CN113571017A - 像素和有机发光显示装置 - Google Patents

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CN113571017A
CN113571017A CN202110280984.3A CN202110280984A CN113571017A CN 113571017 A CN113571017 A CN 113571017A CN 202110280984 A CN202110280984 A CN 202110280984A CN 113571017 A CN113571017 A CN 113571017A
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CN
China
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transistor
layer
electrode
gate electrode
capacitor
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CN202110280984.3A
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尹宁秀
郭源奎
贾智铉
罗志洙
吴暻焕
印闰京
印海静
车眩枝
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    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract

本公开涉及一种像素和一种有机发光显示装置，所述像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，所述第一晶体管响应于施加到第一节点的电压接收信号，并且控制从电连接到电源电压线的第二节点流到所述有机发光二极管的电流的量；第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第一节点和第一初始化电压线之间；以及偏置电容器，所述偏置电容器电连接在所述第二节点和发光控制线之间，所述偏置电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极。所述偏置电容器的所述第一电容器电极和所述第一晶体管的半导体层设置在相同的层上，并且所述偏置电容器的所述第二电容器电极和被包括在所述第四晶体管的栅极电极中的第二部分设置在相同的层上。

Description

像素和有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月29日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0052883号韩国专利申请的优先权及权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及像素和包括所述像素的有机发光显示装置，并且涉及能够实现能够进行高质量图像显示的高分辨率显示的像素和包括所述像素的有机发光显示装置。
背景技术
通常，显示装置包括像素，像素中的每一个包括显示元件和用于控制显示元件的像素电路。像素电路可以包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和线。
为了精确地控制显示元件是否发射光以及显示元件的发光的程度，已经增加了电连接到单个显示元件的晶体管的数量。
然而，这些常规显示装置不易于显示高质量图像。
将理解的是，本背景技术部分旨在部分地提供用于理解技术的有用的背景。然而，本背景技术部分还可以包括不作为在本文中公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员已知或理解的构思、概念或认知的一部分的构思、概念或认知。
发明内容
一个或多个实施例包括能够实现能够进行高质量图像显示的高分辨率显示的像素和包括所述像素的有机发光显示装置。然而，一个或多个实施例仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且所述附加方面通过所述描述将部分地明显，或者可以通过实践本公开的所提出的实施例来获悉所述附加方面。
根据一个或多个实施例，一种像素，可以包括：有机发光二极管；第一晶体管，所述第一晶体管响应于施加到第一节点的电压接收信号，并且控制从电连接到电源电压线的第二节点流到所述有机发光二极管的电流的量；第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第一节点和第一初始化电压线之间；以及偏置电容器，所述偏置电容器电连接在所述第二节点和所述发光控制线之间。所述偏置电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极。所述偏置电容器的所述第一电容器电极和所述第一晶体管的半导体层可以设置在相同的层上，并且所述偏置电容器的所述第二电容器电极和被包括在所述第四晶体管的栅极电极中的第二部分可以设置在相同的层上。
所述像素还可以包括：第二晶体管，所述第二晶体管电连接在所述第二节点和数据线之间并且通过扫描信号导通，并且所述第二电容器电极可以设置在与所述第二晶体管的栅极电极重叠的层上方。
所述第四晶体管的所述栅极电极可以包括被定位在所述第二部分下方的第一部分，并且所述第一部分和所述第一晶体管的栅极电极可以设置在相同的层上。
所述第一晶体管的所述栅极电极可以设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，并且所述第一部分可以设置在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上。
所述第一晶体管的所述栅极电极可以设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方。所述第一部分可以被定位在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上。所述第四晶体管的半导体层可以设置在所述第一部分上方。所述第二电容器电极可以设置在与所述第四晶体管的所述半导体层重叠的层上。
所述第一晶体管的所述半导体层可以包括硅半导体，并且所述第四晶体管的所述半导体层可以包括氧化物半导体。
所述像素还可以包括：第六晶体管，所述第六晶体管电连接在所述第一晶体管和所述有机发光二极管之间，并且通过施加到所述发光控制线的发光控制信号导通。
所述像素还可以包括：第七晶体管，所述第七晶体管电连接在所述第六晶体管和第二初始化电压线之间，并且所述第二电容器电极和被包括在所述第七晶体管的栅极电极中的第四部分可以一体地形成为单个整体。
所述第七晶体管的所述栅极电极可以包括被定位在所述第四部分下方的第三部分，所述第三部分和所述第一晶体管的所述栅极电极可以设置在相同的层上。所述第一晶体管的所述栅极电极可以设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，所述第三部分可以被定位在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上，所述第七晶体管的半导体层可以设置在所述第三部分上方，并且所述第二电容器电极可以设置在与所述第七晶体管的所述半导体层重叠的层上。
所述像素还可以包括：存储电容器，所述存储电容器电连接在所述第一节点和所述电源电压线之间，其中，所述存储电容器的第三电容器电极和所述第一晶体管的第一栅极电极可以一体地形成为单个整体，所述存储电容器的第四电容器电极可以设置在所述第三电容器电极上方，并且所述第二电容器电极可以设置在与所述第四电容器电极重叠的层上，并且所述第二电容器电极的一部分可以与所述第四电容器电极的一部分重叠。
根据一个或多个实施例，一种有机发光显示装置，可以包括：基底；第一有源层，所述第一有源层设置在所述基底上方并且包括：第一源极区；第一有源区，所述第一有源区与所述第一源极区相邻；第一漏极区，所述第一漏极区与所述第一有源区相邻；以及第一电容器电极，所述第一电容器电极电连接到所述第一源极区；第一栅极层，所述第一栅极层包括设置在所述第一有源区上方的第一栅极电极；第三栅极层，所述第三栅极层包括设置在所述第一电容器电极上方的第二电容器电极；以及有机发光二极管，其中，电流可以响应于施加到所述第一栅极电极的电压从所述第一有源区流到所述第一漏极区，以控制所述有机发光二极管的亮度。
所述第一有源层可以包括：第二源极区，所述第二源极区与所述第一有源区相邻；第二漏极区，所述第二漏极区电连接到所述第一源极区；以及第二有源区，所述第二有源区与所述第二漏极区相邻，并且所述第一栅极层可以包括第二栅极电极，所述第二栅极电极是扫描线的与所述第二有源区重叠的一部分。
所述有机发光显示装置还可以包括：第二栅极层，所述第二栅极层包括第4-1个栅极电极，所述第4-1个栅极电极是下部初始化线的一部分并且设置在与所述第一栅极层重叠的层上；和第二有源层，所述第二有源层设置在与所述第二栅极层重叠的层上。所述第二有源层可以包括与所述第4-1个栅极电极重叠的第四有源区。所述第三栅极层可以设置在与所述第二有源层重叠的层上，并且可以包括第4-2个栅极电极，所述第4-2个栅极电极是上部初始化线的一部分并且与所述第四有源区重叠。
所述第一有源层可以包括硅半导体，并且所述第二有源层可以包括氧化物半导体。
所述第一有源层可以包括：第六源极区，所述第六源极区电连接到所述第一漏极区；第六有源区，所述第六有源区与所述第六源极区相邻；以及第六漏极区，所述第六漏极区与所述第六有源区相邻。所述第一栅极层还可以包括与所述第六有源区重叠的第六栅极电极，所述第六栅极电极是被包括在发光控制线中的下部发光控制线的一部分，并且所述有机发光二极管的像素电极可以电连接到所述第六漏极区。
所述第二有源层可以包括第七有源区，所述第一栅极层可以包括第7-1个栅极电极，所述第7-1个栅极电极是所述下部发光控制线的一部分并且与所述第七有源区重叠，所述第三栅极层可以包括第7-2个栅极电极，所述第7-2个栅极电极与所述第七有源区重叠，所述第7-2个栅极电极可以是被包括在所述发光控制线中的上部发光控制线的一部分，并且所述第7-2个栅极电极和所述第二电容器电极可以一体地形成为单个整体。
所述有机发光显示装置还可以包括：第三电容器电极，所述第三电容器电极和所述第一栅极电极一体地形成为单个整体，其中，所述第二栅极层可以包括与所述第三电容器电极重叠并且电连接到电源电压线的第四电容器电极。
所述第二电容器电极的一部分可以与所述第四电容器电极的一部分重叠。
所述第一源极区和所述第一电容器电极可以一体地形成为单个整体。
通过以下对实施例、权利要求和附图的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更易于理解。
附图说明
通过以下结合附图的描述，本公开的实施例的以上和其它方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的有机发光显示装置的示意性概念图；
图2是被包括在图1的显示装置中的像素的等效电路图；
图3是示出图2的等效电路图的驱动方法的波形图；
图4是用于示意性地示出图2的像素中的晶体管和电容器的位置的布局图；
图5至图11是用于示意性地示出用于每一层的诸如图4的晶体管和电容器的组件的示意性布局图；
图12是图4的一些提取部分的布局图；以及
图13是根据实施例的被包括在显示装置中的诸如晶体管和电容器的组件的一些层的布局图。
具体实施方式
现在，将详细参照在附图中示出其示例的实施例，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图描述实施例，以解释本说明书的各方面。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有a、b和c或者它们的变体。
术语“和”和“或”可以以结合或分离的含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种)”旨在包括“从……的组中选择的至少一个(种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种)”可以被理解为是指“A、B、或者A和B”。
由于本公开考虑到各种变化和许多实施例，因此将在附图中示出实施例并且在书面描述中详细地描述实施例。在下文中，将参照其中示出了本公开的实施例的附图更全面地描述本公开的效果和特征以及用于实现本公开的效果和特征的方法。然而，本公开可以以许多不同的形式来实现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。
下面将参照附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。无论图号如何，彼此相同或彼此相对应的那些组件被提供相同的附图标记，并且可以省略冗余的说明。
将理解，除非另有说明，否则当诸如层、膜、区或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以“直接”在所述另一元件上，或者还可以存在中间元件。在附图中，为了便于说明，层和区的厚度被夸大或被最小化。换句话说，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中被称为第一元件的一个元件可以在另一实施例中被称为第二元件。
如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
将进一步理解的是，本文中使用的术语“包括”和/或“包含”、“含有”和/或“具有”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征或组件。
此外，当层、膜、区、基底、区域或者元件被称为“在”另一层、膜、区、基底、区域或者元件“下方”时，所述层、膜、区、基底、区域或者元件可以直接在另一层、膜、区、基底、区域或者元件下方，或者可以在它们之间存在中间层、膜、区、基底、区域或者元件。相反，当层、膜、区、基底、区域或者元件被称为“直接在”另一层、膜、区、基底、区域或者元件“下方”时，在它们之间可以不存在中间层、膜、区、基底、区域或者元件。此外，“在……上方”或“在……上”可以包括定位在对象上或下方，并且不一定意指基于重力的方向。
将理解的是，当层、区或组件被称为“连接”到另一层、区或组件时，所述层、区或组件可以被“直接连接”到另一层、区或组件，以及/或者可以“间接连接”到另一层、区或组件，其它层、区或组件介于它们之间。例如，将理解的是，当层、区或组件被称为“电连接”到另一层、区或组件时，所述层、区或组件可以“直接电连接”到另一层、区或组件，以及/或者可以“间接电连接”到另一层、区或组件，其它层、区或组件介于它们之间。
为了易于描述，在本文中可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”或“上”等以描述如在附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在其中附图中示出的装置被翻转的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置“在”另一装置“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括下方位置和上方位置两者。装置也可以在其它方向上定向，并且因此，空间相对术语可以根据方位而被不同地解释。
另外，术语“重叠”或“重叠的”是指第一对象可以上方或下方或者在第二对象的侧面，反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在其上方延伸、覆盖或部分地覆盖或者本领域普通技术人员将获悉和理解的任何其它合适的术语。术语“面对”和“面向”是指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在其中第三元件介于第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为尽管仍然彼此面对，但是彼此间接地相对。当元件被描述为“不与”另一元件“重叠”或者“与”另一元件“不重叠”时，这可以包括：这些元件彼此间隔开、彼此偏移、或彼此分离、或者本领域普通技术人员将获悉和理解的任何其它合适的术语。
在下面的实施例中，当组件被称为“在平面上”时，将理解的是，从顶部观察组件，并且当组件被称为“在示意性截面上”时，将理解的是，垂直切割组件并从侧面观察组件。
另外，当元件被称为与另一元件“相接触”或“接触”等时，所述元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或者与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％以内。
在以下实施例中，布线在第一方向或第二方向上延伸的含义不仅涵盖了在直线上延伸，而且涵盖了在第一方向或第二方向上以之字形或以曲线延伸。
在以下实施例中，当被称为“平面(平面的)”时，其是指当从上方观察对象时；并且当被称为“截面(截面的)”时，其是指当从侧面观察通过垂直地切割对象所形成的截面时。在以下实施例中，第一组件“与”第二组件“重叠”是指第一组件定位在第二组件上方或下方。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。此外，还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。
图1是根据实施例的有机发光显示装置的示意性概念图。
根据实施例的有机发光显示装置可以被实现为诸如智能电话、移动电话、导航装置、游戏机、TV、车辆头部单元、笔记本式计算机、膝上型计算机、平板计算机、个人多媒体播放器(PMP)或个人数字助理(PDA)的电子装置。电子装置可以是柔性装置。
根据实施例的有机发光显示装置可以包括包含像素PX的显示区域DA、扫描驱动器SD、数据驱动器DD以及用于控制扫描驱动器SD和数据驱动器DD的时序控制器TC。
在时序控制器TC的控制下，扫描驱动器SD可以将扫描信号GW[1]、GW[2]、……、至GW[n](在下文中，简称为“扫描信号GW[1]至GW[n]”)、初始化信号GI[1]、GI[2]、……、至GI[n](在下文中，简称为“初始化信号GI[1]至GI[n]”)、补偿控制信号GC[1]、GC[2]、……、至GC[n](在下文中，简称为“补偿控制信号GC[1]至GC[n]”)以及发光控制信号EM[1]、EM[2]、……、至EM[n](在下文中，简称为“发光控制信号EM[1]至EM[n]”)供给到各自在第一方向DR1上延伸的扫描线。例如，扫描驱动器SD可以分别将扫描信号GW[1]至GW[n]、初始化信号GI[1]至GI[n]、补偿控制信号GC[1]至GC[n]和发光控制信号EM[1]至EM[n]顺序地供给到扫描线、初始化线、补偿控制线和发光控制线。
扫描信号GW[1]至GW[n]、初始化信号GI[1]至GI[n]、补偿控制信号GC[1]至GC[n]和发光控制信号EM[1]至EM[n]中的每一个可以是高电压或低电压信号。根据晶体管的特性，每个晶体管可以在被施加高电压时导通，并且可以在被施加低电压时截止，或者可以在被施加高电压时截止，并且可以在被施加低电压时导通。
在时序控制器TC的控制下，数据驱动器DD可以将数据信号D[1]、D[2]、……、至D[m](在下文中，简称为“数据信号D[1]至D[m]”)供给到各自在第二方向DR2上延伸的数据线。数据驱动器DD可以供给数据信号D[1]至D[m]，使得数据信号D[1]至D[m]可以与扫描信号GW[1]至GW[n]同步，并且因此，数据信号D[1]至D[m]可以被供给到由扫描信号GW[1]至GW[n]选择的像素PX。
时序控制器TC可以响应于外部提供的同步信号控制扫描驱动器SD和数据驱动器DD。
电源电压ELVDD和电极电压ELVSS可以被供给到显示区域DA内的像素PX。响应于电源电压ELVDD和电极电压ELVSS，像素PX可以与数据信号D[1]至D[m]对应地控制从电源电压线经由有机发光二极管流到电极电源线的电流的量，从而生成具有与数据信号D[1]至D[m]相对应的亮度的光。电源电压ELVDD可以被施加到电源电压线，并且电极电压ELVSS可以被施加到电极电源线。
尽管在图1中的显示区域DA内，像素PX可以在第一方向DR1和第二方向DR2上顺序地布置或设置，但是实施例不限于此。例如，除了条纹配置之外，像素PX还可以以诸如PenTile配置和马赛克配置的各种配置来布置或设置。如图1中所示，显示区域DA在平面图中可以具有基本上矩形形状。然而，显示区域DA可以具有基本上多边形(诸如三角形、五边形或六边形)的形状，或者可以具有圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
图2是被包括在图1的显示装置中的像素PX的等效电路图。
参照图2，像素PX可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、偏置电容器Cbias、存储电容器Cst、有机发光二极管OLED、第一初始化电压线VIL1、第二初始化电压线VIL2、电源电压线PL和信号线。信号线可以包括数据线DL、扫描线SL、初始化线IL、补偿控制线CL和发光控制线EL。信号线、第一初始化电压线VIL1、第二初始化电压线VIL2和电源电压线PL中的至少一条可以被邻近的或相邻的像素共享。
电源电压线PL可以将电源电压ELVDD传输到第一晶体管T1。第一初始化电压线VIL1可以将第一初始化电压Vint1传输到像素PX，第一初始化电压Vint1可以将第一晶体管T1初始化。第二初始化电压线VIL2可以将第二初始化电压Vint2传输到像素PX，第二初始化电压Vint2可以将有机发光二极管OLED初始化。例如，第一初始化电压Vint1可以为大约-5V，并且第二初始化电压Vint2可以在大约-7V至大约-6V的范围内。因此，第一初始化电压Vint1可以高于第二初始化电压Vint2。
扫描线SL、初始化线IL、补偿控制线CL、发光控制线EL、第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2可以各自在第一方向DR1上延伸，并且可以布置或设置在各自的行上以彼此间隔开。数据线DL和电源电压线PL可以各自在第二方向DR2上延伸，并且可以布置或设置在各自的列上以彼此间隔开。
在图2中，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以被实现为n沟道MOSFET(NMOS)，并且其余的晶体管可以被实现为p沟道MOSFET(PMOS)。
第一晶体管T1可以通过第五晶体管T5电连接到电源电压线PL，并且可以经由第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第一晶体管T1可以是驱动晶体管，并且可以根据施加到第一节点N1的电压来接收数据信号D[j]，并且可以控制从被电连接到电源电压线PL的第二节点N2经由有机发光二极管OLED流到电极电源线的驱动电流IOLED的量。
第二晶体管T2可以电连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以经由第五晶体管T5电连接到电源电压线PL。可以在总计n行中的第i行上的第二晶体管T2可以根据经由扫描线SL接收的扫描信号GW[i]而导通，并且因此可以执行将经由数据线DL接收的数据信号D[j]传输到第二节点N2的开关操作，数据线DL可以在总计m列中的第j列上。换句话说，第二晶体管T2可以是开关晶体管。这里，i为在1至n的范围内的自然数，并且j为在1至m的范围内的自然数。例如，第二晶体管T2可以根据低电压的扫描信号GW[i]而导通。
第三晶体管T3可以是补偿晶体管，并且可以电连接到补偿控制线CL，并且可以经由第六晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。第三晶体管T3可以根据经由补偿控制线CL接收的补偿控制信号GC[i]而导通，并且因此以二极管方式连接第一晶体管T1。例如，第三晶体管T3可以根据高电压的补偿控制信号GC[i]而导通。
第四晶体管T4可以是第一初始化晶体管，并且可以电连接到初始化线IL和第一初始化电压线VIL1，可以根据经由初始化线IL接收的初始化信号GI[i]而导通，并且因此可以将第一初始化电压Vint1从第一初始化电压线VIL1传输到第一晶体管T1的第一栅极电极，从而将第一晶体管T1的第一栅极电极的电压初始化。例如，第四晶体管T4可以根据高电压的初始化信号GI[i]而导通。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可以电连接到发光控制线EL，并且可以根据通过发光控制线EL接收的发光控制信号EM[i]而同时导通，并因此可以形成电流路径，使得驱动电流IOLED可以从电源电压线PL流到有机发光二极管OLED。例如，第五晶体管T5和第六晶体管T6可以根据低电压的发光控制信号EM[i]而导通。第五晶体管T5可以是操作控制晶体管，并且第六晶体管T6可以是发光控制晶体管。
第七晶体管T7可以是第二初始化晶体管，并且可以电连接到发光控制线EL和第二初始化电压线VIL2，可以根据经由发光控制线EL接收的发光控制信号EM[i]而导通，并且因此可以将第二初始化电压Vint2从第二初始化电压线VIL2传输到有机发光二极管OLED，从而将有机发光二极管OLED初始化。例如，第七晶体管T7可以根据高电压的发光控制信号EM[i]而导通。可以省略第七晶体管T7。
存储电容器Cst可以包括第三电容器电极CE3和第四电容器电极CE4。第三电容器电极CE3可以电连接到第一晶体管T1的第一栅极电极，并且第四电容器电极CE4可以电连接到电源电压线PL。存储电容器Cst可以通过存储和保持与电源电压线PL的电压和第一晶体管T1的第一栅极电极的电压之间的差相对应的电压来保持施加到第一晶体管T1的第一栅极电极的电压。
电连接在第二节点N2和发光控制线EL之间的偏置电容器Cbias可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。第一电容器电极CE1可以经由第五晶体管T5电连接到电源电压线PL，并且第二电容器电极CE2可以电连接到发光控制线EL。当通过发光控制线EL施加高电压的发光控制信号时，分别具有电连接到发光控制线EL的栅极电极的第五晶体管T5和第六晶体管T6可以截止。当通过初始化线IL施加低电压的初始化信号时，其栅极电极可以电连接到初始化线IL的第四晶体管T4可以截止。因此，第一晶体管T1可以进入导通偏置状态，并且可以被初始化。
第一初始化电压Vint1可以为大约-5V，并且第二初始化电压Vint2可以在大约-7V至大约-6V的范围内。这样，第一初始化电压Vint1可以高于第二初始化电压Vint2。因此，当第一晶体管T1进入导通偏置状态时，稍后可能输入的当前帧的数据电压可能总是低于导通偏置电压，并且因此可能与前一帧的电压的大小无关。因此，不会发生滞回(hysteresis)问题和步进效率(step efficiency)问题，或者可以将滞回问题和步进效率问题的发生率最小化。作为参考，滞回问题是指这样的问题，其中，当当前帧的数据电压可以高于前一帧的数据电压时的第一晶体管T1的栅源电压对源漏电流的曲线变得不同于当当前帧的数据电压可以低于前一帧的数据电压时的第一晶体管T1的栅源电压对源漏电流的曲线。步进效率问题是指这样的问题，其中，当灰度级以帧为单位快速地变化时，例如，当前一帧中的灰度级可以是黑色而当前帧中的灰度级可以是白色时，像素可能由于上述电压对电流的曲线的变化而具有与中间灰度级相对应的亮度而不是与期望的灰度级相对应的亮度。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极、相对电极以及介于像素电极和相对电极之间且包括发射层的中间层。在多个像素中，电极电压ELVSS可以被施加到一体地形成的相对电极。有机发光二极管OLED可以从第一晶体管T1接收驱动电流IOLED并且发射光，使得显示装置可以显示图像。作为参考，相对电极可以延伸到显示区域的外部并且可以电连接到电极电源线，并且电极电压ELVSS可以被施加到电极电源线。
现在将参照图3描述根据实施例的每个像素PX的详细操作，图3是示出图2的等效电路图的驱动方法的波形图。
首先，在时间段t12期间，高电压的发光控制信号EM[i]、低电压的补偿控制信号GC[i]、高电压的扫描信号GW[i]和低电压的初始化信号GI[i]可以分别经由发光控制线EL、补偿控制线CL、扫描线SL和初始化线IL施加到第i行上的像素。因此，第二晶体管T2至第六晶体管T6可以截止，并且因此，第一晶体管T1可以通过偏置电容器Cbias进入导通偏置状态，并且可以被初始化。此时，第七晶体管T7可以导通，以使得电流沿着第二初始化电压线VIL2流动，而不是流到有机发光二极管OLED。因此，有机发光二极管OLED可以被初始化。
然后，在时间段t23期间，补偿控制信号GC[i]和初始化信号GI[i]可以变为高电压。因此，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以导通，并且第一晶体管T1的第一栅极电极的电压可以被从第一初始化电压线VIL1供给的第一初始化电压Vint1初始化。
在时间段t34期间，初始化信号GI[i]可以变为低电压，并且因此第四晶体管T4可以截止。然后，在时间段t45期间，扫描信号GW[i]可以变为低电压，并且因此第二晶体管T2可以导通。因此，在时间段t45期间，与从数据线DL供给的数据信号D[j]相对应的电压可以被施加到第二节点N2。然后，在时间段t56期间，扫描信号GW[i]可以变为高电压，并且因此第二晶体管T2可以截止。因为第三晶体管T3可以保持导通状态，所以第一晶体管T1可以被第三晶体管T3以二极管方式连接，并且可以在正方向上偏置。因此，从数据线DL供给的数据信号D[j]中的其中已经补偿了第一晶体管T1的阈值电压Vth的电压可以被施加到第一晶体管T1的第一栅极电极，即，可以被施加到第一节点N1。因此，电源电压ELVDD和补偿电压可以被施加到存储电容器Cst的两端，并且与两端之间的电压差相对应的电荷可以被存储在存储电容器Cst中。
此后，在时间段t67期间，补偿控制信号GC[i]可以变为低电压，并且因此第三晶体管T3可以截止。在时间段t78期间，发光控制信号EM[i]可以变为低电压，并且因此第七晶体管T7可以截止，并且第五晶体管T5和第六晶体管T6可以导通，并且因此可以产生由于第一晶体管T1的第一栅极电极的电压与电源电压ELVDD之间的电压差引起的驱动电流IOLED，并且驱动电流IOLED可以经由第六晶体管T6提供给有机发光二极管OLED，并且因此，有机发光二极管OLED可以发射光。
根据实施例，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的至少一个晶体管可以包括包含氧化物的半导体层，并且其它晶体管可以包括包含硅的半导体层。详细地，直接影响显示装置的亮度的第一晶体管T1可以包括包含具有高的可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此可以实现高分辨率显示装置。
因为氧化物半导体具有高的载流子迁移率和低的漏电流，所以即使当驱动时间可能长时，电压降也可能不大。换句话说，在包括氧化物半导体的薄膜晶体管的情况下，即使在低频驱动期间，由于电压降引起的图像的颜色的变化也可能不大。因为氧化物半导体具有小的漏电流，所以电连接到第一晶体管T1的第一栅极电极的第三晶体管T3和第四晶体管T4中的至少一个可以包括氧化物半导体，以防止漏电流流到第一晶体管T1的第一栅极电极，并且还降低功耗。此外，防止电流在有机发光二极管OLED根据发光控制信号EM[i]开始发光之前流到有机发光二极管OLED的第七晶体管T7可以包括氧化物半导体，以防止漏电流流到有机发光二极管OLED，并且还降低功耗。
图4是用于示意性地示出图2的像素PX中的晶体管和电容器的位置的布局图。图4示出了被布置或设置在相邻列的相同行上的一对像素PX。在图4中，被布置或设置在左像素区域中的像素的像素电路和被布置或设置在右像素区域中的像素的像素电路可以彼此左右对称。作为参考，为了便于说明，图4未示出有机发光二极管OLED。换句话说，图4是用于示意性地示出被包括在像素中的像素电路的位置的布局图。
图5至图11是用于示意性地示出用于每一层的诸如图4中所示的晶体管和电容器的组件的示意性布局图。如图5至图11中顺序地所示，图5中所示的第一有源层AL1、图6中所示的第一栅极层GL1、图7中所示的第二栅极层GL2、图8中所示的第二有源层AL2、图9中所示的第三栅极层GL3、图10中所示的第一源极漏极层SDL1和图11中所示的第二源极漏极层SDL2可以在远离基底的方向上布置或设置。
绝缘层可以介于这些层之间。详细地，第一栅极绝缘层可以介于图5中所示的第一有源层AL1与图6中所示的第一栅极层GL1之间，第二栅极绝缘层可以介于图6中所示的第一栅极层GL1与图7中所示的第二栅极层GL2之间，第三栅极绝缘层可以介于图7中所示的第二栅极层GL2与图8中所示的第二有源层AL2之间，第四栅极绝缘层可以介于图8中所示的第二有源层AL2与图9中所示的第三栅极层GL3之间，第一层间绝缘层可以介于图9中所示的第三栅极层GL3与图10中所示的第一源极漏极层SDL1之间，并且第二层间绝缘层可以介于图10中所示的第一源极漏极层SDL1与图11中所示的第二源极漏极层SDL2之间。这些绝缘层可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或氧化锌。如在本公开的精神和范围内，绝缘层中的每一个可以具有单层结构或多层结构。不同的层的组件可以通过被形成或设置在绝缘层中的接触孔彼此电连接。
图5中所示的第一有源层AL1可以是包括多晶硅的半导体层。第一有源层AL1的源极区和漏极区可以掺杂有可以包含N型杂质或P型杂质的杂质。每个源极区和每个漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。源极区和漏极区可以根据晶体管的极性彼此互换。在下文中，可以使用源极区和漏极区替代源极电极和漏极电极。在图2的等效电路图中，第一有源层AL1的特定或预定部分可以掺杂有P型杂质，并且因此第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以被实现为p沟道MOSFET(PMOS)。第一有源层AL1的其它部分也可以掺杂有杂质，并且因此，在本公开的精神和范围内，第一有源层AL1的其它部分可以用作将晶体管和/或电容器彼此电连接的线，或者可以用作电容器电极等。
图5中所示的第一有源层AL1可以定位在或设置在基底上。基底可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。在基底是柔性的或可弯曲的情况下，基底可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。基底可以具有多层结构，所述多层结构包括包含聚合物树脂的两个层以及在两个层之间的包括无机材料(氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等)的阻挡层。以这种方式，可以进行各种修改。
其它层可以设置在基底与第一有源层AL1之间。例如，包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个的缓冲层可以设置在基底与第一有源层AL1之间。缓冲层可以增加基底的上表面的平滑度，或者可以防止或最小化杂质从基底等渗透到第一有源层AL1中。如在本公开的精神和范围内，缓冲层可以具有单层结构或多层结构。在多层结构中，一些或预定数量的层可以被称为阻挡层。
图6中所示的第一栅极层GL1、图7中所示的第二栅极层GL2和图9中所示的第三栅极层GL3中的每一个可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。这些层中的每一个可以具有单层结构或多层结构。当这些层中的每一个具有多层结构时，这些层中的每一个可以包括几种材料。例如，图6中所示的第一栅极层GL1、图7中所示的第二栅极层GL2和图9中所示的第三栅极层GL3中的每一个可以具有Mo层/Al层的两层结构，或者可以具有Mo层/Al层/Mo层的三层结构。
图8中所示的第二有源层AL2可以是包含氧化物的半导体层。例如，在本公开的精神和范围内，第二有源层AL2可以包括诸如Zn氧化物、In-Zn氧化物或Ga-In-Zn氧化物等的基于Zn氧化物的材料。因为可以进行各种修改，所以第二有源层AL2可以包括在ZnO中包含诸如In、Ga或Sn的金属的诸如In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)的氧化物半导体。
图10中所示的第一源极漏极层SDL1和图11中所示的第二源极漏极层SDL2中的每一个可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。这些层中的每一个可以具有单层结构或多层结构。当这些层中的每一个具有多层结构时，这些层中的每一个可以包括几种材料。例如，图10中所示的第一源极漏极层SDL1和图11中所示的第二源极漏极层SDL2中的每一个可以具有Ti层/Al层的两层结构，或者可以具有Ti层/Al层/Ti层的三层结构。
作为参考，图10中所示的接触孔33、35、37和39可以形成或设置在第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层和第一层间绝缘层中，并且因此可以将图10中所示的各层电连接到被定位或设置在图10中所示的各层下方的图5中所示的第一有源层AL1。图10中所示的接触孔38可以形成或设置在第三栅极绝缘层、第四栅极绝缘层和第一层间绝缘层中，并且因此可以将图10中所示的层电连接到图7中所示的第二栅极层GL2。图10中所示的接触孔31可以形成或设置在第二栅极绝缘层至第四栅极绝缘层和第一层间绝缘层中，并且因此可以将图10中所示的节点连接线171电连接到被定位或设置在图10中所示的节点连接线171下方的图6中所示的第一栅极电极G1。图10中所示的接触孔36可以形成或设置在第二栅极绝缘层至第四栅极绝缘层和第一层间绝缘层中，并且因此可以将图10中所示的连接电极177电连接到被定位或设置在图10中所示的连接电极177下方的图6中所示的第一栅极层GL1的第一初始化电压线137。图10中所示的接触孔41、43、45、47和49可以形成或设置在第四栅极绝缘层和第一层间绝缘层中，并且因此可以将图10中所示的各层电连接到被定位或设置在图10中所示的各层下方的图8中所示的第二有源层AL2。
图11中所示的接触孔61、62和63可以形成或设置在第二栅极绝缘层中，并且因此可以将图11中所示的各层电连接到被定位或设置在图11中所示的各层下方的图10中所示的第一源极漏极层SDL1。作为参考，为了便于说明，在图11中示出了接触孔64，但是接触孔64不是将连接电极185电连接到被定位或设置在连接电极185下方的层的接触孔。接触孔64可以形成在覆盖图11中所示的第二源极漏极层SDL2或与图11中所示的第二源极漏极层SDL2重叠的平坦化层中，并且因此可以将被定位或设置在平坦化层上的有机发光二极管OLED的像素电极电连接到连接电极185。平坦化层可以包括诸如丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅醚(HMDSO)的有机材料。当然，实施例不限于此，并且如在本公开的精神和范围内，平坦化层可以包括无机材料，并且可以具有单层结构和多层结构。
像素电路可以包括各自在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、初始化线IL、补偿控制线CL、发光控制线EL、第一初始化电压线VIL1和第二初始化电压线VIL2，并且可以包括各自在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的数据线DL以及第一电源电压线PL1和第二电源电压线PL2。
如图6中所示，扫描线SL(134)、被包括在发光控制线EL中的下部发光控制线136以及第一初始化电压线VIL1(137)可以包括与第一栅极电极G1相同或相似的材料。换句话说，第一栅极层GL1可以包括扫描线SL(134)、下部发光控制线136和第一初始化电压线VIL1(137)以及第一栅极电极G1。如图10中所示，第二初始化电压线VIL2(174)可以包括与连接电极173、175、177和179、节点连接线171以及第一电源电压线172(PL1)相同或相似的材料，并且可以与连接电极173、175、177和179、节点连接线171和第一电源电压线172(PL1)定位或设置在相同的层上。
一些或预定数量的线可以包括布置或设置在不同的层上的两个导电层。例如，初始化线IL可以包括布置或设置在不同的层上的下部初始化线143和上部初始化线163。如图7中所示，下部初始化线143可以包括与存储电容器Cst的第四电容器电极CE4相同或相似的材料，并且可以与第四电容器电极CE4定位或设置在相同的层上。如图9中所示，上部初始化线163可以包括与偏置电容器Cbias的第二电容器电极CE2相同或相似的材料，并且可以与第二电容器电极CE2定位或设置在相同的层上。
被定位或设置在第二栅极层GL2上的下部初始化线143和被定位或设置在第三栅极层GL3上的上部初始化线163可以彼此至少部分地重叠。下部初始化线143和上部初始化线163可以彼此电连接。例如，在本公开的精神和范围内，下部初始化线143和上部初始化线163可以在显示区域DA外部彼此接触，或者可以通过连接电极等彼此电连接。因为作为下部初始化线143的一部分G4a的第一部分和作为上部初始化线163的一部分G4b的第二部分可以是第四晶体管T4的第四栅极电极G4的组件，所以第四晶体管T4可以具有双栅极结构，所述双栅极结构包括分别位于半导体层上方和下方的控制电极。换句话说，作为下部初始化线143的一部分G4a的第一部分可以是第4-1个栅极电极，并且作为上部初始化线163的一部分G4b的第二部分可以是第4-2个栅极电极，并且因此第四晶体管T4的第四栅极电极G4可以采用包括第4-1个栅极电极和第4-2个栅极电极的双栅极结构。下部初始化线143可以具有如图7中所示的突起143P。当在垂直于基底的方向上观察时，突起143P可以完全覆盖第四半导体层的第四有源区A4，使得突起143P可以遮蔽第四有源区A4免受入射在基底的外表面上的外部光的影响。
补偿控制线CL还可以包括布置或设置在不同的层上的下部补偿控制线145和上部补偿控制线165。如图7中所示，被定位或设置在第二栅极层GL2上的下部补偿控制线145可以包括与存储电容器Cst的第四电容器电极CE4相同或相似的材料，并且可以与第四电容器电极CE4定位或设置在相同的层上。如图9中所示，第三栅极层GL3可以包括设置在第一电容器电极CE1上方的第二电容器电极CE2。如图9中所示，被定位或设置在第三栅极层GL3上的上部补偿控制线165可以包括与偏置电容器Cbias的第二电容器电极CE2相同或相似的材料，并且可以与第二电容器电极CE2定位或设置在相同的层上。
下部补偿控制线145和上部补偿控制线165可以至少部分地彼此重叠。下部补偿控制线145和上部补偿控制线165可以彼此电连接。例如，在本公开的精神和范围内，下部补偿控制线145和上部补偿控制线165可以在显示区域DA外部彼此接触，或者可以通过连接电极等彼此电连接。因为下部补偿控制线145的一部分G3a和上部补偿控制线165的一部分G3b可以是第三晶体管T3的第三栅极电极G3的组件，所以第三晶体管T3可以具有双栅极结构，所述双栅极结构包括分别设置在半导体层上方和下方的控制电极。下部补偿控制线145可以具有如图7中所示的突起145P。当在垂直于基底的方向上观察时，突起145P可以完全覆盖第三半导体层的第三有源区A3，使得突起145P可以遮蔽第三有源区A3免受入射在基底的外表面上的外部光的影响。
发光控制线EL还可以包括布置或设置在不同的层上的下部发光控制线136和上部发光控制线166。如图6中所示，被定位或设置在第一栅极层GL1上的下部发光控制线136可以包括与第一栅极电极G1相同或相似的材料，并且可以与第一栅极电极G1定位或设置在相同的层上。如图9中所示，被定位或设置在第三栅极层GL3上的上部发光控制线166可以包括与偏置电容器Cbias的第二电容器电极CE2相同或相似的材料，并且可以与第二电容器电极CE2定位或设置在相同的层上。详细地，上部发光控制线166和第二电容器电极CE2可以一体地形成为单个整体。
下部发光控制线136和上部发光控制线166可以至少部分地彼此重叠。下部发光控制线136和上部发光控制线166可以彼此电连接。例如，在本公开的精神和范围内，下部发光控制线136和上部发光控制线166可以在显示区域DA外部彼此接触，或者可以通过连接电极等彼此电连接。因为作为下部发光控制线136的一部分G7a的第三部分和作为上部发光控制线166的一部分G7b的第四部分可以是与第二有源层AL2重叠的部分，并且因此可以是第七晶体管T7的第七栅极电极G7的组件，所以第七晶体管T7可以具有双栅极结构，所述双栅极结构包括分别设置在半导体层上方和下方的控制电极。换句话说，作为下部发光控制线136的一部分G7a的第三部分可以是第7-1个栅极电极，并且作为上部发光控制线166的一部分G7b的第四部分可以是第7-2个栅极电极，并且第七晶体管T7的第七栅极电极G7可以采用包括第7-1个栅极电极和第7-2个栅极电极的双栅极结构。
像素电路可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、存储电容器Cst和偏置电容器Cbias。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6可以是各自包括硅半导体的薄膜晶体管。第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以是各自包括氧化物半导体的薄膜晶体管。
如图5中所示，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6的半导体层可以布置或设置在相同的层上，并且可以包括相同或相似的材料。例如，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6的半导体层可以包括多晶硅。如图5中所示，第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6的半导体层可以彼此电连接，并且可以以各种形状弯曲。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5和第六晶体管T6的半导体层中的每一个可以包括有源区以及位于有源区的两侧的源极区和漏极区。例如，源极区和漏极区可以掺杂有可以包括N型杂质或P型杂质的杂质。源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。源极区和漏极区可以根据晶体管的极性彼此互换。在下文中，可以使用源极区和漏极区替代源极电极和漏极电极。
第一晶体管T1可以包括第一半导体层和第一栅极电极G1。第一半导体层可以包括第一有源区A1以及分别位于第一有源区A1的两侧的第一源极区S1和第一漏极区D1。第一半导体层可以具有基本上弯曲的形状，并且因此第一有源区A1可以比其它第二有源区A2至第七有源区A7长。例如，第一半导体层可以通过具有经由弯曲动作获得的形状而在狭窄的空间内具有长的沟道，所述形状诸如
Figure BDA0002978376540000211
“S”、“M”或“W”。因为第一有源区A1可以是长的，所以施加到第一栅极电极G1的栅极电压的驱动范围可以加宽。因此，可以精确地控制由有机发光二极管OLED发射的光的灰度级，并且可以改善显示质量。作为示例，第一半导体层可以具有基本上直线的形状而不是弯曲的形状。第一栅极电极G1可以具有如图6中所示的基本上岛形状或隔离的形状，并且因此可以布置或设置为与第一有源区A1重叠。如上所述，第一栅极绝缘层可以设置在第一有源区A1与第一栅极电极G1之间。此外，如图6中所示，第一栅极层GL1可以包括设置在第一有源区A1上方的第一栅极电极G1。例如，如图2和图4至图11中所示，电流响应于施加到第一栅极电极G1的电压从第一有源区A1流到第一漏极区D1，以控制有机发光二极管OLED的亮度。
存储电容器Cst可以布置或设置为与第一晶体管T1重叠。存储电容器Cst可以包括第三电容器电极CE3和第四电容器电极CE4。第一栅极电极G1不仅可以用作第一晶体管T1的控制电极，而且可以用作存储电容器Cst的第三电容器电极CE3。换句话说，第一栅极电极G1和第三电容器电极CE3可以一体地形成为单个整体。存储电容器Cst的第四电容器电极CE4可以布置或设置为与第三电容器电极CE3重叠。因为第二栅极绝缘层可以如上所述地设置在第三电容器电极CE3与第四电容器电极CE4之间，所以第二栅极绝缘层可以用作存储电容器Cst的介电层。
第四电容器电极CE4可以包括开口SOP。开口SOP可以通过去除第四电容器电极CE4的一部分而形成，并且因此可以具有闭合形状。接触孔31可以被定位或设置在开口SOP内，接触孔31形成或设置在第二栅极绝缘层至第四栅极绝缘层和第一层间绝缘层中，并且因此将图10中所示的节点连接线171电连接到被定位或设置在图10中所示的节点连接线171下方的图6中所示的第一栅极电极G1。
邻近的或相邻的像素的第四电容器电极CE4可以通过桥141彼此电连接。桥141可以是从第四电容器电极CE4开始在第一方向DR1上的突出部，并且因此桥141和第四电容器电极CE4可以一体地形成为单个整体。
被定位或设置在第一源极漏极层SDL1中的节点连接线171可以经由接触孔31电连接到第三电容器电极CE3，并且还可以经由接触孔41电连接到第三晶体管T3的第三半导体层。第四电容器电极CE4可以经由接触孔38电连接到位于第四电容器电极CE4上方的被定位或设置在第一源极漏极层SDL1上的第一电源电压线172(PL1)，并且第一电源电压线172(PL1)可以经由接触孔62电连接到第二源极漏极层SDL2的第二电源电压线183。第一电源电压线172(PL1)和第二电源电压线183(PL2)可以各自在第二方向DR2上延伸。第四电容器电极CE4可以在第一方向DR1上延伸，并且因此可以在第一方向DR1上传输电源电压ELVDD。因此，显示区域DA中的第一电源电压线172(PL1)、第二电源电压线183(PL2)和第四电容器电极CE4在平面图中示出为具有网状结构。
第二晶体管T2可以包括第二半导体层和第二栅极电极G2。第二半导体层可以包括第二有源区A2以及分别设置在第二有源区A2的两侧的第二源极区S2和第二漏极区D2。第二源极区S2可以经由接触孔35电连接到位于第二源极区S2上方的被定位或设置在第一源极漏极层SDL1上的连接电极175，并且连接电极175可以经由接触孔61电连接到被定位或设置在第二源极漏极层SDL2上的数据线181，并且因此，第二源极区S2可以电连接到数据线181。第二漏极区D2可以电连接到第一晶体管T1的第一源极区S1。换句话说，将在后面描述的偏置电容器Cbias的第一电容器电极CE1可以包括与如图5中所示的第一半导体层或第二半导体层定位或设置在相同的层上的半导体层，并且因此第二漏极区D2可以经由第一电容器电极CE1电连接到第一晶体管T1的第一源极区S1。第二栅极电极G2可以是扫描线134的可以与第二半导体层重叠的部分。
第五晶体管T5可以包括第五半导体层和第五栅极电极G5。第五半导体层可以包括第五有源区A5以及分别设置在第五有源区A5的两侧的第五源极区S5和第五漏极区D5。第五源极区S5可以经由接触孔39电连接到第一电源电压线172(PL1)，并且第五漏极区D5可以电连接到第一源极区S1。第五栅极电极G5可以是下部发光控制线136的可以与第一有源层AL1重叠的部分。
第六晶体管T6可以包括第六半导体层和第六栅极电极G6。第六半导体层可以包括第六有源区A6以及分别设置在第六有源区A6的两侧的第六源极区S6和第六漏极区D6。第六源极区S6可以电连接到第一漏极区D1。第六漏极区D6可以经由接触孔37电连接到位于第六漏极区D6上方的被定位或设置在第一源极漏极层SDL1上的连接电极179，并且连接电极179可以经由接触孔63电连接到位于连接电极179上方的被定位或设置在第二源极漏极层SDL2上的连接电极185，并且连接电极185可以经由接触孔64电连接到被定位或设置在连接电极185上的有机发光二极管OLED的像素电极，并且因此，第六漏极区D6可以电连接到像素电极。第六栅极电极G6可以是下部发光控制线136的可以与第一有源层AL1重叠的部分。
如上所述，第二有源层AL2可以包括氧化物半导体。如图8中所示，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以包括第二有源层AL2的各部分作为它们的组件。
包括氧化物半导体的第二有源层AL2可以包括有源区以及分别设置在有源区的两侧的源极区和漏极区。例如，可以通过经由对氧化物半导体执行等离子体处理来增加氧化物半导体的载流子浓度以获得源极区和漏极区，所述等离子体处理使用基于氢(H)的气体、基于氟(F)的气体或它们的组合。源极区和漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。在下文中，可以使用源极区和漏极区替代源极电极和漏极电极。
第三晶体管T3可以包括第三栅极电极G3和包含氧化物半导体的第三半导体层。第三半导体层可以包括第三有源区A3以及分别设置在第三有源区A3的两侧的第三源极区S3和第三漏极区D3。第三源极区S3可以经由接触孔41电连接到节点连接线171，并且节点连接线171可以经由接触孔31电连接到第一栅极电极G1，并且因此，第三源极区S3可以电连接到第一栅极电极G1。第三源极区S3可以电连接到第四漏极区D4，第四漏极区D4与第三源极区S3布置或设置在相同的层上。第三漏极区D3可以经由接触孔45电连接到连接电极173，并且连接电极173可以经由接触孔33电连接到第一晶体管T1的第一半导体层和第六晶体管T6的第六半导体层，并且因此第三漏极区D3可以电连接到第一晶体管T1的第一半导体层和第六晶体管T6的第六半导体层。第三栅极电极G3可以包括上部补偿控制线165的与第二有源层AL2相交的部分G3b以及下部补偿控制线145的与第二有源层AL2相交的部分G3a。换句话说，第三栅极电极G3可以具有双栅极结构，所述双栅极结构包括分别位于半导体层上方和下方的控制电极。
第四晶体管T4可以包括第四栅极电极G4和包含氧化物半导体的第四半导体层。第四半导体层可以包括第四有源区A4以及分别设置在第四有源区A4的两侧的第四源极区S4和第四漏极区D4。第四源极区S4可以经由接触孔47电连接到位于第四源极区S4上方的被定位或设置在第一源极漏极层SDL1上的连接电极177，并且连接电极177可以经由接触孔36电连接到第一初始化电压线137，并且因此，第四源极区S4可以电连接到第一初始化电压线137。第四漏极区D4可以经由接触孔41电连接到节点连接线171，并且节点连接线171可以经由接触孔31电连接到第一栅极电极G1，并且因此第四漏极区D4可以电连接到第一栅极电极G1。第四栅极电极G4可以包括上部初始化线163的与第二有源层AL2相交的部分G4b以及下部初始化线143的与第二有源层AL2相交的部分G4a。换句话说，第四栅极电极G4可以具有双栅极结构，所述双栅极结构包括分别设置在半导体层上方和下方的控制电极。
第七晶体管T7可以包括第七半导体层和第七栅极电极G7。第七半导体层可以包括第七有源区A7以及分别设置在第七有源区A7的两侧的第七源极区S7和第七漏极区D7。第七源极区S7可以经由接触孔43电连接到位于第七源极区S7上方的被定位或设置在第一源极漏极层SDL1上的第二初始化电压线174。第七漏极区D7可以经由接触孔49电连接到连接电极179，并且连接电极179可以经由接触孔37电连接到第六漏极区D6，并且因此第七漏极区D7可以电连接到第六漏极区D6。第七栅极电极G7可以包括上部发光控制线166的与第二有源层AL2重叠的部分G7b以及下部发光控制线136的与第二有源层AL2重叠的部分G7a。换句话说，第七栅极电极G7可以具有双栅极结构，所述双栅极结构包括分别设置在半导体层上方和下方的控制电极。
偏置电容器Cbias可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。如图5中所示，第一电容器电极CE1可以被定位或设置在第一有源层AL1上。详细地，第一电容器电极CE1可以通过利用如上所述的杂质掺杂多晶硅层而获得。第一电容器电极CE1、第一晶体管T1的第一源极区S1和第五晶体管T5的第五漏极区D5可以一体地形成为单个整体。第二电容器电极CE2可以布置或设置为与第一电容器电极CE1重叠。如图9中所示，第二电容器电极CE2可以是被包括在发光控制线EL中的上部发光控制线166的一部分。换句话说，上部发光控制线166和第二电容器电极CE2可以一体地形成为单个整体。因为第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层可以设置在第一电容器电极CE1与第二电容器电极CE2之间，所以第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层可以用作偏置电容器Cbias的介电层。如图9中所示，第i行上的两个邻近的或相邻的像素可以共享第二电容器电极CE2。
因为根据实施例的显示装置可以包括偏置电容器Cbias，所以第一晶体管T1可以呈现为导通偏置状态，并且因此，不会发生滞回问题和步进效率问题，或者可以将滞回问题和步进效率问题的发生率最小化。因此，可以实现显示高质量图像的有机发光显示装置。如图5中所示，偏置电容器Cbias的第一电容器电极CE1可以包括第二有源层AL2的半导体层，并且因此第一电容器电极CE1可以与第一晶体管T1的第一半导体层或第二晶体管T2的第二半导体层定位或设置在相同的层上。因此，与其中第一电容器电极CE1可以形成或设置在单独的层上并且可以经由接触孔等电连接到第一晶体管T1的第一半导体层或第二晶体管T2的第二半导体层的情况相比，每个像素可以具有简单的结构。因为每个像素可以具有简单的结构，所以可以实现高分辨率有机发光显示装置。
如图9中所示，偏置电容器Cbias的第二电容器电极CE2可以包括与上部初始化线163、上部补偿控制线165和上部发光控制线166相同或相似的材料，并且可以与上部初始化线163、上部补偿控制线165和上部发光控制线166定位或设置在相同的层上。例如，第二电容器电极CE2和上部发光控制线166可以一体地形成为单个整体。因此，与其中第二电容器电极CE2可以形成或设置在单独的层上并且可以经由接触孔等电连接到上部发光控制线166或下部发光控制线136的情况相比，每个像素可以具有简单的结构。因为每个像素可以具有简单的结构，所以可以实现高分辨率有机发光显示装置。
图12是图4中所示的一些或预定数量的提取部分的布局图。如图12中所示，偏置电容器Cbias的第二电容器电极CE2可以不与被定位或设置在第二电容器电极CE2下方的存储电容器Cst的第四电容器电极CE4以及被电连接到第四电容器电极CE4的桥141重叠。然而，如图13中所示，偏置电容器Cbias的第二电容器电极CE2可以被定位或设置在可以覆盖存储电容器Cst的第四电容器电极CE4或者可以与存储电容器Cst的第四电容器电极CE4重叠的层上方，使得第二电容器电极CE2的一部分可以与第四电容器电极CE4的一部分重叠，图13是根据实施例的被包括在显示装置中的诸如晶体管和电容器的组件的一些或预定数量的层的布局图。详细地，第二电容器电极CE2的至少一些或预定数量的边缘可以与第四电容器电极CE4和电连接到第四电容器电极CE4的桥141重叠。
如上所述，偏置电容器Cbias可以使第一晶体管T1呈现为导通偏置状态。为此，通过最大地增加其中偏置电容器Cbias的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2可以彼此重叠的面积，偏置电容器Cbias需要具有足够的静电电容。详细地，使第二电容器电极CE2的至少一些或预定数量的边缘与第四电容器电极CE4和电连接到第四电容器电极CE4的桥141重叠，使得第二电容器电极CE2的一部分可以与第四电容器电极CE4的一部分重叠，并且因此可以使在显示装置的制造期间的公差等的影响最小化，并且还可以使偏置电容器Cbias的静电电容最大化。
尽管上面已经描述了有机发光显示装置，但是实施例不限于此。具有如上所述的结构的像素落入本公开的范围内。例如，当具有上面参照图2描述的像素电路或与上面参照图2描述的像素电路相似的像素电路的像素可以是这样的像素，在该像素中，偏置电容器Cbias的第一电容器电极CE1可以与第一晶体管T1的第一半导体层定位或设置在相同的层上，并且偏置电容器Cbias的第二电容器电极CE2可以与被包括在第四晶体管T4的第四栅极电极G4中的第二部分G4b定位或设置在相同的层上，这落入本公开的范围内。当然，具有这样的像素的显示装置落入本公开的范围内。
根据如上所述的本公开的实施例，可以实现能够实现能够进行高质量图像显示的高分辨率显示的像素以及包括所述像素的有机发光显示装置。当然，本公开的范围不限于此。
应当理解，本文中描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑，而不是为了限制的目的。对每个实施例内的各特征或各方面的描述通常应当被认为可以用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由本公开所限定的精神和范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种变化。

Claims (19)

1.一种像素，其中，所述像素包括：
有机发光二极管；
第一晶体管，所述第一晶体管响应于施加到第一节点的电压接收信号，并且控制从电连接到电源电压线的第二节点流到所述有机发光二极管的电流的量；
第四晶体管，所述第四晶体管电连接在所述第一节点和第一初始化电压线之间；以及
偏置电容器，所述偏置电容器电连接在所述第二节点和发光控制线之间，所述偏置电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，其中，
所述偏置电容器的所述第一电容器电极和所述第一晶体管的半导体层设置在相同的层上，并且
所述偏置电容器的所述第二电容器电极和被包括在所述第四晶体管的栅极电极中的第二部分设置在相同的层上。
2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：
第二晶体管，所述第二晶体管电连接在所述第二节点和数据线之间，并且通过扫描信号导通，
其中，所述第二电容器电极设置在与所述第二晶体管的栅极电极重叠的层上方。
3.根据权利要求1所述的像素，其中，
所述第四晶体管的所述栅极电极包括被定位在所述第二部分下方的第一部分，并且
所述第一部分和所述第一晶体管的栅极电极设置在相同的层上。
4.根据权利要求3所述的像素，其中，
所述第一晶体管的所述栅极电极设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，并且
所述第一部分设置在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上。
5.根据权利要求3所述的像素，其中，
所述第一晶体管的所述栅极电极设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，
所述第一部分被定位在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上，
所述第四晶体管的半导体层设置在所述第一部分上方，并且
所述第二电容器电极设置在与所述第四晶体管的所述半导体层重叠的层上。
6.根据权利要求5所述的像素，其中，
所述第一晶体管的所述半导体层包括硅半导体，并且
所述第四晶体管的所述半导体层包括氧化物半导体。
7.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：
第六晶体管，所述第六晶体管电连接在所述第一晶体管和所述有机发光二极管之间，并且通过施加到所述发光控制线的发光控制信号导通。
8.根据权利要求7所述的像素，其中，所述像素还包括：
第七晶体管，所述第七晶体管电连接在所述第六晶体管和第二初始化电压线之间，
其中，所述第二电容器电极和被包括在所述第七晶体管的栅极电极中的第四部分一体地形成为单个整体。
9.根据权利要求8所述的像素，其中，
所述第七晶体管的所述栅极电极包括被定位在所述第四部分下方的第三部分，
所述第三部分和所述第一晶体管的所述栅极电极设置在相同的层上，
所述第一晶体管的所述栅极电极设置在所述第一晶体管的所述半导体层上方，
所述第三部分被定位在与所述第一晶体管的所述栅极电极重叠的层上，
所述第七晶体管的半导体层设置在所述第三部分上方，并且
所述第二电容器电极设置在与所述第七晶体管的所述半导体层重叠的层上。
10.根据权利要求1所述的像素，其中，所述像素还包括：
存储电容器，所述存储电容器电连接在所述第一节点和所述电源电压线之间，其中，
所述存储电容器的第三电容器电极和所述第一晶体管的第一栅极电极一体地形成为单个整体，
所述存储电容器的第四电容器电极设置在所述第三电容器电极上方，
所述第二电容器电极设置在与所述第四电容器电极重叠的层上，并且
所述第二电容器电极的一部分与所述第四电容器电极的一部分重叠。
11.一种有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置包括：
基底；
第一有源层，所述第一有源层设置在所述基底上方并且包括：
第一源极区；
第一有源区，所述第一有源区与所述第一源极区相邻；
第一漏极区，所述第一漏极区与所述第一有源区相邻；以及
第一电容器电极，所述第一电容器电极电连接到所述第一源极区；
第一栅极层，所述第一栅极层包括设置在所述第一有源区上方的第一栅极电极；
第三栅极层，所述第三栅极层包括设置在所述第一电容器电极上方的第二电容器电极；以及
有机发光二极管，
其中，电流响应于施加到所述第一栅极电极的电压从所述第一有源区流到所述第一漏极区，以控制所述有机发光二极管的亮度。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一有源层包括：
第二源极区，所述第二源极区与所述第一有源区相邻；
第二漏极区，所述第二漏极区电连接到所述第一源极区；以及
第二有源区，所述第二有源区与所述第二漏极区相邻，并且所述第一栅极层包括第二栅极电极，所述第二栅极电极是扫描线的与所述第二有源区重叠的一部分。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅极层，所述第二栅极层包括第4-1个栅极电极，所述第4-1个栅极电极是下部初始化线的一部分并且设置在与所述第一栅极层重叠的层上；和
第二有源层，所述第二有源层设置在与所述第二栅极层重叠的层上，所述第二有源层包括与所述第4-1个栅极电极重叠的第四有源区，
其中，所述第三栅极层设置在与所述第二有源层重叠的层上，并且包括第4-2个栅极电极，所述第4-2个栅极电极是上部初始化线的一部分并且与所述第四有源区重叠。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一有源层包括硅半导体，并且
所述第二有源层包括氧化物半导体。
15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，
所述第一有源层包括：
第六源极区，所述第六源极区电连接到所述第一漏极区；
第六有源区，所述第六有源区与所述第六源极区相邻；以及
第六漏极区，所述第六漏极区与所述第六有源区相邻，
所述第一栅极层还包括与所述第六有源区重叠的第六栅极电极，所述第六栅极电极是被包括在发光控制线中的下部发光控制线的一部分，并且
所述有机发光二极管的像素电极电连接到所述第六漏极区。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中，
所述第二有源层包括第七有源区，
所述第一栅极层包括第7-1个栅极电极，所述第7-1个栅极电极是所述下部发光控制线的一部分并且与所述第七有源区重叠，
所述第三栅极层包括第7-2个栅极电极，所述第7-2个栅极电极与所述第七有源区重叠，
所述第7-2个栅极电极是被包括在所述发光控制线中的上部发光控制线的一部分，并且
所述第7-2个栅极电极和所述第二电容器电极一体地形成为单个整体。
17.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置还包括：第三电容器电极，所述第三电容器电极和所述第一栅极电极一体地形成为单个整体，
其中，所述第二栅极层包括与所述第三电容器电极重叠并且电连接到电源电压线的第四电容器电极。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述第二电容器电极的一部分与所述第四电容器电极的一部分重叠。
19.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述第一源极区和所述第一电容器电极一体地形成为单个整体。
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