CN113547446A - 研磨速率的修正方法 - Google Patents
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Abstract
一种研磨速率的修正方法，包括：提供标准研磨曲线P标以及标准平均研磨速率R标；获取P标对应的标准压力F标，以及研磨垫整理器在研磨垫不同区域的标准停留时间T1标～Tn标，n为大于等于1的自然数；对待修整研磨垫进行第一次测试，获得第一研磨速率曲线P1以及第一平均研磨速率R1；根据F标、R标以及R1获得第一压力F1；根据T1标～Tn标、P标以及P1，获得研磨垫整理器在待修整研磨垫不同区域的第一停留时间T1～Tn；采用第一压力F1以及第一停留时间T1～Tn，对所述待修整研磨垫进行修整，得到修整后的研磨垫。本发明实施例提供的研磨速率的修正方法，方便快速地对研磨垫进行修整，使研磨速率曲线和研磨速率修正到理想状态，并且提高了晶圆研磨试运行的成功率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种研磨速率的修正方法。
背景技术
晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高。化学机械研磨(chemicalmechanical polish，CMP)是一种常见的用于使器件表面实现全局平坦化的工艺手段，该技术综合了化学研磨(表面精度较高，损伤低，完整性好，不容易出现表面/亚表面损伤)和机械研磨(研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高)的优势，可以实现纳米级到原子级的表面平坦度。化学机械研磨设备通常需要使用具有研磨性和腐蚀性的研磨液(Slurry，由亚微米或纳米级研磨粒和化学溶液组成)，并配合使用研磨垫(Pad)、金刚石盘(Disk，即：研磨垫整理器)、研磨头(Head)、清洗刷(Brush)、化学清洗剂与保护剂(Chemical)等，综合利用化学作用和机械作用，对半导体晶圆进行研磨。CMP制程根据研磨对象不同，主要分为：硅研磨、硅氧化物研磨、碳化硅研磨、钨研磨和铜研磨等。
对于一些研磨速率对于研磨垫表面材质极其敏感的研磨液而言，为了得到比较平整的研磨效果，更换不同的研磨垫时，都需要调整研磨条件，来弥补研磨垫造成的研磨速率的差异。目前通常采用调整研磨头压力的方式来调整研磨速率，但是每次对压力进行调整费时费力，且需要进行多片晶圆的试运行，不仅试运行的成功率较低，周期较长，且容易造成晶圆的浪费。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种研磨速率的修正方法，在每次更换研磨垫后可以快速地将研磨速率曲线以及研磨速率调整到理想状态，大大提高试运行的成功率，缩短试运行周期的同时，也降低试运行晶圆的使用量。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种研磨速率的修正方法，包括：提供标准研磨曲线P标以及标准平均研磨速率R标；获取所述标准研磨速率曲线P标对应的标准压力F标，以及研磨垫整理器在研磨垫不同区域的标准停留时间T1标～Tn标，n为大于等于1的自然数；对待修整研磨垫进行第一次测试，获得第一研磨速率曲线P1，以及所述第一研磨速率曲线P1的速率平均值：第一平均研磨速率R1；根据所述标准压力F标、所述标准平均研磨速率R标以及所述第一平均研磨速率R1获得第一压力F1；根据所述标准停留时间T1标～Tn标、所述标准研磨速率曲线P标以及第一研磨速率曲线P1，获得研磨垫整理器在所述待修整研磨垫不同区域的第一停留时间T1～Tn；采用所述第一压力F1以及所述第一停留时间T1～Tn，使所述待修整研磨垫对多片晶圆进行研磨，所述研磨垫整理器对所述待修整研磨垫进行修整，得到修整后的研磨垫。
可选的，提供标准研磨速率曲线P标的方法包括：采集多个研磨垫的研磨速率曲线；从中选取一条研磨速率曲线作为标准研磨速率曲线P标。
可选的，提供标准研磨速率曲线P标的方法包括：采集多个研磨垫的研磨速率曲线；至少从中选取两条研磨速率曲线，并获取所选取的所述研磨速率曲线的平均研磨速率曲线，将所述平均研磨速率曲线作为标准研磨速率曲线P标。
可选的，获取所述标准研磨速率曲线P标的标准平均研磨速率R标的方法包括：在被研磨晶圆上选取m个检测点，所述m个检测点等距离布置在所述被研磨晶圆表面的任意一条直径上，且包括晶圆的圆心，m为大于等于1的自然数；记录每个所述检测点对应的标准研磨速率R1标～Rm标；将m个所述检测点对应的标准研磨速率求和，除以m，得到标准平均研磨速率R标。
可选的，获得所述第一压力F1的方法包括：根据第一公式计算得到F1：(R1–R标)/R标＝-α(F1-F标)/F标，其中，α为压力变化对研磨速率的响应系数。
可选的，获得所述研磨垫整理器在所述待修整研磨垫不同区域的第一停留时间T1～Tn的方法包括：对所述标准研磨速率曲线P标以及所述第一研磨速率曲线P1进行归一化处理，得到归一化的标准研磨速率曲线P’标以及归一化的第一研磨速率曲线P’1；通过所述归一化的标准研磨速率曲线P’标和所述归一化的第一研磨速率曲线P’1得到归一化的修正曲线P修；计算所述归一化的修正曲线P修在不同区域的平均数值A1～An；根据第二公式计算得到某一区域i的第一停留时间Ti：Ai＝βi(Ti-Ti标)/Ti标，其中i为大于等于1且小于等于n的自然数，βi为i区域停留时间变化与i区域研磨速率的响应系数。
可选的，得到归一化的标准研磨速率曲线P’标的方法为：将标准研磨速率曲线P标上的每个检测点的数值除以标准平均研磨速率R标，得到每个检测点的归一化数值R’1标～R’m标；得到归一化的第一研磨速率曲线P’1的方法为：将第一研磨速率曲线P1上的每个检测点的数值除以第一平均研磨速率R1，得到每个检测点的归一化数值R’11～R’m1。
可选的，得到归一化的修正曲线P修的方法为：求所述标准研磨速率曲线P标上的每个检测点的归一化数值和所述第一研磨速率曲线P1上的每个检测点的归一化数值的差值，得到所述归一化的修正曲线P修在每个检测点的归一化数值。
可选的，计算所述归一化的修正曲线P修在i区域的平均数值Ai的方法为：将位于i区域内的每个检测点的归一化数值求和，除以位于i区域的检测点总数，得到i区域的平均数值Ai。
可选的，得到修整后的研磨垫后，还包括：对修整后的研磨垫进行第二次测试，获得第二研磨速率曲线P2，以及所述第二研磨速率曲线P2的速率平均值：第二平均研磨速率R2，所述第二研磨速率曲线P2与所述标准研磨速率曲线P标一致，所述第二平均研磨速率R2与所述标准平均研磨速率R标一致。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
先收集标准研磨速率曲线P标、标准研磨速率R标以及标准压力F标、标准停留时间T1标～Tn标，对待修整研磨垫进行第一次测试后，得到第一研磨速率曲线P1以及第一平均研磨速率R1，根据上述数据可以得到研磨垫的修整条件：第一压力F1以及第一停留时间T1～Tn；调用得到的第一压力F1以及第一停留时间T1～Tn测试若干片晶圆，测试过程中研磨垫整理器对待修整研磨垫进行修整，最终可以得到修整后的研磨垫，可以快速地将研磨速率曲线和研磨速率调整到接近标准研磨速率曲线P标和标准研磨速率R标的理想状态，避免每次对研磨头的压力进行调整，大幅度地提高了更换研磨垫后试运行的成功率，避免了晶圆的浪费。
附图说明
图1是化学机械研磨设备的结构示意图；
图2是本发明一实施例中研磨速率的修正方法的流程图；
图3是本发明一实施例中研磨垫整理器在研磨垫停留区间与研磨速率曲线的对应图。
具体实施方式
由背景技术可知，不同的研磨垫对研磨速率有影响，为了获得比较平整的研磨效果，每次更换研磨垫，都要对研磨头的压力进行调整，来弥补研磨垫造成的研磨速率的差异。然而调节压力的过程十分费时费力，且每次调整完都需要采用多片晶圆进行试运行，试运行的成功率很低，周期长，且会造成晶圆的浪费。
为了解决上述问题，发明人经过研究，提供了一种研磨速率的修正方法，提前收集标准研磨速率曲线P标，获得标准研磨速率R标以及标准压力F标、标准停留时间T1标～Tn标，对待修整研磨垫进行第一次测试后，得到第一研磨速率曲线P1以及第一平均研磨速率R1，通过设计自动化算法，根据上述数据得到研磨垫的修整条件：第一压力F1以及第一停留时间T1～Tn；调用得到的第一压力F1以及第一停留时间T1～Tn对若干片晶圆进行研磨，研磨过程中研磨垫整理器对待修整研磨垫进行修整，最终可以得到修整后的研磨垫，可以快速地将研磨速率曲线和研磨速率调整到接近标准研磨速率曲线P标和标准研磨速率R标的理想状态，避免每次对研磨头的压力进行调整，大幅度地提高了更换研磨垫后试运行的成功率，大大缩短了试运行周期，且避免了晶圆的浪费。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是化学机械研磨设备的结构示意图；图2是本发明一实施例中研磨速率的修正方法的流程图；图3是本发明一实施例中研磨垫整理器在研磨垫停留区间与研磨速率曲线的对应图。
本发明实施例提供一种研磨速率的修正方法，应用于化学机械研磨工艺，首先，参考图1，提供一化学机械研磨设备1，所述化学机械研磨设备1对放入的晶圆进行研磨。所述化学机械研磨设备1包括研磨垫10、研磨头20、研磨垫整理器30，以及研磨液输送器40，所述研磨头20装载有待研磨晶圆，所述研磨液输送器40用于向所述研磨垫10上配送研磨液，所述研磨垫整理器30按一定路径在研磨垫10上做调整运动。
本实施例中，所述研磨垫整理器30在研磨垫10上的运动路径为在研磨垫10的圆心和圆周之间做往返运动，从圆心移动至圆周，再从圆周移动至圆心，同时配合研磨垫10自身的旋转运动，达到对研磨垫10的修整效果。
本实施例中，所述研磨垫整理器30在研磨垫10上运动时会经过不同的研磨垫区域，所述研磨垫区域的划分与晶圆在研磨垫上的对应位置相关。举例来说，所述研磨垫10的半径为500mm，所述晶圆的半径为150mm，所述晶圆被研磨时位于研磨垫10一侧的半径上，且晶圆圆心与研磨垫圆心之间的距离为250mm，若将晶圆按半径分为-150mm～-100mm、-100mm～-50mm、-50mm～0、0～50mm、50mm～100mm、100mm～150mm六个区域，那么这六个区域在研磨垫10上分别对应半径分别为0～150mm、150mm～200mm、200mm～250mm、250mm～300mm、300mm～350mm、350mm～500mm的区域。
本实施例中，所述研磨液采用CeO2研磨液，所述CeO2研磨液的研磨速率对于研磨垫的表面材质极其敏感，采用不同的研磨垫，研磨速率曲线会呈现出显著的差异。因此，更换不同的研磨垫后，需要对研磨垫进行修整，使得研磨速率曲线趋于一致，从而得到更平整的晶圆。
参考图2，所述研磨速率的修正方法包括：
步骤S1、提供标准研磨曲线P标以及标准平均研磨速率R标。
本实施例中，提供标准研磨曲线P标的方法包括：采集多个研磨垫的研磨速率曲线；从中选取一条平整的研磨速率曲线作为标准研磨速率曲线P标。
本实施例中，采集多个不同的研磨垫的研磨速率曲线，通过分析对比，找出其中出现频率高的研磨速率曲线，即找出相同或近似的研磨速率曲线，从中选取其中一条走势平整的研磨速率曲线作为标准研磨速率曲线P标。
在其它实施例中，也可以在相同或近似的研磨速率曲线中，至少选取其中两条，将选取的研磨速率曲线中同一个检测点的数值求平均值，各个检测点的平均值连成的曲线即为所选取的研磨速率曲线的平均研磨速率曲线，将所述平均研磨速率曲线作为标准研磨速率曲线P标。
本实施例中，所述研磨速率曲线为晶圆上距离圆心位置与研磨速率的关系曲线。
具体表现为，在被研磨晶圆上选取m个检测点，所述m个检测点等距离布置在所述被研磨晶圆表面的任意一条直径上，且包括晶圆的圆心，m为大于等于1的自然数；记录每个所述检测点对应的标准研磨速率R1标～Rm标；将每个检测点与晶圆圆心的距离作为横坐标，每个检测点对应的研磨速率作为纵坐标，绘制得到晶圆的研磨速率曲线。
本实施例中，获取所述标准研磨速率曲线P标的标准平均研磨速率R标的方法包括为：将m个所述检测点对应的标准研磨速率求和，除以m，得到标准平均研磨速率R标。即R标＝(R1标+……+Rm标)/m，其中，m为大于等于1的自然数。
步骤S2、获取所述标准研磨速率曲线P标对应的标准压力F标，以及研磨垫整理器在研磨垫不同区域的标准停留时间T1标～Tn标，n为大于等于1的自然数。
本实施例中，在选定好标准研磨速率曲线P标之后，得到所述标准研磨速率曲线P标时所采用的研磨垫整理器的压力作为标准压力F标，同时将当时测量得到的研磨垫整理器在研磨垫不同区域的停留时间作为标准停留时间T1标～Tn标，n为大于等于1的自然数，n为研磨垫上不同区域的划分数量。
需要说明的是，所述标准压力F标与标准停留时间T1标～Tn标在确定好标准研磨速率曲线P标之后，可以直接得到。
本实施例中，选择好标准研磨速率曲线P标之后，以及获取标准平均研磨速率R标、标准压力F标以及标准停留时间T1标～Tn标之后，将上述数据作为研磨速率曲线调整的参照物，使待修整研磨垫修整后，能得到与标准研磨速率曲线P标一致的理想的研磨速率曲线。
步骤S3、对待修整研磨垫进行第一次测试，获得第一研磨速率曲线P1，以及所述第一研磨速率曲线P1的速率平均值：第一平均研磨速率R1。
本实施例中，对待修整研磨垫进行第一次测试指的是采用待修整研磨垫对晶圆进行初次研磨，同时研磨垫整理器在研磨垫上做调整运动，此时记录得到晶圆上每个检测点的研磨速率，可以得到第一研磨速率曲线P1，同时计算求得第一研磨速率曲线P1的速率平均值，记为第一平均研磨速率R1。
步骤S4、根据所述标准压力F标、所述标准平均研磨速率R标以及所述第一平均研磨速率R1获得第一压力F1。
本实施例中，获得所述第一压力F1的方法为：
根据第一公式计算得到F1：(R1–R标)/R标＝-α×(F1-F标)/F标，其中，α为压力变化对研磨速率的响应系数，α与研磨垫整理器本身的特性相关。
将步骤S1～S3中得到的数据代入第一公式，可以计算得到第一压力F1，所述第一压力F1为待修整研磨器第一次测试时研磨垫整理器的压力。
本实施例中，采用的研磨液为CeO2研磨液，CeO2研磨液的研磨速率与研磨垫的粗糙度具有显著的负相关性，即降低研磨垫整理器的压力能提高研磨速率，因此可以通过研磨速率的变化计算得到研磨垫整理器的压力的变化，近而得到正确的压力值。
本实施例中，可以建立自动化的算法，将参考数据标准研磨速率曲线P标、标准研磨速率R标以及标准压力F标、标准停留时间T1标～Tn标输入APC(Auto Process Control，自动控制)系统，进行第一次测试后，将第一次测试的数据反馈到APC系统，APC系统通过第一公式计算，可以直接输出第一压力F1的数据。
本实施例中，利用研磨速率以及研磨速率曲线与研磨垫整理器的压力以及各区域停留时间相关的特性，建立公式模型，所述APC(Auto Process Control，自动控制)系统作为辅助计算工具，在输入数据后可以快速方便地得到第一压力F1或第一停留时间T1～Tn的数据。得到第一压力F1或第一停留时间T1～Tn的数据后，再以第一压力F1或第一停留时间T1～Tn为修整条件对研磨垫进行修整，从而得到修整后的研磨垫。
步骤S5、根据所述标准停留时间T1标～Tn标、所述标准研磨速率曲线P标以及第一研磨速率曲线P1，获得研磨垫整理器在所述待修整研磨垫不同区域的第一停留时间T1～Tn。
本实施例中，获得第一停留时间T1～Tn的方法包括：
步骤A1、对所述标准研磨速率曲线P标进行归一化处理，得到归一化的标准研磨速率曲线P’标。
步骤A2、对所述第一研磨速率曲线P1进行归一化处理，得到归一化的第一研磨速率曲线P’1。
本实施例中，所述归一化处理的方法为：将研磨速率曲线上每个检测点的研磨速率除以平均研磨速率，得到每个检测点的归一化数值。例如，得到归一化的标准研磨速率曲线P’标的方法为：将标准研磨速率曲线P标上的每个检测点的数值除以标准平均研磨速率R标，得到每个检测点的归一化数值R’1标～R’m标。同理可得到归一化的第一研磨速率曲线P1上的每个检测点的归一化数值R’11～R’m1。
步骤A3、通过所述归一化的标准研磨速率曲线P’标和所述归一化的第一研磨速率曲线P’1得到归一化的修正曲线P修。
本实施例中，得到归一化的修正曲线P修的方法为：求所述标准研磨速率曲线P标上的每个检测点的归一化数值和所述第一研磨速率曲线P1上的每个检测点的归一化数值的差值，得到所述归一化的修正曲线P修在每个检测点的归一化数值。
步骤A4、计算所述归一化的修正曲线P修在不同区域的平均数值A1～An。
本实施例中，需要先建立所述研磨垫整理器在研磨垫不同停留区域与研磨速率曲线的对应关系图。
具体而言，结合参考图1和图3，所述研磨垫10在对所述晶圆21进行化学机械研磨时，所述晶圆21以研磨垫10的圆心为中心进行圆周运动，所述晶圆21上距离所述晶圆圆心不同距离的区域与所述研磨垫10上的不同区域一一对应，根据检测点距离晶圆圆心的位置，将检测点与研磨垫的不同区域对应起来，同时所述研磨垫整理器30以图中曲线31为路径做调整运动，经过每个区域的停留时间不同，从而得到研磨垫整理器在研磨垫上停留的不同区域与研磨速率曲线的对应关系图。
本实施例中，将所述晶圆21与所述研磨垫10对应的区域划分为6个区域，Q1区域至Q6区域，即n等于6；在其它实施例中，所述研磨垫10的区域划分可以根据实际情况进行划分，数量不作限定。
本实施例中，计算所述归一化的修正曲线P修在某一区域i的平均数值Ai的方法为：将位于i区域内的每个检测点的归一化数值求和，除以位于i区域的检测点总数，得到i区域的平均数值Ai，其中，i为大于等于1且小于等于n的自然数。根据这一方法，可以求得所述归一化的修正曲线P修在每个区域的平均数值A1～An。
步骤A5、根据第二公式计算得到某一区域i的第一停留时间Ti：
Ai＝βi(Ti-Ti标)/Ti标，βi为i区域停留时间变化与i区域研磨速率的响应系数。
本实施例中，采用的研磨液为CeO2研磨液，CeO2研磨液的研磨速率与研磨垫整理器在不同区域的停留时间具有明显相关性，研磨垫整理器在某一区域停留时间久，则此区域对应的研磨速率相对较低。
根据第二公式，通过在不同区域研磨速率的相对变化值，从而计算得到不同区域的停留时间的变化值，得到第一停留时间T1～Tn。
需要说明的是，虽然得到第一压力F1和第一停留时间T1～Tn的过程分为步骤S4和步骤S5，然而步骤S4与S5之间不具有明显的先后顺序关系，通过APC系统，可以同时计算得出第一压力F1和第一停留时间T1～Tn，可以方便快速的得到待修整研磨垫进行调整需要的条件。
步骤S6、得到第一压力F1和第一停留时间T1～Tn后，调用第一压力F1和第一停留时间T1～Tn，使待修整研磨垫对若干片晶圆进行试运行，同时研磨垫整理器对待修整研磨垫进行调整，得到修整后的研磨垫。
因为研磨速率曲线以及研磨速率与研磨垫整理器压力以及停留时间具有明显相关性，通过第一公式和第二公式可以直接计算得出需要的修整条件：第一压力F1和第一停留时间T1～Tn，采用计算得到的修整条件对研磨垫进行修整，可以方便快速将研磨速率曲线和研磨速率调整到与提供的标准状态一致的理想状态，同时可以大幅度地提高对多片晶圆进行试运行的成功率，减少对晶圆的浪费。
本实施例中，得到修整后的研磨垫后，对修整后的研磨垫进行第二次测试，获得第二研磨速率曲线P2，以及所述第二研磨速率曲线P2的速率平均值：第二平均研磨速率R2。
本实施例中，所述第二次测试为验证测试，得到的第二研磨速率曲线P2与标准研磨速率曲线P标一致，所述第二平均研磨速率R2与所述标准平均研磨速率R标一致。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种研磨速率的修正方法，其特征在于，包括：
提供标准研磨曲线P标以及标准平均研磨速率R标；
获取所述标准研磨速率曲线P标对应的标准压力F标，以及研磨垫整理器在研磨垫不同区域的标准停留时间T1标～Tn标，n为大于等于1的自然数；
对待修整研磨垫进行第一次测试，获得第一研磨速率曲线P1，以及所述第一研磨速率曲线P1的速率平均值：第一平均研磨速率R1；
根据所述标准压力F标、所述标准平均研磨速率R标以及所述第一平均研磨速率R1获得第一压力F1；
根据所述标准停留时间T1标～Tn标、所述标准研磨速率曲线P标以及所述第一研磨速率曲线P1，获得研磨垫整理器在所述待修整研磨垫不同区域的第一停留时间T1～Tn；
采用所述第一压力F1以及所述第一停留时间T1～Tn，使所述待修整研磨垫对多片晶圆进行研磨，所述研磨垫整理器对所述待修整研磨垫进行修整，得到修整后的研磨垫。
2.如权利要求1所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，提供标准研磨速率曲线P标的方法包括：
采集多个研磨垫的研磨速率曲线；
从中选取一条研磨速率曲线作为标准研磨速率曲线P标。
3.如权利要求1所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，
采集多个研磨垫的研磨速率曲线；
至少从中选取两条研磨速率曲线，并获取所选取的所述研磨速率曲线的平均研磨速率曲线，将所述平均研磨速率曲线作为标准研磨速率曲线P标。
4.如权利要求2或3所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，获取所述标准研磨速率曲线P标的标准平均研磨速率R标的方法包括：
在被研磨晶圆上选取m个检测点，所述m个检测点等距离布置在所述被研磨晶圆表面的任意一条直径上，且包括晶圆的圆心，m为大于等于1的自然数；
记录每个所述检测点对应的标准研磨速率R1标～Rm标；
将m个所述检测点对应的标准研磨速率求和，除以m，得到标准平均研磨速率R标。
5.如权利要求4所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，获得所述第一压力F1的方法包括：根据第一公式计算得到F1：
(R1–R标)/R标＝-α(F1-F标)/F标，其中，α为压力变化对研磨速率的响应系数。
6.如权利要求4所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，获得所述研磨垫整理器在所述待修整研磨垫不同区域的第一停留时间T1～Tn的方法包括：
对所述标准研磨速率曲线P标以及所述第一研磨速率曲线P1进行归一化处理，得到归一化的标准研磨速率曲线P’标以及归一化的第一研磨速率曲线P’1；
通过所述归一化的标准研磨速率曲线P’标和所述归一化的第一研磨速率曲线P’1得到归一化的修正曲线P修；
计算所述归一化的修正曲线P修在不同区域的平均数值A1～An；
根据第二公式计算得到某一区域i的第一停留时间Ti：
Ai＝βi(Ti-Ti标)/Ti标，其中i为大于等于1且小于等于n的自然数，βi为i区域停留时间变化与i区域研磨速率的响应系数。
7.如权利要求6所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，得到归一化的标准研磨速率曲线P’标的方法为：将标准研磨速率曲线P标上的每个检测点的数值除以标准平均研磨速率R标，得到每个检测点的归一化数值
R’1标～R’m标；
得到归一化的第一研磨速率曲线P’1的方法为：将第一研磨速率曲线P1上的每个检测点的数值除以第一平均研磨速率R1，得到每个检测点的归一化数值R’11～R’m1。
8.如权利要求7所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，得到归一化的修正曲线P修的方法为：求所述标准研磨速率曲线P标上的每个检测点的归一化数值和所述第一研磨速率曲线P1上的每个检测点的归一化数值的差值，得到所述归一化的修正曲线P修在每个检测点的归一化数值。
9.如权利要求8所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，计算所述归一化的修正曲线P修在i区域的平均数值Ai的方法为：将位于i区域内的每个检测点的归一化数值求和，除以位于i区域的检测点总数，得到i区域的平均数值Ai。
10.如权利要求1所述的研磨速率的修正方法，其特征在于，得到修整后的研磨垫后，还包括：
对修整后的研磨垫进行第二次测试，获得第二研磨速率曲线P2，以及所述第二研磨速率曲线P2的速率平均值：第二平均研磨速率R2，所述第二研磨速率曲线P2与所述标准研磨速率曲线P标一致，所述第二平均研磨速率R2与所述标准平均研磨速率R标一致。
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