CN113658972A - 发光背板以及发光背板的制备方法 - Google Patents
发光背板以及发光背板的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113658972A CN113658972A CN202010396084.0A CN202010396084A CN113658972A CN 113658972 A CN113658972 A CN 113658972A CN 202010396084 A CN202010396084 A CN 202010396084A CN 113658972 A CN113658972 A CN 113658972A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- layer
- substrate
- pits
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Abstract
本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种发光背板以及发光背板的制备方法，包括：基板，位于所述基板上的反射层；在所述反射层远离所述基板一侧依次层叠设置有平坦化层、以及驱动电路层；位于所述驱动电路层远离所述基板一侧的多个发光单元。可以在提高光线利用率的同时，提高了反射层与整个驱动背板的兼容性。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种发光背板以及发光背板的制备方法。
背景技术
LED芯片为360度发光，从micro LED屏幕表面收集到的光大部分为LED正面出射的光。但LED背面出射的光占比很大，接近总发光量的50％，但正常的屏幕无法收集LED芯片背面出射的光，造成了micro LED屏光线利用率较低。现有给出了两种解决方案，一种解决方案为：在LED芯片背部或者侧壁制作反射层，将LED芯片照射到背部及侧壁的光反射，增加LED芯片照射到侧壁及背部光线的利用率。另一种解决方案为：将LED芯片邦定于反射杯中，将LED芯片照射到背部及侧壁的光反射，增加LED芯片照射到侧壁及背部光线的利用率。
然而，发明人发现现有技术中这两种解决方案中反射层设置于驱动电路层上方，与整个驱动背板的兼容性不好。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种发光背板以及发光背板的制备方法，可以在提高光线利用率的同时，提高了反射层与整个驱动背板的兼容性。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种发光背板，包括：基板；位于所述基板上的反射层；在所述反射层远离所述基板一侧依次层叠设置的平坦化层、以及驱动电路层；位于所述驱动电路层远离所述基板一侧的多个发光单元。
本发明的实施方式还提供了一种发光背板的制备方法，在基板上制备反射层；在所述反射层远离所述基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层，在所述驱动电路层远离所述基板的一侧制备多个发光单元。
本发明实施方式相对于现有技术而言提供了一种发光背板，在基板上设置反射层，在反射层远离基板一侧依次层叠设置平坦化层、以及驱动电路层；位于驱动电路层远离基板一侧设置多个发光单元，发光单元背面出射的光线经反射层反射，从而增加了发光单元的光线利用率，且本实施方式中在制备发光背板结构时，可直接利用与制备平坦化层相同的制备工艺来制备反射层，无需在驱动电路层上方单独制备反射杯，或在发光单元背部或者侧壁单独制作反射层，提高了反射层与驱动背板(驱动背板包括：基板、平坦化层、以及驱动电路层)的兼容性。
另外，所述反射层远离所述基板一侧的表面具有多个第一凹坑，每个所述发光单元与每个所述第一凹坑相对设置。该方案与发光单元相对设置的第一凹坑能够将发光单元背部发射的光线集中反射后由发光单元的正面射出，避免了将发光单元的光线反射至其他发光单元，而干扰其他发光单元的出射光线。
另外，还包括：位于所述基板与所述反射层之间的磷硅玻璃层；所述磷硅玻璃层远离所述基板一侧的表面具有多个第二凹坑，所述第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合。该方案由于第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合，可直接在具有第二凹坑的磷硅玻璃层远离基板的一侧形成具有多个第一凹坑的反射层，节约了反射层的材料成本、且简化了反射层的制备工艺。
另外，所述第一凹坑与所述第二凹坑形状相同；可选地，所述第二凹坑的表面呈圆弧状；可选地，所述第二凹坑的曲率半径为预设像素尺寸的0.5～5倍。
另外，所述反射层为无机布拉格反射层；可选地，所述反射层的厚度范围在1微米～5微米。该方案由于无机布拉格反射层具备良好的光线反射能力，因此可降低无机布拉格反射层的厚度，节约了反射层的材料成本。
另外，所述第一凹坑的表面呈阶梯状或呈圆弧状。
另外，所述第一凹坑的开口大小为所述发光单元的尺寸的1～2倍；可选地，所述第一凹坑的最底部与最高处的距离为预设像素尺寸的0.1～0.5倍。
另外，所述在基板上制备反射层之前，还包括：在所述基板上制备磷硅玻璃层；在所述磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑，所述第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合。
另外，所述在所述磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑之后，且在基板上制备反射层之前，还包括：对具有所述第二凹坑的磷硅玻璃层进行高温回流以使所述第二凹坑的表面呈圆弧状；优选地，回流温度为1100摄氏度、回流时间为20分钟。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式的发光背板的结构示意图；
图2是根据本发明第二实施方式的发光背板的一种结构示意图；
图3是根据本发明第二实施方式的发光背板的另一种结构示意图；
图4是根据本发明第三实施方式的发光背板的结构示意图；
图5是根据本发明第四实施方式的发光背板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种发光背板，本实施方式中的发光背板的结构示意图如图1所示，包括：基板1，位于基板1上的反射层2；在反射层2远离基板1一侧依次层叠设置有平坦化层3、以及驱动电路层4；位于驱动电路层4远离基板1一侧的多个发光单元5。
具体地说，本实施方式中主要针对于发光单元5为micro LED的发光背板进行说明。基板1，可以是玻璃基板、硅晶圆或其他可用于micro LED驱动的承载基板。基板1上设置有反射层2，反射层2可以是金属银(Ag)、金属铝(Al)，或者其他可以反射光线的金属层，金属层的厚度范围在10纳米～1微米之间。本实施方式中反射层2也可为无机布拉格反射层(Distributed Bragg Reflector，DBR)，无机布拉格反射层是将不同折射率的薄膜交互周期性的堆叠在一起，当光经过这些不同折射率的薄膜的时候，由于各层反射回来的光线因相位角的改变而进行建设性干涉，然后互相结合在一起，能够得到强烈反射光。由于无机布拉格反射层相较于金属层来说具备良好的光线反射能力，因此可降低无机布拉格反射层的厚度，无机布拉格反射层的厚度范围在1微米～5微米之间。
反射层2远离基板1一侧依次层叠设置有平坦化层3、以及驱动电路层4。其中，平坦化层3为隔离层，材质一般为氧化硅和氮化硅，能够将驱动电路层4和反射层2以及基板1隔离开来。平坦化层3远离基板1一侧设置有驱动电路层4，驱动电路层4远离基板1一侧设置有多个发光单元5，驱动电路层4为多个发光单元5供电，点亮发光单元5。本实施方式中多个发光单元5可以为同一种颜色，也可为不同颜色。
值得说明的是，为了避免相邻两个发光单元5之间的光线产生干扰，驱动电路层4上方还设置有挡墙结构6，挡墙结构6位于相邻两个发光单元5之间。
与现有技术相比，本发明实施方式给出了一种发光背板，在基板1上设置反射层2，在反射层2远离基板1一侧依次层叠设置平坦化层3、以及驱动电路层4；位于驱动电路层4远离基板1一侧设置多个发光单元5，发光单元5背面出射的光线经反射层2反射，从而增加了发光单元5的光线利用率，且本实施方式中在制备发光背板结构时，可直接利用与制备平坦化层3相同的制备工艺来制备反射层2，无需在驱动电路层4上方单独制备反射杯，或在发光单元5背部或者侧壁单独制作反射层2，提高了反射层2与驱动背板(驱动背板包括：基板1、平坦化层3、以及驱动电路层4)的兼容性。
本发明的第二实施方式涉及一种发光背板。如图2和3所示，第二实施方式是对第一实施方式的改进，主要改进之处在于，本实施方式中反射层2远离基板1一侧的表面具有多个第一凹坑20，每个发光单元5与每个第一凹坑20相对设置，与发光单元5相对设置的第一凹坑20能够将发光单元5背部发射的光线集中反射后由发光单元5的正面射出，避免了将发光单元5的光线反射至其他发光单元5，而干扰其他发光单元5的出射光线，使得具有本实施方式中的发光背板的发光装置，由于反射的光线不会干扰到其他发光单元5的出射光线，因此能够降低像素之间的光串扰。
可选地，本实施方式中由于制备第一凹坑20的工艺不同，第一凹坑20的表面呈现如图3所示的阶梯状，或者如图2所示的圆弧状。本实施方式中第一凹坑20的表面呈阶梯状或圆弧状，从而能够将发光单元5背部发射出来的光线反射成垂直于发光单元5，能够进一步能够降低对其他发光单元5的出射光线的干扰，从而进一步降低像素之间的光串扰。值得说明的是，本实施方式中的第一凹坑20的表面也可以呈“V”字型，或其他形状。
本实施方式中为将发光单元5背部发射的光线尽可能地反射出去，第一凹坑20的开口大小可以设置为发光单元5的尺寸的1～2倍。第一凹坑20的最底部与最高处的距离可以设置为预设像素尺寸的0.1～0.5倍。
与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种发光背板，在反射层2远离基板1一侧的表面具有多个第一凹坑20，每个发光单元5与每个第一凹坑20相对设置，与发光单元5相对设置的第一凹坑20能够将发光单元5背部发射的光线集中反射后由发光单元5的正面射出，避免了将发光单元5的光线反射至其他发光单元5，而干扰其他发光单元5的出射光线，使得具有本实施方式中的发光背板的发光装置，由于反射的光线不会干扰到其他发光单元5的出射光线，因此能够降低像素之间的光串扰。
本发明的第三实施方式涉及一种发光背板。如图4所示，第三实施方式是第二施方式的进一步改进，主要改进之处在于：本实施方式中基板1与反射层2之间设置有磷硅玻璃层7；磷硅玻璃层7远离基板1一侧的表面具有多个第二凹坑70，第一凹坑20与第二凹坑70相嵌合，从而在制备反射层2时，无需制备较厚的反射层2后刻蚀形成第一凹坑20，可直接在具有第二凹坑70的磷硅玻璃层7远离基板1的一侧形成具有多个第一凹坑20的反射层2，节约了反射层2的材料成本、且简化了反射层2的制备工艺。
具体地说，在基板1上制备一层磷硅玻璃层7后，在磷硅玻璃层7上制备多个第二凹坑70，之后在具有第二凹坑70的磷硅玻璃层7上沉积反射层2，可直接形成的具有多个第一凹坑20的反射层2，第一凹坑20与所述第二凹坑70相嵌合，且形状相同。
可选地，第二凹坑70的表面呈圆弧状，或者呈阶梯状。第一凹坑20的表面与第二凹坑70的表面形状相同，也呈阶梯状或呈圆弧状。呈阶梯状或呈圆弧状的第一凹坑20能够将发光单元5背部发射出来的光线反射成垂直于发光单元5的光线，能够进一步降低对其他发光单元5的出射光线的干扰，从而进一步降低像素之间的光串扰。
进一步地，若第二凹坑70的表面呈圆弧状，第二凹坑70的曲率半径可设置为预设像素尺寸的0.5～5倍。
本实施方式中为将发光单元5背部发射的光线尽可能地反射出去，第一凹坑20的开口大小设置为发光单元5的尺寸的1～2倍。第一凹坑20的最底部与最高处的距离为预设像素尺寸的0.1～0.5倍。
与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种发光背板，基板1与反射层2之间设置有磷硅玻璃层7；磷硅玻璃层7远离基板1一侧的表面具有多个第二凹坑70，第一凹坑20与第二凹坑70相嵌合，从而在制备反射层2时，无需制备较厚的反射层2后刻蚀形成第一凹坑20，可直接在具有第二凹坑70的磷硅玻璃层7远离基板1的一侧形成具有多个第一凹坑20的反射层2，节约了反射层2的材料成本、且简化了反射层2的制备工艺。
本发明的第四实施方式涉及一种发光背板的制备方法，本实施方式中发光背板的制备方法的流程示意图如图5所示，具体包括：
步骤101：在基板上制备反射层。
具体地说，提供基板，基板可以为玻璃基板、硅晶圆或其他可用于micro LED驱动的承载基板。之后，在基板上沉积反射层，反射层可以是银(Ag)、铝(Al)等金属，也可以是无机布拉格反射层DBR。金属层的厚度范围在10纳米～1微米之间，由于无机布拉格反射层相较于金属层来说具备良好的光线反射能力，因此可降低无机布拉格反射层的厚度，无机布拉格反射层的厚度范围可设置在1微米～5微米之间。
进一步地，在反射层远离基板的一侧制备平坦化层之前，还包括：刻蚀反射层远离基板的一侧以形成多个第一凹坑。具体地，可多次蚀刻，第一次蚀刻先蚀刻出一个小口，但是深度最深；第二次蚀刻的开口相较于第一次刻蚀的开口大点，但深度相较于第一次较浅；第三次蚀刻的开口相较于第二次刻蚀的开口再大点，但深度相较于第二次较浅，以此种方式进行多次刻蚀，便能够蚀刻出表面呈阶梯状的凹坑。
进一步地，在基板上制备反射层之前，还包括：在基板上制备磷硅玻璃层；在磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑，第一凹坑与第二凹坑相嵌合。
具体地说，在基板上制备一层磷硅玻璃层后，在磷硅玻璃层上制备多个第二凹坑，之后在具有第二凹坑的磷硅玻璃层上沉积反射层，可直接形成的具有多个第一凹坑的反射层，第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合，且形状相同。无需制备较厚的反射层后刻蚀形成第一凹坑，可直接在具有第二凹坑的磷硅玻璃层远离基板的一侧形成具有多个第一凹坑的反射层，节约了反射层的材料成本、且简化了反射层的制备工艺。
值得说明的是，在磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑之后，且在基板上制备反射层之前，还包括：对具有第二凹坑的磷硅玻璃层进行高温回流以使第二凹坑的表面呈圆弧状。
具体地说，磷硅玻璃在高温下具有一定的流动性，通过上述刻蚀方法得到表面呈阶梯状的凹坑后，可将表面呈阶梯状的凹坑进行高温回流，形成具有光滑的圆弧状表面的第二凹坑。值得说明的是，回流温度为1100摄氏度、回流时间为20分钟。
步骤102：在反射层远离基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层。
具体地说，在反射层远离基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层，平坦化层为隔离层，能够将驱动电路层与基板以及反射层隔离开来，平坦化层的材质一般为氧化硅和氮化硅。平坦化层远离基板一侧设置有驱动电路层。
步骤103：在驱动电路层远离基板的一侧制备多个发光单元。
具体地说，驱动电路层远离基板一侧设置有多个发光单元，驱动电路层为多个发光单元供电，点亮发光单元。本实施方式中多个发光单元可以为同一种颜色，也可为不同颜色。值得说明的是，为了避免相邻两个发光单元之间的光线产生干扰，驱动电路层上方还设置有挡墙结构，挡墙结构位于相邻两个发光单元之间。
与现有技术相比，本发明实施方式提供了一种发光背板的制备方法，在基板上制备反射层；在反射层远离基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层，在驱动电路层远离基板的一侧制备多个发光单元。发光单元背面出射的光线经反射层反射，从而增加了发光单元的光线利用率，且本实施方式中在制备发光背板结构时，可直接利用与制备平坦化层相同的制备工艺来制备反射层，无需在驱动电路层上方单独制备反射杯，或在发光单元背部或者侧壁单独制作反射层，提高了反射层与驱动背板(驱动背板包括：基板、平坦化层、以及驱动电路层)的兼容性。
上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
不难发现，本实施例为与第一实施例、第二实施例以及第三实施例相关的方法实施例，本实施例可与第一实施例、第二实施例以及第三实施例互相配合实施。第一实施例、第二实施例以及第三实施例中提到的相关技术细节在本实施例中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施例中提到的相关技术细节也可应用在第一实施例、第二实施例以及第三实施例中。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种发光背板，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上的反射层；
在所述反射层远离所述基板一侧依次层叠设置的平坦化层、以及驱动电路层；
位于所述驱动电路层远离所述基板一侧的多个发光单元。
2.根据权利要求1所述的发光背板，其特征在于，所述反射层远离所述基板一侧的表面具有多个第一凹坑，每个所述发光单元与每个所述第一凹坑相对设置。
3.根据权利要求2所述的发光背板，其特征在于，还包括：位于所述基板与所述反射层之间的磷硅玻璃层；所述磷硅玻璃层远离所述基板一侧的表面具有多个第二凹坑，所述第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合。
4.根据权利要求3所述的发光背板，其特征在于，所述第二凹坑的表面呈圆弧状，所述第二凹坑的曲率半径为预设像素尺寸的0.5～5倍。
5.根据权利要求1所述的发光背板，其特征在于，所述反射层为无机布拉格反射层，所述反射层的厚度范围在1微米～5微米。
6.根据权利要求1所述的发光背板，其特征在于，所述第一凹坑的表面呈阶梯状或呈圆弧状。
7.根据权利要求1所述的发光背板，其特征在于，所述第一凹坑的开口大小为所述发光单元的尺寸的1～2倍。
8.一种发光背板的制备方法，其特征在于，
在基板上制备反射层；
在所述反射层远离所述基板的一侧依次制备平坦化层、以及驱动电路层，
在所述驱动电路层远离所述基板的一侧制备多个发光单元。
9.根据权利要求8所述的发光背板的制备方法，其特征在于，所述在基板上制备反射层之前，还包括：
在所述基板上制备磷硅玻璃层；
在所述磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑，所述第一凹坑与所述第二凹坑相嵌合。
10.根据权利要求9所述的发光背板的制备方法，其特征在于，所述在所述磷硅玻璃层上形成多个第二凹坑之后，且在基板上制备反射层之前，还包括：
对具有所述第二凹坑的磷硅玻璃层进行高温回流以使所述第二凹坑的表面呈圆弧状。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010396084.0A CN113658972A (zh) | 2020-05-12 | 2020-05-12 | 发光背板以及发光背板的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010396084.0A CN113658972A (zh) | 2020-05-12 | 2020-05-12 | 发光背板以及发光背板的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113658972A true CN113658972A (zh) | 2021-11-16 |
Family
ID=78476806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010396084.0A Pending CN113658972A (zh) | 2020-05-12 | 2020-05-12 | 发光背板以及发光背板的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113658972A (zh) |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0982894A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN101205055A (zh) * | 2007-12-07 | 2008-06-25 | 华中科技大学 | 一种制备悬挂可变电容的工艺方法 |
| CN102074622A (zh) * | 2009-11-13 | 2011-05-25 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 发光二极管芯片、其制造方法及发光二极管封装件 |
| CN104576700A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型woled结构及制作方法 |
| WO2015070669A1 (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN106449933A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-02-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN107507853A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-22 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN109256455A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-22 | 福州大学 | 一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法 |
| CN110085655A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN110137235A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN110335883A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-10-15 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110398857A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-01 | 青岛海信电器股份有限公司 | 微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置 |
| CN110957227A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-03 | 深圳市威兆半导体有限公司 | 一种mosfet器件的制造方法及mosfet器件 |
-
2020
- 2020-05-12 CN CN202010396084.0A patent/CN113658972A/zh active Pending
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0982894A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN101205055A (zh) * | 2007-12-07 | 2008-06-25 | 华中科技大学 | 一种制备悬挂可变电容的工艺方法 |
| CN102074622A (zh) * | 2009-11-13 | 2011-05-25 | 首尔Opto仪器股份有限公司 | 发光二极管芯片、其制造方法及发光二极管封装件 |
| WO2015070669A1 (zh) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN104576700A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa型woled结构及制作方法 |
| CN106449933A (zh) * | 2016-09-08 | 2017-02-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制备方法 |
| CN107507853A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-22 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN109256455A (zh) * | 2018-09-19 | 2019-01-22 | 福州大学 | 一种光效提取和无像素干扰的全彩化Micro-LED显示结构及其制造方法 |
| CN110335883A (zh) * | 2019-04-25 | 2019-10-15 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110085655A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
| CN110137235A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN110398857A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-01 | 青岛海信电器股份有限公司 | 微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置 |
| CN110957227A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-03 | 深圳市威兆半导体有限公司 | 一种mosfet器件的制造方法及mosfet器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI676261B (zh) | 高密度像素化發光二極體及其之裝置和方法 | |
| CN109256456B (zh) | 一种实现Micro-LED显示出光效率提升和窜扰降低的微结构及其制造方法 | |
| CN104638078A (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
| CN100492686C (zh) | 具有渐变折射率减反射层的发光器件及其制作方法 | |
| CN1812117B (zh) | 半导体发光器件及其制造方法 | |
| CN1897319B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN1950957A (zh) | 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置 | |
| US8866375B2 (en) | Light emitting diode component | |
| CN103650172A (zh) | 用于反射来自发光二极管的多波长光的分布式布拉格反射器 | |
| CN1822400A (zh) | 高输出发光二极管及其制造方法 | |
| US11785793B2 (en) | Flip-chip light emitting diode and manufacturing method thereof | |
| US20200105980A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| CN104851959B (zh) | 光转换基板、发光封装件以及包括其的汽车车灯 | |
| KR20180131399A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 | |
| WO2012044571A1 (en) | Led wavelength-converting plate with microlenses in multiple layers | |
| CN103915533A (zh) | 图形化衬底、倒装led芯片及其制作方法 | |
| JP2015099816A (ja) | 配光部材の製造方法及び発光装置の製造方法 | |
| US20130043786A1 (en) | Wavelength conversion structure, manufacturing method thereof, and light-emitting device comprising the wavelength conversion structure | |
| CN111613712B (zh) | 发光二极管、包括多个发光二极管的像素及其制造方法 | |
| JP2014127513A (ja) | 発光装置 | |
| TW200929624A (en) | White light emitting diode chip and manufacturing method thereof | |
| CN100337337C (zh) | 全方向反射镜及由其制造的发光装置 | |
| US11588073B2 (en) | Light emitting device with reflector | |
| CN111129062A (zh) | Led显示模组、led显示屏及制作方法 | |
| CN113658972A (zh) | 发光背板以及发光背板的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |