CN113555516A - 封装盖板、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种封装盖板以及其制备方法，还涉及包含有该封装盖板的显示面板和显示装置。封装盖板包括盖板、黑矩阵和彩膜、平坦层、以及设置在平坦层上的第一辅助电极单元。第一辅助电极单元包括导光柱和第一辅助电极，导光柱形成在平坦层表面且与彩膜层的位置对应，在远离平坦层的方向上宽度渐缩形成倾斜的侧壁；第一辅助电极位于相邻导光柱的间隙内，其具有形成在平坦层表面与黑矩阵的位置对应的第一段和形成在导光柱的倾斜侧壁的第二段。第一辅助电极具有较大的面积，封装盖板与显示基板压合时，可避免较大压合力使电极产生损伤脆裂而影响导电效果，此外还可以辅助光反射，约束出光线路，防止像素侧向漏光。

Description

封装盖板、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种封装盖板，还涉及包含有该封装盖板的显示面板和显示装置。

背景技术

近年来，有机电致发光显示器(OLED)是近年来逐渐发展起来的显示照明装置，尤其在显示行业，由于其具有高响应、高对比度、可柔性化等优点，被视为拥有广泛的应用前景。尤其是顶发射OLED器件，由于具有更高的开口率和利用微腔效应实现光取出优化等优点，成为研究的主要方向。对于顶发射结构，作为OLED出光面的顶电极必须具备良好的光透过率。目前，顶发射透明电极使用的多为薄金属、ITO、IZO等材料，其中金属由于透过率较差，薄化后作为大面积电极使用容易造成电阻增大，不利于大尺寸器件的开发。

在封装盖板上制作辅助电极也是现有技术中的一种增加电极导电性的一种方式。由于辅助电极多为金属、ITO等硬质材料，在封装压合时，与背板电极接触容易由于压力过大而在折角较大的拐点产生脆裂，造成电极断开或虚接，使器件整体电阻值达不到预期效果。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种封装盖板，还提供了包含有该封装盖板的显示面板和显示装置，以解决现有技术中存在的辅助电极与背板电极接触容易由于压力过大而易产生脆裂，造成电极断开或虚接的技术问题。

为了实现上述目的，根据发明实施例的一个方面，提供了一种封装盖板。

根据本发明实施例第一方面的封装盖板，其包括盖板、形成在所述盖板上的黑矩阵和彩膜层、覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层的平坦层、以及设置在所述平坦层上的第一辅助电极单元，所述第一辅助电极单元包括：

导光柱，形成在所述平坦层背离所述盖板的一侧，且所述导光柱与所述彩膜层在所述盖板上的正投影交叠，所述导光柱在远离所述平坦层的方向上宽度渐缩形成倾斜的侧壁；

第一辅助电极，位于相邻导光柱的间隙内，其具有形成在平坦层的第一段和形成在所述导光柱的倾斜侧壁的第二段，所述第一段与所述黑矩阵在所述盖板上的正投影交叠。

在一些最优选实施例中，所述导光柱的表面分布有若干背离所述平坦层的凸起部，所述导光柱用于将所述显示基板射向所述盖板的光线收拢。

在一些最优选实施例中，所述凸起部的形状为球形、椭球形或锥形。

在一些最优选实施例中，所述导光柱的长度或宽度尺寸为30-50μm，所述导光柱的高度尺寸为20-50μm。

在一些最优选实施例中，所述第一辅助电极材料可反射光线的金属，所述第一辅助电极的厚度为10-300nm。

在一些最优选实施例中，所述的封装盖板还包括第二辅助电极单元，所述第二辅助电极单元包括：

隔垫柱，其材质为光阻材料，在所述黑矩阵的位置贯穿所述平坦层，其一端与所述黑矩阵连接，另一端伸出所述平坦层；

第二辅助电极，被包覆在所述黑矩阵内；

辅助导电柱，被包覆在所述隔垫柱内，其一端与所述第二辅助电极连接，另一端露出所述隔垫柱背离所述黑矩阵的端面。

在一些最优选实施例中，所述隔垫柱的材质为黑色光刻胶。

在一些最优选实施例中，所述隔垫柱和/或所述第二辅助电极在所述盖板上的正投影位于所述黑矩阵在所述盖板上的正投影内。

在一些最优选实施例中，所述隔垫柱的高度为2-5μm，直径为15-20μm，所述辅助导电柱直径为10-15μm。

在一些最优选实施例中，所述第二辅助电极厚度为10-300nm，所述第二辅助电极的宽度尺寸为所述黑矩阵的的50％-80％。

在一些最优选实施例中，所述第一辅助电极单元分布在所述封装盖板的中部区域，所述第二辅助电极结构分布在所述封装盖板的边缘区域。

为了实现上述目的，根据发明实施例的第二个方面，还提供了一种显示面板，该显示面板包括本发明实施例第一方面提供封装盖板。

为了实现上述目的，根据发明实施例的第三个方面，还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例第二方面提供显示面板。

采用本发明实施例提供封装盖板，第一辅助电极包括形成在平坦层表面的第一段和形成在所述导光柱的倾斜侧壁的第二段，具有较大的表面积，封装盖板与显示基板压合时，与传统辅助电极相比，第一辅助电极与像素界定层部分的顶电极接触导电，可避免较大压合力使电极产生损伤脆裂而影响导电效果，此外第一辅助电极倾斜设置的第二段还可以辅助光反射，约束出光线路，防止像素侧向漏光。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为相关技术中显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例1提供的封装盖板的结构示意图；

图3为本发明实施例1提供的封装盖板形成的显示面板的结构示意图；

图4为图3中显示面板的部分出光路径示意图；

图5-图9为本发明实施例1提供的封装盖板在制备过程中各工艺阶段对应的器件结构图；

图10为本发明实施例2提供的一种封装盖板的结构示意图；

图11为本发明实施例2提供的另一种封装盖板的结构示意图；

图12为本发明实施例2提供的封装盖板形成的显示面板的结构示意图；以及

图13-图16为本发明实施例2提供的封装盖板在制备过程中各工艺阶段对应的器件结构图；以及

图17为本发明实施例3提供的封装盖板的平面结构示意图。

图中：

10、封装盖板；

11、盖板；12、黑矩阵；13、彩膜层；14、平坦层；15、隔离柱；16、辅助电极层；

17、第一辅助电极单元；171、导光柱；1711、凸起部；172、第一辅助电极；1721、第一段；1722、第二段；

18、第二辅助电极单元；181、隔垫柱；182、第二辅助电极；183、辅助导电柱；1831、膨大部；

19、通孔；

20、显示基板；

21、驱动基板；22、像素界定层；23、发光层；24、顶电极。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其单元。

在本申请中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本申请及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。

并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本申请中的具体含义。

此外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

对于顶发射结构，作为出光面OLED的顶电极必须具备良好的光透过率。目前，顶发射透明电极使用的多为薄金属、ITO、IZO等材料，其中金属由于透过率较差，薄化后作为大面积电极使用容易造成电阻增大，不利于大尺寸器件的开发。ITO、IZO等透明度高的材料，在低温制程下，其本身的导电性能弱于金属，因此现有技术中，将金属作为辅助电极，采用光刻的方法制作在背板非发光区域，提高顶电极的整体导电性，达到降低电阻的作用。但是这种光刻技术需要复杂的工艺，涉及多道掩膜板和曝光工序，而且由于其需要高温、光刻胶冲刷等工艺特点，会对OLED器件发光层的损害，不适合作为量产手段。

为避免上述制作工艺中存在的问题，在相关技术中，为了增加OLED显示面板中的电极导电性，常采用在封装盖板上制作辅助电极层的方式来实现。如图1所示，给出了一种显示面板的结构示意图，该显示面板可以包括封装盖板10和显示基板20，封装盖板10和显示基板20对盒设置。

显示基板20可以包括驱动基板21、像素界定层22(Pixel Define Layer，PDL)、发光层23和顶电极24。驱动基板21朝向封装盖板10的一侧设置有像素界定层22，像素界定层22限定出像素区域。像素界定层22背离驱动基板21的一侧设置有发光层23，发光层23背离驱动基板21的一侧设置有顶电极24。驱动基板21可以包括底电极(图中未示出)，底电极位于像素区域，底电极可以为阳极，顶电极24可以为阴极。位于像素区域的底电极、发光层23和顶电极24可以形成OLED器件，OLED器件在底电极和顶电极24的电压作用下发光进行显示。

封装盖板10可以包括盖板11、设置在盖板11一侧的黑矩阵12(Black Matric，BM)和彩膜层13(Color Film，CF)。黑矩阵12与像素界定层22对应设置。彩膜层13可以包括红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜。彩膜层13背离盖板11的一侧设置有平坦层14，平坦层14背离盖板11的一侧设置有隔离柱15，隔离柱15与黑矩阵12对应设置。隔离柱15以及平坦层14背离盖板11的一侧设置有辅助电极层16，辅助电机层覆盖在隔离柱15的表面和相邻隔离柱15之间的平坦层14表面。

在封装盖板10和显示基板20的封装过程中，使隔离柱15挤压封装胶材，使得封装盖板10的辅助电极层16与显示基板20的顶电极24接触。图1中所示的在封装盖板10上制作辅助电极的技术方案是一种增加电极导电性的方式，但是由于辅助电极多为金属、ITO等硬质材料，在封装盖板10和显示基板20封装压合时，辅助电极层16和顶电极24的接触形式表现为凸起挤压接触凸起，二者接触容易由于压力过大而在折角较大的拐点产生脆裂，造成电极断开或虚接，使器件整体电阻值达不到预期效果。另外，对于图1中的顶发射OLED器件而言，光取出效率的提升也是器件必须考虑的因素，由于辅助电极层16多为导电性良好的金属材料，在封装压合完成后，OLED发出的光在辅助电极发生反射，反射光遇金属电极后会再次反射，从周边其他开口区射出，发生混色现象，影响了产品显示效果。

基于此，为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了实施例1-3的盖板11结构，可用于OLED显示面板中。

实施例1

如图2-4所示，本实施例提供的封装盖板10包括盖板11、形成在所述盖板11上的黑矩阵12和彩膜层13、覆盖所述黑矩阵12和所述彩膜层13的平坦层14、以及设置在所述平坦层14上的第一辅助电极单元17，彩膜层13包括红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜，黑矩阵12和彩膜层13间隔排列。其中，所述第一辅助电极单元17包括导光柱171和第一辅助电极172，导光柱171形成在所述平坦层14背离盖板11的一侧且与所述彩膜层13的位置对应，即所述导光柱171与所述彩膜层13在所述盖板11上的正投影交叠，导光柱171在远离所述平坦层14的方向上宽度渐缩形成倾斜的侧壁；第一辅助电极172位于相邻导光柱171的间隙内，其具有形成在平坦层14表面与所述黑矩阵12的位置对应的第一段1721和形成在所述导光柱171的倾斜侧壁的第二段1722，，所述第一段1721与所述黑矩阵12在所述盖板11上的正投影交叠。在封装盖板10的截面图中，每一个第一辅助电极172处的形状为凹槽结构形式，第一段1721为凹槽结构的槽底，两侧的第二段1722为凹槽结构的槽壁，凹槽结构的开口处的宽度大于槽底的宽度，该形状与显示基板20上像素界定层22部分对应的顶电极24的形状相匹配。具体地，显示基板20上像素界定层22部分对应的顶电极24的形状为上凸的结构，其具有与像素界定层22表面平行的顶面和沿像素界定层22倾斜侧壁设置的倾斜侧面。在封装盖板10与显示基板20装配的状态下，第一辅助电极172的第一段1721与顶电极24的顶面接触连接，第一辅助电极172的第二段1722与顶电极24的侧面接触连接。第一辅助电极172的第二段1722的形状可以为平面或弧面，实现与对应的顶电极24形状匹配为原则，本领域技术人员可以根据需要进行设计和选择。

采用本实施例提供封装盖板10，第一辅助电极172包括形成在平坦层14表面的第一段1721和形成在所述导光柱171的倾斜侧壁的第二段1722，相较于传统的凸起顶端挤压接触凸起顶端的接触方式，本实施例的方案具有较大的接触表面积，封装盖板10与显示基板20压合时，属于凸起与凹槽的配合形式，与传统辅助电极层16相比，第一辅助电极172与像素界定层22部分对应的顶电极24接触导电，可避免较大压合力使电极产生损伤脆裂而影响导电效果。

此外，第一辅助电极172倾斜设置的第二段1722还可以辅助光反射，如图4所示。当显示基板20射出的光线射向第一辅助电极172的第二段1722时，由于其特定的倾斜方式，使得反射光线会向上方偏转进入到彩膜层13，从而约束出光线路，降低像素侧向漏光。

在本实施例的封装盖板10中，导光柱171为导光材质，其可以由诸如丙烯酸类物质、苯并环丁烯、聚酰亚胺和氟树脂的有机材料通过光刻工艺制造。在封装盖板10与显示基板20处于压合状态时，导光柱171位于与显示基板20的像素对应的位置，即导光柱171会位于相邻的像素界定层22之间的间隔内。

优选地，如图2-4所示，在所述导光柱171背离所述盖板11的表面上分布有若干背离所述平坦层14的凸起部1711，具有该凸起部1711的所述导光柱171用于将所述显示基板20射向所述盖板11的光线收拢，通过阵列排布的凸起部1711，使得摄入的光线经过多次的反射和折射偏转更多从顶部射出，加强了器件光取出效率。此外凸起部1711还可以与上述实施例中的第一辅助电极172的第二段1722形成配合，经过凸起部1711偏转射向第一辅助电极172的关系会经过其反射，向彩膜层13的方向偏转射出导光柱171，进一步提升器件光取出效率。

其中，所述凸起部1711的形状可以为球形、椭球形或锥形，锥形的具体形式包括但不限于四棱锥、圆锥或三棱锥。

在本实施例的封装盖板10中，所述导光柱171与平坦层14连接处的底部长度或宽度尺寸应不大于像素长宽度，优选为30-50μm；所述导光柱171的高度尺寸应不大于封装盖板10与显示基板20压合后器件的盒厚，优选为20-50μm。

在本实施例的封装盖板10中，所述第一辅助电极172材料可反射光线的金属，包括但不限于为Mg、Ag、Mo、Nd、Al及其合金，可以通过物理沉积(PVD)的方式形成在导光柱171的侧面及间隙处的平坦层14上，所述第一辅助电极172的厚度优选为10-300nm。

在本实施例的封装盖板10中，其中，多个彩膜层13可间隔设置在封装盖板10上且呈阵列排布，相邻彩膜层13分别覆盖黑矩阵12的边缘区域，从而暴露黑矩阵12的中间区域。而平坦层14覆盖黑矩阵12的中间区域和各彩膜层13；其中，该平坦层14可以由具有弹性的树脂材料形成，例如苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯基树脂等，该平坦层14的厚度优选为1μm-2μm，但不限于此。

本实施例还提供了一种封装盖板10的制作方法，该封装盖板10为实施例1所描述的封装盖板10，如图5-9所示，该封装盖板10的制作方法可包括如下的步骤1-步骤3。

步骤1，如图5所示，在盖板11上形成黑矩阵12和彩膜层13。

具体地，可通过曝光、显影等方式在盖板11上依次地形成黑矩阵12及彩膜层13。例如在盖板11的一侧涂覆黑矩阵12薄膜，然后对黑矩阵12薄膜进行图案化处理，形成黑矩阵12，其中黑矩阵12与显示基板20中像素界定层22的位置相对应；在黑矩阵12背离盖板11的一侧形成彩膜层13，彩膜层13可以包括红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜，其中在黑矩阵12背离盖板11的一侧形成红色彩膜薄膜，再对红色彩膜薄膜进行图案化处理，在对应区域形成红色彩膜。绿色彩膜和蓝色彩膜的形成过程与红色彩膜的形成过程相同，在此不再赘述。

步骤2，如图6所示，形成覆盖所述黑矩阵12和所述彩膜层13的平坦层14。

具体地，可通过旋涂或分切的方式在盖板11上形成覆盖黑矩阵12和彩膜层13的平坦层14。

步骤3，在所述平坦层14上形成第一辅助电极单元17，所述第一辅助电极单元17包括导电柱和第一辅助电极172。导光柱171形成在所述平坦层14表面且与所述彩膜层13的位置对应，其在远离所述平坦层14的方向上宽度渐缩形成倾斜的侧壁；第一辅助电极172位于相邻导光柱171的间隙内，其具有形成在平坦层14表面与所述黑矩阵12的位置对应的第一段1721和形成在所述导光柱171的倾斜侧壁的第二段1722。

首先在平坦层14的表面将形成导光柱171的有机材料通过采用旋涂方式形成如图7所示的膜层，将光致抗蚀剂以恒定的厚度涂覆到形成的膜层上，通过光刻对膜层进行图案化形成导光柱171的主体以及形成在导光柱171主体之间的空隙，对应结构如图8所示，然后在导光柱171的主体的端面形成若干阵列排布的凸起部1711，对应结构如图9所示。凸起部1711的形成方式可以为光刻工艺，但不限于此。当调节在光刻工艺下要执行的热处理工艺时，凸起部1711的形态可被调节，通过涂覆光刻胶，并且用光刻工艺将光刻胶图案化成凸形状，然后执行热处理。在这种情况下，凸起部1711的形状可以在非一次性执行热处理、而是在两个步骤中逐步执行热处理时形成。例如，在大约200℃至大约250℃的温度范围内执行最终热处理之前，应当首先在大约100℃至130℃的温度范围内执行中间热处理。在这种情况下，用于执行中间热处理的时间与凸起部1711的形态有关。随着用于执行中间热处理的时间增加，凸起部1711的最终形成形态增多。

然后可以采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)的方式将第一辅助电极172的材料沉积在器件的表面，以形成如图9所示的第一辅助电极172，该第一辅助电极172在覆盖导光柱171侧壁的同时，还覆盖相邻导光柱171之间的平坦层14。该第一辅助电极172可采用金属镁(Mg)、金属银(Ag)、金属钼(Mo)、金属钕(Nd)、金属铝(Al)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等材料制成，但不限于此。

采用本实施例上述的制备方法制得的封装盖板10，相较于传统的凸起顶端挤压接触凸起顶端的接触方式，第一辅助电极单元17具有较大的接触表面积，封装盖板10与显示基板20压合时，属于凸起与凹槽的配合形式，与传统辅助电极层16相比，第一辅助电极172与像素界定层22部分对应的顶电极24接触导电，可避免较大压合力使电极产生损伤脆裂而影响导电效果。此外，第一辅助电极172倾斜设置的第二段1722还可以辅助光反射，当显示基板20射出的光线射向第一辅助电极172的第二段1722时，由于其特定的倾斜方式，使得反射关系会向上方偏转进入到彩膜层13，从而约束出光线路，降低像素侧向漏光。

实施例2

如图10-12所示，本实施例提供的封装盖板10包括盖板11、形成在所述盖板11上的黑矩阵12和彩膜层13、覆盖所述黑矩阵12和所述彩膜层13的平坦层14、以及第二辅助电极单元18，彩膜层13包括红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜，黑矩阵12和彩膜层13间隔排列。其中，所述第二辅助电极单元18包括隔垫柱181、第二辅助电极182和辅助导电柱183。隔垫柱181的材质为光阻材料，在所述黑矩阵12的位置贯穿所述平坦层14，其一端与所述黑矩阵12连接，另一端伸出所述平坦层14；第二辅助电极182被包覆在所述黑矩阵12内；辅助导电柱183被包覆在所述隔垫柱181内，其一端与所述第二辅助电极182连接，另一端露出所述隔垫柱181背离所述黑矩阵12的端面。隔垫柱181形成在平坦层14上且其位置与黑矩阵12的位置对应，辅助导电柱183露出隔垫柱181的一端用于与显示基板20上的顶电极24接触，以实现第二辅助电极182与顶电极24的电性连接。

在上面的实施例中，一方面，隔垫柱181以及黑矩阵12均为光阻材料，第二辅助电极182被黑矩阵12覆盖，辅助导电柱183被隔垫柱181覆盖，在封装压合完成后，OLED发出的光不会被第二辅助电极182形成反射，可以避免光线从周边其他开口区射出，发生混色现象；第二方面，第二辅助电极182和辅助导电柱183被包覆在黑矩阵12和隔垫柱181内部，可以起到物理防护的作用，可以降低第二辅助电极182和辅助导电柱183发生物理损伤的风险。

需要说明的是，隔垫柱181在盖板11上的正投影应当位于黑矩阵12在盖板11的正投影内，这样使得该黑矩阵12可完全遮挡住隔垫柱181，以避免用户透过彩膜层13观看到隔垫柱181的情况。此外，第二辅助电极182在盖板11上的正投影应当位于黑矩阵12在盖板11的正投影内，辅助导电柱183在盖板11上的正投影位于隔垫柱181在盖板11的正投影内，以满足黑矩阵12能够包覆第二辅助电极182、隔垫柱181能够包覆辅助电极柱的发明目的。

如图10-12所示，隔垫柱181伸出平坦层14后其直径明显大于在平坦层14的部分，以使得隔垫柱181的一部分可以覆盖在平坦表面，增加隔垫柱181的连接强度，并且在压合过程中，隔垫柱181受到的挤压力可以同时传递至平坦层14和黑矩阵12，分散转移挤压应力，使得器件结构更加稳定。

在本实施例的封装盖板10中，所述黑矩阵12和隔垫柱181的材质优选为黑色光刻胶。隔垫柱181的高度尺寸优选为2-5μm，直径优选为15-20μm，但不限于此；黑矩形的厚度优选为1-2μm，长度或宽度尺寸优选为20μm-100μm。

在本实施例的封装盖板10中，所述第二辅助电极182和辅助导电柱183的材料包括但不限于Mg、Ag、Mo、Nd、Al等，上述材料通过物理沉积(PVD)的方式形成第二辅助电极182和辅助导电柱183。第二辅助电极182的厚度优选为10-300nm，形成宽度尺寸为黑矩阵12的50％-80％的网格结构；辅助导电柱183直径优选为10-15μm，高度为第二辅助电极182到隔垫柱181顶部距离。可以保证第二辅助电极182具有一定面积，确保了导电性。

优选的，如图11所示，平坦层14背离盖板11一侧的辅助导电柱183部分平行于平坦层14的截面面积增加，形成一膨大部1831，该膨大部1831的设置可以增强辅助导电柱183的稳固性，防止在封装压合时辅助导电柱183发生折断。

本实施例还提供了一种封装盖板10的制作方法，该封装盖板10为实施例2所描述的封装盖板10，如图13-16所示，该封装盖板10的制作方法可包括如下的步骤1-步骤4。

步骤1，如图13所示，在盖板11上形成第二辅助电极182。

具体的，在盖板11上黑矩阵12的预设位置的中央制作第二辅助电极182，可以采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)的方式将第二辅助电极182的材料沉积在盖板11的表面，以形成第二辅助电极182，该第二辅助电极182可采用金属镁(Mg)、金属银(Ag)、金属钼(Mo)、金属钕(Nd)、金属铝(Al)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等材料制成，但不限于此。

步骤2，如图14所示，制作黑矩阵12和彩膜层13。

具体地，可通过曝光、显影等方式在盖板11上依次地形成黑矩阵12及彩膜层13。例如在盖板11的一侧涂覆黑矩阵12薄膜，然后对黑矩阵12薄膜进行图案化处理，形成黑矩阵12，其中黑矩阵12与显示基板20中像素界定层22的位置相对应；在黑矩阵12背离盖板11的一侧形成彩膜层13，彩膜层13可以包括红色彩膜、绿色彩膜和蓝色彩膜，其中在黑矩阵12背离盖板11的一侧形成红色彩膜薄膜，再对红色彩膜薄膜进行图案化处理，在对应区域形成红色彩膜。绿色彩膜和蓝色彩膜的形成过程与红色彩膜的形成过程相同，在此不再赘述。

步骤3，如图15和16所示，形成覆盖所述黑矩阵12和所述彩膜层13的平坦层14。

具体地，可通过旋涂的方式在盖板11上形成覆盖黑矩阵12和彩膜层13的平坦层14；然后在对应隔垫柱181的预设位置通过刻蚀在平坦层14和黑矩阵12形成如图16所示的通孔19，该通孔19从平坦层14的表面贯穿至第二辅助电极182的表面。

步骤4，如图16所示，形成辅助导电柱183和隔垫柱181。

具体的，通孔19内的中央制作辅助导电柱183，可以采用PVD(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)的方式将辅助导电柱183的材料沉积在第二辅助电极182的表面，以形成辅助导电柱183，该辅助导电柱183可采用金属镁(Mg)、金属银(Ag)、金属钼(Mo)、金属钕(Nd)、金属铝(Al)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等材料制成，但不限于此。在平坦层14的表面以及通孔19内将形成隔垫柱181的有机材料通过采用旋涂方式形成膜层，然后对该膜层进行图案化处理，形成隔垫柱181。

采用本实施例上述的制备方法制得的封装盖板10，隔垫柱181以及黑矩阵12均为光阻材料，第二辅助电极182被黑矩阵12覆盖，辅助导电柱183被隔垫柱181覆盖，在封装压合完成后，OLED发出的光不会被第二辅助电极182形成反射，可以避免光线从周边其他开口区射出，发生混色现象。第二辅助电极182和辅助导电柱183被包覆在黑矩阵12和隔垫柱181内部，也可以起到物理防护的作用，可以降低第二辅助电极182和辅助导电柱183发生物理损伤的风险。

实施例3

如图17所示，本实施例提供的封装盖板10包括多个辅助电极单元，各辅助电极单元可阵列排布，其中辅助电极单元既包括实施例1中的第一辅助电极单元17又包括实施例2中的第二辅助电极单元18。即所述第一辅助电极单元17包括导光柱171和第一辅助电极172，导光柱171形成在所述平坦层14表面且与所述彩膜层13的位置对应，其在远离所述平坦层14的方向上宽度渐缩形成倾斜的侧壁；第一辅助电极172位于相邻导光柱171的间隙内，其具有形成在平坦层14表面与所述黑矩阵12的位置对应的第一段1721和形成在所述导光柱171的倾斜侧壁的第二段1722。所述第二辅助电极单元18包括隔垫柱181、第二辅助电极182和辅助导电柱183。隔垫柱181的材质为光阻材料，在所述黑矩阵12的位置贯穿所述平坦层14，其一端与所述黑矩阵12连接，另一端伸出所述平坦层14；第二辅助电极182被包覆在所述黑矩阵12内；辅助导电柱183被包覆在所述隔垫柱181内，其一端与所述第二辅助电极182连接，另一端露出所述隔垫柱181背离所述黑矩阵12的端面。

由于第二辅助电极单元18由于隔垫柱181的存在，其高度尺寸会大于第一辅助电极单元17，由于现有压合工艺的原因，生产实践中，封装面板与显示基板20压合后所形成的的显示面板，边缘部分会有翘起现象，导致显示面板中部的厚度小于边缘部分的厚度，对于越大尺寸的显示面板而言，该问题越突出。鉴于此，所述第一辅助电极单元17分布在所述封装盖板10的中部区域，所述第二辅助电极182结构分布在所述封装盖板10的边缘区域，以适应显示面板中部薄边缘厚的结构特点。

本实施例中的第一辅助电极单元17参考实施例1的相关描述，第二辅助电极单元18参考实施例2的相关描述，此处不再赘述。应当理解的是，本实施例的封装面板也应当同时具备实施例1和实施例2的技术效果。在具体制备阶段，封装盖板区域的第一辅助电极单元17和第二辅助电极单元18可以同步形成，也可以分阶段制备形成，具体可以根据实际的生产设计需要来进行相应的调整和变化，本发明不做过多限制和约束。

本发明实施例还提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板采用了本发明实施例提供的封装盖板10。

显示面板如图3和图12所示，显示面板包括显示基板20和封装盖板10。显示基板20包括驱动基板、形成在所述驱动基板上的像素界定层22、形成在所述像素界定层22上的发光层23、以及形成在所述发光层23上的顶电极24；封装盖板10为实施例1-3中的任意一种封装盖板10。封装盖板10上的所述第一辅助电极172和第二辅助电极182均与所述像素界定层22所在的位置相对，且与所述顶电极24接触。

本申请实施例提供的显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管(OLED)面板、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本申请实施例所公开的显示装置由于包括上述实施例提供的封装盖板10，因此具有封装盖板10的显示面板和显示装置也具有上述所有的技术效果，在此不再一一赘述。显示面板和显示装置的其他构成、原理以及制备方法对于本领域的普通技术人员来说是可知的，在此不再详细描述。

本说明书中部分实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

以上仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种封装盖板，其特征在于，包括盖板、形成在所述盖板上的黑矩阵和彩膜层、覆盖所述黑矩阵和所述彩膜层的平坦层、以及设置在所述平坦层上的第一辅助电极单元，所述第一辅助电极单元包括：

导光柱，形成在所述平坦层背离所述盖板的一侧，且所述导光柱与所述彩膜层在所述盖板上的正投影交叠，所述导光柱在远离所述平坦层的方向上宽度渐缩形成倾斜的侧壁；

第一辅助电极，位于相邻导光柱的间隙内，其具有形成在所述平坦层表面的第一段和形成在所述导光柱的倾斜侧壁的第二段，所述第一段与所述黑矩阵在所述盖板上的正投影交叠。

2.根据权利要求1所述的封装盖板，其特征在于，所述导光柱的表面分布有若干背离所述平坦层的凸起部，所述导光柱用于将显示基板射向所述盖板的光线收拢。

3.根据权利要求2所述的封装盖板，其特征在于，所述凸起部的形状为球形、椭球形或锥形。

4.根据权利要求1所述的封装盖板，其特征在于，所述导光柱的长度或宽度尺寸为30-50μm，所述导光柱的高度尺寸为20-50μm。

5.根据权利要求1所述的封装盖板，其特征在于，所述第一辅助电极材料可反射光线的金属，所述第一辅助电极的厚度为10-300nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的封装盖板，其特征在于，还包括第二辅助电极单元，所述第二辅助电极单元包括：

隔垫柱，其材质为光阻材料，在所述黑矩阵的位置贯穿所述平坦层，其一端与所述黑矩阵连接，另一端伸出所述平坦层；

第二辅助电极，被包覆在所述黑矩阵内；

辅助导电柱，被包覆在所述隔垫柱内，其一端与所述第二辅助电极连接，另一端露出所述隔垫柱背离所述黑矩阵的端面。

7.根据权利要求6所述的封装盖板，其特征在于，所述隔垫柱的材质为黑色光刻胶。

8.根据权利要求6所述的封装盖板，其特征在于，所述隔垫柱和/或所述第二辅助电极在所述盖板上的正投影位于所述黑矩阵在所述盖板上的正投影内。

9.根据权利要求6所述的封装盖板，其特征在于，所述隔垫柱的高度为2-5μm，直径为15-20μm，所述辅助导电柱直径为10-15μm。

10.根据权利要求6所述的封装盖板，其特征在于，所述第二辅助电极厚度为10-300nm，所述第二辅助电极的宽度尺寸为所述黑矩阵的的50％-80％。

11.根据权利要求6所述的封装盖板，其特征在于，所述第一辅助电极单元分布在所述封装盖板的中部区域，所述第二辅助电极结构分布在所述封装盖板的边缘区域。

12.一种显示面板，其特征在于，包括：

显示基板，包括驱动基板、形成在所述驱动基板上的像素界定层、形成在所述像素界定层上的发光层、以及形成在所述发光层上的顶电极；

如权利要求1至11中任一项所述的封装盖板，所述第一辅助电极与所述像素界定层所在的位置相对，且与所述顶电极接触。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示面板。

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