CN113589610A - 一种金属线的修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属线的修复方法,包括获取金属线的断口位置;采用第一激光光束对靠近断口一侧的金属线进行扫描,以对靠近断口一侧的金属线进行修整,其中,第一激光光束的波长为λ1,266nm≤λ1≤355nm;制备导电修复线,导电修复线连接断口两侧的金属线,其中,通过采用波长范围为266nm~355nm的第一激光光束对靠近断口一侧的金属线进行扫描,以对金属线靠近断口一侧的边缘进行修整,减薄靠近断口一侧的金属线的厚度,并提高靠近断口一侧的金属线的表面平整度,使得后续制备的导电修复线更容易附着到金属线上,降低导电修复线断线的可能性,保证金属线的修复质量,提高修复效果。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种金属线的修复方法。
背景技术
显示面板具有轻薄、功耗低和低辐射等优点,目前被广泛的应用于手机、掌上电脑等便携式电子产品中,例如:液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)、有机发光二级管显示面板(Organic Light Emitting Diode,OLED)等。
在显示面板的生产过程中,用于传输信号的金属线可能存在缺陷,从而发生金属线断路的情况,严重降低产品良率,所以金属线的修复对提高产品良率至关重要。
图1为现有的一种金属线的修复方法的流程示意图,如图1所示,基板10’上设置有金属线11’,金属线11’存在断口111’,从而形成断路,现有金属线的修复方法是直接在断口111’处沉积导电膜层,以形成导电修复线12’,从而将断口111’两侧的金属线11’连接起来,完成对金属线11’的修复。
然而,如图1所示,金属线11’靠近断口111’的边缘处存在堆积翘曲,形成较大的段差,使得修复线12’在段差处形成空隙,容易断线,影响修复效果。
发明内容
本发明提供一种金属线的修复方法,以提高修复效果。
本发明实施例提供了一种金属线的修复方法,包括:
获取所述金属线的断口位置;
采用第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描,以对靠近所述断口一侧的所述金属线进行修整,其中,所述第一激光光束的波长为λ1,266nm≤λ1≤355nm;
制备导电修复线,所述导电修复线连接所述断口两侧的所述金属线。
可选的,在获取所述金属线的断口位置之前,还包括:
确定所述金属线的缺陷位置;
采用第二激光光束对所述缺陷位置进行处理,得到断口,其中,所述第二激光光束的波长大于所述第一激光光束的波长。
可选的,所述采用第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描,包括:
在所述金属线上确定第一起始位置,所述第一起始位置位于所述断口的第一侧;
沿所述第一起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描;
在所述金属线上确定第二起始位置,所述第二起始位置位于所述断口的第二侧;
沿所述第二起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描。
可选的,所述第一起始位置与所述断口之间的最短距离为D1,所述第二起始位置与所述断口之间的最短距离为D2,其中,2μm≤D1≤10μm,2μm≤D2≤10μm。
可选的,在沿所述第一起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描时,所述第一激光光束的步进距离为D3,其中,D3≤1μm;
在沿所述第二起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描时,所述第一激光光束的步进距离为D4,其中,D4≤1μm。
可选的,在采用所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描时,所述第一激光光束的能量为W1,其中,1.0μW≤W1≤2.4μW。
可选的,在采用所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描时,所述第一激光光束的扫描速度为V1,其中,500μm/s≤V1≤1500μm/s。
可选的,在采用所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描时,所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描的次数为C1,其中,1≤C1≤5。
可选的,所述制备导电修复线,包括:
采用激光熔覆工艺制备所述导电修复线。
可选的,所述导电修复线的厚度为D4,其中,D4≤480nm。
本发明的有益效果为:通过采用波长范围为266nm~355nm的第一激光光束对靠近断口一侧的金属线进行扫描,以对金属线靠近断口一侧的边缘进行修整,减薄靠近断口一侧的金属线的,并提高靠近断口一侧的金属线的表面平整度,使得后续制备的导电修复线更容易附着到金属线上,降低导电修复线断线的可能性,保证金属线的修复质量,提高了修复效果。
附图说明
图1为现有的一种金属线的修复方法的流程示意图;
图2为本发明实施例提供的一种金属线的修复方法的流程示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种金属线的修复方法的流程示意图;
图4为本发明实施例提供的又一种金属线的修复方法的流程示意图;
图5为本发明实施例提供的再一种金属线的修复方法的流程示意图;
图6为本发明实施例提供的一种确定金属线的缺陷位置的流程示意图;
图7为本发明实施例提供的一种采用第一激光光束对金属线进行扫描的示意图;
图1中:
10’、基板;11’、金属线;111’、断口;12’修复线;
图3至图7中:
10、基板;11、金属线;111、断口;21、第一激光光束;12、导电修复线;13、异物;121、第一导电修复线;122、第二导电修复线;A、第一起始位置;B、第二起始位置;31、第一侧;32、第二侧。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图2为本发明实施例提供的一种金属线的修复方法的流程示意图,如图2所示,本发明实施例提供的金属线修复方法包括:
S110、获取所述金属线的断口位置。
其中,金属线可以为任意装置中用于传输信号的金属线,示例性的,以显示面板上的金属线为例,图3为本发明实施例提供的另一种金属线的修复方法的流程示意图,如图3所示,基板10上具体形成有间隔排列的多条金属线11,金属线11用于传输信号,其中,金属线11可以为显示面板的扫描线或者数据线,本发明实施例对此不作限定。
继续参考图3,金属线11上存在断口111,在本实施例中,可通过任意检测方法确定金属线的断口111所在位置,本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
S120、采用第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描,以对靠近所述断口一侧的所述金属线进行修整,其中,所述第一激光光束的波长为λ1,266nm≤λ1≤355nm。
继续参考图3,示例性的,金属线11靠近断口111的边缘处具有较大的段差,在本实施例中,用第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描,以对金属线11靠近断口111一侧的边缘进行修整,减薄靠近断口111一侧的金属线11,降低金属线11在断口111边缘处的段差。
其中,第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描时,在金属线11上产生热量,在金属线11上产生热影响区(Heat Affected Zone,HAZ),使得被第一激光光束21扫描到的金属线11融化,并向周边流动,从而减薄金属线11的厚度。发明人研究发现,由于激光能量特性,激光波长与热熔覆效应存在正相关关系,长波长激光对金属线11表面的影响偏差较大,因此,在本实施例中,通过设置第一激光光束21的波长λ1满足266nm≤λ1≤355nm,以对金属线11的表面处理具有更优的可控效果,从而提高靠近断口111一侧的金属线11的表面平整度。
需要说明的是,第一激光光束21可根据实际需求进行设置,例如,第一激光光束21为266nm,或者,第一激光光束21为343nm,本发明实施例对此不作限定。
S130、制备导电修复线,所述导电修复线连接所述断口两侧的所述金属线。
继续参考图3,示例性的,在采用第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描之后,在断口111处制备导电修复线12,导电修复线12连接断口111两侧的金属线11,以修复断裂的金属线11。其中,由于已经采用第一激光光束21对断口111两侧的金属线11进行修整,导电修复线12搭接到金属线11靠近断口111一侧的边缘时,需要爬坡的角度减小,降低了导电修复线12断线的可能性,保证金属线11的修复质量,提高了修复效果。
综上所述,本发明实施例提供的金属线的修复方法,通过采用波长范围为266nm~355nm的第一激光光束对靠近断口一侧的金属线进行扫描,以对金属线11靠近断口111一侧的边缘进行修整,减薄靠近断口111一侧的金属线11的厚度,并提高靠近断口111一侧的金属线11的表面平整度,使得后续制备的导电修复线12更容易附着到金属线11上,降低导电修复线12断线的可能性,保证金属线11的修复质量,提高了修复效果。
图4为本发明实施例提供的又一种金属线的修复方法的流程示意图,如图4所示,可选的,在获取所述金属线的断口位置之前,还包括:
确定所述金属线的缺陷位置。
采用第二激光光束对所述缺陷位置进行处理,得到断口,其中,所述第二激光光束的波长大于所述第一激光光束的波长。
其中,在显示面板的制作过程中,由于各种因素的影响,金属线会存在一些缺陷,从而导致金属线断路,在本实施例中,先确定金属线的缺陷位置,以采用第二激光光束对金属线的缺陷进行处理。
示例性的,图5为本发明实施例提供的再一种金属线的修复方法的流程示意图,如图5所示,通过电学检查设备(Line Open Short,LOS)检查获取金属线的缺陷位置。在其他实施例中,也可通过其他检测设备或方法确定金属线的缺陷位置,本领域技术人员可根据实际需求进行设置。
需要说明的是,在实际情况中,造成LOS(信号丢失)的原因有很多种,例如金属线断路、金属线短路、金属线阻抗不匹配等,针对不同的原因需要采用不同的修复方法进行处理,因此,在确定金属线的缺陷位置时,需要对检测到的金属线不良的位置进行一系列检查判定,从而采用合适的修复方法对金属线进行修复。
示例性的,图6为本发明实施例提供的一种确定金属线的缺陷位置的流程示意图,如图6所示,确定金属线的缺陷位置具体可包括通过修理设备(Review and Repair,RPR)对金属线进行检查,判断是否检测出LOS问题,若否,则进行正常的检查判定,此时,不需要采用第二激光光束对金属线进行处理;若是,则进一步判断是否为Line Open(开路)检出类型,若否,则说明金属线存在其他类型的故障,此时,判定金属线为其他不良,进行正常的检查判定;若是,则说明金属线存在断路,进一步判定是否为需要破碎类型,其中,若是异物造成的金属线断路,则判定为需要破碎类型,此时需要采用第二激光光束对金属线进行处理,若不是异物造成的金属线断路,则进行正常的检查判定。
继续参考图6,示例性的,在判定为需要破碎类型之后,还可进一步判断是否需要边缘修整,若否,则进行正常的检查判定,此时不需要采用第一激光光束对金属线进行扫描;若是,则判定为缺陷,并确定金属线的缺陷位置,后续使用本发明实施例提供的金属线的修复方法对缺陷进行修复。
继续参考图4和图5,确定金属线的缺陷位置之后,对异物13进行BLK破碎,即采用第二激光光束对缺陷位置进行处理,将异物13打碎,其中,第二激光光束的波长大于第一激光光束的波长,即采用长波激光对缺陷位置进行处理,以产生足够的能量将异物13打碎,从而去除异物13。将异物13去除后,金属线11上会形成断口111,但由于第二激光光束的热熔效应,金属线11的表面易产生段差性堆积情况,使得金属线11靠近断口111的边缘处存在翘曲,对后续制备的导电修复线12的平整度、粘附性能等造成影响,容易导致修复失败。因此,在本实施例中,通过确定金属线的断口111的位置,并采用第一激光光束对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描,以对金属线11靠近断口111一侧的边缘进行修整,减薄靠近断口111一侧的金属线11,然后再沉积导电层,形成导电修复线12以连接断口111两侧的金属线11,通过减薄靠近断口111一侧的金属线11,能够改善导电修复线12的平整度以及粘附性能,从而有效提高修复成功率。
可选的,采用第一激光光束对靠近断口一侧的金属线进行扫描,包括:
在金属线上确定第一起始位置,第一起始位置位于断口的第一侧。
沿第一起始位置指向断口的方向,控制第一激光光束对金属线进行步进扫描。
在金属线上确定第二起始位置,第二起始位置位于断口的第二侧。
沿第二起始位置指向断口的方向,控制第一激光光束对金属线进行步进扫描。
示例性的,图7为本发明实施例提供的一种采用第一激光光束对金属线进行扫描的示意图,如图7所示,在金属线11上确定第一起始位置A,第一起始位置A位于断口111的第一侧31,如图7所示,以第一侧31为左侧为例,将第一激光光束21定位在第一起始位置A,沿第一起始位置A指向断口111的方向,控制第一激光光束21从第一起始位置A向断口111处进行步进扫描。
其中,步进扫描是指仅采用一束激光光束,每输出一束激光光束,激光光束的位置就前进一步。
在本实施例中,通过控制第一激光光束21从第一起始位置A向断口111处进行步进扫描,使得从第一起始位置A至断口111之间的金属线11熔融,利用第一激光光束21朝断口111扫描时对熔融金属的推动效果,使得熔融后的金属朝断口111流动,减薄金属线11的同时,使得多余的金属填充断口111,从而使得沿第一起始位置A指向断口111的方向,金属线11的厚度逐渐降低,均匀过渡,有助于提高金属线11在段差部位的平整度。
具体的,如图7所示,控制第一激光光束21从第一起始位置A向断口111处进行步进扫描的具体操作可以为:在第一起始位置A控制激光头发射第一次第一激光光束21,然后以预设速度步进移动激光头,或以预设角速度步进偏转用于发射第一激光光束21的反射镜,以使第一激光光束21的下一次落点向断口111的方向移动一定距离,然后控制激光头发射第二次第一激光光束21,以此类推。其中,每次步进后发射一次第一激光光束21,第一起始位置A和断口111之间的路径上朝断口111方向按时间顺序和空间顺序间隔接收多次激光后完成一次扫描。
继续参考图7,在金属线11上确定第二起始位置B,第二起始位置B位于断口111的第二侧32,以第二侧32为右侧为例,将第一激光光束21定位在第二起始位置B,沿第二起始位置B指向断口111的方向,控制第一激光光束21从第二起始位置B向断口111处进行步进扫描。通过控制第一激光光束21从第二起始位置B向断口111处进行步进扫描,使得从第二起始位置B至断口111之间的金属线11熔融,利用第一激光光束21朝断口111扫描时对熔融金属的推动效果,使得熔融后的金属朝断口111流动,减薄金属线11的同时,使得多余的金属填充断口111,从而使得沿第二起始位置B指向断口111的方向,金属线11的厚度逐渐降低,均匀过渡,以提高金属线11在段差部位的平整度。
具体的,如图7所示,控制第一激光光束21从第二起始位置B向断口111处进行步进扫描的具体操作可以为:在第二起始位置B控制激光头发射第一次第一激光光束21,然后以预设速度步进移动激光头,或以预设角速度步进偏转用于发射第一激光光束21的反射镜,以使第一激光光束21的下一次落点向断口111的方向移动一定距离,然后控制激光头发射第二次第一激光光束21,以此类推。其中,每次步进后发射一次第一激光光束21,第二起始位置B和断口111之间的路径上朝断口111方向按时间顺序和空间顺序间隔接收多次激光后完成一次扫描。
继续参考图7,可选的,第一起始位置A与断口111之间的最短距离为D1,第二起始位置B与断口111之间的最短距离为D2,其中,2μm≤D1≤10μm,2μm≤D2≤10μm。
在本实施例中,若D1和D2过大,增加修复时间的同时,较长一段金属线11均被减薄,会增大金属线11断线的可能;若D1和D2过小,可能无法平整金属线11靠近断口111一侧的整个翘曲部分,从而无法保证修整效果。在本实施例中,通过设置第一起始位置A与断口111之间的最短距离D1满足2μm≤D1≤10μm,以及第二起始位置B与断口111之间的最短距离D2满足2μm≤D2≤10μm,可以提高修复效率、降低金属线11断线概率,同时,可保证修整效果,从而改善导电修复线12的平整度,有效提高修复成功率。
其中,D1和D2可根据实际需求进行设置,例如,D1=6μm,D2=6μm,本发明实施例对此不作限定。
继续参考图7,可选的,在沿第一起始位置A指向断口111的方向,控制第一激光光束21对金属线11进行步进扫描时,第一激光光束21的步进距离为D3,其中,D3≤1μm;在沿第二起始位置B指向断口111的方向,控制第一激光光束21对金属线11进行步进扫描时,第一激光光束21的步进距离为D4,其中,D4≤1μm。
在本实施例中,通过设置控制第一激光光束21对金属线11进行步进扫描时,第一激光光束21的步进距离D3满足D3≤1μm,控制第一激光光束21对金属线11进行步进扫描时,第一激光光束21的步进距离D4满足D4≤1μm,即在控制第一激光光束21对金属线11进行步进扫描时,第一激光光束21每次的移动距离小于或等于1μm,使得第一激光光束21较为密集的照射在金属线11靠近断口111的边缘处,有助于提高金属线11在段差部位的平整度。
需要说明的是,第一激光光束21的光斑直径可根据实际需求进行设置,例如,设置第一激光光束21的光斑直径大于第一激光光束21的步进距离,以使靠近断口111一侧的金属线11均能够被第一激光光束21照射到,以提高金属线11在段差部位的平整度,本发明实施例对此不作限定。
继续参考图7,可选的,在采用第一激光光束21对靠近断口一侧的金属线11进行扫描时,第一激光光束21的能量为W1,其中,1.0μW≤W1≤2.4μW。
其中,若第一激光光束21的能量过小,则对金属线11的段差部位的修整效果不明显;若第一激光光束21的能量过大,可能会造成金属线11损坏。在本实施例中,通过设置第一激光光束21的能量W1满足1.0μW≤W1≤2.4μW,达到金属线11在断口111处的修整效果的同时,避免造成金属线11损伤,保证金属线11的修复效果。
继续参考图7,可选的,在采用第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描时,第一激光光束21的扫描速度为V1,其中,500μm/s≤V1≤1500μm/s。
其中,若第一激光光束21的扫描速度V1过快,则对金属线11的段差部位的修整效果不明显,若第一激光光束21的扫描速度V1过慢,可能会造成金属线11损坏。在本实施例中,通过设置第一激光光束21的扫描速度V1满足500μm/s≤V1≤1500μm/s,达到金属线11在断口111处的修整效果的同时,避免造成金属线11损伤,保证金属线11的修复效果。
需要注意的是,第一激光光束21的扫描速度V1可根据实际需求进行设置,例如,第一激光光束21的扫描速度V1为1000μm/s,提高修整速度的同时,保证修整效果,本发明实施例对此不作限定。
继续参考图7,可选的,在采用第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描时,第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描的次数为C1,其中,1≤C1≤5。
其中,若第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描的次数C1较少,可能达不到所需的修整效果,若第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描的次数C1较多,降低修整速度的同时,还可能会导致金属线11损坏。在本实施例中,通过设置的第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描的次数C1满足1≤C1≤5,达到金属线11在断口111处的修整效果的同时,提高修整速度,避免造成金属线11损伤,保证金属线11的修复效果。
需要注意的是,第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描的次数C1可根据实际需求进行设置,例如,若第一激光光束21的能量W1较小,则重复扫描5次,若第一激光光束21的能量W1较大,则仅扫描1次,本发明实施例对此不作限定。
可选的,所述制备导电修复线,包括:
采用激光熔覆工艺制备所述导电修复线。
具体的,激光熔覆(Laser Cladding)工艺是指通过在基材表面添加熔覆材料,并利用高能密度的激光束使之与基材表面薄层一起熔凝的方法,在基层表面形成冶金结合的添料熔覆层的工艺方法。激光熔覆具有稀释度小、组织致密、熔覆层与基层结合好等特点。
其中,熔覆材料可根据实际需求进行设置,例如,熔覆材料采用钼粉,示例性的,将钼粉加热气化,利用氩气喷出,使得气化的钼粉附着在金属线11和断口111的表面,通过高能密度的激光束的照射,使得钼粉与金属线11致密融合,形成导电修复线12,从而连接断口111两侧的金属线11,实现金属线11的修复。
需要注意的是,可根据实际需求对高能密度的激光束的能量、氩气中钼粉的浓度、氩气的温度、室内温度,激光束的扫描速度以及激光束的扫描次数进行设置,以达到最优的修复效果,本发明实施例对此不作限定。
继续参考图3,可选的,导电修复线12的厚度为D4,其中,D4≤480nm。
具体的,现有技术中一般通过增加导电修复线12的厚度保证导电修复线12与金属线11的连接,但如此设置,一方面导电修复线12会占用较大空间,另一方面导电修复线12的边缘又会形成较大的段差,影响后续制备的膜层的平整度。
在本实施例中,由于采用第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描,从而对金属线11靠近断口111一侧的边缘进行修整,减薄了靠近断口111一侧的金属线11,降低了金属线11在断口111边缘处的段差,从而可以在保证金属线11的修复效果的同时,将导电修复线12的厚度D4减低到480nm以内,从而减少导电修复线12所占用的空间,降低导电修复线12对显示面板中各膜层结构的影响。
继续参考图4,可选的,导电修复线12包括第一导电修复线121和第二导电修复线122,其中,沿垂直于基板10的方向,第一导电修复线121与断口111交叠,第二导电修复线122与断口111不交叠。
示例性的,如图4所示,第一导电修复线121覆盖断口111,从而使得第一导电修复线121较短,能够降低第一导电修复线121的阻抗,降低信号衰减。第二导电修复线122为折线,以避开断口111,从而避免断口111中可能存在的杂质影响修复效果,保证金属线11的修复质量。
其中,导电修复线12的数量和形状均可根据实际需求进行设置,例如,第二导电修复线122还可以为曲线,本发明实施例对此不作限定。
综上所述,本发明实施例提供的金属线的修复方法,通过采用波长范围为266nm~355nm的第一激光光束对靠近断口一侧的金属线进行扫描,以对金属线11靠近断口111一侧的边缘进行修整,减薄靠近断口111一侧的金属线11的厚度,降低金属线11在断口111边缘处的段差,同时,通过合理设置第一激光光束21的扫描方式、第一激光光束21的能量、第一激光光束21的扫描速度、第一激光光束21对靠近断口111一侧的金属线11进行扫描的次数,进一步提高靠近断口111一侧的金属线11的表面平整度,并使后续导电修复线12的粘附性能明显提高,改善导电修复线12的电化学特性,使得导电修复线12更容易附着到金属线11上,降低导电修复线12断线的可能性,克服了金属线11在段差部位难以连接导电修复线12的问题,保证了金属线11的修复质量,提高了修复成功率。并且,在保证修复成功率的同时,还可降低导电修复线12的厚度,有利于后续制备工艺的进行。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种金属线的修复方法,其特征在于,包括:
获取所述金属线的断口位置;
采用第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描,以对靠近所述断口一侧的所述金属线进行修整,其中,所述第一激光光束的波长为λ1,266nm≤λ1≤355nm;
制备导电修复线,所述导电修复线连接所述断口两侧的所述金属线。
2.根据权利要求1所述的金属线的修复方法,其特征在于,在获取所述金属线的断口位置之前,还包括:
确定所述金属线的缺陷位置;
采用第二激光光束对所述缺陷位置进行处理,得到所述断口,其中,所述第二激光光束的波长大于所述第一激光光束的波长。
3.根据权利要求1所述的金属线的修复方法,其特征在于,所述采用第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描,包括:
在所述金属线上确定第一起始位置,所述第一起始位置位于所述断口的第一侧;
沿所述第一起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描;
在所述金属线上确定第二起始位置,所述第二起始位置位于所述断口的第二侧;
沿所述第二起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描。
4.根据权利要求3所述的金属线的修复方法,其特征在于,
所述第一起始位置与所述断口之间的最短距离为D1,所述第二起始位置与所述断口之间的最短距离为D2,其中,2μm≤D1≤10μm,2μm≤D2≤10μm。
5.根据权利要求3所述的金属线的修复方法,其特征在于,
在沿所述第一起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描时,所述第一激光光束的步进距离为D3,其中,D3≤1μm;
在沿所述第二起始位置指向所述断口的方向,控制所述第一激光光束对所述金属线进行步进扫描时,所述第一激光光束的步进距离为D4,其中,D4≤1μm。
6.根据权利要求1所述的金属线的修复方法,其特征在于,
在采用所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描时,所述第一激光光束的能量为W1,其中,1.0μW≤W1≤2.4μW。
7.根据权利要求1所述的金属线的修复方法,其特征在于,
在采用所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描时,所述第一激光光束的扫描速度为V1,其中,500μm/s≤V1≤1500μm/s。
8.根据权利要求1所述的金属线的修复方法,其特征在于,
在采用所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描时,所述第一激光光束对靠近所述断口一侧的所述金属线进行扫描的次数为C1,其中,1≤C1≤5。
9.根据权利要求1所述的金属线的修复方法,其特征在于,
所述制备导电修复线,包括:
采用激光熔覆工艺制备所述导电修复线。
10.根据权利要求1所述的金属线的修复方法,其特征在于,
所述导电修复线的厚度为D4,其中,D4≤480nm。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101776808A (zh) * | 2010-02-10 | 2010-07-14 | 深超光电(深圳)有限公司 | 一种液晶显示器阵列基板及其修补方法 |
CN104880841A (zh) * | 2015-05-18 | 2015-09-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板修复装置及修复方法 |
WO2016086603A1 (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属线的修复方法及修复设备 |
CN106425092A (zh) * | 2016-11-25 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的金属线修复方法、用于该方法的透镜及激光器 |
CN107329292A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 镭射修复方法及镭射修复后基板 |
-
2021
- 2021-07-30 CN CN202110871195.7A patent/CN113589610B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101776808A (zh) * | 2010-02-10 | 2010-07-14 | 深超光电(深圳)有限公司 | 一种液晶显示器阵列基板及其修补方法 |
WO2016086603A1 (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属线的修复方法及修复设备 |
CN104880841A (zh) * | 2015-05-18 | 2015-09-02 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板修复装置及修复方法 |
CN106425092A (zh) * | 2016-11-25 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的金属线修复方法、用于该方法的透镜及激光器 |
CN107329292A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 镭射修复方法及镭射修复后基板 |
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