CN113615324B - 承载件布置和用于制备承载件布置的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种承载件布置(100；500；600；700；800；900；1000)和一种用于制备承载件布置的方法。所述方法包括：在承载件(110；510；610；710；810；910；1010)的表面(120；520；620；720；820；920；1020)上制备层(130；530；630；730；830；930；1030)，所述层包括第一区域(131；531；631；731；831；931；1031)和连接到所述第一区域的第二区域(132；532；632；732；832；932；1032)，所述第一区域覆盖所述承载件的第一表面区域(121；521；621；721；821；921；1021)并且所述第二区域覆盖所述承载件的第二表面区域(122；722；922)，将所述层的所述第二区域与所述承载件分离，所述层的所述第一区域保留在所述承载件的所述第一表面区域上并且不与所述第二区域分开，所述层在所述分离的第二区域中是柔性的。

Description

承载件布置和用于制备承载件布置的方法

技术领域

本发明涉及一种承载件布置和一种用于制备承载件布置的方法。本发明特别地涉及用于微系统的承载件布置。

背景技术

本文所述类型的承载件布置可以是例如微系统或微系统的一部分，并且可以例如被配置用于微电子、微机械、微流体和/或电光应用。承载件布置具有至少一个承载件，例如由硅或另一种合适的材料制成的衬底，在该承载件上可以布置用于微电子、微机械、微流体和/或微光学部件之间的信号传输的接口和/或线路。承载件布置可以例如将这样的部件机械地相互连接和/或自身具有这样的组件或部件。承载件布置通常具有这样的区域，所述区域在它们的柔性方面彼此不同。

例如，从电路板技术已知承载件布置，在所述承载件布置中，一个或多个柔性箔被布置在相对刚性的承载件上，并且特别地被用作连接到子组件、传感器或插头连接器的连接线。通常为此目的，将准备好的已被结构化并设置有导体轨迹的柔性箔放置在刚性承载件上的层压堆叠体中并与其压制在一起以形成刚性-柔性复合物(rigid-flexiblecomposite)，通常也称为刚柔复合物(rigid-flex composite)。这种所谓的刚柔技术的性能对应地使传统电路板技术具有技术上的可能性，并且所述性能通常限于至少50μm的导体轨迹宽度。

此外，已知Si芯片的制备工艺，在该工艺中，首先将由硅制成的承载件以接触侧胶合到聚合物膜上。然后通过激光或等离子工艺移除接触点区域中的箔和粘附剂；清洁承载件的表面并在整个表面上金属化，例如通过溅射或湿化学法来金属化。此外，通过光刻法将线图案转移到该表面上，并且使用已知方法生成导体轨迹。这种方法允许直接接合Si芯片，但缺点是，一方面，需要相对较大的区域进行接合，并且另一方面，粘附剂的使用会使温度稳定性有限。

因此原则上，目的是简化承载件布置特别是上述类型的承载件布置的制备。该方法在可能的几何构型方面以及在承载件布置的功能性质方面应尽可能通用。此外，应当可以制备尽可能紧凑的承载件布置。例如，还希望承载件布置具有尽可能最佳的耐热性和尽可能最高的化学稳定性。

发明内容

为了实现该目的，根据本发明，特别地，提出了根据主权利要求所述的制备方法和根据另一独立专利权利要求所述的承载件布置以及具有这种承载件布置的微系统。进一步的发展和特殊的实施方式根据从属权利要求以及根据前文和后文的描述和附图得出。例如，可以使用此处提出的制备方法制备所提出的承载件布置和所提出的微系统。因此，特别地，也可以将结合该方法描述的所有特征对应地转移到承载件布置和微系统。反过来，也可以将结合承载件布置或微系统描述的所有特征转移到制备方法中。

此处提出的用于制备承载件布置的方法，所述方法包括例如以下步骤：

-在至少一个承载件的表面上制备至少一个层，其中，所述至少一个层包括至少一个第一区域和连接到所述至少一个第一区域的至少一个第二区域，

-其中，所述至少一个第一区域覆盖所述至少一个承载件的至少一个第一表面区域，并且所述至少一个第二区域覆盖所述至少一个承载件的至少一个第二表面区域，

-将所述至少一个层的所述至少一个第二区域与所述至少一个承载件完全地或至少部分地分离或释放。例如，将所述至少一个层的所述至少一个第二区域与所述至少一个承载件的所述至少一个第二表面区域分离。然后，通常，所述层的所述至少一个第一区域保留在所述承载件的所述至少一个第一表面区域上并且通常不与所述层的所述至少一个第二区域分开。

所述分离可以机械地进行，例如，其中例如所述层的所述第二区域完全地或部分地从所述承载件上剥离。附加地或替代地，例如，可以通过蚀刻例如至少所述承载件的形成所述承载件的所述第二表面区域的那些区域来局部地移除所述承载件使所述层的所述第二区域化学分离或释放。附加地或替代地，所述分离可以借助于电磁辐射发生，例如，通过借助于电磁辐射(例如激光辐射)照射位于所述层的所述第二区域与所述承载件的所述第二表面区域之间的接触区域(也称为粘附区域、粘附界面或接合界面)并且例如所述接触区域被完全地或部分地破坏。当然，这些分离方法也可以进行任何组合，使得例如所述层的第二区域与所述承载件机械分离，所述层的另一个第二区域通过蚀刻与所述承载件化学分离，并且所述层的另一个第二区域通过照射与所述承载件分离。也可以首先借助于电磁辐射部分地移除所述层的第二区域，然后机械地完全移除(例如剥离)。

通常，所述至少一个层至少在所述分离的至少一个第二区域内是柔性的，例如是柔韧的和/或可拉伸的。因此，例如，可以在所述分离的至少一个第二区域内弯曲、折叠和/或拉伸所述至少一个层而不会因此损坏所述层。

根据制备工艺，此处提出的承载件布置包括：

-(各自)具有表面的至少一个承载件，和

-具有至少一个第一区域和至少一个第二区域的至少一个层，所述第一区域布置在所述至少一个承载件的所述表面上，所述第二区域连接到所述至少一个第一区域且不布置在所述至少一个承载件的所述表面上。如上文已经描述的，所述至少一个(分离的)第二区域中的所述层通常是柔性的，即，例如是柔性的和/或可拉伸的。

已经优选地使用此处提出的方法制备所述承载件布置。所述至少一个承载件的所述表面则包括上文结合该方法定义的所述至少一个第一表面区域，并且所述至少一个层的所述至少一个第一区域布置在所述第一表面区域上。

所提出的微系统包括至少一个此处提出的类型的承载件布置和至少一个部件，诸如，例如，至少一个微电子、微机械、微流体和/或电光部件。例如，接触元件和/或线路布置在所述至少一个承载件布置的所述至少一个承载件上，这些接触元件和/或线路被设置用于与部件或在部件之间的信号传输。所述至少一个部件可以例如布置在所述至少一个承载件的所述表面上，特别是布置在所述承载件的所述第一表面区域、所述第二表面区域或相邻的另一表面区域上。此外，所述至少一个部件可以布置在所述至少一个层上或集成到所述至少一个承载件布置的所述至少一个层中，特别是在所述第一区域中或在与相应的所述承载件分离的所述柔性第二区域中。下文进一步给出部件、线路和接触元件的进一步的实施例。

术语“衬底”也用作术语“承载件”的同义词。此外，“承载件”也称为“承载件元件”。承载件的部分或区段继而也可以称为“承载件”。上文使用的术语“至少一个”具有“一个或多于一个”的通常含义。仅仅为了具有更好的可读性，下文省略了措辞“至少一个”(特别是与承载件、层、层的第一和第二区域以及承载件的第一和第二表面区域相关时)。因此，“一个(a)”或“一个(an)”应理解为“至少一个”，因此“该(the)”应理解为“至少一个”。例如，在制备方法中，所述至少一个层可以制备在恰好一个承载件(衬底)的表面上。如下文将更详细地描述的，承载件随后可以被分成区段(而不由此将层的第一区域与层的第二区域分开)，使得以这种方式制备的承载件布置包括多个承载件区段，即多个承载件。这些承载件区段然后通常通过(未切断的或至少未完全切断的)层彼此连接。

通常，承载件的所述表面是平坦的并且因此限定承载件的主平面。第一表面区域通常邻接承载件的第二表面区域。在多个第一表面区域和/或多个第二表面区域的情况下，每个第二表面区域通常邻接至少一个(一个或多个)第一表面区域。

承载件布置例如是刚柔系统，即承载件布置包括刚性区域和柔性(可弯曲和/或可拉伸)区域。例如，承载件可以是刚性的(即，是机械上稳定的并且不是或几乎不是柔性或可拉伸的)，并且层可以至少在分离的第二区域中是柔性的。然而，如下文将进一步描述的，承载件也可以是半刚性或柔性的，例如，即例如因为承载件仅非常薄而是柔性和/或可拉伸的。然而，通常，分离的第二区域中的层具有比承载件更大的柔性，即特别是更大的柔性和/或可拉伸性。

层可以被设计为例如(薄)箔或(薄)膜的形式。例如，层可以具有在1至300μm之间的总厚度。层的总厚度优选地在1至100μm之间并且特别优选地在1至50μm之间。优选地借助于薄膜技术和/或平版印刷工艺制备或结构化层，诸如，例如借助于PVD、CVD、光刻法、激光烧蚀或其他工艺，如下文将更详细描述的。

在一个实施例中(利用分离的第二区域中的层的柔性或柔韧性)，在分离的第二区域内将层弯曲或折叠。由于弯曲或折叠，在层的分离的第二区域中产生层的曲率，其例如通常在50μm至40mm之间的区域中具有至少50μm的弯曲半径。层因此可以例如在一些区域中呈现非平面形状并且具有弯曲的区域。通过在分离的第二区域中弯曲或折叠层，可以例如将层的第二区域从承载件的上述主平面移出。例如，由层的第二区域限定的平面可以与由承载件的表面限定的平面围成非零角度。该角度可以例如在0°至180°之间的范围内，例如在85°至95°之间的范围内。也可以扭曲(扭转)层的分离的第二区域。

层可以完全地或至少在一些区域中由聚合物形成，例如由聚酰亚胺或聚苯并噁唑形成，由金属形成，由玻璃、陶瓷或由硅或由这些材料中的两种或更多种的组合形成。为了实现层的所述柔性、特别是柔韧性和/或可拉伸性，所述层通常由具有适当柔性的材料形成。然而，也可以由相对刚性或脆性材料(诸如金属、玻璃、陶瓷或硅)形成层或将这样的材料集成到层中。然而，在这种情况下，通常必须确保层具有足够小的总厚度或者这些相对刚性或脆性的材料仅形成总厚度的足够小的部分。

承载件可以例如完全地或至少在一些区域中由硅、玻璃、金属、陶瓷或聚合物或由这些材料中的两种或更多种的组合形成。例如，承载件可以是：晶片，特别是硅晶片；或(硅)晶片的一部分；板，诸如玻璃板或玻璃面板；或带，例如由聚合物或复合材料制成的带。

与分离的第二区域中的层相比，承载件通常具有较大的刚性并且因此具有较小的柔性和较小的柔韧性。因此，可通过弯曲承载件实现的承载件弯曲半径通常大于50mm或甚至大于250mm(取决于承载件的刚度)。如上文已经提到的，承载件也可以例如是相对柔性和柔韧的。为了实现这一点，承载件可以被设计为对应地是薄的，特别是在它由相对刚性或脆性的材料形成的情况下。例如，承载件的总厚度因此可以在10至2000μm之间、10至800μm之间或10至300μm之间。

例如，层可以是多层的或者包括多个层或该层的彼此叠置的部分层，其可以在分离的第二区域中形成柔性(柔韧性)复合物。优选地借助于薄膜技术和/或平版印刷工艺制备至少一个或多个部分层。

层的多个层或部分层可以是例如绝缘层和/或导电层，例如电、光学和/或微流体绝缘层，和/或电、光学和/或微流体导电层。例如，绝缘层和导电层交替层叠在彼此的顶上。例如，线路层包括至少一根线路，例如至少一根由导电材料形成的导体轨迹、至少一根光线路和/或至少一个微流体通道。

在一个实施例中，当在承载件的表面上制备层时，例如，该层的至少一个(电)绝缘层由(电)绝缘材料(电介质)形成，诸如，例如由下文描述的其他聚合物中的一种形成，特别是聚酰亚胺(PI)和聚苯并噁唑(PBO)。例如，所述至少一个绝缘层可以至少覆盖承载件的第一表面区域和第二表面区域。例如，在所述至少一个绝缘层上形成导电层，该导电层例如由导电材料制成。例如，诸如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和金(Au)等金属用作导电材料。例如，所述至少一个线路层包括至少一个连续线路或导体轨迹，其从层的第一区域开始延伸到层的第二区域中。因此，层可以是例如(多层)重新布线层或重新布线膜。

例如，与承载件分离的第二区域或承载件的第二表面区域可以是或连接到承载件布置的另一承载件。该另一承载件可以例如像首先提到的承载件那样设计，即例如也可以是刚性的。针对首先提到的承载件描述的实施方式也适用于此处提到的另一承载件。例如，该另一承载件通常还具有这样的表面，该表面可以设计为平坦的，并且层的分离的第二区域可以平坦地和/或借助于机械连接元件或已经提到的接触元件连接到该表面。该连接可以例如以压配合方式或以材料接合方式(例如借助于焊接连接)连接。机械连接元件可以是例如所谓的微接触元件或微焊料凸块、接合线或插头连接元件。

还可能的是，在层的第二区域与承载件的第二表面区域分离之前或之后，承载件在第二表面区域中或在第一表面区域与第二表面区域之间被切断，例如沿着切割平面被切断。然而，在这种情况下通常不切断该层。特别地，通过切断承载件，层的第一区域和第二区域通常不彼此分开，而是保持彼此连接。

例如，可以例如在承载件的第二表面区域中或在承载件的所述至少一个第一表面区域和所述至少一个第二表面区域之间将承载件切断两次或更多次。以这种方式，承载件可以分成两个、三个或更多个部分或分段。例如，可以提供承载件的恰好一个第一表面区域和恰好一个第二表面区域。在这种情况下，承载件通常被恰好分解成两个部分或分段，然后该层通常与形成第二表面区域(或第二表面区域的一部分)的那个分段分离。然而，例如也可以提供两个第一表面区域和位于它们之间的第二表面区域。在这种情况下，例如在第二表面区域内或分别在第二表面区域和所述两个第一表面区域之间通过所述切断来切断承载件，从而将承载件分成三个分段，例如，分成一个中间分段和两个外部分段。例如，所述两个第一表面区域各自由所述两个外部分段中的一个形成，而第二表面区域由中间分段形成。该层(即，其第二区域)然后例如与中间分段(并且也可能部分地与两个外部分段)完全分离。然后通常从承载件布置移除中间分段。该层(即，其前两个区域)保留在承载件的两个外部分段的前两个表面区域上。分离的第二区域然后在承载件的剩余两个外部分段之间形成柔性连接。

承载件的上述切断可以例如沿着两个或更多个切割平面进行。切割平面可以各自垂直于承载件的上述主平面延展或者所述切割平面可以围成90°以外的角度。该角度可以例如在45°至135°之间的范围内，例如大约90°。

例如，层的第二区域可以与承载件的第二表面区域分离，因为承载件的形成该承载件的第一表面区域的区域(例如，承载件的上述中间分段)通过蚀刻被移除。下面详细描述蚀刻工艺的相应实施方式。

例如，在层的第二区域与承载件的第二表面区域分离之前，可以完全或部分地破坏或至少降低层的第二区域与第二表面区域的粘附。以这种方式，可以实现层的第二区域与承载件的完全分离或者可以简化随后的机械分离(例如，通过剥离)。例如，可以用电磁辐射照射承载件的第二表面区域。例如，可以通过承载件进行照射。为此，可以例如由对所选择的辐射(波长)透明的材料形成承载件。附加地或替代地，也可以用电磁辐射照射粘附在第二表面区域上的层的第二区域。

附加地或替代地，为了便于分离，也可以在承载件的表面上制备层之前，例如在承载件的第二表面区域上制备降低粘附力的中介层。在这种情况下，优选地至少省去承载件的第一表面区域。替代地，也可以在承载件的表面上制备层之前，从承载件的第一表面区域再次移除降低粘附力的中介层。

替代地或附加地，也可以在层的部分层上施加降低粘附力的中介层，然后在该中介层上制备层的一个或多个另外的降低粘附力的所述部分层。这些另外的部分层可以进一步与中介层(以这种方式集成或嵌入到层中)分离(例如，剥离)并因此也与承载件分离，而无需将层的该分离的(第二)区域与层的其余部分(层的第一区域)分开。

附加地或替代地，在承载件的表面上制备层之前，可以将增强粘附力的中介层施加到承载件的第一表面区域。当施加增强粘附力的中介层时，可以省去第二表面区域。替代地，在承载件的表面上制备层之前，也可以再次从承载件的第二表面区移除增强粘附力的中介层。

可以如下文将更详细描述的那样例如使用薄膜技术和/或光刻工艺制备和/或结构化降低或增强粘附力的中介层。通常，增强或降低粘附力的各个中介层为单层，即仅由一层增强或降低粘附力的中介层材料的原子或分子构成的层。

例如，至少一个接触元件，例如电、光学和/或微流体接触元件，可以位于或布置在承载件上，例如在承载件的表面上，例如在第一表面区域内。例如，从承载件的第一表面区域开始，接触元件可以在承载件的厚度上部分地或完全地穿过承载件和/或在层的第一区域的厚度上部分地或完全地穿过层的第一区域。例如，在所述至少一个(电、光学和/或微流体)接触元件和层的(电、光学和/或微流体)线路(例如，上文提到的线路之一)之间建立至少一个(电、光学和/或微流体)连接。接触元件也可以与布置在承载件上的电、光学和/或微流体线路和/或布置在承载件上的电、光学和/或微流体部件电连接、光学连接和/或微流体连接。

部件的可能的示例包括集成电路、微芯片，诸如CMOS芯片、CPU或数据存储设备，以及能量存储设备、MEMS、MOEMS、电阻器、天线、线圈、电容器、传感器和致动器。例如，过孔、电镀通孔(诸如TSV)、接触条、焊接触点、用于插头连接的外部触点、插头条、丝焊盘、接触焊盘(例如用于热压连接)可以被视为接触元件。

如上所述，例如，为承载件规定的所有特征和实施方式也相应地适用于承载件布置的另外的承载件，如果有的话。例如，至少一个(另外的)电、光学和/或微流体接触元件可以布置在另外的承载件的表面上。例如，可以在所述(另外的)至少一个电、光学和/或微流体接触元件与层的线路之间建立至少一个电、光学和/或微流体连接。接触元件也可以例如与布置在另一承载件上的电、光学和/或微流体线路导电连接和/或与布置在另一承载件上的电、光学和/或微流体部件导电连接。

例如，层自身也可以是或配备有至少一个(电、光学和/或微流体)部件和/或至少一个(电、光学和/或微流体)接触元件。例如，所述至少一个部件和/或接触元件可以布置在层上或集成到层中，例如在层的第一区域中或在层的第二区域中。然而，层的两个区域也可以均配备有部件。例如，上文或下文提到的部件和接触元件的示例可以被认为是部件和接触元件。

如果存在的话，则所述至少一个部件和/或所述至少一个接触元件连接到层上或层中的上述线路中的至少一个线路。

优选地，此处提出的或使用此处提出的方法制备的承载件布置在承载件表面和层的第一区域之间不具有由粘附剂形成的层。优选地，承载件布置在承载件表面和层的第一区域之间至少不具有由比粘附剂材料的单层厚的粘附剂形成的层。(单层是由层的相应材料的仅一层原子或分子构成的层。)通常可以通过免除粘附层来改进承载件布置的耐热性和化学稳定性。

例如，层的第二区域可以横向突出超过承载件的(横向)边缘并且在此例如从承载件横向伸出。横向突出超过承载件的该部分可以例如是自支撑的或连接到另一承载件(例如，如上所述)。例如，可以通过这种方式实现所谓的扇出结构。例如，层的第二区域也可以不横向突出超过承载件的(横向)边缘，而是布置在承载件的表面上方，由此可以形成所谓的扇入结构。

附图说明

下文参照具体实施方式更详细地解释本发明，在以下附图中示意性地示出这些实施方式。这些附图示出为：

图1A是用于此处提出的类型的承载件布置的承载件的俯视图，

图1B是图1A所示的承载件的侧视图，

图2A是图1A所示的具有层的部分层的承载件的俯视图，

图2B是图2A所示的具有施加的部分层的承载件的侧视图，

图3A是图2A所示的具有层的另一部分层的承载件的俯视图，

图3B是图3A所示的具有另一部分层的承载件的侧视图，

图4A是此处提出的类型的具有图3A所示的承载件的在承载件的区域已被移除并且部件被布置在与承载件分离的层的区域上之后的承载件布置的俯视图，

图4B是图4A所示的承载件布置的侧视图，

图5A是此处提出的类型的承载件布置的另一个实施方式的俯视图，

图5B是图5A所示的实施方式的侧视图，

图6A是此处提出的类型的承载件布置的另一个实施方式的俯视图，

图6B是图6A所示的实施方式的侧视图，

图7A是此处提出的类型的承载件布置的承载件的实施例的俯视图，

图7B是图7A所示的绘制了切割平面的具有施加的层的承载件的俯视图，

图7C是此处提出的类型的由图7B所示的承载件制成的承载件布置的侧视图，

图7D是图7C所示的实施方式的变体，

图8是此处提出的类型的承载件布置的实施方式的侧视图，

图9是此处提出的类型的承载件布置的承载件的实施例的俯视图，

图10A是此处提出的类型的承载件布置的实施方式的俯视图，并且

图10B是图10A所示图示的放大部分。

在附图和以下描述中，彼此对应的特征由相同的参考符号或彼此相差100的整数倍的参考符号表示(参见说明书末尾的参考符号列表)。

具体实施方式

在图1A、图1B、图2A、图2B、图3A、图3B、图4A和图4B中示出了此处提出的制备方法的实施方式的各个步骤，其中制备了如此处提出的承载件布置100的实施方式。

图1A和图1B示出了具有平坦表面120的承载件110。承载件110例如由硅制成，但也可以完全或至少部分地由另一种材料制成，诸如玻璃、金属、陶瓷或聚合物，或者由这些材料中的两种或更多种的组合制成。例如，承载件110是晶片或晶片的一部分。然而，承载件也可以是板(诸如玻璃面板)或带。承载件110可以例如是圆形或矩形或具有任何其他形状。

承载件110相对刚性并且因此仅在相对较小的程度上具有柔性。例如，总厚度在300μm至2000μm之间的范围内。例如，承载件具有大约800μm的总厚度。可以通过弯曲承载件110实现的弯曲半径例如大于250mm。

然而，原则上，承载件110也可以被设计成是柔性的和柔韧的。为了实现这一点，承载件110可以被设计得相应薄，例如具有在10μm至300μm之间的范围内的总厚度，例如小于200μm。

此外，图1A和图1B示出了承载件110的第一表面区域121和承载件110的两个第二表面区域122，每个第二表面区域均邻接第一表面区域121。

各种措施是可能的，以便更容易地分离仍有待被施加到承载件120上的层130，该分离仍将在稍后进行(参见图2A、图2B、图3A和图3B以及下文的相关描述)。

例如，可以在制备层之前在承载件110的表面120上的第二表面区域122上施加降低粘附力的中介层(未示出)。在这种情况下，优选地省去剩余的表面120，特别是承载件的第一表面区域121。替代地，也可以在承载件110的表面120上制备层之前至少从承载件120的第一表面区域121再次移除降低粘附力的中介层。

附加地或替代地，在承载件110的表面120上制备层130之前，可以在承载件110的第一表面区域121上施加增强粘附力的中介层(此处未示出)。当施加增强粘附力的中介层时，可以相应地省去第二表面区域122。替代地，在承载件的表面上制备层之前，也可以从承载件110的第二表面区域122再次移除增强粘附力的中介层。

增强或降低粘附力的相应中介层可以被施加到承载件110的表面120上并且例如借助于薄膜技术和/或光刻方法被结构化。例如，可以(根据需要)借助于(O2)等离子体蚀刻从第一表面区域121或从第二表面区域再次移除中介层。

通常，增强或降低粘附力的各个中介层为单层，即仅由一层增强或降低粘附力的中介层材料的原子或分子构成的层。

通常选择降低粘附力的中介层的材料，使得仍有待施加的层130以比粘附到承载件110的材料低的粘附力粘附到降低粘附力的中介层(在承载件110的第二表面区域122中)。因此，通常选择增强粘附力的中介层的材料，使得仍有待施加的层130以比粘附到承载件110的材料大的粘附力粘附到增强粘附力的中介层(在承载件110的第一表面区域121中)。取决于承载件110的材料和层130的材料，可以例如通过降低或增强粘附力的中介层来影响承载件的第一表面区域和第二表面区域的亲水性或疏水性。

在本实施例中，仍有待施加的层130可以例如完全地或至少在某些区域中(例如在与承载件110的材料直接相邻或者与增强粘附力的中介层或降低粘附力的中介层直接相邻的区域中)由聚合物形成。例如，聚合物可以包括聚酰亚胺(PI)或聚苯并噁唑(PBO)或它们的组合。

聚合物的官能团可以被整合到层130的聚合物中，例如作为助粘剂，例如所谓的“内置助粘剂”。这些可以例如具有与承载件材料(此处为例如硅或玻璃)形成共价键的性质。为了降低粘附力，例如，可以改变承载件110的表面120，例如，使得共价键被抑制或不再稳定，例如，借助于上述降低粘附力的中介层。

具有用于层130(特别是用于其部分层133、134)的整合的助粘剂的合适的聚合物(或聚合物体系)的实例有例如聚酰亚胺(PI)和聚苯并噁唑(PBO)或它们的组合。聚酰亚胺包括例如以下商业产品：来自制造商Fujifilm的LTC9300系列和DUR7300系列；来自HDMicroSystems的HD4100系列；来自制造商Asahi Kasei的Pimel BL-300系列和BM-300系列。聚苯并噁唑(PBO)包括例如以下商业产品：来自制造商HD Microsystems的HD-8820系列和HD89xx系列。

降低粘附力的中介层可以包含例如有机硅烷化合物(例如，六甲基二硅氮烷(HMDS)、二苯基硅烷二醇)。这些可以例如与承载件的天然氧化物形成Si-O化合物。例如，在承载件110的表面120上形成具有-CH3或-C6H5单层基团的疏水表面。

替代地，层130的上述聚合物也可以仅相对较弱地粘附到相应的承载件材料(例如，硅或玻璃)上，例如，因为它不包含内置助粘剂。在这种情况下，可以在承载件的表面施加相应的“助粘剂”作为增强粘附力的中介层。例如，有机硅烷化合物是用于增强粘附力的中介层的合适材料的示例。这些特别适用于增强聚合物(诸如聚酰亚胺)与承载件材料(诸如硅或玻璃)的粘附。此类聚合物的示例有例如来自制造商HD Microsystems的PI-2600、PI-2525、PI-2555系列的聚酰亚胺。有机硅烷化合物，诸如例如来自制造商HDMicrosystems的产品VM-651和VM-652，可以被认为是用于增强粘附力的中介层的材料。

增强粘附力的中介层可以包含例如有机硅烷化合物，其例如与承载件的(天然)氧化物形成Si-O化合物，诸如例如氨基-丙基三乙氧基硅烷。例如，氨基可以用作层130中的聚酰亚胺聚合物的官能团。例如，Si-OCH3与承载件130的天然氧化物形成Si-O化合物。

与常规粘附剂相反，增强粘附力的中介层优选地与层的相应聚合物形成共价键。如上所述，增强粘附力的中介层优选地以单层的形式存在并且因此比常规粘附层薄得多。

优选地，在层130和承载件110的第一表面区域121之间没有另外的层，至少没有层厚度大于形成该层的材料的单层的另外的层。优选地，在层130和承载件110的第一表面区域121之间没有布置比相应的单层粘附剂厚的粘附剂层。

作为上述降低粘附力的中介层的替代方案，还可以通过用电磁辐射照射承载件的第二表面区域122和/或层130的与第二表面区域122粘附的第二区域132通过承载件110来降低层130的第二区域132与第二表面区域122的粘附。电磁辐射可以是例如激光辐射，诸如例如来自UV光准分子激光器的激光辐射，例如其中λ＝248nm或308nm，或来自MidIR激光器的激光辐射。通常，通过电磁辐射的吸收和光化学分解完全或至少部分地破坏聚合物和衬底之间的粘附界面。例如，承载件和层130之间的过渡部中的原子和/或分子键可以被破坏，例如，借助于激光烧蚀来破坏。此外，承载件和层之间的辐射会产生气态(副)产物，例如，打开承载件110和层130之间的粘附界面。可以任选地在层130和承载件110之间施加辅助层，该辅助层可以包含例如生色团并且用作辐射的吸收层。例如，来自制造商Brewer Science的产品Brewer Bond 701可以用于此目的。

如以下的图2A、图2B、图3A和图3B所示，在承载件110的表面120上制备已经提到的层130，更准确地说是在第一表面区域121和两个第二表面区域122上制备该层。层130包括覆盖第一表面区域121的第一区域131。在示出的实施例中，层130还包括两个第二区域132，该两个第二区域各自连接到层130的第一区域131。该两个第二区域132中的每一个恰好覆盖承载件110的两个第二表面区域122之一。在该实施例中，层130是多层的并且包括第一部分层133和第二部分层134，该第一部分层和该第二部分层在承载件110的第一表面区域121内彼此叠置。

图2A和图2B分别以俯视图和侧视图示出了在已经在承载件110的第一表面区域121上以及在承载件110的两个第二表面区域122之一上制备第一部分层133之后的图1A和图1B所示的承载件110。此处省去了该两个第二表面区域122中的另一个。

图3A和图3B分别以俯视图和侧视图示出了在已经在承载件110的第一表面区域121上(在第一部分层134上)以及在承载件110的两个第二表面区域122的未制备第一部分层133的表面区域上制备第二部分层134之后的图2A和图2B所示的承载件110。已经施加了第一部分层133的两个第二表面区域122的表面区域现已被省去。

因此，在第一表面区域中(例如直接在承载件110的材料上)以及在第二表面区域122中(在降低粘附力的中介层的材料上)制备层130。替代地，可以在第一表面区域中(例如，在增强粘附力的中介层的材料上)以及在两个第二表面区域122中直接在承载件110的材料上制备层130。

层130可以完全地或至少在一些区域中由聚合物形成，例如，由聚酰亚胺或聚苯并噁唑形成，由金属形成，由玻璃、陶瓷形成，或由硅形成，或由这些材料中的两种或更多种的组合形成。为了实现层的所述柔性或柔韧性，可以规定层具有足够小的总厚度。以这种方式，也可以使用相对刚性或脆性的材料来形成柔性层。

除了示出的部分层133、134之外，层130还可以包括另外的层。部分层133、134或另外的部分层在它们的材料和功能方面可以彼此不同。部分层133、134可以是例如由电绝缘材料，诸如上述聚合物，形成的电绝缘层，或降低粘附力的另外的中介层，例如，以使得部分层133、134能够彼此部分分离。

例如，包含导电材料的导电层可以形成在绝缘层上或绝缘层之间。例如，诸如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和金(Au)等金属用作导电材料。也可以使用所描述的薄膜技术和光刻工艺制备和结构化这些导电层，如下文将更详细描述的。

例如，线路层包括至少一个线路(此处未示出)，例如电导体轨迹，其从层130的第一区域131开始延伸到层130的两个第二区域132之一中。图9、图10A和图10B示出了具有导体轨迹的导电层的实施例。

绝缘层各自具有例如在1μm至300μm之间的范围内的层厚度，例如10μm。导电层各自具有例如在0.25μm至100μm的范围内的层厚度，例如5μm。导体轨迹宽度和导体轨迹之间的距离可以是例如0.5μm或更大，例如1至30μm或高达250μm。

替代地或附加地，可以考虑层130的另外的部分层，诸如上述电、光学和/或微流体绝缘层和电、光学和/或微流体导电层，以及可能的降低粘附力的中介层，以便能够或促进布置在其上方的层的部分层的区域的分离。

例如，可以使用诸如PVD、CVD、光刻和激光烧蚀等的已知薄膜技术来制备层130，即特别是部分层131、132，以及可能的另外的部分层，诸如绝缘层、导电层和降低粘附力的层。例如，可以借助于PVD或CVD以及随后的光刻掩模和电流沉积或直接蚀刻(减法结构化)通过沉积线路层来制备线路层。用于施加导电层的化学直接金属化工艺也是可以的。PVD和随后的电镀增强是优选的。可以例如借助于旋涂来施加绝缘层(诸如聚合物层)，然后将其结构化(优选地通过光刻或通过激光烧蚀)。例如，可以进行聚合物层的热处理或聚合。

上述层130的结构只是众多可能的实施方式中的一个。在替代性实施方式中，层130也可以是金属箔或功能性聚合物箔，例如用于光学应用或用于过滤器。

如图4A所示并且如图4B特别清楚地显示，层130的两个第二区域132已经与承载件110的两个第二表面区域122分离。承载件110的先前形成两个第二表面区域122的那些区域(并且在该实施例中还包括承载件110的所有未形成承载件110的第一表面区域121或第二表面区域122的另外的区域)已经被移除。层130的两个分离的第二区域132因此横向突出超过承载件110的当前边缘。例如，它们已经向下(即，朝向承载件110)弯曲，但也可以同样容易地向上弯曲远离承载件。两个第二区域132中的每一个因此具有弯曲区域135和平坦区域136。弯曲区域135的弯曲半径对应于例如层130的相应第二区域132的总厚度的五倍，但是例如也可以小得多，并且取决于柔性对应于例如层130的第二区域132的总厚度或更小。

特别地，第二区域132因此弯曲离开由承载件110的第一表面区域121限定的平面，使得相应的平坦区域136(或由此限定的平面)各自与由承载件的第一表面区域121形成的平面围成上述角度。由于分离的第二区域132中的层的柔性，实际上可以根据需要选择角度。例如，该角度在45°至135°之间的范围内，例如大约90°。原则上，绕任何轴线的弯曲都是可能的，即特别是分离的第二区域131的扭曲(扭转)也是可能的。

例如，层130的两个第二区域132可能已经与承载件110分离，因为例如承载件110的形成承载件110的第二表面区域122的那些区域(并且在该实施例中还包括承载件110的所有未形成承载件110的第一表面区域121或第二表面区域122的另外的区域)已经通过蚀刻被移除。为此，例如，可以例如借助于已知的光刻工艺在承载件110的后侧(背离层130)上制备相应结构化的蚀刻掩模。可以例如借助于已知的DRIE工艺或湿化学进行蚀刻。例如，硅可以被认为是特别适用于蚀刻工艺的承载件110的材料。例如，可以将承载件110紧固在临时承载件上以例如对切割带、膜框架或替代衬底执行蚀刻工艺。

然而，如上所述，也可以将层130的两个第二区域132与两个第二表面区域121机械分开，例如通过将它们剥离，特别是在降低粘附力的中介层被布置在两个第二表面区域121的每一个上的情况下。

最后，如上所述，也可以借助于电磁辐射将层130的两个第二区域132与承载件110的两个第二表面区域121分离，例如借助于波长为例如248nm或308nm的UV光准分子激光或利用MidlR激光器的激光辐射。承载件110的材料优选地对于电磁辐射是透明的，从而例如可以从承载件的背离层130的下侧开始通过承载件的材料进行照射。例如，承载件110可以由对辐射透明的玻璃形成。

例如，在借助于激光照射层130的两个第二区域132进行机械和/或分离之后，也可以移除承载件110的那些未形成第一表面区域121的区域。这可以例如在将层130的第一区域131与承载件110的其余部分分离的步骤之前或之后通过将承载件110的这些区域分开(例如，借助于锯或激光)来完成。例如，可以在每种情况下沿着例如在第一表面区域121和两个第二表面区域122之一之间延展的切割平面切断承载件110。然而，当承载件110被切断时，层130未被切断。

此外，至少一个接触元件(此处未示出)、机械连接元件(此处未示出)和/或部件150被布置在层130的两个第二区域132中的每一个上。接触元件和/或部件连接到例如层130的导电层的至少一个电导体。另外的部件和接触元件(未示出)可以例如被布置在层130上或集成在层130中，例如在分离的第二区域132中或在层130的第一区域中。

所提到的部件150的示例包括CMOS芯片、存储器、CPU、MEMS、MOEMS、无源元件诸如电阻器、天线、线圈、电容器以及传感器和致动器。上文已经给出了部件的其他示例。接触元件和机械连接元件可以是例如接触条、插头连接元件、插头条、用于插头连接的外部触点、焊接触点、丝焊盘、接触焊盘(例如用于热压连接)、微接触元件或微焊料凸块或接合线。

图5A和图5B示出了此处提出的承载件布置500的另一实施方式，其可以例如利用与图4A和图4B所示的承载件布置100相同的制备方法制备而成，并且例如与其仅在其几何构型方面不同。(因此，与图4A和图4B所示的实施方式相比，相应特征的参考编号增加了400。)因此，下文主要描述与图4A和图4B所示的承载件布置的区别。

承载件布置500因此具有承载件510，其结构可以例如对应于图4A和图4B所示的承载件110，但是在其表面520上(如图4A和图4B所示)不仅布置有连续层130，还例如布置有在空间上彼此分开的两个层530。这些层530可以例如在它们的制备和它们的结构上对应于图4A和图4B所示的承载件布置100的层130。因此，这些层530各自具有第一区域531，这些层各自布置在承载件510的在空间上彼此分开的两个第一表面区域521中的一个上。每个层530还具有柔性第二区域532，该区域连接到相应层530的第一区域531并且未被布置在承载件510的表面520上，而是例如横向突出超过承载件510的边缘并在承载件510的方向上向下弯曲。

除了层530的两个第二区域532上的部件550之外，图5A还示出了承载件布置500的可能的另外的部件550，该部件被布置在承载件510的表面520上并且经由导体轨迹570连接到被集成在层530中的导体轨迹(未示出)并连接到被布置在层530的第二区域531上的部件550。例如，对于图5A和图5B所示的部件550，可以考虑与上文针对图4A和图4B所示的部件150所指定的相同的实施例。

图6A和图6B所示的承载件布置600的实施方式与图5A和图5B所示的承载件布置500基本上仅在其几何构型方面不同。(因此，与图5A和图5B所示的实施方式相比，相应特征的参考编号增加了100。)如在图5A和图5B所示的实施方式500中，承载件布置600具有布置在承载件610上的两个层630，每一层具有第一区域631，其在每种情况下被布置在承载件610的在空间上彼此分开的两个第一表面区域621之一上。每个层630还具有柔性第二区域632，其连接到相应层630的第一区域631并且未被布置在承载件610的表面620上。在一种情况下，两个第二区域632之一横向突出超过承载件610的边缘并且远离承载件610向上弯曲。两个第二区域632中的另一个不横向突出超过承载件610的边缘，而是被布置在承载件610的表面620上方并且远离承载件610的表面620向上弯曲。

在图5A和图5B所示的实施例中，层530的两个柔性分离区域532因此形成所谓的扇出结构，因为它们横向突出超过承载件510的边缘并且因此不再被布置在其基部区域上。相反，在图6A和图6B所示的实施例中，两个分离区域632中仅一个形成这种扇出构造。不横向突出超过承载件610的边缘而是被布置在表面610上方的另一个分离区域632形成所谓的扇入构造。

参考图7A、图7B和图7C描述了此处提出的类型的承载件布置700的另一实施方式的制备和构型。承载件布置700与例如图4A和图4B所示的承载件布置100基本上在其几何构型方面不同。因此，与图4A和图4B所示的承载件布置100相比，承载件布置700的相应特征设有增加600的参考符号。

在图7A中，示出了承载件布置700的承载件710，其可以对应于例如图4A和图4B所示的承载件110。承载件710的平坦表面720具有在空间上彼此分开的两个第一表面区域721和位于它们之间并且每个都邻接两个第一表面区域721的第二表面区域722。如图7B所示，已经在这些表面区域721、722上制备连续层730。该层730可以例如在其制备、组成和结构方面对应于上述层130。层730包括：两个第一区域731，其各自覆盖两个第一表面区域721中的一个；以及第二区域732，其连接到两个第一区域731并覆盖第二表面区域722。

此外，在图7B中以虚线示出两个切割平面。借助于锯或激光沿着这些切割平面切断承载件710，但不切断层730。结果，承载件710被分成两个横向的第一承载件分段711，该两个横向的第一承载件分段各自形成两个第一表面区域721中的一个，并分成中间的第二承载件分段712，该中间的第二承载件分段形成第二表面区域722。

在随后的步骤中，层730的第二区域732与第二表面区域722分离并且因此与中间的第二承载件分段712分开。如上所述，可以例如通过从第二表面区域722剥离第二区域732和/或借助于激光照射来机械地发生分离。为此目的，例如，也如上所述，可以施加增强对两个第一表面区域721的粘附力的中介层或者施加降低对第二表面区域722的粘附力的中介层以促进机械分离，并且/或者将吸收层施加到第二表面区域722，该层可改善激光照射的吸收。

替代地，也如上所述，也可以通过化学方式执行分离，例如通过蚀刻移除中间的第二承载件分段712，例如使用蚀刻掩模。在这种情况下，原则上也可以省去借助于锯或激光切断承载件。

如图7C所示，层730的分离的第二区域732弯曲大约90°，使得剩余的两个第一承载件分段711彼此大致垂直。当然，例如，分离的第二区域732的其他角度和折叠也是可能的，使得两个承载件分段彼此平行对齐，例如，其中两个第一表面区域721彼此面对或彼此背离。此外，还可以实现分离的第二区域732的扭曲(扭转)。

还如图7C所示，接触元件760被布置在层730的两个第一区域731上，该接触元件使得集成在层730中的电导体的电接触成为可能。

图7D示出了图7C所示的承载件布置700的变体，其中两个承载件分段711之一配备有电镀通孔761，其使得集成在层730中的电导体能够在两侧电接触，即，特别是从承载件分段711的上侧(层730被布置在其上)以及从承载件分段711的相反的后侧电接触。在示出的实施例中，承载件布置700的另一承载件(衬底)715被紧固在承载件分段711的后侧上并且经由电镀通孔761电连接到被集成在层130中的线路。

在图7C和图7D所示的实施方式中，两个承载件分段711仅通过层730的柔性第二区域732连接。结果，减少了两个承载件分段711之间的机械耦接和热耦合，由此尤其可以减少热机械应力。

图8示出了此处提出的类型的承载件布置800的另一实施方式，其可以使用上述方法制备而成。承载件布置800因此包括承载件810，其可以由例如玻璃或硅制成，并且在其表面820上布置有层830的第一区域831。层830还具有第二区域832，该第二区域与第一区域831连接并且未被布置在表面820上，而是横向突出超过承载件810的边缘并且在承载件的方向上弯曲。例如，可以借助于结合图4A和图4B所示的实施方式100描述的制备方法形成层830，并且该层可以具有相应的特征。类似于图7D所示的实施方式700，承载件800还具有接触元件860和电镀通孔861，经由它们中的每一个可以建立与被集成在层830中的一个或多个电导体的电连接。承载件布置800的另一承载件815(衬底)经由承载件810的上侧上的电镀通孔761机械连接到承载件810，并且还电连接到层830的上述导体。在承载件810的与上述上侧相对的后侧上，除了电镀通孔861之外，还布置有另外的连接元件880，这些连接元件能够实现另一承载件(此处未示出)与承载件810的机械和/或电连接(优选地借助于焊接连接)。机械连接元件880由例如所谓的微接触元件或所谓的微焊料凸块、接合线或插头连接元件形成。

图8所示的承载件布置800可以用作例如所谓的内插件，其中它被紧固在另一承载件(此处未示出)上，例如，利用机械连接元件880和电镀通孔861紧固。层830的分离的第二区域832上的部件850可以例如是具有电和/或光学触点的连接器条或被设计为任何其他接口。分离的第二区域832形成所谓的扇出结构。

图9示出了此处提出的类型的尚未完成的承载件布置900的另一实施方式的制备中的中间阶段。示出了承载件910，其可以由例如玻璃或硅制成，并且其表面920具有例如两个第一表面区域921和三个第二表面区域922(其每个被虚线包围)。例如，已经在三个第二表面区域922的每一个上制备了降低粘附力的中介层，例如，如上文结合图4A和图4B所示的实施方式已经描述的。然后在表面920上制备了连续层930。层930具有：两个第一区域931，每个第一区域覆盖两个第一表面区域921中的一个；以及三个第二区域932，其连接到两个第一区域931并且其每个覆盖三个第二表面区域922中的一个。例如，可以借助于结合图4A和图4B所示的实施方式100描述的制备方法形成层930，并且该层可以具有相应的特征。特别地，此处示出了电线970，其例如嵌入在层930中，并且延展穿过层的第一区域931和第二区域932并且彼此连接。类似于图7D和图8所示的实施方式700、800，承载件910还具有接触元件960和电镀通孔961，可以经由它们中的每一个建立与被集成在层830中的一条或多条电线970的电连接。

在随后的方法步骤(此处未示出)中，层930的三个第二区域932可以与第二表面区域922分离，例如，使用上述方法之一分离，例如，通过机械分离。在之前或之后，承载件910可以被分成第一承载件分段和第二承载件分段，例如，通过沿着切割平面锯穿承载件910。例如，这些切割平面可以在第一表面区域921和第二表面区域922之间延展。在这种情况下，优选地形成第一承载件分段和第二承载件分段，其中第一承载件分段中的每一个分别形成第一表面区域921中的一个，并且第二承载件分段中的每一个分别形成第二表面区域921中的一个。通常从承载件布置930移除第二承载件分段，并且因此第二承载件分段不形成完成的承载件布置900的任何部分。在分离之后，区域932是柔性的并且可以例如被旋转或弯曲以便能够实现承载件分段彼此的期望的相对对齐。

图10A和图10B示意性地示出了此处提出的承载件布置1000的另一实施方式，其中图10B示出了图10A的放大的局部截面。承载件布置1000在其制备和其结构上对应于例如图7A、图7B和图7C所示的实施方式700，并且因此还包括两个刚性的第一承载件分段1011和层1030，其边缘在图10A和图10B中用虚线示出。层1030包括：两个第一区域1031，该第一区域覆盖由第一承载件分段1011形成的第一表面区域1021；以及第二区域1032，该第二区域连接到两个第一区域1031但未被布置在第一承载件分段1011上，而是在它们之间延展，从而将它们彼此连接起来。由于与原始承载件1010分离的第二区域1032中的层1030的柔性，两个第一承载件分段1011可以相对于彼此移动，例如以执行相对于彼此的补偿运动。

层1030被配置为多层并且特别地包括电绝缘层和导电层，从而形成例如布线层。线路层包括电线1070，该电线各自延展穿过层1030的两个第一区域1031和第二区域1032，从而允许两个第一承载件分段1011之间进行电信号传输。此外，电接触元件1060和电镀通孔1061被布置在两个第一承载件分段1011上，其中的每个都能够与线路1070进行电接触。可以例如在第一表面区域1021上制备层1030之前或仅在之后制备接触元件1060和/或电镀通孔1061。

此处示出的实施方式例如也是微系统或微系统的一部分，例如用于微电子、微机械、微流体和/或电光应用。如已经提到的，示出的承载件布置可以连接到另外的部件(参见上述部件的示例)，特别是经由示出的接触元件和电镀通孔连接。此外，可以在示出的承载件、承载件分段和另外的承载件上以及在示出的层上或示出的层内布置另外的部件和另外的承载件，以扩展相应微系统的功能和/或形成另外的接触平面和界面。有利地，可以通过相应层的柔性区域来降低衬底影响以及热机械应力。

有利地，微电子或微系统技术的已知方法可用于本发明的许多实施方式，例如薄膜方法、光刻方法、蚀刻方法、激光烧蚀方法等。这些方法可以有利地组合成单一的工艺方法，因此与传统的制备方法相比，可以显著降低所提出的制备方法的复杂性。

参考符号列表：

100；500；600；700；800；900；1000 承载件布置

110；510；610；710；810；910；1010 承载件；衬底

711；1011 第一承载件分段

712；1012 第二承载件分段

715；815 另一承载件；衬底

120；520；620；720；820；920；1020 表面

121；521；621；721；821；921；1021 第一表面区域

122；722；922 第二表面区域

130；530；630；730；830；930；1030 层

131；531；631；731；831；931；1031 第一区域

132；532；632；732；832；932；1032 第二区域

133、134 部分层

135；535；635；735；835 弯曲区域

136；536；636；736；836 平坦区域

150；550；650；850 部件

760；860；960；1060 接触元件

761；861；961；1061 电镀通孔

570；970；1070 线路

880 连接元件

Claims (31)

1.一种用于制备承载件布置(100；500；600；700；800；900；1000)的方法，包括以下步骤：

在承载件(110；510；610；710；810；910；1010)的表面(120；520；620；720；820；920；1020)上制备层(130；530；630；730；830；930；1030)，所述层包括第一区域(131；531；631；731；831；931；1031)和连接到所述第一区域的第二区域(132；532；632；732；832；932；1032)，所述第一区域覆盖所述承载件的第一表面区域(121；521；621；721；821；921；1021)并且所述第二区域覆盖所述承载件的第二表面区域(122；722；922)，

将所述层的所述第二区域与所述承载件分离，所述层的所述第一区域保留在所述承载件的所述第一表面区域上并且不与所述第二区域分开，所述层在所述分离的第二区域中是柔性的；

在所述承载件的所述表面上制备所述层之前：

在所述承载件的所述第一表面区域上施加增强粘附力的中介层，其中，在所述承载件的所述表面上制备所述层之前，省去所述第二表面区域，或者从所述承载件的所述第二表面区域再次移除增强所述粘附力的所述中介层，增强所述粘附力的所述中介层仅由一层增强所述粘附力的所述中介层的材料的原子或分子形成，增强粘附力的所述中介层用于与承载件和/或与所述层建立共价键。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，将与所述承载件分离所述层的所述第二区域弯曲或折叠。

3.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，将与所述承载件分离的所述第二区域连接到所述承载件布置的另一承载件(715；815)。

4.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，在所述层的所述第二区域与所述承载件分离之前或之后，在所述第二表面区域中或在所述第一表面区域与所述第二表面区域之间切断所述承载件，而不将所述层的所述第一区域与所述层的所述第二区域分开。

5.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，在所述层的所述第二区域与所述承载件分离之前，通过用穿过所述承载件的电磁辐射照射所述承载件的所述第二表面区域和/或所述层的与所述第二表面区域粘附的所述第二区域来降低所述层的所述第二区域对所述第二表面区域的粘附。

6.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，通过蚀刻移除所述承载件的形成所述承载件的所述第一表面区域的区域使所述层的所述第二区域与所述承载件分离。

7.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述承载件完全地或至少按区域地由硅、玻璃、金属、陶瓷和/或聚合物形成。

8.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述承载件是晶片或晶片的一部分。

9.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述承载件是板或带。

10.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述层完全地或至少按区域地由聚合物形成。

11.根据权利要求10所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述层完全地或至少按区域地由聚酰亚胺或聚苯并噁唑形成。

12.根据权利要求10所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，增强粘附力的所述中介层用于与层的聚合物形成建立共价键。

13.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述层完全地或至少按区域地由金属、由玻璃和/或由硅形成。

14.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述层所具有的总厚度在1至300μm之间。

15.根据权利要求14所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述层所具有的总厚度在1至100μm之间。

16.根据权利要求15所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述层所具有的总厚度在1至50μm之间。

17.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，在所述承载件的所述表面上制备所述层期间，所述层的至少一个绝缘层由电绝缘材料形成，其中，所述至少一个绝缘层至少覆盖所述承载件的所述第一表面区域和所述第二表面区域，其中，由导电材料制成的导电层形成在所述至少一个绝缘层上，其中，所述导电层包括至少一个导体轨迹。

18.根据权利要求17所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述至少一个导电层包括至少一个连续导体轨迹，所述连续导体轨迹从所述层的所述第一区域开始延伸到所述层的所述第二区域中。

19.根据权利要求1所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，在所述第一表面区域内在所述承载件的所述表面上布置至少一个电接触元件，其中，在所述至少一个电接触元件与所述层的至少一个导体轨迹之间建立电连接。

20.根据权利要求19所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述电接触元件从所述承载件的所述第一表面区域开始部分地或完全地延伸穿过所述层的所述第一区域。

21.根据权利要求19所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，所述电接触元件以导电方式连接到布置在所述承载件上的导体轨迹和/或连接到布置在所述承载件上的电子部件。

22.根据权利要求1至21中任一项所述的一种用于制备承载件布置的方法，其特征在于，至少一个电接触元件和/或至少一个电子部件布置在所述层的所述第一区域和/或所述第二区域上或集成在所述层的所述第一区域和/或所述第二区域中。

23.一种承载件布置结构，包括：

-具有表面的承载件，和

-具有第一区域和柔性第二区域的层，所述第一区域布置在所述承载件的所述表面的第一表面区域(121)上，所述柔性第二区域连接到所述第一区域且不布置在所述承载件的所述表面上；

所述承载件布置还包括：

增强粘附力的中介层，所述中介层仅由一层增强所述粘附力的所述中介层的材料的原子或分子形成，并且所述中介层布置在所述承载件的所述第一表面区域与所述层的所述第一区域之间，增强粘附力的所述中介层用于与承载件和/或与所述层建立共价键。

24.根据权利要求23所述的承载件布置结构，其特征在于，所述层完全地或至少按区域地由聚合物形成。

25.根据权利要求24所述的承载件布置结构，其特征在于，增强粘附力的所述中介层用于与层的聚合物形成建立共价键。

26.根据权利要求23所述的承载件布置结构，其特征在于，所述承载件布置在所述承载件的所述表面与所述层的所述第一区域之间，不具有由粘附剂形成的层，由粘附剂形成的所述层由多层所述粘附剂的材料的原子或分子形成。

27.根据权利要求23所述的承载件布置结构，其特征在于，所述层的所述第二区域横向突出超过所述承载件的边缘。

28.根据权利要求23所述的承载件布置结构，其特征在于，由所述层的所述第二区域限定的平面与由所述承载件的所述表面限定的平面围成非零角度。

29.根据权利要求28所述的承载件布置结构，其特征在于，其中，所述角度在0°至180°之间的范围内。

30.根据权利要求29所述的承载件布置结构，其特征在于，其中，所述角度在85°至95°之间的范围内。

31.根据权利要求23至28中任一项所述的承载件布置结构，其特征在于，使用根据权利要求1至22中任一项所述的一种用于制备承载件布置的方法制备的所述承载件布置结构。