CN113571658B - 显示面板、切割面板及显示装置 - Google Patents

显示面板、切割面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113571658B
CN113571658B CN202110744988.2A CN202110744988A CN113571658B CN 113571658 B CN113571658 B CN 113571658B CN 202110744988 A CN202110744988 A CN 202110744988A CN 113571658 B CN113571658 B CN 113571658B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
display panel
region
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110744988.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113571658A (zh
Inventor
李玉军
费强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd filed Critical Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202110744988.2A priority Critical patent/CN113571658B/zh
Publication of CN113571658A publication Critical patent/CN113571658A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113571658B publication Critical patent/CN113571658B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133351Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请提供了一种显示面板、切割面板及显示装置,显示面板包括封装区和成型区,封装区围绕显示区设置,成型区位于封装区远离显示区的一侧,显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧具有第一表面,第二基板靠近第一基板的一侧具有第二表面,在成型区内且由封装区至成型区的方向上,第一表面与第二表面之间的距离逐渐增加。本申请实施例中的显示面板在封装区外的成型区形成喇叭形开口,这种设计一方面有利于清洁位于第一基板和第二基板上的碎屑残渣以及残留水汽,另一方面可以增加碎屑和水汽到达封装层的难度,防止碎屑或水汽进入至显示区,提高显示面板的封装性能,并且提高显示效果的可靠性。

Description

显示面板、切割面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种显示面板、切割面板及显示装置。
背景技术
在显示面板中,显示面板封装区用Frit(玻璃料)进行封装,玻璃料经过镭射熔融固化进行封装。在显示面板切割后,为了避免切割产生的缺角,崩边,针对切割边缘会进行研磨,然而研磨过程中产生的碎屑或者水汽会在封装区以及封装区以外的地方堆积。长此以往,残留的碎屑或者水汽容易进入至显示面板内部,影响显示面板的封装性能或显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板、切割面板及显示装置,能够在封装区外的成型区形成喇叭形开口,有利于去除切割后残留的碎屑和水汽。
第一方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括封装区和成型区,封装区围绕显示区设置,成型区位于封装区远离显示区的一侧,显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧具有第一表面,第二基板靠近第一基板的一侧具有第二表面,在成型区内且由封装区至成型区的方向上,第一表面与第二表面之间的距离逐渐增加。
第二方面,本申请实施例提供了一种切割面板,包括前述任一实施方式的显示面板,切割面板还包括研磨剥离区,研磨剥离区位于成型区远离封装区的一侧。
第三方面,本申请实施例提供了一种显示装置,包括前述任一实施方式的显示面板。
本申请实施例的一种显示面板、切割面板及显示装置,显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧具有第一表面,第二基板靠近第一基板的一侧具有第二表面,在成型区内且由封装区至成型区的方向上,第一表面与第二表面之间的距离逐渐增加。本申请的显示面板在封装区外的成型区形成喇叭形开口,这种设计一方面有利于清洁位于第一基板和第二基板上的碎屑残渣以及残留水汽,另一方面可以增加碎屑和水汽到达封装层的难度,防止碎屑或水汽进入至显示区,提高显示面板的封装性能,并且提高显示效果的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2是图1沿a-a’的剖面结构示意图;
图3是本申请实施例提供的一种显示面板的局部剖面示意图;
图4是图1沿b-b’的剖面结构示意图;
图5是图4所示显示面板中区域T1的放大结构示意图;
图6是本申请实施例提供的又一种显示面板的局部剖面示意图;
图7是本申请实施例提供的还一种显示面板的局部剖面示意图;
图8是本申请实施例提供的还一种显示面板的局部剖面示意图;
图9是本申请实施例提供的还一种显示面板的局部剖面示意图;
图10是本申请实施例提供的还一种显示面板的局部剖面示意图;
图11是本申请实施例提供的还一种显示面板的局部剖面示意图;
图12是本申请实施例提供的还一种显示面板的局部剖面示意图;
图13是本申请实施例提供的还一种显示面板的局部剖面示意图;
图14是本申请实施例提供的还一种显示面板的结构示意图;
图15是本申请实施例提供的还一种显示面板的结构示意图;
图16是本申请实施例提供的还一种切割面板的局部剖面示意图;
图17是本申请实施例提供的还一种切割面板的局部剖面示意图;
图18是本申请实施例提供的又一种切割面板的结构示意图。
标记说明:
1、第一基板;11、第一表面;12、衬底;121、第二边缘;13、第一模组;131、第一本体部;132、第一延伸部;133、第一边缘部;1331、第一边缘;134、第二边缘部;
2、第二基板;21、第二表面;22、盖板;23、盖板基底;24、第二模组;25、玻璃基底;26、第三模组;
31、封装层;32、缓冲层;33、有源层;331、半导体部;34、栅绝缘层;35、栅极层;351、栅极;352、垫层金属;36、层间介质层;37、金属绝缘层;38、金属层;381、源极;382、漏极;39、钝化层;310、平坦化层
41、第一发光器件层;411、阳极;412、发光功能层;413、阴极;
51、液晶层;
61、第一凸起结构;62、第二凸起结构;
AA、显示区;B、封装区;C、成型区;C1、平直区;C2、拐角区;D、研磨剥离区;T、薄膜晶体管器件区;T1、薄膜晶体管;K、第一预设间距;M、有机发光单元。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本申请进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请,而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说,本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
请参阅图1,一方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括显示区AA、封装区B和成型区C,封装区B围绕显示区AA设置,成型区C位于封装区B远离显示区AA的一侧。显示区AA为显示面板的用于显示图像的区域,封装区B与成型区C共同构成显示面板的非显示区AA,封装区B围绕在显示区AA的外侧,其主要是将显示区AA的发光器件与外界环境隔离,以防水分、有害气体(氧气等)、尘埃及射线的侵入并减少外力损伤,稳定器件的各项参数,提高使用寿命。成型区C围绕封装区B设置,是在显示面板成型后保留在封装区B外侧的部分。
请参阅图1和图2,显示面板包括相对设置的第一基板1和第二基板2,第一基板1靠近第二基板2的一侧具有第一表面11,第二基板2靠近第一基板1的一侧具有第二表面21,在成型区C内且由封装区B至成型区C的方向上,第一表面11与第二表面21之间的距离逐渐增加。
在第一方向上,第二基板2位于第一基板1的上方,第一表面11为第一基板1的上表面,第二表面21为第二基板2的下表面。显示面板在切割完成后需要对切割边缘会进行研磨,研磨过程中产生的碎屑或者水汽首先会在位于成型区C内的第一表面11和第二表面21上堆积。本申请实施例通过调节成型区C内第一表面11与第二表面21之间的相对距离,由封装区B至成型区C的方向上逐渐增加,使得显示面板在成型区C内形成一类似喇叭形开口,从而有利于清洁位于第一基板1和第二基板2上的碎屑残渣以及残留水汽。
可以理解的是,显示面板包括有封装层31,封装层31设置于第一基板1和第二基板2之间。设置封装层31主要是对显示区AA进行水汽阻隔,避免水汽进入显示区AA造成显示异常。示例性的,封装层31可以为玻璃料组合物,玻璃料组合物中包括玻璃料和添加剂,添加剂用于增强玻璃料的密封性能。封装层31的至少部分位于封装区B,可选地,封装层31整体位于封装区B内。
在成型区C内且由封装区B至成型区C的方向上,第一表面11与第二表面21之间的距离逐渐增加,即在成型区C内越靠近封装层31的位置,第一基板1与第二基板2之间的距离越近。这种设计可以增加碎屑和水汽到达封装层31的难度,避免碎屑或水汽破坏显示面板的封装性能或进入至显示区AA内,提高显示面板的可靠性。
本申请实施例中的显示面板在封装区B外的成型区C形成喇叭形开口,并且越靠近封装层31,第一基板1与第二基板2间的距离越近。这种设计一方面有利于清洁位于第一基板1和第二基板2上的碎屑残渣以及残留水汽,另一方面可以增加碎屑和水汽到达封装层31的难度,防止碎屑或水汽进入至显示区AA,提高显示面板的封装性能,并且提高显示效果的可靠性。
需要说明的是,本申请实施例中的显示面板可以为有机发光显示面板,也可以为液晶显示面板。当显示面板为有机发光显示面板时,第一基板1为阵列基板,第二基板2为封装盖板;当显示面板为液晶显示面板时,第一基板1为阵列基板,第二基板2为彩膜基板,本实施例对此不作过多赘述。
请参阅图3,在一些可选实施例中,第一基板1包括衬底12以及设置于衬底12上的第一模组13,第一模组13包括位于显示区AA的第一本体部131,位于封装区B的第一延伸部132,以及位于成型区C的第一边缘部133。
衬底12对第一基板1中的第一模组13具有支撑和保护作用,第一模组13形成在衬底12靠近第二基板2的一侧。示例性的,该衬底12可为刚性基板或柔性基板;其中,刚性基板可为玻璃,柔性基板可为聚酰亚胺,本发明实施例对此不作限定。
第一本体部131、第一延伸部132以及第一边缘部133是一个连续的整体,三者共同构成第一模组13。第一本体部131位于显示区AA内,具有第一模组13中的全部膜层;第一延伸部132设置于第一本体部131的外侧位于封装区B内,具有第一模组13中的全部或部分膜层;第一边缘部133设置于第一延伸部132的外侧位于成型区C内,具有第一模组13中的部分膜层,并且位于第一边缘部133中的膜层数量小于位于第一延伸部132中的膜层数量。
由封装区B指向成型区C的方向上,第一边缘部133具有厚度逐渐减小的趋势以形成梯度分布的第一表面11。在成型区C内,第一边缘部133的上表面即为第一表面11。第一边缘部133具有第一模组13中的一个或多个膜层,当第一边缘部133只具有一个膜层时,该膜层自身需在成型区C内呈阶梯状设置,以形成梯度分布的第一表面11。当第一边缘部133具有多个膜层时,根据实际设置不同存在两种情况。一种情况为位于最上方的膜层在衬底12上的正投影完全覆盖成型区C,且该膜层自身在在成型区C内呈阶梯状设置;另一种情况为最上方的膜层在衬底12上的正投影未能完全覆盖成型区C,且位于该膜层下方的至少一个膜层在衬底12上的正投影完全覆盖成型区C,此时位于成型区C内的第一表面11是由不同膜层的上表面共同构成的,本申请对此不作限定。
请参阅图4和图5,第一模组13包括层叠设置的不同膜层,不同膜层起到不同作用,其中位于显示区AA内的多个膜层共同构成包括有薄膜晶体管器件区T,薄膜晶体管器件区T内设置有多个薄膜晶体管T1(Thin Film Transistor,简称TFT)。需要说明的是,为了清楚的说明本实施例的技术方案,图4中示意了一个薄膜晶体管T1。本实施例提供的显示面板中,薄膜晶体管T1的数量为多个,具体可以根据显示面板的实际设计需求进行设置,本实施例对此不作具体限制。其中,薄膜晶体管T1包括栅极351、半导体部331、源极381和漏极382。
请继续参阅图4和图5,在一些可选实施例中,由第一基板1指向第二基板2的方向上,第一本体部131包括依次层叠设置的缓冲层32、有源层33、栅绝缘层34、栅极层35、层间介质层36、金属绝缘层37、金属层38、钝化层39以及平坦化层310。有源层33、栅绝缘层34、栅极层35、层间介质层36、金属绝缘层37以及金属层38共同构成薄膜晶体管器件区T。其中,有源层33中设置有半导体部331,栅极层35设置有栅极351,金属层38设置有源极381和漏极382。
层间介质层36与金属绝缘层37设置于栅极层35与金属层38之间,并且两个膜层采用的材料并不相同。示例性的,层间介质层36的材料包括氮化硅,金属绝缘层37的材料包括氧化硅。缓冲层32位于衬底12与薄膜晶体管器件区T之间,能够使得显示面板具有一定的韧性,提高显示面板的抗震能力。平坦化层310位于第一模组13的最上方,即位于薄膜晶体管器件区T的上方,用于实现膜层平坦化。
请参阅图6,本申请实施例中的第一延伸部132包括第一本体部131中的全部或部分膜层,第一边缘部133包括第一延伸部132中的全部或部分膜层。其中第一延伸部132与第一边缘部133中具有的膜层种类和膜层数量,具体可以根据显示面板的实际设计需求进行设置。
在一些可选实施例中,栅绝缘层34、栅极层35以及平坦化层310至少一者位于封装区B内。缓冲层32、层间介质层36、金属绝缘层37以及钝化层39至少一者位于成型区C内。
栅极层35中除了设置有栅极外还可以设置有垫层金属352,垫层金属352整体位于封装区B内,封装层31在衬底12上的正投影位于垫层金属352在衬底12上的正投影内。在显示面板封装时,通过激光照射封装层31使其熔融,并通过垫层金属352反射后进行二次照射,从而加快封装层31的熔融,使封装层31熔融的更加充分,提升封装效率和封装效果。示例性的,垫层金属352可以与栅极使用同种材料制成,也可以为单独的Mo,Ti/Al/Ti三层金属复合材料,在其他实施例中,垫层金属352也可以为反射激光且熔点高于封装材料熔融温度的材料。
请继续参阅图6,在一些可选实施例中,栅绝缘层34、栅极层35以及平坦化层310均在所述封装区B截止,缓冲层32、层间介质层36、金属绝缘层37以及钝化层39均在成型区C截止。其中,栅极层35上方的层间介质层36、金属绝缘层37、钝化层39以及平坦化层310中的任意膜层可以包裹垫层金属352的外边缘,在实现梯度设计的同时起到对垫层金属352的保护作用,减小水汽等对垫层金属352的侵蚀。此外由于缓冲层32、层间介质层36、金属绝缘层37同时存在于成型区C内,有利于调节第一模组13在成型区C内的厚度,以适应不同的显示面板需求。
请参阅图7,在一些可选实施例中,由封装区B指向成型区C的方向上,第一边缘部133中的部分膜层厚度逐渐减小以形成呈梯度分布的第一表面11。此时第一边缘部133可以具有第一模组13中所有膜层,即第一模组13中的所有膜层在衬底12上的正投影完全重合。并且可以只有一个膜层的厚度在成型区C内发生改变,也可以有多个膜层厚度均在成型区C内发生改变,本申请对此不作限定。
在一些可选实施例中,缓冲层32,层间介质层36,金属绝缘层37以及钝化层39均在成型区C内截止,由封装区B指向成型区C的方向上,钝化层39在成型区C内的厚度逐渐减小。在成型区C内,钝化层39位于层间介质层36与金属绝缘层37的上方,起到保护下方膜层的作用。本申请实施例只调节钝化层39的厚度,而不改变下方膜层的形状,因而允许一定的加工误差,降低加工难度。
请参阅图8,在一些可选实施例中,第一边缘部133远离封装区B的一端具有第一边缘1331,衬底12在成型区C内且远离封装区B的一端具有第二边缘121;在封装区B指向成型区C的方向上,第一边缘1331与第二边缘121之间具有第一预设间距K。
衬底12的第二边缘121在显示面板经过切割或研磨等工艺处理后形成。示例性地,衬底12的第二边缘121至少部分经过研磨设备的研磨后形成。第一边缘部133的第一边缘1331为第一模组13上最靠近第二边缘121的位置。本申请实施例将第一边缘1331与第二边缘121间隔第一预设间距K,第一预设间距K为研磨的安全距离,这样可以避免第一模组13直接受到研磨设备的研磨,减小第一模组13受到的作用力,降低第一模组13出现裂纹的风险,提供封装性能。
在一些可选实施例中,第一延伸部132的厚度为1.6μm~3.5μm。可以理解的是,封装层31位于封装区B内且设置于第一延伸部132的上方,因此在显示面板厚度一定的前提下,减小第一延伸部132的最大厚度,可以增加封装层31的厚度,提高显示面板封装可靠性。可选地,第一延伸部132的最大厚度为2.2μm。
请参阅图9和图10,在一些可选实施例中,显示面板还包括设置在第一基板1与第二基板2之间的第一发光器件层41,第二基板2包括盖板22,盖板22在封装区B指向成型区C的方向上具有厚度逐渐减小的趋势以形成呈梯度分布的第二表面21。
第一发光器件层41沿远离第一基板1方向上依次包括阳极411、发光功能层412和阴极413,一个阳极411、与该阳极411对应设置的一个发光功能层412、以及与该阳极411对应的阴极413区域共同构成一个有机发光单元M,图10中仅示意了一个有机发光单元M以说明第一发光器件层41的膜层结构,可以理解的是,发光器件层中包括多个有机发光单元M。
盖板22位于显示面板的最上方,即显示面板的出光侧,在本实施例中的有机发光显示面板中,第一发光器件层41上方可以只设置有盖板22,而不设置其他膜层。因此只需要调节盖板22形状,即可形成梯度分布的第二表面21,使得显示面板在成型区C内形成一类似喇叭形开口,从而有利于清洁位于成型区C内的碎屑残渣以及残留水汽。
请参阅图11,在一些可选实施例中,显示面板还包括设置在第一基板1与第二基板2之间的第二发光器件层(图中未示出),第二基板2包括盖板基底23以及设置在盖板基底23上的第二模组24,第二模组24在封装区B指向成型区C的方向上具有逐渐减小的趋势,以形成呈梯度分布的第二表面21。
本实施例中的有机发光显示面板中,盖板基底23与第二发光器件层之间还设置有第二模组24,第二模组24可以设置有一个或多个光学膜层,用于提高显示效果。关于第二模组24的具体结构可以参考前述实施例中第一模组13的结构,第二发光器件层的结构可以参考第一发光器件层41结构,本实施例对此不进行赘述。
请参阅图12,在一些可选实施例中,显示面板还包括设置在第一基板1与第二基板2之间的液晶层51,第二基板2包括玻璃基底25以及设置在玻璃基底25上的第三模组26,第三模组26在封装区B指向成型区C的方向上具有逐渐减小的趋势以形成呈梯度分布的第二表面21。
本实施例中的显示面板为液晶显示面板,玻璃基底25液晶显示面板的最上方,第三模组26位于玻璃基底25与液晶层51之间,具体可以包括色阻单元层、黑矩阵层、OC层等等,本申请对此不作限定。关于第三模组26的具体结构可以参考前述实施例中第一模组13的结构,本实施例对此不进行赘述。
请参阅图13,在一些可选实施例中,成型区C内设置有第一凸起结构61,第一凸起结构61设置与第一表面11和/或第二表面21上。其中第一凸起结构61可以设置在第一基板1上,也可以设置于第二基板2上,也可以同时设置在第一基板1与第二基板2上,本申请对此不作限定。
第一凸起结构61为尺寸微小且分布密集的凸点微粒,本申请实施例通过在第一表面11和/或第二表面21上形成第一凸起结构61从而引起荷叶效应。具体地说,由于第一表面11和/或第二表面21上存在有分布密集的凸点微粒,水在这些凸点微粒上不会向第一表面11和/或第二表面21的其他方向蔓延,而是形成一个个球体,这些滚动的水珠会带走第一表面11和/或第二表面21的碎屑等杂质,从而达到清洁作用。并且由于第一凸起结构61的存在,水汽和碎屑等也无法进入至第一基板1或第二基板2的内部,有效提高显示面板的可靠性。
在一些可选实施例中,还包括第三发光器件层,第三发光器件层夹设在第一基板1与第二基板2之间,第三发光器件层包括像素定义层(图中未示出)以及设置于像素定义层621上的支撑柱(图中未示出),其中至少部分第一凸起结构61与支撑柱同层制备。
第三发光器件层的结构与第一发光器件层的结构相同,支撑柱设置在像素定义层与阴极413层之间,起到支撑作用。而第一凸起结构61的设置除了可以起到清洁效果外,还可以阻挡应力向封装区B的传递,减小封装层31受到的应力,降低开裂风险,提高封装效果。两者的起到作用类似,一个是应力支撑作用,另一个是阻挡应力传播。因此第一凸起结构61与支撑柱可以采用相同材料并且同层制备,从而减小显示面板的加工工序,提高生产效率。
请参阅图13和图14,在一些可选实施例中,成型区C包括平直区C1和与平直区C1相连的拐角区C2,至少部分第一凸起结构61位于拐角区C2。
拐角区C2可以为圆弧状结构,目前倒圆角为显示面板的一大趋势,符合当下及未来大众的审美需求,同时倒圆角的设计还有助于减小封装区B的应力,当然拐角区C2也可以为其他形状如直边与相邻的直边共同围成多边形,本申请不作限定。
在成型过程中,研磨设备沿着显示面板的拐角处作多次往复运动,以研磨出拐角区C2。也就是说,相较于平直区C1,拐角区C2在研磨过程中受到研磨的次数更多。在本申请实施例中,至少部分第一凸起结构61位于拐角区C2,以避免研磨设备研磨出的碎屑水汽等进入至封装区B或显示区AA内,提高显示面板的可靠性。
另一方面,本申请提供了切割面板,请参阅图15,包括前述任一实施例中的显示面板,切割面板还包括研磨剥离区D,研磨剥离区D位于成型区C远离封装区B的一侧。
切割面板是对显示面板母版进行切割得到的小尺寸面板,研磨剥离区D是还未对切割面板进行研磨时存在的区域。通过研磨工艺去除切割面板的研磨剥离区D之后,即可制备出显示面板。
请参阅图16,在一些可选实施例中,第一模组13还包括位于研磨剥离区D的第二边缘部134,第二边缘部134包括层叠设置的缓冲层32、层间介质层36以及金属绝缘层37。缓冲层32位于第一模组13的正下方,起到支撑作用,本申请实施例通过将层间介质层36以及金属绝缘层37设置于研磨剥离区D中,从而对层间介质层36与缓冲层32之间的其他膜层起到保护作用。
在一些可选实施例中,显示面板还包括第二凸起结构62,第二凸起结构62位于研磨剥离区D内。第一凸起结构61与第二凸起结构62相同,均为为尺寸微小且分布密集的凸点微粒。在研磨过程中,第二边缘部134上表面会有碎屑和水汽残留,通过设置第二凸起结构62可以避免碎屑和水汽等进入至缓冲层32等膜层中。
请参阅图17,在一些可选实施例中,第一凸起结构61的密度大于第二凸起结构62的密度。第一凸起结构61位于成型区C内,第二凸起结构62位于研磨剥离区D内,即第一凸起结构61更加靠近封装区B,因此本申请实施例通过在成型区C内设置有密度更大的第一凸起结构61,使得水汽和碎屑等更难进入至封装层31内,提高显示面板的封装可靠性。
另外,本申请实施例还提供了一种显示装置,请参阅图18,显示装置包括前述任一实施例的显示面板。图实施例仅以手机为例,对显示装置进行说明,可以理解的是,本发明实施例提供的显示装置,可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置,本发明对此不作具体限制。
虽然本申请所公开的实施方式如上,但所述的内容只是为了便于理解本申请而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本申请所属技术领域内的技术人员,在不脱离本申请所公开的精神和范围的前提下,可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化,但本申请的保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,上述描述的其他连接方式的替换等,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。应理解,本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到各种等效的修改或替换,这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区、封装区和成型区,所述封装区围绕所述显示区设置,所述成型区位于所述封装区的远离所述显示区的一侧,所述显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板靠近所述第二基板的一侧具有第一表面,所述第二基板靠近所述第一基板的一侧具有第二表面,在所述成型区内且由所述封装区至所述成型区的方向上,所述第一表面与所述第二表面之间的距离逐渐增加;
所述第一基板包括衬底以及设置在所述衬底上的第一模组,所述第一模组包括位于所述显示区的第一本体部,位于所述封装区的第一延伸部,以及位于所述成型区的第一边缘部;
由所述封装区指向所述成型区的方向上,所述第一边缘部具有厚度逐渐减小的趋势以形成呈梯度分布的所述第一表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,由所述第一基板指向所述第二基板的方向上,所述第一本体部包括依次层叠设置的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间介质层、金属绝缘层、金属层、钝化层以及平坦化层,所述第一延伸部包括所述第一本体部中的全部或部分膜层,所述第一边缘部包括所述第一延伸部中的全部或部分膜层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述栅绝缘层、所述栅极层以及所述平坦化层至少一者位于所述封装区内,所述缓冲层、所述层间介质层、所述金属绝缘层以及所述钝化层至少一者位于所述成型区内。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述栅绝缘层、所述栅极层以及所述平坦化层均在所述封装区截止,所述缓冲层、所述层间介质层、所述金属绝缘层以及所述钝化层均在所述成型区截止。
5.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,由所述封装区指向所述成型区的方向上,所述第一边缘部中的部分膜层厚度逐渐减小以形成形成呈梯度分布的所述第一表面。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述缓冲层、所述层间介质层、所述金属绝缘层以及所述钝化层均在所述成型区截止,由所述封装区指向所述成型区的方向上,所述钝化层在所述成型区内的厚度逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一边缘部在远离所述封装区的一端具有第一边缘,所述衬底在所述成型区内且远离所述封装区的一端具有第二边缘;在所述封装区指向所述成型区的方向上,所述第一边缘与所述第二边缘之间具有第一预设间距。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一延伸部的厚度为1.6μm~3.5μm。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的第一发光器件层,所述第二基板包括盖板,所述盖板在所述封装区指向所述成型区的方向上具有厚度逐渐减小的趋势以形成呈梯度分布的所述第二表面。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的第二发光器件层,所述第二基板包括盖板基底及设置在所述盖板基底上的第二模组,所述第二模组在所述封装区指向所述成型区的方向上具有厚度逐渐减小的趋势以形成呈梯度分布的所述第二表面。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层,所述第二基板包括玻璃基底以及设置在所述玻璃基底上的第三模组,所述第三模组在所述封装区指向所述成型区的方向上具有厚度逐渐减小的趋势以形成呈梯度分布的所述第二表面。
12.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述成型区内设置有第一凸起结构,所述第一凸起结构设置于所述第一表面和/或所述第二表面上。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,还包括第三发光器件层,所述第三发光器件层夹设在所述第一基板与所述第二基板之间,所述第三发光器件层包括像素定义层以及设置于所述像素定义层上的支撑柱,其中至少部分所述第一凸起结构与所述支撑柱同层制备。
14.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述成型区包括平直区和与所述平直区相连的拐角区,至少部分所述第一凸起结构位于所述拐角区。
15.一种切割面板,其特征在于,包括权利要求1-14中任一项所述的显示面板;
所述切割面板还包括研磨剥离区,所述研磨剥离区位于所述成型区的远离所述封装区的一侧。
16.根据权利要求15所述的切割面板,其特征在于,所述第一基板包括衬底以及设置在所述衬底上的第一模组,所述第一模组包括位于所述显示区的第一本体部,位于所述封装区的第一延伸部,以及位于所述成型区的第一边缘部,以及位于所述研磨剥离区的第二边缘部,所述第二边缘部包括层叠设置的缓冲层、层间介质层以及金属绝缘层。
17.根据权利要求15所述切割面板,其特征在于,还包括第二凸起结构,所述第二凸起结构位于所述研磨剥离区。
18.根据权利要求17所述切割面板,其特征在于,所述成型区内设置有第一凸起结构,所述第一凸起结构设置于所述第一表面和/或所述第二表面上;
所述第一凸起结构密度大于所述第二凸起结构的密度。
19.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-14中任一项所述的显示面板。
CN202110744988.2A 2021-06-30 2021-06-30 显示面板、切割面板及显示装置 Active CN113571658B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110744988.2A CN113571658B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 显示面板、切割面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110744988.2A CN113571658B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 显示面板、切割面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113571658A CN113571658A (zh) 2021-10-29
CN113571658B true CN113571658B (zh) 2024-02-27

Family

ID=78163391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110744988.2A Active CN113571658B (zh) 2021-06-30 2021-06-30 显示面板、切割面板及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113571658B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284327A (zh) * 2021-12-22 2022-04-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示模组、移动终端

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100086782A (ko) * 2009-01-23 2010-08-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2011018479A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
KR20120116782A (ko) * 2011-04-13 2012-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
CN105913764A (zh) * 2016-06-30 2016-08-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示屏和显示装置
CN112614958A (zh) * 2020-12-15 2021-04-06 厦门天马微电子有限公司 显示面板、切割面板及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7425166B2 (en) * 2005-12-06 2008-09-16 Corning Incorporated Method of sealing glass substrates
KR100711882B1 (ko) * 2006-01-27 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치 및 그의 제조방법
KR101458899B1 (ko) * 2007-03-28 2014-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102457975B1 (ko) * 2017-11-29 2022-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100086782A (ko) * 2009-01-23 2010-08-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2011018479A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Panasonic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
KR20120116782A (ko) * 2011-04-13 2012-10-23 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법
CN105913764A (zh) * 2016-06-30 2016-08-31 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示屏和显示装置
CN112614958A (zh) * 2020-12-15 2021-04-06 厦门天马微电子有限公司 显示面板、切割面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113571658A (zh) 2021-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11552272B2 (en) Display panel and manufacturing method thereof
US11101437B2 (en) Display substrate motherboard, display substrate and display device
US9750140B2 (en) Display device
CN106848108B (zh) 一种柔性显示面板及制备方法
CN116249387A (zh) 显示装置
TWI516851B (zh) 液晶顯示面板的引線結構以及具有此引線結構的液晶顯示面板
KR101272488B1 (ko) 박막트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 가지는 액정표시 패널과 이 액정 표시 패널의 제조방법
TWI514458B (zh) 顯示面板及其製造方法
TWI526757B (zh) 陣列基板及顯示器
TWI429985B (zh) 引線結構以及具有此引線結構的顯示面板
JP2004311955A (ja) 超薄型電気光学表示装置の製造方法
CN107579162B (zh) 显示装置
EP3018704B1 (en) Array substrate, display device, and method for manufacturing array substrate
CN113571658B (zh) 显示面板、切割面板及显示装置
CN107863357A (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
WO2019114438A1 (zh) 显示基板及其制作方法
TWI451563B (zh) 薄膜電晶體陣列及其線路結構
TW591563B (en) Electro-optical apparatus, its production method, devices and electronic appliances
KR20190036383A (ko) 터치 구조물을 포함하는 디스플레이 장치
CN1151405C (zh) 薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
TWI544252B (zh) 顯示面板及其製造方法
JP4097521B2 (ja) 半導体装置の作製方法
CN111697027A (zh) 显示面板和制造该显示面板的方法
CN112838052A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN110854135B (zh) 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant