贯穿硅衬底1、SiO2刻蚀停止层2和下多晶硅圆环电极3开设有圆筒形的背腔6。贯穿SiO2支撑层4开设有圆筒形的阻尼腔7。圆筒形的背腔6和阻尼腔7同轴设置，背腔6的圆形横截面直径小于阻尼腔7的圆形横截面直径,连通的背腔6和阻尼腔7为阶梯状圆筒形。
圆形的上多晶硅振膜层5架设在阻尼腔7上。上多晶硅振膜层5的结构参见图2所示。
上多晶硅振膜层5靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构，弹性结构的圆周外沿与阻尼腔7内壁对应。该弹性结构由圆周排列的多组通槽8组成，该通槽8为线形槽，可以是蛇形槽，或者是由两个梳状槽形成的叉指形槽。弹性结构的设置可以增加弹性结构环形内部分的上多晶硅振膜的弹性，同时又可以充当通气孔的作用。
麦克风的频率选择功能主要通过调节阻尼腔内压膜阻尼的影响实现，压膜阻尼的大小一般与振膜振动频率相关。当入射声波频率为500Hz时，阻尼腔中压膜阻尼值最小，因此在此频率上麦克风的灵敏度最高。可以说在该频率附近都能实现麦克风的高灵敏度，而当声音频率过大或过小，麦克风的灵敏度都有显著的降低。因此，通过调节阻尼腔内压膜阻尼的大小即可实现频率选择功能。
为了制作出如图1所示的具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，本发明提出了一套完整的工艺流程，该制作工艺步骤包括：
步骤1.采用化学气相沉积技术(CVD)、热氧化法或正硅酸乙酯(TEOS)热分解法在厚度为300～500um硅衬底上制备厚度为200～1000nm的SiO2薄膜，该SiO2薄膜层即为SiO2刻蚀停止层；
步骤2.在SiO2刻蚀停止层上采用化学气相沉积技术(CVD)制备厚度为100～500nm的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜层即为下多晶硅电极层；
步骤3.按照设计的圆环形的沟槽图案，采用光刻刻蚀方法(litho-etch)将下多晶硅电极层刻穿，作为下多晶硅圆环电极；
步骤4.在下多晶硅圆环电极上采用正硅酸乙酯(TEOS)热分解法覆盖厚度为200～
1000nm的SiO2薄膜，该SiO2薄膜层即为SiO2支撑层；
步骤5.在SiO2支撑层上采用化学气相沉积技术(CVD)制备厚度为100～500nm的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜层即为上多晶硅振膜层；
步骤6.采用光刻刻蚀方法(litho-etch)，在上多晶硅振膜层上靠近边沿位置开设通槽，多个通槽圆周排列，形成圆环形的弹性结构；
步骤7.由硅衬底的下表面开始，对应下多晶硅圆环电极通孔位置，采用光刻刻蚀方法(litho-etch)将硅衬底刻穿，形成硅衬底通孔；
步骤8.由SiO2刻蚀停止层的下表面开始，沿硅衬底通孔采用气态氢氟酸腐蚀技术或氢氟酸湿法刻蚀方法将SiO2刻蚀停止层以及SiO2支撑层刻穿；
步骤9.由上多晶硅振膜层圆周排列的通槽向下，采用气态氢氟酸腐蚀技术或氢氟酸湿法刻蚀方法，将SiO2支撑层对应圆环形的弹性结构范围内的SiO2薄膜腐蚀干净；硅衬底通孔、下多晶硅圆环电极通孔、SiO2刻蚀停止层通孔形成背腔，SiO2支撑层通孔形成阻尼腔，连通的背腔和阻尼腔为阶梯圆筒形。
其中，步骤2和5采用化学气相沉积技术(CVD)的淀积过程中，采用气体在位掺杂技术进行磷元素掺杂；步骤7中所述的光刻刻蚀方法中的刻蚀工序采用深反应离子刻蚀方法(DRIE)。
至此，已经结合附图对本发明进行了详细描述。依据以上描述，本领域技术人员应当对本发明所述具有频率选择功能MEMS麦克风的制作方法有了清楚的认识。以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：
由下向上依次包括硅衬底(1)、SiO2刻蚀停止层(2)、下多晶硅圆环电极(3)、SiO2支撑层(4)、上多晶硅振膜层(5)；
所述的SiO2刻蚀停止层(2)是厚度为200～1000nm的SiO2薄膜；
所述的下多晶硅圆环电极(3)是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜；
所述的SiO2支撑层(4)是厚度为200～1000nm的SiO2薄膜；
所述的上多晶硅振膜层(5)是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜；
贯穿硅衬底(1)、SiO2刻蚀停止层(2)和下多晶硅圆环电极(3)开设有圆筒形的背腔(6)；
贯穿SiO2支撑层(4)开设有圆筒形的阻尼腔(7)；
圆筒形的背腔(6)和阻尼腔(7)同轴设置，背腔(6)的圆形横截面直径小于阻尼腔(7)的圆形横截面直径,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形；
圆形的上多晶硅振膜层(5)架设在阻尼腔(7)上；
上多晶硅振膜层(5)靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构，弹性结构的圆周外沿与阻尼腔(7)内壁对应；
所述的弹性结构由圆周排列的多组通槽(8)组成，增加弹性结构环形内部分的上多晶硅振膜弹性。
2.如权利要求1所述的具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的硅衬底(1)的厚度为300～500um。
3.如权利要求1所述的具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的通槽(8)是蛇形槽，或者是由两个梳状槽形成的叉指形槽。
4.如权利要求1所述的具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风的制作方法，其特征在于该方法的具体步骤是：
步骤(1).采用化学气相沉积技术、热氧化法或正硅酸乙酯热分解法在厚度为300～500um的硅衬底上制备厚度为200～1000nm的SiO2薄膜，该SiO2薄膜层即为SiO2刻蚀停止层；
步骤(2).在SiO2刻蚀停止层上采用化学气相沉积技术制备厚度为100～500nm的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜层即为下多晶硅电极层；
步骤(3).按照设计的圆环形的沟槽图案，采用光刻刻蚀方法将下多晶硅电极层刻穿，作为下多晶硅圆环电极；
步骤(4).在下多晶硅圆环电极上采用正硅酸乙酯热分解法覆盖厚度为200～1000nm的SiO2薄膜，该SiO2薄膜层即为SiO2支撑层；
步骤(5).在SiO2支撑层上采用化学气相沉积技术制备厚度为100～500nm的多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜层即为上多晶硅振膜层；
步骤(6).采用光刻刻蚀方法，在上多晶硅振膜层上靠近边沿位置开设通槽，多个通槽圆周排列，形成圆环形的弹性结构；
步骤(7).由硅衬底的下表面开始，对应下多晶硅圆环电极通孔位置，采用光刻刻蚀方法将硅衬底刻穿，形成硅衬底通孔；
步骤(8).由SiO2刻蚀停止层的下表面开始，沿硅衬底通孔采用气态氢氟酸腐蚀技术或氢氟酸湿法刻蚀方法将SiO2刻蚀停止层以及SiO2支撑层刻穿；
步骤(9).由上多晶硅振膜层圆周排列的通槽向下，采用气态氢氟酸腐蚀技术或氢氟酸湿法刻蚀方法，将SiO2支撑层对应圆环形的弹性结构范围内的SiO2薄膜腐蚀干净；硅衬底通孔、下多晶硅圆环电极通孔、SiO2刻蚀停止层通孔形成背腔，SiO2支撑层通孔形成阻尼腔，连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：步骤(2)和步骤(5)采用化学气相沉积技术的淀积过程中，采用气体在位掺杂技术进行磷元素掺杂。
6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：步骤(7)光刻刻蚀方法中的刻蚀工序采用深反应离子刻蚀方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810494268.3A CN108419193B (zh) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810494268.3A CN108419193B (zh) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108419193A CN108419193A (zh) | 2018-08-17 |
| CN108419193B true CN108419193B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=63140169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810494268.3A Active CN108419193B (zh) | 2018-05-22 | 2018-05-22 | 具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108419193B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109741725B (zh) * | 2018-12-06 | 2020-09-22 | 杭州电子科技大学 | 一种具有低频宽带消音功能的声学超材料及其微加工方法 |
| CN109831729B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-04-16 | 武汉大学 | 紧凑型高灵敏度mems微电容式传感器 |
| CN113678472B (zh) * | 2019-05-31 | 2024-04-12 | 共达电声股份有限公司 | Mems电容传感器及其制备方法、电子设备 |
| CN110896518B (zh) * | 2019-12-17 | 2021-03-12 | 安徽奥飞声学科技有限公司 | 一种mems结构的制造方法 |
| US11463817B2 (en) | 2020-04-27 | 2022-10-04 | Knowles Electronics, Llc | Capacitive microphone with shaped electrode |
| CN111954138A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-17 | 苏州礼乐乐器股份有限公司 | 一种带音梁及音隧的全频段硅麦 |
| CN113438589A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-24 | 歌尔微电子股份有限公司 | 麦克风芯片及麦克风 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201515492U (zh) * | 2009-03-13 | 2010-06-23 | 瑞声声学科技(常州)有限公司 | 麦克风 |
| CN201846472U (zh) * | 2010-09-02 | 2011-05-25 | 孙博华 | 一种微机电电容式麦克风 |
| CN206350115U (zh) * | 2016-12-05 | 2017-07-21 | 歌尔科技有限公司 | 一种mems麦克风 |
| CN208317008U (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-01 | 杭州电子科技大学 | 一种具有频率选择功能的电容式mems麦克风 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120328132A1 (en) * | 2011-06-27 | 2012-12-27 | Yunlong Wang | Perforated Miniature Silicon Microphone |
| KR101807040B1 (ko) * | 2016-05-26 | 2017-12-08 | 현대자동차 주식회사 | 마이크로폰 |
-
2018
- 2018-05-22 CN CN201810494268.3A patent/CN108419193B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201515492U (zh) * | 2009-03-13 | 2010-06-23 | 瑞声声学科技(常州)有限公司 | 麦克风 |
| CN201846472U (zh) * | 2010-09-02 | 2011-05-25 | 孙博华 | 一种微机电电容式麦克风 |
| CN206350115U (zh) * | 2016-12-05 | 2017-07-21 | 歌尔科技有限公司 | 一种mems麦克风 |
| CN208317008U (zh) * | 2018-05-22 | 2019-01-01 | 杭州电子科技大学 | 一种具有频率选择功能的电容式mems麦克风 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108419193A (zh) | 2018-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108419193B (zh) | 具有频率选择功能的电容式mems麦克风及其制作方法 | |
| US10057684B2 (en) | Integrated electroacoustic MEMS transducer with improved sensitivity and manufacturing process thereof | |
| US20200221234A1 (en) | Piezoelectric acoustic mems transducer and fabrication method thereof | |
| US10433068B2 (en) | MEMS acoustic transducer with combfingered electrodes and corresponding manufacturing process | |
| CN103563399B (zh) | Cmos兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法 | |
| EP2244490A1 (en) | Silicon condenser microphone with corrugated backplate and membrane | |
| CN100455142C (zh) | 电容式微机电结构声音传感器 | |
| US9860649B2 (en) | Integrated package forming wide sense gap micro electro-mechanical system microphone and methodologies for fabricating the same | |
| US9729990B2 (en) | Manufacturing method of a condenser microphone | |
| KR100685092B1 (ko) | Ｍｅｍｓ 공정을 이용한 마이크로폰 및 그 제조 방법 | |
| CN103460721A (zh) | 具有间隙控制几何形状的声换能器以及声换能器制造方法 | |
| CN105472515B (zh) | 声换能器以及麦克风 | |
| CN105704629B (zh) | 麦克风及制造该麦克风的方法 | |
| CN102045615A (zh) | 麦克风 | |
| CN112678764B (zh) | 一种mems芯片及其制作方法、mems麦克风 | |
| CN110267184A (zh) | Mems麦克风 | |
| CN208317008U (zh) | 一种具有频率选择功能的电容式mems麦克风 | |
| JP4737535B2 (ja) | コンデンサマイクロホン | |
| KR20190053522A (ko) | 멤스 음향 센서의 백 플레이트 구조물 및 그 제조 방법 | |
| CN108037183B (zh) | 一种基于电容式电桥结构的超声阵列气体传感器 | |
| CN214880198U (zh) | 一种提高线性度的mems硅麦集成电路 | |
| CN114598979B (zh) | 一种双振膜mems麦克风及其制造方法 | |
| JP2009065606A (ja) | 振動トランスデューサ | |
| CN214409044U (zh) | 一种压电式mems加速度传感器 | |
| KR101300749B1 (ko) | 음향 센서 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20240205 Address after: Building 1-13, No. 301 Fenghuang West Avenue, Economic and Technological Development Zone, Shangrao City, Jiangxi Province, 334000, Room 302102202 Applicant after: Shangrao Jingwei Automation Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 310018 No. 2 street, Xiasha Higher Education Zone, Hangzhou, Zhejiang Applicant before: HANGZHOU DIANZI University Country or region before: China |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |