CN113359000A - 一种在线老化测试装置 - Google Patents

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CN113359000A CN202110860461.6A CN202110860461A CN113359000A CN 113359000 A CN113359000 A CN 113359000A CN 202110860461 A CN202110860461 A CN 202110860461A CN 113359000 A CN113359000 A CN 113359000A
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests

Abstract

本申请涉及一种在线老化测试装置,属于计算机技术领域。装置包括电源组件继电器组以及控制主机。电源组件包括电源以及测量电路;继电器组包括第一继电器和第二继电器,第一继电器的第一端与电源的正极连接,第一继电器的第二端与用于连接IGBT模块的集电极的第一端子连接;第二继电器的第一端与用于连接IGBT模块的栅极的第二端子连接,第二继电器的第二端与用于连接IGBT模块的发射极的第三端子连接,第二继电器的第二端还与所述电源的负极连接;控制主机控制第一继电器以及第二继电器的导通或断开以及还用于根据测量电路测量的漏电流确定IGBT模块是否合格。通过提高测试电压,使该装置可以对量产产品进行百分之百的在线测试。

Description

一种在线老化测试装置
技术领域
本申请属于计算机技术领域,具体涉及一种在线老化测试装置。
背景技术
当前,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)功率模块的可靠性测试都是在产品量产之前,做样品的可靠性测试。其中,老化测试是可靠性测试中的一个重要项目。老化测试的技术手段有高温反向偏置实验(High TemperatureReverse Bias Test,HTRB)等。
其中,HTRB测试为样品实验室测试,是将实验样品在高温环境下(对于汽车功率模块通常为150摄氏度),对产品进行的长达一千小时的老化测试,模拟的是功率模块的终生的使用环境。测试时,栅极G与发射极E短路,集电极C与发射极E之间加大电压VCE(通常为90%的额定阻断电压)。其中重要的测试参数为:测试温度为150摄氏度,测试时间为1000小时,VCE为90%的额定阻断电压。
由于现有的HTRB测试模拟的是功率模块的终生的使用环境,测试时间为1000小时,使得只适用于样品阶段的测试,量产阶段的实验也只能定期做样品实验,不能对量产的产品实时地做这种老化实验。
发明内容
鉴于此,本申请的目的在于提供一种在线老化测试装置,以改善现有的HTRB测试不能对量产的产品实时地做老化试验的问题。
本申请的实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供了一种在线老化测试装置,包括:电源组件、继电器组、控制主机;所述电源组件包括:用于提供IGBT模块老化测试时所需的测试电压的电源以及用于测试该IGBT模块的集电极与发射极之间的漏电流的测量电路,其中,所述测试电压大于0.9VCE,VCE为IGBT模块的额定阻断电压;所述继电器组包括第一继电器和第二继电器,所述第一继电器的第一端与所述电源的正极连接,所述第一继电器的第二端与用于连接所述IGBT模块的集电极的第一端子连接;所述第二继电器的第一端与用于连接所述IGBT模块的栅极的第二端子连接,所述第二继电器的第二端与用于连接所述IGBT模块的发射极的第三端子连接,所述第二继电器的第二端还与所述电源组件的负极连接;所述控制主机分别与所述测量电路、所述第一继电器、所述第二继电器连接,所述控制主机,用于控制所述第一继电器以及所述第二继电器的导通或断开;以及还用于根据所述测量电路测量的漏电流确定所述IGBT模块是否合格。本申请实施例中,在测试时,将IGBT模块的集电极与第一端子连接,栅极与第二端子连接,发射极与第三端子连接,通过控制主机控制第一继电器以及第二继电器闭合,便可使栅极与发射极短路,以及在集电极与发射极之间施加测试电压,从而实现对IGBT模块的老化测试。通过降低测试条件(不再是150度的高温环境下),提高测试电压,使其大于0.9VCE(VCE为IGBT模块的额定阻断电压),使得该在线老化测试装置可以在室温下对量产过程中的产品进行百分之百的在线测试,从而能够在线筛选出由于芯片不健全导致的早期可靠性失效的问题,进而能够在很大程度上提高产品出货的质量。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述继电器组的数量为3,一个继电器组对应一个IGBT模块,3个所述继电器组并联,使得所述在线老化测试装置能同时对3个并联的IGBT模块构成的半桥电路进行老化测试,相应地,所述测量电路的数量也为3,且一个所述IGBT模块对应一个所述测量电路。本申请实施例中,采用一个电源组件对应三个并联的继电器组的方式,使得在线老化测试装置能同时对3个并联的IGBT模块构成的半桥电路进行老化测试,极大地提高了测试效率。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述电源组件的数量为2N个,所述继电器组的数量为6N个,一个继电器组对应一个IGBT模块,一个所述电源组件对应三个并联的所述继电器组,使得所述在线老化测试装置能同时对N个包含6个IGBT模块的全桥电路进行老化测试,相应地,每个所述电源组件中的测量电路的数量也为3,N为正整数。本申请实施例中,该在线老化测试装置能同时对N个包含6个IGBT模块的全桥电路进行老化测试,使得一次性测试可以测试6N个IGBT模块,极大地提高了测试效率。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述电源组件的数量为多个,所述在线老化测试装置还包括:多端口转发器,所述控制主机通过所述多端口转发器与多个所述继电器组中的第一继电器和第二继电器连接。本申请实施例中,控制主机通过所述多端口转发器与多个继电器组中的第一继电器和第二继电器连接,可以提高控制效率,同时还可以节约控制端口。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述在线老化测试装置还包括:标定单元;所述标定单元的第一端与所述电源组件中的电源的负极连接,所述标定单元的第二端与所述电源组件中的电源的正极连接,所述标定单元,用于检查所述电源的精准度。本申请实施例中,通过设置标定单元来定期对电源的精准度进行检测,以消除电源的精准度异常对老化测试的影响,提高测试精度。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述电源组件的数量为多个,所述在线老化测试装置还包括与多个所述电源组件一一对应的控制开关;针对每一个控制开关,该控制开关的第一端与所述标定单元的第一端连接,该控制开关的第二端与对应的电源组件中的电源的正极连接,该控制开关还与所述控制主机连接,所述标定单元的第一端与每个所述电源组件中的电源的负极均连接,相应地,所述控制主机还用于控制该控制开关的导通或断开。本申请实施例中,通过控制主机以及控制开关实现在不同电源之间进行切换,从而使得一个标定单元可以完成对多个电源的精准度的检查,节约了成本。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述测试电压为(0.9VCE,1.02VCE]。本申请实施例中,测试电压为(0.9VCE,1.02VCE],使得在测试的时候,可以缩短测试所需的时间,此外,可以在该区间内进行选择,灵活性好。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述测试电压为1.02VCE。本申请实施例中,测试电压为1.02VCE,在该测试电压下,可以最大化的减少测试时间。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述控制主机控制所述第一继电器和所述第二继电器持续导通的时间为一分钟,期间若所述测量电路测量的漏电流大于第一预设值,或者,所述漏电流的变化量超过第二预设阈值,则停止测试。本申请实施例中,在第一继电器和第二继电器持续导通的时间段内,通过检测漏电流以及漏电流的变化量来在判断IGBT模块是否合格,从而决定是否提前停止测试,从而可以提高IGBT模块的测试效率。
结合第一方面实施例的一种可能的实施方式,所述在线老化测试装置,还包括:机柜和触控屏;所述电源组件,所述继电器组以及所述控制主机均置于所述机柜内,所述触控屏嵌于所述机柜上,且与所述控制主机连接,所述第一端子、所述第二端子以及所述第三端子均设置在所述机柜上,以便于连接待测试的IGBT模块。本申请实施例中,通过将触控屏嵌于机柜上,以便于操控控制主机,同时,将第一端子、第二端子以及第三端子均设置在机柜上,以便于连接测试的IGBT模块。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请实施例而了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。通过附图所示,本申请的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图,重点在于示出本申请的主旨。
图1示出了本申请实施例提供的一种在线老化测试装置对IGBT模块进行老化测试的示意图。
图2示出了本申请实施例提供的一种在线老化测试装置同时对3个并联的IGBT模块构成的半桥电路进行老化测试的示意图。
图3示出了本申请实施例提供的一种在线老化测试装置同时对包含6个并联的IGBT模块的全桥电路进行老化测试的示意图。
图4示出了本申请实施例提供的一种在线老化测试装置的模块示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行描述。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中诸如“第一”、“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在本本申请的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本本申请中的具体含义。
再者,本申请中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。
鉴于现有的HTRB测试为样品实验室测试,模拟的是功率模块(由多个IGBT模块构成)的终生的使用环境,时间为1000小时,使得只适用于样品阶段的测试,量产阶段的实验也只能定期做样品实验,不能对量产过程中的产品进行百分之百的在线测试。基于此,为了能对量产过程中的产品进行百分之百的在线测试,本申请实施例提供了一种在线老化测试装置,通过降低测试条件(使用环境不再是模拟功率模块的终生使用环境),提高测试电压,使其大于0.9VCE(VCE为IGBT模块的额定阻断电压),使得该在线老化测试装置可以在室温下对量产过程中的产品进行百分之百的在线测试。本本申请实例提供的在线老化测试装置并不能取代验证性的HTRB样品实验,但是能够应用在生产环节,尽可能的筛选出早期的可靠性失效产品,提高出货产品的质量。
该在线老化测试装置包括:电源组件、继电器组以及控制主机。其中,电源组件包括:电源和测量电路。电源用于提供IGBT模块老化测试时所需的测试电压。其中,本申请实施例中,测试电压为(0.9VCE,1.02VCE],例如,0.98、0.99、1.00、.1.01、10.2等。其中,VCE为IGBT模块的额定阻断电压。本申请实施例中,测试电压最大可以为1.02VCE,也即为102%的额定阻断电压。本申请实施例中,在进行老化测试时,通过提高测试时施加的电压,最大能到额定阻断电压的1.02倍,能够极大的加速早期产品可靠性测试的时间。其中,需要说明的是,该测试电压的最大值为本申请申请人经过大量实验后得到的数据,若超过1.02VCE,则会对待测试产品造成损坏。
测量电路用于测试该IGBT模块的集电极C与发射极E之间的漏电流,以便于根据该漏电流判断测试的IGBT模块是否合格。其中,在判断IGBT模块是否合格时,可以基于漏电流以及漏电流的变化值进行判断,若测量电路测量的漏电流大于第一预设值(例如35微安),或者,漏电流的变化量超过第二预设阈值(例如12微安),则停止测试,则产品判定为失效,也即不合格。其中,测量电路可以包括电流传感器,用于检测集电极C与发射极E之间的漏电流。
通过控制继电器组中的继电器来使测试产品的栅极G与发射极E短路,以及在集电极C与发射极E之间施加测试电压。其中,继电器组包括第一继电器(S1)和第二继电器(S2)。第一继电器的第一端与电源的正极连接,第一继电器的第二端与用于连接IGBT模块的集电极C的第一端子(D1)连接;第二继电器的第一端与用于连接IGBT模块的栅极G的第二端子(D2)连接,第二继电器的第二端与用于连接IGBT模块的发射极E的第三端子(D3)连接,第二继电器的第二端还与所述电源的负极连接。在线老化测试装置对IGBT模块进行老化测试的示意图如图1所示。图1中的S1为第一继电器,S2为第二继电器,D1为第一端子,D2为第二端子,D3为第三端子。
控制主机作为在线老化测试装置的核心器件,分别与测量电路、第一继电器、第二继电器连接,用于控制第一继电器以及第二继电器的闭合或断开,以及根据测量电路测量的漏电流确定测试的IGBT模块是否合格。当需要测试IGBT模块时,将ICBT模块的集电极C与第一端子连接,栅极G与第二端子连接,发射极E与第三端子连接,然后通过操作控制主机以控制第一继电器和第二继电器闭合,使测试产品的栅极G与发射极E短路,以及在集电极C与发射极E之间施加测试电压,从而完成对测试产品的老化测试。其中,在测试时,控制主机用于控制第一继电器和第二继电器持续闭合的时间为一分钟,期间若测量电路测量的漏电流大于第一预设值(例如35微安),或者,漏电流的变化量超过第二预设阈值(例如,12微安),则停止测试。需要说明的是,常规HTRB测试的时间长达1000小时,模拟的是功率模块的终生的使用环境。与其不同的是,本申请实施例提供的在线老化测试装置的测试时间远远小于常规HTRB测试的时间,约为60秒,实验证明,已经足够筛选出芯片质量原因导致的早期失效。
其中,需要说明的是,在测试时,其测试时间也可以大于一分钟,也即控制第一继电器和第二继电器持续闭合的时间可以大于一分钟。通过减小测试时的阻断电压,加长测试时间,也可以起到同样的测试效果,只是测试速度会变慢。因此不能将上述示例的一分钟理解成是对本申请的限制。
其中,上述的控制主机可以包括存储器以及处理器等。其中,存储器用于存储数据以及程序,其可以是,但不限于,随机存取存储器(Random Access Memory,RAM),只读存储器(Read Only Memory,ROM),可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory,PROM),可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory,EPROM),电可擦除只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM)等。
处理器可能是一种集成电路芯片,具有信号的处理能力。上述的处理器可以是通用处理器,包括中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、网络处理器(NetworkProcessor,NP)等;还可以是数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现场可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
为了能同时测试多个待测试产品,可以进一步增大继电器组的数量,例如,一种可选实施方式下,继电器组的数量为3个,一个继电器组对应一个IGBT模块,3个继电器组并联,使得在线老化测试装置能同时对3个并联的IGBT模块构成的半桥电路进行老化测试,相应地,测量电路的数量也为3,且一个IGBT模块对应一个测量电路。在该种实施方式下,与集电极C连接的第一端子,与栅极G连接的第二端子以及与发射极E连接的第三端子的数量均为3。每一个组继电器组中的第一继电器和第二继电器的连接方式相同,可以参阅前述的描述。3个继电器组对应同一个电源组件,也即这由3个并联的IGBT模块构成的半桥电路均为同一个电源供电。在线老化测试装置同时对3个并联的IGBT模块构成的半桥电路进行老化测试的示意图如图2所示。
又一种实施方式下,继电器组的数量为6N个,相应地,电源组件的数量为2N个,一个电源组件对应三组并联的继电器组,使得在线老化测试装置能同时对N个包含六个IGBT模块的全桥电路进行老化测试,相应地,每个电源组件中的测量电路的数量也为3,且一个IGBT模块对应一个测量电路。在该中实施方式下,老化测试装置能同时对N个包含六个IGBT模块的全桥电路进行老化测试,极大的提高了测试时的效率。在该种实施方式下,与集电极C连接的第一端子,与栅极G连接的第二端子以及与发射极E连接的第三端子的数量均为6N个,一个IGBT模块对应一个第一端子,第二端子以及第三端子。N为正整数,例如,当N为12时,在线老化测试装置能同时对12个包含六个IGBT模块的全桥电路进行老化测试,相应地,此时,电源组件的数量为24个,包括12个上桥电源组件以及12个下桥电源组件,继电器组的数量为72个,包括36个上桥继电器组以及36个下桥继电器组,每3个上桥继电器组构成一个上桥继电器矩阵,每3个下桥继电器组构成一个下桥继电器矩阵。
其中,当N=1时,该在线老化测试装置同时对包含6个并联的IGBT模块的全桥电路进行老化测试的示意图如图3所示。其中,图3中上边虚线框为全桥电路的上桥电路,下边虚线框为全桥电路的下桥电路,上桥电路或下桥电路即为半桥电路,上桥电路和下桥电路分别包含三个并联的IGBT模块。需要说明的是,不能将本申请实施例中示例的一个电源组件对应三个继电器组理解成是对本申请的限制。
当继电器组的数量为多个时,为了提高控制主机的控制能力,以及节约控制端口的数量,该在线老化测试装置还包括:多端口转发器(HUB),所述控制主机通过所述多端口转发器与多个所述继电器组中的第一继电器和第二继电器连接。在该种实施方式下,也即控制主机通过多端口转发器向继电器组发送控制指令,以控制该继电器组中的第一继电器以及第二继电器的闭合或断开,例如低电平时闭合,高电平时断开。
由于电源组件中的电源的输出电压的精度会对影响老化测试,例如若电压过高会损坏测试产品,若过低则影响测试时间,因此,可选地,该在线老化测试装置还包括:标定单元,该标定单元用于检查电源的精准度,可以将电源连接标定用的万用表,以此来检测电源输出的电压的精准度。其中,标定单元的第一端与电源组件中的电源的负极连接,标定单元的第二端与电源组件中的电源的正极连接。其中,标定单元可以包括用于标定用的精密万用表。
当电源组件的数量为多个时,可以采用多个标定单元来完成对多个电源的电压的检测。当然也可以是用一个或者小于电源组件的数量的标定单元来完成对多个电源的电压的检测,一种可选实施方式下,在线老化测试装置还包括与多个电源组件一一对应的控制开关。针对每一个控制开关,该控制开关的第一端与标定单元的第一端连接,该控制开关的第二端与对应的电源组件中的电源的正极连接,该控制开关还与所述控制主机连接,标定单元的第一端与每个电源组件中的电源的负极均连接,相应地,控制主机还用于控制该控制开关的导通或断开。在该种实施方式下,可以用一个标定单元完成对多个电源的精准度的检查,通过控制主机以及控制开关实现在不同电源之间的切换,实现定期检测电源的精度的需求。该控制开关可以是继电器。
此外,本申请实施例提供的在线老化测试装置还可以包括:机柜和触控屏等。其中,电源组件,继电器组以及控制主机均置于机柜内,触控屏嵌于机柜上,且与控制主机连接,第一端子、第二端子以及第三端子均设置在机柜上,以便于连接待测试的IGBT模块。可以通过触控屏实现对控制主机的控制,此外,还可以包括输入设备,例如鼠标,通过输入设备来完成对控制主机的控制。其中,设置于机柜上第一端子、第二端子以及第三端子的数量均为多个,例如均为6N个。
一种可选的实施方式下,本申请实施例提供的在线老化测试装置的结构示意图。如图4所示,包括空气开关组(为在线老化测试装置的电源开关)、控制主机、多端口转发器(HUB),标定单元,12个上桥继电器矩阵(一个上桥继电器矩阵包含3个上桥继电器组),12个下桥继电器矩阵(一个下桥继电器矩阵包含3个下桥继电器组),12个上桥电源组件,12个下桥电源组件以及供电模块(用于为上桥电源组件以及下桥电源组件中的电源供电)。一个上桥电源组件对应一个上桥继电器矩阵,一个下桥电源组件对应一个下桥继电器矩阵。其中,控制主机中设有控制软件和测试程序,控制主机将控制信号通过HUB传输至继电器矩阵,继电器矩阵根据测试程序指令切换要测试的IGBT。若12个上桥继电器矩阵,12个下桥继电器矩阵,12个上桥电源组件,12个下桥电源组件同时工作,则该在线老化测试装置可以同时测试12个包含6个IGBT模块组成的功率模块,上桥和下桥分别控制测试每个IGBT模块中的上面三个并联的IGBT和下面三个并联的IGBT。
需要说明的是,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种在线老化测试装置,其特征在于,包括:
电源组件,所述电源组件包括:用于提供IGBT模块老化测试时所需的测试电压的电源以及用于测试该IGBT模块的集电极与发射极之间的漏电流的测量电路,其中,所述测试电压大于0.9VCE,VCE为IGBT模块的额定阻断电压;
继电器组,所述继电器组包括第一继电器和第二继电器,所述第一继电器的第一端与所述电源的正极连接,所述第一继电器的第二端与用于连接所述IGBT模块的集电极的第一端子连接;所述第二继电器的第一端与用于连接所述IGBT模块的栅极的第二端子连接,所述第二继电器的第二端与用于连接所述IGBT模块的发射极的第三端子连接,所述第二继电器的第二端还与所述电源组件的负极连接;
控制主机,所述控制主机分别与所述测量电路、所述第一继电器、所述第二继电器连接,所述控制主机,用于控制所述第一继电器以及所述第二继电器的导通或断开;以及还用于根据所述测量电路测量的漏电流确定所述IGBT模块是否合格。
2.根据权利要求1所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述继电器组的数量为3,一个继电器组对应一个IGBT模块,3个所述继电器组并联,使得所述在线老化测试装置能同时对3个并联的IGBT模块构成的半桥电路进行老化测试,相应地,所述测量电路的数量也为3,且一个所述IGBT模块对应一个所述测量电路。
3.根据权利要求1所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述电源组件的数量为2N个,所述继电器组的数量为6N个,一个继电器组对应一个IGBT模块,一个所述电源组件对应三个并联的所述继电器组,使得所述在线老化测试装置能同时对N个包含6个IGBT模块的全桥电路进行老化测试,相应地,每个所述电源组件中的测量电路的数量也为3,N为正整数。
4.根据权利要求1所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述电源组件的数量为多个,所述在线老化测试装置还包括:多端口转发器,所述控制主机通过所述多端口转发器与多个所述继电器组中的第一继电器和第二继电器连接。
5.根据权利要求1所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述在线老化测试装置还包括:标定单元;
所述标定单元的第一端与所述电源组件中的电源的负极连接,所述标定单元的第二端与所述电源组件中的电源的正极连接,所述标定单元,用于检查所述电源的精准度。
6.根据权利要求5所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述电源组件的数量为多个,所述在线老化测试装置还包括与多个所述电源组件一一对应的控制开关;
针对每一个控制开关,该控制开关的第一端与所述标定单元的第一端连接,该控制开关的第二端与对应的电源组件中的电源的正极连接,该控制开关还与所述控制主机连接,所述标定单元的第一端与每个所述电源组件中的电源的负极均连接,相应地,所述控制主机还用于控制该控制开关的导通或断开。
7.根据权利要求1所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述测试电压为(0.9VCE,1.02VCE]。
8.根据权利要求1所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述测试电压为1.02VCE。
9.根据权利要求1所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述控制主机控制所述第一继电器和所述第二继电器持续导通的时间为一分钟,期间若所述测量电路测量的漏电流大于第一预设值,或者,所述漏电流的变化量超过第二预设阈值,则停止测试。
10.根据权利要求1-9任一项所述的在线老化测试装置,其特征在于,所述在线老化测试装置,还包括:机柜和触控屏;
所述电源组件,所述继电器组以及所述控制主机均置于所述机柜内,所述触控屏嵌于所述机柜上,且与所述控制主机连接,所述第一端子、所述第二端子以及所述第三端子均设置在所述机柜上,以便于连接待测试的IGBT模块。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115061028A (zh) * 2022-06-23 2022-09-16 四川锶未铼科技有限公司 一种碳化硅mosfet阈值漂移测试电路及测试方法
WO2024000186A1 (en) * 2022-06-28 2024-01-04 Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. Protection circuit for high temperature reverse bias test

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102539992A (zh) * 2010-09-30 2012-07-04 富士电机株式会社 半导体测试装置、测试电路连接装置和测试方法
CN202794445U (zh) * 2012-09-05 2013-03-13 天津海瑞电子科技有限公司 一种新型高温反向偏压测试机
EP2933646A1 (en) * 2014-04-17 2015-10-21 Siemens Aktiengesellschaft Precision measurement of voltage drop across a semiconductor switching element
CN107991597A (zh) * 2017-12-28 2018-05-04 江苏中科君芯科技有限公司 一种igbt可靠性测试的控制方法、装置及系统
CN108051719A (zh) * 2017-12-04 2018-05-18 广东美的制冷设备有限公司 功率管测试电路及功率管测试装置
CN108152697A (zh) * 2017-12-27 2018-06-12 江苏中科君芯科技有限公司 Igbt模块功率循环老化试验装置及方法
CN108919085A (zh) * 2018-10-17 2018-11-30 北京交通大学 Igbt老化测试电路及方法
CN109787454A (zh) * 2017-11-13 2019-05-21 中车株洲电力机车研究所有限公司 一种高压大功率igbt驱动器及其创建方法
CN211979009U (zh) * 2020-02-26 2020-11-20 上海柴油机股份有限公司 发动机测试台架用恒流源装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102539992A (zh) * 2010-09-30 2012-07-04 富士电机株式会社 半导体测试装置、测试电路连接装置和测试方法
CN202794445U (zh) * 2012-09-05 2013-03-13 天津海瑞电子科技有限公司 一种新型高温反向偏压测试机
EP2933646A1 (en) * 2014-04-17 2015-10-21 Siemens Aktiengesellschaft Precision measurement of voltage drop across a semiconductor switching element
CN109787454A (zh) * 2017-11-13 2019-05-21 中车株洲电力机车研究所有限公司 一种高压大功率igbt驱动器及其创建方法
CN108051719A (zh) * 2017-12-04 2018-05-18 广东美的制冷设备有限公司 功率管测试电路及功率管测试装置
CN108152697A (zh) * 2017-12-27 2018-06-12 江苏中科君芯科技有限公司 Igbt模块功率循环老化试验装置及方法
CN107991597A (zh) * 2017-12-28 2018-05-04 江苏中科君芯科技有限公司 一种igbt可靠性测试的控制方法、装置及系统
CN108919085A (zh) * 2018-10-17 2018-11-30 北京交通大学 Igbt老化测试电路及方法
CN211979009U (zh) * 2020-02-26 2020-11-20 上海柴油机股份有限公司 发动机测试台架用恒流源装置

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李亚萍等: "基于特定集电极电流下饱和压降的IGBT模块老化失效状态监测方法", 《电工技术学报》 *
毛娅婕等: "IGBT加速老化实验研究", 《电源技术》 *
黄先进等: "基于量化电压并行比较的IGBT状态监测保护电路" *
黄建伟等: "新型无损IGBT短路耐性测试电路" *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115061028A (zh) * 2022-06-23 2022-09-16 四川锶未铼科技有限公司 一种碳化硅mosfet阈值漂移测试电路及测试方法
WO2024000186A1 (en) * 2022-06-28 2024-01-04 Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. Protection circuit for high temperature reverse bias test

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