CN113589132A - 一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置 - Google Patents

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Abstract

一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,包括正直流电源、负直流电源、测试电路模块、跳线模块、测试夹具、待测件、监视模块。正直流电源与测试电路模块的正端连接;负直流电源与测试电路模块的负端连接;跳线模块设置在测试电路模块与测试夹具之间,通过跳线设置,进行对应的晶体管或场效应管极间反偏电压连接;测试夹具包括测试板及待测件插座,通过待测件插座与待测件进行连接;监视模块与测试夹具连接,用于全过程监视待测件的老化状态。解决了现有三极管高温老化反偏试验技术造成大量资源的闲置浪费、需要大量的人力物力、生产效率低下、生产成本较高的问题。广泛应用于各种封装形式的晶体管及场效应管的高温老化反偏试验领域。

Description

一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置
技术领域
本发明涉及三极管测试领域,具体来说,涉及一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置。
背景技术
在晶体管或场效应管(统称为三极管)产品(封装示意图如图1所示)的生产过程中,由于原材料、半导体三极管芯片、工艺过程等环节不可避免会存在各种各样的缺陷,在产品进入应用之前,必须剔除有明显缺陷、隐含缺陷的早期失效产品。采用的有效方法就是在高温下、在一定的时间内,给三极管的极间施加反向偏置电压,,在温度应力、电压应力、时间应力的共同作用下,让早期失效产品加速失效,以达到剔除早期失效产品的目的。根据晶体管(基极B、集电极C、发射极E)或场效应管(栅极G、漏极D、源极S)的电极特性,晶体管的高温反偏试验有2种老化形式,即VCB(集电极与基极间反偏电压)、VCE(集电极与发射极间反偏电压),场效应管的高温反偏试验有2种老化形式,即VGS(栅极与源极间反偏电压)、VDS(漏极与源极间反偏电压),在做高温反偏老化试验时,要针对不同类型(晶体管或场效应管)、同类型不同型号(N沟或P沟场效应管、NPN管或PNP管)的三极管,制作4类高温反偏试验板(简称老化板)。在大批量生产时,为了保证生产进度,需要每种老化形式老化板数量较多,但小批量生产或有些型号只需一种老化形式时,又不需要这么多老化板。由于老化板资源的不共享、不匹配、不能互相转换,由于种类产品数量的不均衡性、市场需求的不一致性和波动性,常常会造成某些类别的老化板比较紧缺,而某些类别的老化板又闲置不用,造成大量资源的闲置浪费,同时在大批量生产过程中,由于频繁的更换产品和换板,又需要大量的人力物力,大大降低生产效率,提升生产成本。
为此,特提出本发明。
发明内容
本发明旨在解决现有三极管高温老化反偏试验技术造成大量资源的闲置浪费、需要大量的人力物力、生产效率低下、生产成本较高的问题。
本发明的技术构思是:根据晶体管或场效应管的原理,在现有技术中引入跳线模块装置,将4种类型的老化板(N沟或P沟场效应管、NPN管或PNP管)整合为一块通用的老化板,以解决本发明要解决的问题。
为此,本发明提供一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,如图2所示。包括:正直流电源、负直流电源、测试电路模块、跳线模块、测试夹具、待测件、监视模块等;
所述正直流电源与负直流电源,按晶体管及场效应管极间反偏特性的要求,施加在所述测试电路模块的正负电源端;
所述跳线模块设置在测试电路模块与测试夹具之间,通过跳线设置,满足于对应的晶体管或场效应管极间反偏电压连接;
所述跳线模块可以是机械式人工跳线,也可以是电子式自动跳线;
所述测试夹具包括测试板及待测件插座,通过待测件插座与待测件进行连接;
所述监视模块与测试夹具连接,用于全过程监视待测件的老化状态。
一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置的测量方法,根据三极管类型及型号的不同,如图3所示,分别描述如下:
1、对于N沟道场效应管
施加VDS时:正电源与2脚连接,负电源与1脚和3脚连接;
施加VGS时:正电源与2脚和3脚连接,负电源与1脚连接。
2、对于P沟道场效应管
施加VDS时:正电源与1脚和3脚连接,负电源与2脚连接;
施加VGS时:正电源与1脚连接,负电源与2脚和3脚连接。
3、对于NPN管
施加VCB时:正电源与2脚连接,负电源与1脚连接;
施加VCE时:正电源与2脚连接,负电源与3脚连接。
4、对于PNP管
施加VCB时:正电源与1脚连接,负电源与2脚连接;
施加VCE时:正电源与3脚连接,负电源与2脚连接。
技术效果:
(1)将4种类型的老化板(N沟或P沟场效应管、NPN管或PNP管)整合为一块通用的老化板。
(2)取消了频繁的人工换板和更换产品工作,大大降低了人力物力,明显提高了生产效率,显著降低了生产成本。
(3)由于取消了频繁的人工换板和更换产品工作,降低的产品损伤的环节,提高的产品的可靠性。
(4)采用电子跳线模块时,可实现自动化跳线试验功能,进一步大大提升生产效率。
本发明广泛应用晶体管及场效应管的高温老化反偏试验领域,根据测试夹具测试座的变换,适用于各种封装形式的晶体管及场效应管。如如:SOT-89、SOT-23、SOT-223、TO-251/252、TO-263等封装外形。
附图说明
图1为晶体管及场效应管封装示意图。
图2为晶体管及场效应管高温老化反偏试验装置示意图。
图3为不同类别及型号三极管测试跳线对应图。
图4为单工位高温反偏试验电路图。
图中:1脚对应场效应管G极或晶体管B极,2脚和4脚对应场效应管D极或晶体管C极,3脚对应场效应管S极或晶体管E极。
具体实施方式
如图1-图4所示,具体实施方式如下:
所述测试电路模块的典型电路及应用如图4所示,包括正直流电源、负直流电源、保险管FU、跳线端子、待测件。
保险管连接在跳线端子正端与正直流电源之间,跳线端子负端与负直流电源连接。
跳线端子的另外3个独立接线端按要求与待测件的引脚连接。
图4所示的单工位高温反偏试验电路,制成老化板后,配套使用在HTR-800N高温反偏试验系统设备上。
最后应说明的是:上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,本发明包括但不限于以上实施例,这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。凡符合本发明要求的实施方案均属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,包括:正直流电源、负直流电源、测试电路模块、跳线模块、测试夹具、待测件、监视模块;
所述正直流电源与所述测试电路模块的正端连接;
所述负直流电源与所述测试电路模块的负端连接;
所述跳线模块设置在测试电路模块与测试夹具之间,通过跳线设置,进行对应的晶体管或场效应管极间反偏电压连接;
所述测试夹具包括测试板及待测件插座,通过待测件插座与待测件进行连接;
所述监视模块与测试夹具连接,用于全过程监视待测件的老化状态。
2.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述跳线模块为机械式人工跳线模块或电子式自动跳线模块。
3.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述监视模块为测试仪器。
4.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述监视模块为视觉报警器件。
5.根据权利要求4所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述视觉报警器件为LED显示装置。
6.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述监视模块为听觉报警器件。
7.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述听觉报警器件为音乐报警装置。
8.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述测试电路模块包括正直流电源、负直流电源、保险管、跳线端子、待测件;
保险管连接在跳线端子正端与正直流电源之间,跳线端子负端与负直流电源连接;
跳线端子的另外3个独立接线端按要求与待测件的引脚连接。
9.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置,其特征在于,所述测试电路模块为单工位高温反偏试验电路,制成老化板后,配套使用在HTR-800N高温反偏试验系统设备上。
10.根据权利要求1所述的一种适用于晶体管及场效应管的高温老化反偏试验装置的测试方法,其特征在于,根据三极管类型及型号的不同,对跳线方法分别描述如下:
(1)对于N沟道场效应管
施加VDS时:正电源与2脚连接,负电源与1脚和3脚连接;
施加VGS时:正电源与2脚和3脚连接,负电源与1脚连接;
(2)对于P沟道场效应管
施加VDS时:正电源与1脚和3脚连接,负电源与2脚连接;
施加VGS时:正电源与1脚连接,负电源与2脚和3脚连接;
(3)对于NPN管
施加VCB时:正电源与2脚连接,负电源与1脚连接;
施加VCE时:正电源与2脚连接,负电源与3脚连接;
(4)对于PNP管
施加VCB时:正电源与1脚连接,负电源与2脚连接;
施加VCE时:正电源与3脚连接,负电源与2脚连接。
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Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05244781A (ja) * 1992-02-26 1993-09-21 Toshiyasu Suzuki 電力変換回路
JPH10170600A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Nissan Motor Co Ltd オンボードバーイン装置
US20030020095A1 (en) * 2001-07-25 2003-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit with voltage down converter adaptable for burn-in testing
JP2008004788A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 集積回路設定システム及びその設定方法
CN201796114U (zh) * 2010-07-01 2011-04-13 江西联创特种微电子有限公司 一种长寿命晶体管高温反偏老化台
CN102043100A (zh) * 2009-10-09 2011-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 老化测试系统
CN203069741U (zh) * 2012-12-30 2013-07-17 杭州士兰微电子股份有限公司 高温反偏实时监控系统
CN204855728U (zh) * 2015-04-16 2015-12-09 工业和信息化部电子第四研究院 快速切换半导体器件老化和测试状态装置
CN105242077A (zh) * 2014-07-11 2016-01-13 北大方正集团有限公司 一种老化板
CN205620437U (zh) * 2016-04-29 2016-10-05 济南市半导体元件实验所 二极管功率老化﹑反偏试验通用夹具
US20170097384A1 (en) * 2014-03-19 2017-04-06 Komatsu Ltd. Electric leakage detecting device of in-vehicle power supply system and hydraulic excavator
CN108646128A (zh) * 2018-04-27 2018-10-12 杭州中安电子有限公司 桥堆高温反偏老化系统
CN109765475A (zh) * 2019-03-08 2019-05-17 重庆平伟实业股份有限公司 用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统及试验方法
CN210514523U (zh) * 2019-09-04 2020-05-12 成都优导电子有限公司 一种通用转换板
CN111474457A (zh) * 2020-04-16 2020-07-31 西安太乙电子有限公司 一种实现场效应管功率老炼试验装置
CN112526312A (zh) * 2020-12-18 2021-03-19 华北电力大学 一种igbt器件的多应力作用测试系统及方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05244781A (ja) * 1992-02-26 1993-09-21 Toshiyasu Suzuki 電力変換回路
JPH10170600A (ja) * 1996-12-05 1998-06-26 Nissan Motor Co Ltd オンボードバーイン装置
US20030020095A1 (en) * 2001-07-25 2003-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated circuit with voltage down converter adaptable for burn-in testing
JP2008004788A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 集積回路設定システム及びその設定方法
CN102043100A (zh) * 2009-10-09 2011-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 老化测试系统
CN201796114U (zh) * 2010-07-01 2011-04-13 江西联创特种微电子有限公司 一种长寿命晶体管高温反偏老化台
CN203069741U (zh) * 2012-12-30 2013-07-17 杭州士兰微电子股份有限公司 高温反偏实时监控系统
US20170097384A1 (en) * 2014-03-19 2017-04-06 Komatsu Ltd. Electric leakage detecting device of in-vehicle power supply system and hydraulic excavator
CN105242077A (zh) * 2014-07-11 2016-01-13 北大方正集团有限公司 一种老化板
CN204855728U (zh) * 2015-04-16 2015-12-09 工业和信息化部电子第四研究院 快速切换半导体器件老化和测试状态装置
CN205620437U (zh) * 2016-04-29 2016-10-05 济南市半导体元件实验所 二极管功率老化﹑反偏试验通用夹具
CN108646128A (zh) * 2018-04-27 2018-10-12 杭州中安电子有限公司 桥堆高温反偏老化系统
CN109765475A (zh) * 2019-03-08 2019-05-17 重庆平伟实业股份有限公司 用于半导体器件的高温高湿反偏试验系统及试验方法
CN210514523U (zh) * 2019-09-04 2020-05-12 成都优导电子有限公司 一种通用转换板
CN111474457A (zh) * 2020-04-16 2020-07-31 西安太乙电子有限公司 一种实现场效应管功率老炼试验装置
CN112526312A (zh) * 2020-12-18 2021-03-19 华北电力大学 一种igbt器件的多应力作用测试系统及方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HSIN-CHIA YANG等: "Electrical Performances of Insulated Gated Bipolar Transistor (IGBT) in Terms of Bipolar Transistor Driven by Insulated Gate Bias", 《2020 6TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON APPLIED SYSTEM INNOVATION (ICASI)》, 11 May 2021 (2021-05-11) *
李洁,等: "IGBT的加速老化试验方法研究", 《电力电子技术》, vol. 52, no. 8, 31 August 2018 (2018-08-31) *
杨洁,等: "双极晶体管CB反偏结ESD失效的检查及分析", 《广东石油化工学院学报》, vol. 21, no. 6, 30 June 2011 (2011-06-30) *

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