CN113644092A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置具有拥有改善的光提取效率和光转换效率的光学面板。所述显示装置包括：第一基底；第一发光元件至第三发光元件，布置在第一基底上；封装层，覆盖第一发光元件至第三发光元件；第一光阻挡层，布置在封装层上，第一光阻挡层包括分别与第一发光元件至第三发光元件对应的多个第一开口；反射层，布置在第一光阻挡层上，反射层与所述多个第一开口中的每个的内表面对应；第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层分别位于所述多个第一开口中；第二光阻挡层，位于第一光阻挡层上，第二光阻挡层包括与所述多个第一开口叠置的多个第二开口；以及第一滤色器层至第三滤色器层，位于所述多个第二开口中。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
本申请要求于2020年4月27日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0051048号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例的方面涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
随着诸如移动电话、个人数字助理(PDA)、计算机和大型电视(TV)的各种电子设备的发展，已经开发了适用于其的各种类型的显示设备。例如，这种显示设备包括液晶显示设备和有机发光显示设备，液晶显示设备包括背光单元，有机发光显示设备从各个颜色区域发射不同颜色的光。此外，最近已经开发了包括量子点颜色转换层(QD-CCL)的显示设备。被入射光激发的量子点发射具有比入射光的波长长的波长的光，并且低波段的光主要用作入射光。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，因此在该背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
一个或更多个实施例包括显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置具有拥有相对改善的光提取效率和光转换效率的光学面板，其中，显示装置的制造过程被相对简化以改善制造效率、减少制造质量缺陷并降低成本。然而，这些特性仅仅是示例特性，并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
另外的方面将在以下的描述中部分地阐述，并且部分地通过该描述将是明显的，或者可以通过公开的给出的示例实施例的实践而获知。
根据一个或更多个示例实施例，显示装置包括：第一基底；第一发光元件至第三发光元件，布置在第一基底上，第一发光元件至第三发光元件中的每个包括第一颜色发射层；封装层，覆盖第一发光元件至第三发光元件，封装层包括至少一个无机层和至少一个有机层；第一光阻挡层，布置在封装层上，第一光阻挡层包括分别与第一发光元件至第三发光元件对应的多个第一开口；反射层，布置在第一光阻挡层上，反射层与所述多个第一开口中的每个的内表面对应；第一颜色转换层，位于与第一发光元件对应的第一开口中；第二颜色转换层，位于与第二发光元件对应的第一开口中；光透射层，位于与第三发光元件对应的第一开口中；第二光阻挡层，位于第一光阻挡层上，第二光阻挡层包括与所述多个第一开口叠置的多个第二开口；以及第一滤色器层至第三滤色器层，位于所述多个第二开口中，第一滤色器层至第三滤色器层分别与第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层叠置。
根据一些示例实施例，显示装置还可以包括覆盖第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层的第一盖层。
根据一些示例实施例，第一光阻挡层的一个表面可以与第一盖层接触。
根据一些示例实施例，显示装置还可以包括覆盖第一滤色器层至第三滤色器层的第二盖层，其中，第一盖层和第二盖层可以将第一滤色器层至第三滤色器层夹置在它们之间。
根据一些示例实施例，显示装置还可以包括布置在第一基底的一侧上方的第二基底，使得第一发光元件至第三发光元件位于第一基底与第二基底之间，其中，第二基底可以覆盖第一滤色器层至第三滤色器层以及第二光阻挡层。
根据一些示例实施例，反射层可以包括其上形成有不规则体的表面。
根据一些示例实施例，反射层的所述表面可以具有晶界或团簇。
根据一些示例实施例，反射层可以包括金属材料，金属材料是银、铝、金或它们的组合。
根据一些示例实施例，反射层可以具有20nm或更大且100nm或更小的厚度以及1或更大且20或更小的高宽比。
根据一些示例实施例，第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层中的每个可以包括散射颗粒，其中，第一颜色转换层还可以包括第一量子点，第二颜色转换层还可以包括第二量子点，并且第一量子点和第二量子点可以包括相同的材料，但可以具有不同的尺寸。
根据一个或更多个示例实施例，显示装置包括：基底；第一发光元件至第三发光元件，布置在基底上，第一发光元件至第三发光元件中的每个包括第一颜色发射层；第一颜色转换层，布置在基底上，并且与第一发光元件对应；第二颜色转换层，布置在基底上，并且与第二发光元件对应；光透射层，布置在基底上，并且与第三发光元件对应；反射层，在平面上围绕第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层中的每个；第一无机层，覆盖第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层中的每个的一侧；以及第二无机层，覆盖第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层中的每个的另一侧，并且覆盖反射层，其中，第一无机层和第二无机层彼此接触。
根据一些示例实施例，反射层的面对第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层的一个表面可以包括不规则的不规则体。
根据一个或更多个示例实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：准备其上布置有第一发光元件至第三发光元件的第一基底，第一发光元件至第三发光元件中的每个包括第一颜色发射层；在第一基底上形成包括多个第一开口的有机膜图案层，所述多个第一开口分别与第一发光元件至第三发光元件对应；在有机膜图案层上沉积金属层；通过经由离子研磨蚀刻金属层并且将蚀刻的金属层的金属颗粒附着到所述多个第一开口的内表面来形成反射层；以及在所述多个第一开口中形成分别与第一发光元件至第三发光元件叠置的第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层。
根据一些示例实施例，可以通过使惰性气体的离子加速并使离子与金属层碰撞来执行离子研磨。
根据一些示例实施例，执行离子研磨所需的时间可以是400秒或更大。
根据一些示例实施例，惰性气体可以选自氮气、氦气、氩气及其混合气体。
根据一些示例实施例，所述方法还可以包括形成覆盖第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层的第一盖层。
根据一些示例实施例，所述方法还可以包括在第一盖层上形成与有机膜图案层叠置的第二光阻挡层以及在多个第二开口中形成分别与第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层对应的第一滤色器层至第三滤色器层，第二光阻挡层包括与所述多个第一开口叠置的所述多个第二开口。
根据一些示例实施例，所述方法还可以包括：准备其上形成有分别与第一发光元件至第三发光元件对应的第一滤色器层至第三滤色器层的第二基底，其中，有机膜图案层可以形成在第二基底上。
根据一些示例实施例，所述方法还可以包括在形成反射层之后去除有机膜图案层。
从对示例实施例、附图和权利要求的描述，这些和/或其他方面将变得更加明显和更容易理解。
这些一般的和特定的方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或者特定系统、方法和计算机程序的组合来实现。
附图说明
公开的某些示例实施例的以上和其他方面、特征及特性将从以下结合附图的描述变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据一些示例实施例的显示装置的示意性平面图；
图2是沿着图1的线II-II’截取的显示装置的示意性剖视图；
图3是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；
图4A至图4G是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图；
图5A和图5B是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的一部分的一些工艺的示意性剖视图；
图6是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；
图7是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；
图8是示出根据一些示例实施例的显示装置的示意性剖视图；
图9A和图9B是示出制造图8的显示装置的方法的一些工艺的示意性剖视图；
图10A至图10C是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的图像；
图11是用于对比根据一些示例实施例的显示装置中具有和不具有反射层的光提取效率的曲线图；
图12A至图12D是示出根据依据一些示例实施例的显示装置中的反射层的材料和厚度的波长与反射率之间的关系的曲线图；以及
图13是示出在根据一些示例实施例的显示装置的一部分的制造工艺中金属层的离子研磨时间与可见光的透射率之间的关系的曲线图。
具体实施方式
现在将更详细地参照一些示例实施例的方面，在附图中示出了示例实施例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就此而言，本示例实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述示例实施例，以解释给出的描述的方面。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变形。
由于本公开允许各种改变和许多实施例，所以示例实施例将在附图中示出并且在书面描述中被更详细地描述。参照用于示出一个或更多个实施例的附图，以充分地理解其优点和通过实施方式实现的特性。然而，实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。
将在下面参照附图更详细地描述示例实施例。无论附图编号如何，相同或对应的那些组件被赋予相同的附图标记，并且省略了冗余的解释。
虽然诸如“第一”、“第二”等的术语可以用来描述各种组件，但是这样的组件不受以上术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
以单数形式使用的表述包含复数形式的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。
在本说明书中，将理解的是，术语“包括”、“具有”和“包含”意在指在本说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部件或其组合的存在，而不意图排除可以存在或可以添加一个或更多个其他特征、数量、步骤、动作、组件、部件或其组合的可能性。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
当可以不同地实现某个实施例时，具体的工艺顺序可以以与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
在说明书中，短语“A和/或B”表示A、B或者A和B。另外，短语“A和B中的至少一个(种/者)”表示A、B或者A和B。
在下面的实施例中，当层、区域或元件等被称为“连接”时，将理解的是，它们可以直接地连接，或者在层、区域或元件之间可以存在中间部分。例如，当层、区域或元件等被称为“电连接”时，它们可以直接地电连接，或者层、区域或元件可以间接地电连接并且可以存在中间部分。
X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示出根据一些示例实施例的显示装置1的示意性平面图。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA外侧(例如，显示区域DA的外围或显示区域DA的占用区域外侧)的外围区域PA。显示装置1可以通过在显示区域DA中二维地(例如，以矩阵布置)布置的多个像素PX(例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3)的阵列来提供图像。外围区域PA是不提供或显示图像的区域，并且可以完全地或部分地围绕显示区域DA。用于向第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3提供电信号或电力的驱动器等可以布置在外围区域PA中。在外围区域PA中，可以布置作为电子装置或印刷电路板可以电连接到其的区域的垫(pad，或被称为“焊盘”或“焊垫”)。
在下文中，虽然显示装置1被描述为包括有机发光二极管(OLED)作为发光元件，但是显示装置1不限于此。根据一些示例实施例，显示装置1可以是诸如微发光显示器(LED)的无机发光显示装置(或无机电致发光(EL)显示装置)或诸如量子点发光显示装置的显示装置。例如，设置在显示装置1中的发光元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
图2是沿着图1的线II-II’截取的显示装置1的示意性剖视图。
参照图2，根据一些示例实施例的显示装置1可以包括第一像素PX1至第三像素PX3。这种情况仅是示例，并且显示装置1可以包括更多的像素PX(见图1)。另外，虽然图2示出了第一像素PX1至第三像素PX3彼此相邻，但是根据本公开的实施例不限于此。也就是说，诸如布线等的其他组件可以在第一像素PX1至第三像素PX3之间。因此，例如，第一像素PX1和第二像素PX2可以不是彼此相邻地定位的像素。另外，在图2中，第一像素PX1至第三像素PX3的剖面可以不是在相同方向上的剖面。
根据一些示例实施例的显示装置1可以包括第一基底100。第一基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当第一基底100是柔性的或可弯曲的时，第一基底100可以包括聚合物树脂，例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。各种修改是可能的。例如，第一基底100可以具有多层结构，该多层结构包括均包含这种聚合物树脂的两个层和在两个层之间的包含无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的阻挡层。
第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231可以位于第一基底100上。也就是说，多个发光元件可以位于第一基底100上，图2示出了第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230位于第一基底100上。除了发光元件之外，电连接到发光元件的第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3也可以位于第一基底100上，图2示出了作为发光元件的OLED位于第一基底100上。OLED电连接到第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3的描述可以被理解为第一像素电极211、第二像素电极221和第三像素电极231电连接到第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3。
作为参考，在图2中，第一薄膜晶体管TFT1位于第一像素PX1中，第二薄膜晶体管TFT2位于第二像素PX2中，第三薄膜晶体管TFT3位于第三像素PX3中。另外，如图2中示出的，第一薄膜晶体管TFT1至第三薄膜晶体管TFT3中的每个可以电连接到位于对应像素中的发光元件的像素电极。在下文中，为了方便，将描述第一薄膜晶体管TFT1和连接到其的第一发光元件210，并且相同的描述可以应用于第二薄膜晶体管TFT2和连接到其的第二发光元件220以及第三薄膜晶体管TFT3和连接到其的第三发光元件230。也就是说，将省略对第二薄膜晶体管TFT2的第二半导体层Act2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2的描述以及对第二像素电极221的描述。类似地，将省略对第三薄膜晶体管TFT3的第三半导体层Act3、第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3的描述以及对第三像素电极231的描述。
第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层Act1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一半导体层Act1可以包括非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物半导体材料。第一栅电极GE1可以包括各种导电材料并且具有各种层结构。例如，第一栅电极GE1可以包括钼(Mo)层或铝(Al)层。可选地，第一栅电极GE1可以包括氮化钛(TiNx)层、Al层和/或钛(Ti)层。第一源电极SE1和第一漏电极DE1还可以包括各种导电材料并且具有各种层结构。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以均包括Ti层、Al层和/或铜(Cu)层。
为了确保第一半导体层Act1与第一栅电极GE1之间足够的绝缘，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层130可以在第一半导体层Act1与第一栅电极GE1之间。另外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层150可以布置在第一栅电极GE1上，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以布置在层间绝缘层150上。包括无机材料的层间绝缘层150可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。该描述也应用于稍后将描述的实施例及其修改。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可以在第一薄膜晶体管TFT1与第一基底100之间。缓冲层110可以用来增加第一基底100的上表面的平滑度，或者用于防止或减少来自第一基底100等的杂质渗透到第一薄膜晶体管TFT1的第一半导体层Act1中。
另外，平坦化层170可以布置在第一薄膜晶体管TFT1上。例如，如图2中示出的，当OLED布置在第一薄膜晶体管TFT1上时，平坦化层170可以使覆盖第一薄膜晶体管TFT1的保护层的上膜部分基本上平坦。平坦化层170可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。在图2中，平坦化层170被示出为单层，但是可以包括多层。也就是说，各种修改可以是可能的。
第一发光元件210可以位于第一基底100上的平坦化层170上。包括第一像素电极211、中间层203和对电极205的堆叠结构可以形成第一发光元件210。作为第一发光元件210，可以使用如图2中示出的OLED。OLED可以发射第一颜色的光，并且OLED的发射区域与像素PX对应。
例如，在第一像素PX1的情况下，OLED可以具有例如第一像素电极211、对电极205和位于第一像素电极211与对电极205之间并包括发射层的中间层203。第一像素电极211如图2中示出地穿过形成在平坦化层170中的开口与第一源电极SE1和第一漏电极DE1中的一个接触，并且因此电连接到第一薄膜晶体管TFT1。第二像素PX2也可以具有第二像素电极221，第三像素PX3也可以具有第三像素电极231。第一像素电极211至第三像素电极231中的每个包括透光导电层和反射层，透光导电层包括诸如ITO、In2O3或IZO的透光导电氧化物，反射层包括诸如Al或Ag的金属。例如，第一像素电极211至第三像素电极231中的每个可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
包括发射层的中间层203可以遍及第一像素电极211至第三像素电极231一体地形成，在中间层203上的对电极205也可以遍及第一像素电极211至第三像素电极231一体地形成。对电极205可以包括包含ITO、In2O3或IZO的透光导电层，并且也可以包括包含诸如Al或Ag的金属的半透射层。例如，对电极205可以包括包含Mg和Ag的半透射层。
像素限定层190可以布置在平坦化层170上。像素限定层190具有与每个像素对应的开口(即，第一像素电极211至第三像素电极231中的每个的至少中心部分通过其暴露的开口)，从而限定像素。另外，在图2中示出的情况下，像素限定层190增加第一像素电极211至第三像素电极231中的每个的边缘与对电极205之间的距离，从而防止在第一像素电极211至第三像素电极231中的每个的边缘处发生电弧等。像素限定层190可以包括诸如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料。
中间层203可以包括低分子量材料或高分子量材料(或聚合物材料)。当中间层203包括低分子量材料时，中间层203可以具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等以单一结构或复合结构堆叠的结构，并且可以通过真空沉积法形成。
当中间层203包括高分子量材料时，中间层203可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括PEDOT，EML可以包括诸如聚亚苯基乙烯撑(PPV)类材料或聚芴类材料的高分子量材料。中间层203可以通过丝网印刷、喷墨印刷、气相沉积或激光诱导热成像(LITI)来形成。中间层203不必限于此，并且根据本公开的实施例可以具有各种结构。
如上所述，中间层203可以包括遍及第一像素电极211至第三像素电极231一体地形成的层。然而，根据一些示例实施例，中间层203可以包括被图案化为与第一像素电极211至第三像素电极231中的每个对应的层。在任何情况下，中间层203包括第一颜色发射层。第一颜色发射层可以遍及第一像素电极211至第三像素电极231成整体。如果需要，第一颜色发射层可以被图案化为与第一像素电极211至第三像素电极231中的每个对应。第一颜色发射层可以发射例如具有波长属于约450nm至约495nm的光。
对电极205可以位于中间层203上，以与第一像素电极211至第三像素电极231对应。对电极205可以一体地形成在多个OLED中。
因为OLED可能容易被来自外侧的湿气或氧损坏，所以封装层300可以覆盖OLED以保护它们。
封装层300可以布置在对电极205上。OLED可以被封装层300覆盖。封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在它们之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以均包括一种或更多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积形成。
有机封装层320可以包括聚合物类的材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如，有机封装层320可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸的丙烯酸树脂。有机封装层320可以通过使单体固化或施涂聚合物来形成。
从上述的第一基底100至第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230的堆叠结构可以被称为显示层10。显示层10可以产生入射在稍后将更详细地描述的第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453的入射光(下文中，也被称为蓝色入射光)Lib，从显示层10发射的入射光Lib可以穿过封装层300行进到第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453。
根据一些示例实施例的显示装置1可以包括布置在封装层300上的第一光阻挡层410、反射层430、第一颜色转换层451、第二颜色转换层452、光透射层453、第一盖层470、第二光阻挡层510、第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533以及第二盖层550。
第一光阻挡层410可以包括分别与第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230对应的第一开口410OP。
第一光阻挡层410可以具有包括黑色或白色的各种颜色。例如，第一光阻挡层410可以为黑色的，并且可以包括黑色矩阵。第一光阻挡层410可以包括光阻挡材料，光阻挡材料可以包括不透明的无机绝缘材料(诸如氧化铬或氧化钼)或不透明的有机绝缘材料(诸如黑色树脂)。作为另一示例，第一光阻挡层410可以包括诸如白色树脂的有机绝缘材料。
如下所述，第一光阻挡层410可以防止在彼此相邻的第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453中转换或透射的光束之间的颜色混合。
第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453可以分别布置在第一光阻挡层410的第一开口410OP中，并且可以分别与第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230对应。第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453可以以规则的间隔彼此间隔开，并且第一光阻挡层410可以位于它们之间。
第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453可以将在显示层10中产生的入射光Lib转换为具有特定颜色的光或透射入射光Lib，并且可以朝向第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533发射经颜色转换的光或透射的光。被第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453颜色转换的光或透射的光可以是红光、绿光和蓝光中的一种。
例如，入射光Lib可以是波长为400nm或更大且小于495nm的蓝光，并且穿过第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533发射的光可以包括波长为580nm或更大且小于750nm的红光、波长为495nm或更大且小于580nm的绿光以及波长为400nm或更大且小于495nm的蓝光。
入射光Lib可以通过第一颜色转换层451转换为红光，红光可以朝向第一滤色器层531发射，并且穿过第一滤色器层531的光可以发射到外侧。入射光Lib可以通过第二颜色转换层452转换为绿光，绿光可以朝向第二滤色器层532发射，并且穿过第二滤色器层532的光可以发射到外侧。入射光Lib可以在没有颜色转换的情况下透射穿过光透射层453，透射光可以朝向第三滤色器层533发射，并且穿过第三滤色器层533的光可以发射到外侧。
因此，当从显示层10发射的入射光Lib穿过第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453时，入射光Lib被转换为绿光或红光或者未经颜色转换而透射，从而显示彩色图像。
反射层430可以布置在第一光阻挡层410的第一开口410OP中的每个的内表面上。反射层430可以位于非发射区域中，并且可以被布置为不与发射区域叠置。反射层430可以包括与第一开口410OP叠置的孔。入射光Lib可以穿过反射层430的孔行进。
根据一些示例实施例，反射层430可以与第一光阻挡层410的第一开口410OP中的每个的内表面对应。反射层430可以仅布置在第一开口410OP中的每个的内表面上，因此，反射层430可以在第一光阻挡层410与第一颜色转换层451之间，在第一光阻挡层410与第二颜色转换层452之间，并且在第一光阻挡层410与光透射层453之间。反射层430可以暴露封装层300的与第一开口410OP叠置的部分和第一光阻挡层410的面对稍后将描述的第一盖层470的一个表面。因此，第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453可以均接触封装层300的第二无机封装层330，并且第一光阻挡层410可以接触稍后将描述的第一盖层470。
反射层430可以包括在其上形成有不规则体的表面。反射层430可以包括诸如银(Ag)、铝(Al)、金(Au)或其组合的具有优异的反射率的金属材料。到达反射层430的光可以从反射层430的表面被反射。作为对比示例，在省略反射层430的情况下，当一些入射光Lib朝向第一光阻挡层410的第一开口410OP的内表面行进时，所述一些入射光Lib可能被吸收并消失，因此可能发生光学损耗。然而，根据一些示例实施例，反射层430设置在第一开口410OP的内表面上，即使一些入射光Lib朝向第一开口410OP的内表面行进，所述一些入射光Lib也被反射层430反射回来，因此，可以减少光损失，并且可以改善显示装置1的光提取效率和亮度。
另外，颜色未被稍后将描述的第一颜色转换层451和第二颜色转换层452转换并且朝向第一开口410OP的内表面行进的光从反射层430反射回来，因此，第一颜色转换层451和第二颜色转换层452中的量子点可以被光激发，并且光的颜色可以被转换。通过该操作，可以改善光转换效率。
第一盖层470可以布置在第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453上。第一盖层470可以形成为覆盖第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453。第一盖层470可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
第一盖层470和封装层300可以将第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453夹置在它们之间。如下面参照图3描述的，第一颜色转换层451和第二颜色转换层452可以均包括量子点。因为量子点由纳米颗粒组成，所以量子点可能因与湿气和氧等反应而劣化。因此，第一盖层470和封装层300可以在第一颜色转换层451和第二颜色转换层452上方和下方覆盖第一颜色转换层451和第二颜色转换层452，使得湿气和氧等不流入到第一颜色转换层451和第二颜色转换层452中的量子点中。
第二光阻挡层510可以布置在第一盖层470上。第二光阻挡层510可以包括分别与第一开口410OP叠置的第二开口510OP。第二光阻挡层510可以包括光阻挡材料。光阻挡材料可以包括不透明的无机绝缘材料(诸如氧化铬或氧化钼)或不透明的有机绝缘材料(诸如黑色树脂)，并且可以阻挡光发射到发射区域外侧，从而防止在显示装置1中发生漏光。
第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533可以分别位于第二光阻挡层510的第二开口510OP中。例如，第一滤色器层531可以位于与第一发光元件210对应的第二开口510OP中，第二滤色器层532可以位于与第二发光元件220对应的第二开口510OP中，第三滤色器层533可以位于与第三发光元件230对应的第二开口510OP中。根据一些示例实施例，第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533中的一些可以布置在第二光阻挡层510上。
第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533可以是包括染料或颜料的有机图案。第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533可以分别包括不同颜色的颜料或染料，并且选择性地仅透射对应颜色的光。例如，第一滤色器层531可以通过包括红色颜料或染料来选择性地仅透射红光，第二滤色器层532可以通过包括绿色颜料或染料来选择性地仅透射绿光。第三滤色器层533可以通过包括蓝色颜料或染料来选择性地仅透射蓝光。
当考虑从显示装置1发射的具有各个颜色的光的量时，第三滤色器层533的厚度可以比第一滤色器层531的厚度和第二滤色器层532的厚度大。
作为另一示例，第二光阻挡层510可以包括与第三滤色器层533的材料相同的材料，并且可以与第三滤色器层533通过同一工艺形成。在这种情况下，第一滤色器层531可以位于第二光阻挡层510的与第一发光元件210对应的第二开口510OP中，第二滤色器层532可以位于第二光阻挡层510的与第二发光元件220对应的第二开口510OP中。第二开口510OP可以不形成在与第三发光元件230对应的位置处，并且第二光阻挡层510的部分可以用作第三滤色器层533。布置在第一滤色器层531与第二滤色器层532之间的第二光阻挡层510的部分可以防止在彼此相邻的第一颜色转换层451和第二颜色转换层452中转换的光束之间的颜色混合。
第二盖层550可以布置在第二光阻挡层510上。第二盖层550可以形成为覆盖第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。第二盖层550可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
从显示层10发射的光可以不透射穿过第一光阻挡层410的光阻挡材料和第二光阻挡层510的光阻挡材料，且可以仅透射穿过在其处第一光阻挡层410的第一开口410OP与第二光阻挡层510的第二开口510OP叠置的区域。因此，第一开口410OP和第二开口510OP彼此叠置的区域可以被限定为发射区域，并且在其处定位有第一光阻挡层410的光阻挡材料和第二光阻挡层510的光阻挡材料的区域可以被限定为非发射区域。
图3是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。
参照图3，第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453可以设置在根据一些示例实施例的显示装置1(见图2)中。
例如，第一颜色转换层451可以将蓝色入射光Lib转换为红光Lr。为此，第一颜色转换层451可以包括其中分散有第一量子点451b的第一光敏聚合物451a。
第一光敏聚合物451a可以是诸如聚硅氧烷树脂和环氧树脂的具有光透射性质的有机材料。
第一量子点451b被蓝色入射光Lib激发而各向同性地发射波长比蓝光的波长长的红光Lr。第一量子点451b可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物或其组合。
第一散射颗粒451c还可以分散在第一光敏聚合物451a中。第一散射颗粒451c可以将未被第一量子点451b吸收的蓝色入射光Lib散射，以激发更多的第一量子点451b，因此，可以提高第一颜色转换层451的颜色转换效率。第一散射颗粒451c可以包括例如氧化钛TiO2颗粒或金属颗粒。
例如，第二颜色转换层452可以将蓝色入射光Lib转换为绿光Lg。第二颜色转换层452可以包括第二光敏聚合物452a，第二光敏聚合物452a具有分散在其中的第二量子点452b，并且第二散射颗粒452c可以与第二量子点452b一起分散在第二光敏聚合物452a中，从而提高第二颜色转换层452的颜色转换率。
第二光敏聚合物452a可以包括与第一光敏聚合物451a的材料相同的材料，并且第二散射颗粒452c可以包括与第一散射颗粒451c的材料相同的材料。第二量子点452b可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物或其组合。也就是说，第二量子点452b可以包括与第一量子点451b的材料相同的材料。然而，第二量子点452b的尺寸可以比第一量子点451b的尺寸小，因此，第二量子点452b可以被蓝色入射光Lib激发并且发射比蓝光的波长大的波长，并且可以各向同性地发射波长比红光Lr的波长小的绿光Lg。
光透射层453可以包括其中分散有第三散射颗粒453c的第三光敏聚合物453a。也就是说，光透射层453不包括可以被蓝色入射光Lib激发的单独量子点。与第一光敏聚合物451a类似，第三光敏聚合物453a可以包括具有光透射性能的有机材料，并且第三散射颗粒453c可以包括与第一散射颗粒451c的材料相同的材料。因此，入射在光透射层453上的蓝色入射光Lib可以在没有颜色改变的情况下透射穿过光透射层453，因此，穿过光透射层453发射的光可以是蓝光Lb。然而，蓝色入射光Lib可以通过第三散射颗粒453c在光透射层453内部散射并发射到外侧。光透射层453可以透射蓝色入射光Lib而不改变其颜色，从而获得较高的光效率。
图4A至图4G是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的工艺的示意性剖视图。图4A至图4G可以是示出制造图2的显示装置1的方法的工艺的剖视图。
参照图4A，首先，可以准备包括其上布置有第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230的第一基底100的显示层10。封装层300可以已经形成在显示层10上。
为了在第一基底100上形成包括分别与第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230对应的第一开口410OP的第一光阻挡层410，可以在封装层300的整个表面上施涂有机膜410m。对于施涂有机膜410m的工艺，可以使用喷墨印刷、旋涂或喷涂。
参照图4B，可以在有机膜410m中形成分别与第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230对应的开口，来形成有机图案层(也被称为有机膜图案层)。在这种情况下，有机图案层可以是第一光阻挡层410，并且开口可以是第一光阻挡层410的第一开口410OP。在形成有机图案层的工艺中，可以使用光刻工艺作为示例。作为另一示例，可以使用纳米压印光刻。如上所述，可以通过参照图4A和图4B描述的工艺形成包括分别与第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230对应的第一开口410OP的第一光阻挡层410。
参照图4C，为了在第一光阻挡层410上形成反射层430，首先，可以在有机图案层的整个表面上形成金属层430m。可以使用形成金属层430m的任何方法，只要它是能够沉积金属的方法即可。例如，可以使用化学气相沉积法、原子层沉积法、溅射法、放电法、等离子体沉积法、热化学气相沉积法和电子束沉积法等作为形成金属层430m的方法。根据一些示例实施例，可以使用溅射法或电子束沉积法精确地沉积金属层430m。
金属层430m可以包括诸如Ag、Al、Au或其组合的具有反射率的金属材料。金属层430m的厚度可以比最终将形成的反射层430的厚度大。根据一些示例实施例，金属层430m可以被沉积为20nm或更大且140nm或更小的厚度。
参照图4D，通过去除金属层430m的一部分，可以留下在有机图案层的开口的内表面(即，第一光阻挡层410的第一开口410OP的内表面)上的金属层430m。由此，可以形成覆盖第一开口410OP的内表面的反射层430。根据一些示例实施例，去除金属层430m的一部分的工艺可以包括通过离子研磨蚀刻金属层430m的工艺。另外，当蚀刻位于第一开口410OP的底部处的金属层430m时，从金属层430m分离的金属颗粒可以附着到第一开口410OP的内表面从而形成反射层430。最终形成的反射层430的厚度可以是20nm或更大且100nm或更小，并且反射层430的高宽比可以是1或更大且20或更小。下面将参照图5A和图5B更详细地描述形成反射层430的工艺。
参照图4E，可以在第一光阻挡层410的第一开口410OP中形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453。第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453可以分别与第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230叠置。因为反射层430仅形成在第一开口410OP的内表面上，所以第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453中的每个可以接触位于其一侧上的封装层300。
可以通过旋涂法或喷墨印刷法形成第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453，可以通过旋涂法或喷墨印刷法减少浪费的光敏聚合物、散射颗粒和量子点形成材料的量。
参照图4F，可以形成第一盖层470，以覆盖第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453。第一盖层470可以遍及第一基底100的整个表面而是一体的。第一盖层470可以位于第一光阻挡层410上。例如，因为反射层430仅布置在第一光阻挡层410的第一开口410OP的内表面上，所以第一盖层470可以接触第一光阻挡层410的面对第一盖层470的一个表面。另外，第一盖层470可以接触第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453中的每个的面对第一盖层470的一个表面。
可以使用化学气相沉积法等形成第一盖层470。例如，可以使用约200℃或更低的低温化学气相沉积法，使得较早形成的第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453不被损坏。
参照图4G，可以在第一盖层470上形成与第一光阻挡层410叠置并且包括与第一开口410OP叠置的第二开口510OP的第二光阻挡层510。此后，可以在第二开口510OP中形成分别与第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453对应的第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。
可以使用形成第二光阻挡层510的任何方法，只要它是能够形成聚合物层的方法即可。例如，可以通过在第一盖层470上施涂用于第二光阻挡层510的材料并随后在分别与第一开口410OP对应的位置处形成第二开口510OP来形成第二光阻挡层510。例如，施涂用于第二光阻挡层510的材料的方法可以使用喷墨印刷、旋涂或喷涂。此外，可以通过例如光刻工艺来形成第二开口510OP。
在形成第二光阻挡层510之后，可以在第二光阻挡层510的第二开口510OP中填充用于滤色器的材料，以形成第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。例如，可以使用喷墨印刷、旋涂或喷涂形成第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。
另外，可以在第二光阻挡层510以及第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533上形成第二盖层550。第二盖层550可以接触第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。可以使用化学气相沉积法等形成第二盖层550。例如，可以使用约200℃或更低的低温化学气相沉积法，使得较早形成的第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533不被损坏。
如上所述，可以通过参照图4A至图4G描述的工艺来提供根据一些示例实施例的显示装置1(见图2)。
图5A和图5B是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的一部分的一些工艺的示意性剖视图。具体地，图5A和图5B是示出形成显示装置的光学面板的反射层的工艺的示意性剖视图。图5A和图5B示出了第一光阻挡层的一部分的剖面。
参照图5A，首先，可以在第一光阻挡层410的第一开口410OP中形成金属层430m，并且可以使用蚀刻工艺来去除形成在第一开口410OP的底部上的金属层430m。根据一些示例实施例，蚀刻工艺可以使用离子研磨。可以通过加速惰性气体的离子使加速的离子Ion与金属层430m的表面连续碰撞来执行离子研磨。惰性气体可以选自氮气、氦气、氩气或其混合气体。在这种情况下，可以使用电压差来加速离子。
为了在蚀刻金属层430m的同时形成反射层430，可以使用离子轰击现象。当加速的离子Ion与金属层430m的表面碰撞并且物理地轰击存在于金属层430m的表面上的金属颗粒时，被轰击的金属颗粒P可以从金属层430m的表面分离。从金属层430m分离的金属颗粒P可以以各种角度被抛出，并且它们中的一些可以附着到第一开口410OP的内表面。
参照图5B，通过在一段时间持续离子研磨，可以去除位于第一开口410OP的底部处的金属层430m，同时，从金属层430m分离的金属颗粒P可以在持续地附着到第一开口410OP的内表面的同时堆积。由此，可以在第一开口410OP的内表面上形成由金属颗粒P形成的反射层430。可以在反射层430的表面430S上形成由于金属颗粒P引起的不规则体。
作为对比示例，当通过使用湿蚀刻的光刻工艺形成反射层时，由于使用昂贵的掩模导致制造成本可能增加，并且因掩模的未对准和对反射层430的损坏(由于湿蚀刻导致对反射层430的损坏)而可能引起制造缺陷和质量缺陷。另外，存在工艺复杂并因此制造成本可能过高的问题。
然而，在根据一些示例实施例的通过使用离子研磨和离子轰击形成反射层430的情况下，不必使用掩模的工艺，因此，可以降低制造成本并且不会发生掩模的未对准问题。另外，可以防止对反射层430的损坏以减少制造质量缺陷。此外，可以简化复杂的光刻工艺，从而获得成本节约。
另外，在根据一些示例实施例通过使用离子研磨和离子轰击形成反射层的情况下，反射层430的表面430S可以必须包括不规则体，由此到达反射层430的光可以被漫反射。因为光以各种角度漫反射，所以颜色转换层中的更宽区域中的量子点可以被反射光激发，并且颜色可以被转换。由此，可以改善光转换效率。
图6是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。将省略与参照图3描述的结构相同的描述，并且以下描述将主要集中于差异。
参照图6，第一光阻挡层410的第一开口410OP的宽度W1可以从第一基底100朝向光出射方向(即，+Z方向)减小。为此，当形成上面参照图4B描述的有机图案层时，有机图案层可以形成为使得位于彼此相邻的第一开口410OP之间的第一光阻挡层410的部分的宽度W2在+Z方向上增加。
通过图6的构造，当使用离子研磨和离子轰击形成反射层430时，可以更均匀地形成在第一开口410OP的内表面上的反射层430。因为第一开口410OP的宽度W1在+Z方向上变窄，所以从沉积在封装层300上的金属层430m分离的金属颗粒可以更好地到达第一开口410OP的内表面。因此，金属颗粒可以更均匀地附着到第一开口410OP的内表面。由此，可以改善反射层430的厚度的均匀性，并且可以在整个反射层430中确保最佳反射率。
图7是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。将省略与参照图3描述的结构相同的描述，并且以下描述将主要集中于差异。
参照图7，显示装置可以包括反射层430，反射层430在平面上围绕布置在显示层10上的第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453中的每个。封装层300的第二无机封装层330(见图2)可以覆盖第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453中的每个的面对第一基底100的一侧。第一盖层470可以覆盖第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453中的每个的另一侧，并且覆盖反射层430。光阻挡层可以不布置在彼此相邻的反射层430之间，因此，第一盖层470和第二无机封装层330可以在反射层430之间彼此接触。
可以通过在第一光阻挡层410(见图6)的第一开口410OP(见图6)的内表面上形成反射层430之后进一步执行去除第一光阻挡层410(见图6)的工艺来提供这种构造。通过省略第一光阻挡层410(见图6)，可以减小第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453之间的间隔，因此可以提供高分辨率显示装置。
图8是示出根据一些示例实施例的显示装置1的示意性剖视图。将省略与参照图3描述的结构相同的描述，并且以下描述将主要集中于差异。
参照图8，显示装置1可以包括面对第一基底100的第二基底600。第二基底600可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。
第二基底600可以布置在第一基底100的一侧上方，使得第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230位于第二基底600与第一基底100之间。第二基底600可以覆盖第二光阻挡层510以及第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。可以理解的是，第二光阻挡层510以及第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533形成在第二基底600的一个表面600a上，并且一个表面600a可以是来自第二基底600的两个表面之中的面对第一基底100的表面。
例如，第一盖层470、第一光阻挡层410、反射层430、第一颜色转换层451、第二颜色转换层452、光透射层453和第三盖层350可以布置在第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533上。在这种情况下，显示层10可以通过透明粘合层直接地粘合到第二基底600和形成在第二基底600上的堆叠结构。堆叠结构包括第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533、第二光阻挡层510、第一盖层470、第一颜色转换层451、第二颜色转换层452、光透射层453、反射层430、第一光阻挡层410以及第三盖层350。可选地，包括透射绝缘层或空气层的填充层可以进一步设置在显示层10与叠层结构之间。
作为另一示例，在堆叠结构之中，第二光阻挡层510以及第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533可以堆叠在第二基底600上，并且第一光阻挡层410、反射层430、第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453可以堆叠在显示层10和封装层300上。
图9A和图9B是示出制造图8的显示装置1的方法的一些工艺的示意性剖视图。图9A和图9B示出了其中图8的第二基底600倒置180度的状态。
参照图9A，首先，可以准备第二基底600，在第二基底600上形成有分别与第一发光元件210、第二发光元件220和第三发光元件230对应的第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。根据一些示例实施例，可以在第二基底600的一个表面600a上形成包括第二开口510OP的第二光阻挡层510，然后可以在第二开口510OP中形成第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533。然后，可以在第二光阻挡层510以及第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533上形成第一盖层470。形成第二光阻挡层510、第一滤色器层531、第二滤色器层532和第三滤色器层533以及第一盖层470的方法可以与参照图4G描述的方法相同。
参照图9B，可以在第一盖层470上形成第一光阻挡层410、反射层430、第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453。形成第一光阻挡层410、反射层430、第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453的方法和顺序可以与上面参照图4A至图4E描述的方法和顺序相同。
此后，可以在第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453上形成第三盖层350。第三盖层350可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。第三盖层350可以被布置为面对第一盖层470，以使第一颜色转换层451、第二颜色转换层452和光透射层453夹置在第三盖层350与第一盖层470之间。由此，第一颜色转换层451和第二颜色转换层452可以被第三盖层350覆盖，使得湿气和氧不会流入到第一颜色转换层451和第二颜色转换层452中的量子点中。
图10A至图10C是示出根据一些示例实施例的显示装置的一部分的图像。图10A至图10C的图像可以与图4D的工艺中的显示装置的一部分对应。
图10A示出了形成在显示层10上并且包括第一开口410OP的第一光阻挡层410的部分。因为颜色转换层或光透射层尚未形成在第一开口410OP中，所以封装层300可以在被第一开口410OP暴露的区域中可见。在图10A中，第一开口410OP被示出为在平面上具有圆形顶点的矩形，但这是示例。第一开口410OP和第一光阻挡层410可以具有各种形状并且不同地布置。
图10B示出了形成在第一光阻挡层410和第一开口410OP的内表面上的反射层430的一部分。图10B可以与图10A的区域A对应。参照图10B，反射层430可以布置在第一开口410OP的内表面上。根据一些示例实施例，反射层430可以具有20nm或更大且100nm或更小的厚度，并且可以具有1或更大且20或更小的高宽比。反射层430可以具有一定厚度和高的高宽比以便确保高反射率，同时充分确保其中布置有颜色转换层或光透射层的区域。
图10C示出了反射层430的表面430S的一部分。图10C可以与图10B的区域B对应。参照图10C，根据一些示例实施例，反射层430可以包括Ag。反射层430可以具有其上形成有不规则体的表面430S。晶界或团簇可以形成在表面430S上。
晶界和团簇可以通过使用离子研磨和离子轰击形成反射层430而形成。从金属层430m(见图5A)分离的金属颗粒P(见图5A)可以在持续地附着到第一开口410OP的内表面的同时堆积，并且当金属颗粒P(见图5A)的生长表面彼此接触时，可以形成边界表面(即，晶界)。另外，大金属颗粒和小金属颗粒可以从金属层430m(见图5A)分离，并且当各种尺寸的金属颗粒P(见图5A)局部聚集并堆积在第一开口410OP的内表面上时，团簇可以形成。
当由于晶界或团簇而在反射层430的表面430S上形成不规则体时，朝向第一开口410OP的内表面行进的光可以被反射层430漫反射。因为光以各种角度被漫反射，所以颜色转换层中的更宽区域中的量子点可以被反射光激发，并且颜色可以被转换。由此，可以改善光转换效率。
图11是用于对比根据实施例的显示装置中具有和不具有反射层的光提取效率的曲线图。
在图11的曲线图中，水平轴表示分辨率，并且竖直轴表示光提取效率。分辨率的单位是像素每英寸(PPI)。光提取效率的单位是任意单位(a.u.)。任意单位(a.u.)指当在不存在反射层的情况下的光提取效率为参考值1.0时，在存在反射层的情况下的光提取效率的相对值。
参照图2、图6至图8以及图11，可以看出的是，当设置反射层430时，光提取效率进一步增加。此外，显示装置1的分辨率越高，由于设置反射层430而导致的光提取效率的改善越大。当存在第一光阻挡层410时，随着显示装置1的分辨率增加，被第一光阻挡层410占据的面积与显示装置1的整个面积的面积比可能增加，并且其中定位有颜色转换层451和452与光透射层453的第一开口410OP与整个面积的面积比可能减小。换言之，随着分辨率增加，第一光阻挡层410的第一开口410OP的宽度可能减小，因此光学损耗可能增加。因此，当设置反射层430时，显示装置1的分辨率越高，反射层430对光提取效率和光转换效率的贡献越大。因此，在制造高分辨率显示装置的情况下，通过设置根据一些示例实施例的反射层430，可以能够提供具有相对改善的显示质量的显示装置1。
图12A至图12D是示出根据依据一些示例实施例的显示装置中的反射层的材料和厚度的波长与反射率之间的关系的曲线图。
参照图2、图6至图8以及图12A至图12D，图12A示出了当反射层430包括Ag并且反射层430的厚度分别为20nm、40nm、60nm、80nm和100nm时，根据光的波长的反射率。参照图12A，可以看出的是，随着光的波长增加，反射层430的反射率通常增加。随着反射层430的厚度变得大于20nm，反射层430可以具有高反射率。然而，当反射层430具有100nm的厚度时，其反射率可以比当反射层430具有小于100nm的厚度时的反射率低。因此，当反射层430包括Ag时，反射层430的厚度可以大于20nm且小于100nm，并且优选地为约60nm至约80nm。
图12B示出了当反射层430包括Al并且反射层430的厚度分别为20nm、40nm、60nm、80nm和100nm时，根据光的波长的反射率。参照图12B，当反射层430的厚度为80nm时，反射层430可以具有高反射率。另一方面，当反射层430的厚度为100nm时，反射层430可以具有相对低的反射率。当反射层430包括Al时，反射层430的厚度可以大于60nm且小于100nm，并且优选地为约80nm。
图12C示出了当反射层430包括Au并且反射层430的厚度分别为20nm、40nm、60nm、80nm和100nm时，根据光的波长的反射率。参照图12C，随着反射层430的厚度增加，反射层430通常可以具有高反射率。当反射层430包括Au时，反射层430的厚度可以大于60nm，并且优选地为约80nm至约100nm。
图12D示出了当反射层430包括Ag并且具有60nm的厚度时，当反射层430包括Al并且具有80nm的厚度时以及当反射层430包括Au并且具有80nm的厚度时，根据光的波长的反射率。参照图12D，当反射层430包含Ag并且具有60nm的厚度时，反射层430可以在可见波段中整体上具有高反射率。因此，根据一些示例实施例，反射层430可以包括Ag并且具有约60nm的厚度。
图13是示出在根据一些示例实施例的显示装置的一部分的制造工艺中金属层的离子研磨时间与可见光的透射率之间的关系的曲线图。
参照图2、图6至图8以及图13，图13的曲线图示出了当分辨率分别被设计为80PPI和400PPI时，金属层430m的离子研磨时间与波长为550nm的可见光的透射率之间的关系。水平轴表示离子研磨时间(即，执行离子研磨所需的时间)，并且水平轴的单位是秒(sec)。纵轴表示光透射率，并且纵轴的单位是百分比(％)。可以通过每100秒测量离子研磨时间来获得透光率。在这种情况下，金属层430m可以在第一光阻挡层410上形成为60nm的厚度，并且可以包括Ag。
图13的曲线图中示出的初始透射率指在显示装置1的制造工艺期间在第一光阻挡层410上形成金属层430m之前的状态下的光透射率。当分辨率为80PPI时，光透射率可以在约80％与约90％之间，当分辨率为400PPI时，光透射率可以在约60％与约70％之间。随着分辨率增加，被显示装置1中的第一光阻挡层410的开口占据的面积的比率减小，因此，光透射率可能减小。
当金属层430m形成在第一光阻挡层410上时，与初始透射率相比，光透射率可以因金属层430m而降低。此后，当通过离子研磨去除金属层430m的一部分时，光透射率可以再次增加。也就是说，随着离子研磨的过程，光透射率可以增加。当离子研磨执行约300秒(t1)时，光透射率可以基本上饱和。根据一些示例实施例，离子研磨可以执行约300秒(t1)或更长。根据一些示例实施例，可以执行约100秒或更长的额外离子研磨，以完全地去除位于与发射区域对应的第一开口410OP中的金属层430m。因此，根据一些示例实施例，离子研磨可以执行约400秒(t2)或更长或者约500秒(t3)或更长。
根据公开的一个或更多个实施例，可以通过设置布置在光学面板的颜色转换层周围的反射层来提高穿过颜色转换层的光的光提取效率和光转换效率，该反射层在其表面上具有不规则体，因此，可以提供具有改善的显示质量的显示装置。另外，在形成围绕颜色转换层的反射层的工艺中，可以使用离子研磨和离子轰击来简化显示装置的制造工艺，从而提供一种制造显示装置的方法，该方法可以提高制造效率、减少制造质量缺陷并降低成本。然而，根据公开的实施例的范围不受上面的效果的限制。
应当理解的是，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被考虑为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围及其等同物的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底；
第一发光元件至第三发光元件，在所述第一基底上，所述第一发光元件至所述第三发光元件中的每个包括第一颜色发射层；
封装层，覆盖所述第一发光元件至所述第三发光元件，所述封装层包括至少一个无机层和至少一个有机层；
第一光阻挡层，在所述封装层上，所述第一光阻挡层包括分别与所述第一发光元件至所述第三发光元件对应的多个第一开口；
反射层，在所述第一光阻挡层上，所述反射层与所述多个第一开口中的每个的内表面对应；
第一颜色转换层，在与所述第一发光元件对应的第一开口中；
第二颜色转换层，在与所述第二发光元件对应的第一开口中；
光透射层，在与所述第三发光元件对应的第一开口中；
第二光阻挡层，在所述第一光阻挡层上，所述第二光阻挡层包括与所述多个第一开口叠置的多个第二开口；以及
第一滤色器层至第三滤色器层，在所述多个第二开口中，所述第一滤色器层至所述第三滤色器层分别与所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述光透射层叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第一盖层，所述第一盖层覆盖所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述光透射层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一光阻挡层的一个表面与所述第一盖层接触。
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括第二盖层，所述第二盖层覆盖所述第一滤色器层至所述第三滤色器层，
其中，所述第一盖层和所述第二盖层将所述第一滤色器层至所述第三滤色器层夹置在它们之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第二基底，所述第二基底在所述第一基底的一侧上方，使得所述第一发光元件至所述第三发光元件位于所述第一基底与所述第二基底之间，
其中，所述第二基底覆盖所述第一滤色器层至所述第三滤色器层以及所述第二光阻挡层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射层包括其上形成有不规则体的表面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述反射层的所述表面具有晶界或团簇。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述反射层包括金属材料，所述金属材料是银、铝、金或它们的组合。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一发光元件至第三发光元件，在所述基底上，所述第一发光元件至所述第三发光元件中的每个包括第一颜色发射层；
第一颜色转换层，在所述基底上，并且与所述第一发光元件对应；
第二颜色转换层，在所述基底上，并且与所述第二发光元件对应；
光透射层，在所述基底上，并且与所述第三发光元件对应；
反射层，在平面上围绕所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述光透射层中的每个；
第一无机层，覆盖所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述光透射层中的每个的一侧；以及
第二无机层，覆盖所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述光透射层中的每个的另一侧，并且覆盖所述反射层，
其中，所述第一无机层和所述第二无机层彼此接触，
其中，所述反射层的面对所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述光透射层的一个表面包括不规则体。
10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
准备第一基底，所述第一基底上布置有第一发光元件至第三发光元件，所述第一发光元件至所述第三发光元件中的每个包括第一颜色发射层；
在所述第一基底上形成包括多个第一开口的有机膜图案层，所述多个第一开口分别与所述第一发光元件至所述第三发光元件对应；
在所述有机膜图案层上沉积金属层；
通过经由离子研磨蚀刻所述金属层并且将蚀刻的所述金属层的金属颗粒附着到所述多个第一开口的内表面来形成反射层；以及
在所述多个第一开口中形成分别与所述第一发光元件至所述第三发光元件叠置的第一颜色转换层、第二颜色转换层和光透射层。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102649146B1 (ko) * 2018-10-26 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20220022011A (ko) * 2020-08-14 2022-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
CN112382733A (zh) * 2020-11-16 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、柔性显示装置以及制作方法
WO2024117193A1 (ja) * 2022-11-30 2024-06-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、表示装置の製造方法及び電子機器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4295529B2 (ja) * 2003-02-28 2009-07-15 オプトレックス株式会社 半透過反射型液晶表示パネル
JP2010134217A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Sony Corp カラーフィルタおよびその製造方法並びに発光装置
KR20120023034A (ko) * 2009-06-12 2012-03-12 샤프 가부시키가이샤 표시 패널 및 표시 장치
US20130235278A1 (en) * 2010-10-14 2013-09-12 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal panel, liquid crystal display device, television device, and method of manufacturing liquid crystal panel
WO2018179914A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 ソニー株式会社 表示装置、および電子機器
KR102617876B1 (ko) * 2018-02-01 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110299383B (zh) * 2018-03-21 2024-01-19 三星显示有限公司 显示设备
KR102534695B1 (ko) * 2018-04-09 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 색변환 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200130570A (ko) * 2019-05-09 2020-11-19 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210138842A (ko) * 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

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