CN113544833B - 用于将显示面板与半导体发光装置组装的组装设备 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的实施方式的一种用于将显示面板与半导体发光装置组装的组装设备包括：组装模块，其包括与显示面板的一个表面接触的至少一个磁性主体以及形成有至少一个磁性主体接纳孔的磁性主体接纳部；以及旋转模块，其连接到组装模块，以基于从外部驱动源传递的驱动力来产生组装模块的轨道旋转。

Description

用于将显示面板与半导体发光装置组装的组装设备
技术领域
本公开涉及用于将半导体发光二极管组装到显示面板的组装设备。
背景技术
最近，在显示技术领域中开发出具有诸如薄形状和柔性这样的优异特性的显示器。另一方面，LCD(液晶显示器)和AMOLED(有源矩阵型有机发光二极管)是现在常用的主要显示器的代表。
然而，LCD的问题在于响应时间不短并且难以实现柔性，而AMOLED的缺陷在于寿命短并且良率不佳。
此外，自1962年使用GaAsP化合物半导体的红色LED投入商业化以来，作为将电流转换成光的众所周知的半导体器件的发光二极管(LED)已经与基于GaP:N的绿色LED一起被用作在包括信息器件的电子装置中显示图像的光源。因此，可以提出通过使用半导体LED实现显示器来解决问题的计划。与基于灯丝的发光元件相比，这种LED的优点在于寿命长、功耗低、初始驱动特性优异、抗振动性高等。
此外，根据使用半导体发光二极管的显示器，需要将分别对应于像素的半导体发光二极管联接到基板，因此可能相对难以实现具有大屏幕和许多像素的显示器。因此，最近正在开发利用电磁场将置于流体中的LED移动到基板上并随后组装它们的自组装方法。
发明内容
技术问题
本公开的一个目的是提供可以减少将半导体发光二极管组装到面板所花费的时间的组装设备。
本公开的另一目的是提供可以防止在制造大面积显示器时由于显示面板的弯曲而导致组装良率降低的组装设备。
技术方案
根据本公开的实施方式的一种用于将半导体发光二极管组装到显示面板的组装设备包括：组装模块，所述组装模块包括与所述显示面板的表面接触的至少一个磁性构件以及具有至少一个磁性构件容纳孔的磁性构件容纳器；以及旋转模块，所述旋转模块连接到所述组装模块并被配置为基于从外部驱动源传递的驱动力而使所述组装模块沿着轨道旋转。
根据实施方式，所述组装模块的所述至少一个磁性构件可以通过所述至少一个磁性构件容纳孔从所述磁性构件容纳器向下突出。
根据实施方式，在所述磁性构件中，容纳在所述至少一个磁性构件容纳孔中的第一部分的半径可以大于从所述至少一个磁性构件容纳孔向下突出的第二部分的半径。
根据实施方式，从内周表面突出的至少一个突出部可以形成在所述磁性构件容纳孔的下部部分处。
根据实施方式，基于所述至少一个突出部来说的所述磁性构件容纳孔的下内径可以小于所述磁性构件的所述第一部分的半径。
根据实施方式，所述组装模块还可以包括磁性构件固定板，所述磁性构件固定板容纳于在所述磁性构件容纳器的上部部分上凹入的容纳空间中，并且所述磁性构件固定板可以由金属制成。
根据实施方式，所述组装模块还可以包括至少一个固定磁性构件，所述至少一个固定磁性构件容纳在所述至少一个磁性构件容纳孔中并附接到所述磁性构件固定板的底部。
根据实施方式，所述至少一个磁性构件可以设置在所述至少一个固定磁性构件的下方，并且所述至少一个磁性构件和所述至少一个固定磁性构件可以在其彼此面对的表面上具有相同的极性。
根据实施方式，所述至少一个磁性构件可以基于所述至少一个固定磁性构件的排斥和外力而上下移动。
根据实施方式，所述组装模块还可以包括紧固到所述磁性构件容纳器的上部部分的壳体以及紧固在所述壳体和所述旋转模块之间的至少一个轴。
根据实施方式，所述旋转模块可以包括：杆，所述杆连接到所述外部驱动源；主齿轮，所述杆固定到所述主齿轮；至少一个辅助齿轮，所述至少一个辅助齿轮与所述主齿轮啮合；以及至少一个连接轴，所述至少一个连接轴固定到所述至少一个辅助齿轮，并且所述至少一个轴与所述至少一个连接轴连接。
根据实施方式，所述至少一个轴可以与所述至少一个连接轴连接，以与所述至少一个连接轴的旋转中心间隔开。
根据实施方式，供所述至少一个轴插入的紧固槽可以形成在所述至少一个连接轴的下部部分处。所述紧固槽的中心可以与所述至少一个连接轴的旋转轴线间隔开。
有利效果
根据本公开的实施方式，组装设备包括与面板接触地移动的至少一个磁性构件，因此它可以利用磁场有效地将容纳在流体中的半导体发光二极管朝向面板引导。因此，通过使得半导体发光二极管能够更容易地组装到面板，组装设备可以显著地减少传送处理的处理时间。
另外，由于组装设备使组装模块和设置在组装模块中的至少一个移动磁性构件沿着预定轨道旋转，因此半导体发光二极管可以在与面板接触地水平移动的同时有效地容纳和组装在联接孔中。另外，由于组装设备使有限数量的移动磁性构件沿着轨道旋转，因此它可以有效地将半导体发光二极管组装到面积更宽的联接孔中。
另外，由于冲击吸收模块形成在组装设备的下部部分处，因此即使由于面板弯曲等而使接触表面的高度不同，多个磁性构件也可以平滑地与面板接触。因此，由于组装设备可以平滑地将在流体中的半导体发光二极管朝向面板引导，因此当制造大面积显示器时，它可以防止半导体发光二极管的组装率劣化。
附图说明
图1是示出了使用本公开的半导体发光二极管的显示器的实施方式的概念图。
图2是图1中的部分A的局部放大图，并且图3a和图3b是沿着图2的线B-B和C-C截取的截面图。
图4是示出了图3a的倒装芯片型半导体发光二极管的概念图。
图5a至图5c是示出了与倒装芯片型半导体发光二极管相关地实现颜色的各种类型的概念图。
图6示出了例示使用本公开的半导体发光二极管的显示器的制造方法的截面图。
图7是示出了使用本公开的半导体发光二极管的显示器的另一实施方式的立体图。
图8是沿着图7中的线D-D截取的截面图。
图9是示出了图8的竖直半导体发光二极管的概念图。
图10是示意性示出了其中通过自组装类型将半导体发光二极管组装到显示面板的方法的实施方式的视图。
图11是根据本公开的实施方式的组装设备的立体图。
图12是图11的组装设备中所包括的旋转模块的立体图。
图13是示出了图12中示出的旋转模块的旋转结构示例的视图。
图14是图12中示出的旋转模块的截面图。
图15是图11的组装设备中所包括的组装模块的立体图。
图16是示出了图15的组装模块中所包括的磁性构件容纳器和磁性构件附接板的视图。
图17是示出了图15的组装模块的一部分的截面图。
图18是示意性示出了根据组装设备的驱动的磁性构件的轨道运动和基于该轨道运动的半导体发光二极管的组装操作的视图。
图19示出了与图15的组装模块中所包括的冲击吸收模块相关的示例性视图。
图20是示出了根据图18的冲击吸收模块的实现方式的效果的示例性视图。
具体实施方式
下文中，将参考附图来详细描述本公开的实施方式，并且不管附图的编号如何，相同或相似的部件都被赋予相同的附图标记，并不再对其进行重复描述。在下面的描述中，用于部件的术语“模块”和“单元”只是为了方便描述而使用的，而并没有区别的含义或功能。在下面的描述中，如果确定对与本公开相关的已知技术的详细描述使本文中描述的实施方式的主题不清楚，则省略该详细描述。另外，应该注意，提供附图仅仅是为了容易理解本文中公开的实施方式，并且本公开的精神不应该被理解为限于附图。
诸如层、区域或基板这样的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者在其间可以存在中间元件。
本文中描述的显示器可以包括移动电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、PDA(个人数字助理)、PMP(便携式多媒体播放器)、导航、触屏PC、平板PC、超级本、数字TV、台式计算机等。然而，本领域技术人员将容易理解，根据这里描述的实施方式的配置可以应用于可以配备有显示器的装置，即使这些装置是未来将开发的新型产品亦如此。
在描述根据本公开的实施方式的用于将半导体发光二极管组装到显示面板(基板)的组装设备之前，描述半导体发光二极管和使用该半导体发光二极管的显示器。
图1是示出了使用本公开的半导体发光二极管的显示器的实施方式的概念图。
参照附图，可以使用柔性显示器显示由显示器100的控制器处理的信息。
柔性显示器包括可以在外力的作用下弯曲、成曲面、扭曲、折叠和卷曲的显示器。例如，柔性显示器可以是在薄的柔性基板上制造的显示器，其在保持现有平板显示器的显示特性的同时可以像纸一样被弯曲、成曲面、折叠或卷曲。
在柔性显示器未弯曲的状态下(例如，其中柔性显示器具有无限曲率半径的状态，此后被称为“第一状态”)，柔性显示器的显示区域变为平坦表面。在柔性显示器在外力的作用下从第一状态弯曲的状态下(例如，其中柔性显示器具有有限曲率半径，此后被称为“第二状态”)，显示区域可以是曲面。如附图中示出的，在第二状态下显示的信息可以是在曲面上输出的可视信息。通过对按矩阵类型设置的子像素的光发射进行单独控制来实现这种可视信息。子像素意指用于实现一种颜色的最小单位。
柔性显示器的子像素可以由半导体发光二极管来实现。本公开中举例说明了作为将电流转换成光的一种半导体发光二极管的发光二极管(LED)。发光二极管形成为小尺寸，因此它即使在第二状态下也可以用作子像素。
此后，参考附图来更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。
图2是图1中的部分A的局部放大图，图3a和图3b是沿着图2的线B-B和C-C截取的截面图，图4是示出了图3a的倒装芯片型半导体发光二极管的概念图，并且图5a至图5c是示出了与倒装芯片型半导体发光二极管相关地实现颜色的各种类型的概念图。
根据图2、图3a和图3b，作为使用半导体发光二极管的显示器100，举例说明了使用无源矩阵(PM)型半导体发光二极管的显示器100。然而，此后将描述的示例也可以应用于有源矩阵(AM)型半导体发光二极管。
显示器100包括第一基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极140和多个半导体发光二极管150。
基板110可以是柔性基板。例如，基板110可以包含玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示器。另外，可以使用诸如PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)的任何材料，只要它们具有绝缘性和柔韧性即可。另外，基板110可以由透明材料或不透明材料中的任一种制成。
基板110可以是其上设置有第一电极120的布线板，因此第一电极120可以设置在基板110上。
根据附图，绝缘层160可以设置在其上设置有第一电极120的基板110上方，并且辅助电极170可以设置在绝缘层160上。在这种情况下，绝缘层160堆叠在基板110上的状态可以是一个布线板。更详细地，绝缘层160可以由诸如PI(聚酰亚胺)、PET和PEN这样的绝缘柔性材料制成，与基板110一体化，由此形成一个基板。
作为电连接半导体发光二极管150的电极的辅助电极170设置在绝缘层160上，并设置为对应于第一电极120。例如，辅助电极170具有点形，并可以通过穿过绝缘层160形成的电极孔171与第一电极120电连接。可以通过用导电材料填充通孔来形成电极孔171。
参照附图，导电粘合层130形成在绝缘层160的表面上，但本公开不一定限于此。例如，可能有以下结构：在绝缘层160和导电粘合层130之间形成执行特定功能的层，或者在没有绝缘层160的情况下，在基板110上设置导电粘合层130。在其中导电粘合层130设置在基板110上的结构中，导电粘合层130可以用作绝缘层。
导电粘合层130可以是具有粘合性质和导电性的层，并且为此目的，具有导电性的物质和具有粘合性质的物质可以混合在导电粘合层130中。另外，导电粘合层130具有延展性，因此它使得显示器能够有柔性功能。
作为该情况的示例，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏和包含导电颗粒的溶液。导电粘合层130可以被配置为允许在穿过厚度的Z方向上进行电连接但在水平X-Y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合层130可以被称为Z轴导电层(然而，此后，被称为“导电粘合层”)。
各向异性导电膜是其中各向异性导电介质混合在绝缘基底构件中的膜，并且当施加热和压力时，各向异性导电介质仅为特定部分赋予导电性。在下面的描述中，假定对各向异性导电膜施加热和压力，但也可能采用其他方法，使得各向异性导电膜部分地具有导电性。例如，这些方法可以是只应用热和压力中的任一种的情况或UV固化的情况。
另外，例如，各向异性导电介质可以是导电球或导电颗粒。根据附图，在该实施方式中，各向异性导电膜是其中导电球混合在绝缘基底构件中的膜，并且当施加热和压力时，导电球仅为特定部分赋予导电性。各向异性导电膜可以处于以下状态：涂覆有由聚合物材料制成的绝缘膜的多个颗粒包含在由导电物质制成的芯中，并且在这种情况下，当对一部分施加热和压力时，绝缘膜在该部分处破裂并且通过芯为该部分赋予导电性。在这种情况下，芯的形状变形，因此可以形成在膜的厚度方向上彼此接触的层。作为更详细的示例，在整个各向异性导电膜上施加热和压力，并且通过由各向异性导电膜粘结的物体的高度差部分地形成Z轴电连接。
又如，各向异性导电膜可以处于其中涂覆有导电物质的多个颗粒包含在绝缘芯中的状态。在这种情况下，当对一部分施加热和压力时，该部分处的导电物质变形(被刻痕和粘附)，因此该部分在膜的厚度方向上被赋予导电性。又如，导电物质可以在Z轴方向上穿过绝缘基底构件，以表现出在膜的厚度方向上的导电性。在这种情况下，导电物质可以具有指向端(pointed end)。
根据附图，各向异性导电膜可以是其中导电球插入绝缘基底构件的表面中的固定阵列ACF。更详细地，绝缘基底构件由粘合物质制成，导电球集中在绝缘基底构件的底部处，并且当对基底构件施加热和压力时，基底构件随导电球一起变形，由此被赋予竖直导电性。
然而，本公开不限于此，并且各向异性导电膜可以被配置为其中导电球随机地混合在绝缘基底构件中的类型或其中设置有多个层并且导电球设置在任一层中的类型(双ACF)。
各向异性导电膏是通过组合膏体与导电球来形成的，并可以是其中导电球混合在绝缘的粘合基底物质中的膏体。另外，含有导电颗粒的溶液可以是包含导电颗粒或纳米颗粒的溶液。
再次参照附图，第二电极140与辅助电极170间隔开并设置在绝缘层160上。也就是说，导电粘合层130设置在其上设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。
当在辅助电极170和第二电极140设置在绝缘层160上的状态下形成导电粘合层130并随后通过施加热和压力而将半导体发光二极管150按倒装芯片型连接时，半导体发光二极管150与第一电极120和第二电极140电连接。
参照图4，半导体发光二极管可以是倒装芯片型发光二极管。
例如，半导体发光二极管包括p型电极156、其上形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153以及在n型半导体层153上的与p型电极156水平间隔开的n型电极152。在这种情况下，p型电极156可以通过导电粘合层130与辅助电极170电连接，并且n型电极152可以与第二电极140电连接。
再次参照图2、图3a和图3b，辅助电极170在一个方向上伸长，并且至少一个辅助电极可以与多个半导体发光二极管150电连接。例如，相对于辅助电极在左侧和右侧的半导体发光二极管的p型电极可以与一个辅助电极电连接。
更详细地，半导体发光二极管150在热和压力的作用下被压入导电粘合层130中，因此只有半导体发光二极管150的p型电极156与辅助电极170之间的部分以及半导体发光二极管150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性，而其他部分因半导体发光二极管被压入内部而没有导电性。如上所述，导电粘合层130不仅联接而且电连接半导体发光二极管150与辅助电极170之间的部分以及半导体发光二极管150与第二电极140之间的部分。
另外，多个半导体发光二极管150构成发光二极管阵列，并且荧光层180形成在发光二极管阵列上。
发光二极管阵列可以包括具有不同自身亮度值的多个半导体发光二极管。半导体发光二极管150中的每个构成子像素，并电连接到第一电极120。例如，第一电极120可以是多个片，半导体发光二极管例如可以布置成多条线，并且每条线中的半导体发光二极管可以电连接到多个第一电极中的任一个。
另外，由于半导体发光二极管按倒装芯片型连接，因此可以使用用于透明电介质基板的生长的半导体发光二极管。另外，半导体发光二极管例如可以是氮化物半导体发光二极管。由于半导体发光二极管150具有优异的亮度，因此它可以构成甚至小尺寸的个体子像素。
根据附图，分隔壁190可以形成在半导体发光二极管150之间。在这种情况下，分隔壁190可以用于分离个体子像素，并可以与导电粘合层130一体地形成。例如，半导体发光二极管150插入各向异性导电膜中，各向异性导电膜的基底构件可以形成分隔壁。
另外，当各向异性导电膜的基底构件是黑色时，分隔壁190可以具有反射特性，并且即使没有分立的黑色绝缘体也可以增加对比度。
又如，反射型分隔壁可以设置为分隔壁190。在这种情况下，根据显示器的目的，分隔壁190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的分隔壁时，可以有增加反射率的效果，而当使用黑色绝缘体的分隔壁时，可以具有反射特性并增加对比度。
荧光层180可以设置在半导体发光二极管150的外侧。例如，半导体发光二极管150是发射蓝光(B)的蓝色半导体发光二极管，并且荧光层180执行将蓝光(B)转换成子像素的颜色的功能。荧光层180可以是构成个体像素的红色荧光主体181或绿色荧光主体182。
也就是说，可以将蓝光转换成红光(R)的红色荧光主体181可以在形成有红色子像素的位置处堆叠在蓝色半导体发光二极管上，并且可以将蓝光转换成绿光(G)的绿色荧光主体182可以在形成有绿色子像素的位置处堆叠在蓝色半导体发光二极管上。另外，只有蓝色半导体发光二极管可以被独立用在形成蓝色子像素的部分处。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以形成一个像素。更详细地，具有一种颜色的荧光主体可以沿着第一电极120的每条线堆叠。因此，在第一电极120中，一条线可以是控制一种颜色的电极。也就是说，可以沿着第二电极140顺序地设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，由此可以实现子像素。
然而，本公开不一定限于此，并且可以通过组合半导体发光二极管150和量子点(QD)而非荧光主体来实现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素。
另外，黑色矩阵191可以设置在各荧光主体之间，以提高对比度。也就是说，黑色矩阵191可以提高明暗对比度。
然而，本公开不一定限于此，可以应用另一种结构来实现蓝色、红色和绿色。
参照图5a，半导体发光二极管150各自可以被实现为其中包括氮化镓(GaN)作为主要成分并且添加铟(In)和/或铝(Al)以发射包括蓝色的各种颜色的光的高功率发光二极管。
在这种情况下，半导体发光二极管150可以分别是红色、绿色和蓝色半导体发光二极管，以分别形成子像素。例如，红色、绿色和蓝色半导体发光二极管(R、G、B)交替地设置，红色、绿色和蓝色的子像素由红色、绿色和蓝色半导体发光二极管构成一个像素，由此可以实现全色显示。
参照图5b，半导体发光二极管可以具有各自具有黄色荧光层的白色发光二极管(W)。在这种情况下，为了形成子像素，红色荧光层181、绿色荧光层182和蓝色荧光层183可以设置在白色发光二极管(W)上。另外，可以在白色发光二极管(W)上使用重复红色、绿色和蓝色的滤色器来形成子像素。
参照图5c，可以有以下结构：红色荧光层181、绿色荧光层182和蓝色荧光层183设置在紫外光发射二极管(UV)上。如上所述，半导体发光二极管可以在不仅包括可见光而且包括紫外光(UV)的整个区域中使用，并且可以按可以使用紫外光(UV)作为上荧光主体的激发源的半导体发光二极管类型扩展。
再次参照该实施方式，半导体发光二极管150设置在导电粘合层130上，由此构成显示器中的子像素。由于半导体发光二极管150具有优异的亮度，因此它可以构成甚至小尺寸的个体子像素。个体半导体发光二极管150可以具有一边为80μm或更小的尺寸，并可以是矩形或正方形二极管。当它是矩形时，尺寸可以是20×80μm或更小。
另外，即使使用一边长度为10μm的正方形半导体发光二极管150作为子像素，也表现出用于形成显示器的足够亮度。因此，例如，在子像素的尺寸是一边为600μm而另一边为300μm的矩形像素的情况下，半导体发光二极管的距离相对足够大。因此，在这种情况下，可以实现具有优于HD质量的高质量的柔性显示器。
可以通过新型制造方法来制造使用上述半导体发光二极管的显示器。此后，参考图6来描述该制造方法。
图6示出了例示使用本公开的半导体发光二极管的显示器的制造方法的截面图。
参照该附图，首先，在其上设置有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上形成导电粘合层130。在第一基板110上堆叠绝缘层160，由此形成一个基板(布线板)。另外，在布线板上设置第一电极120、辅助电极170和第二电极140。在这种情况下，第一电极120和第二电极140可以彼此垂直地设置。另外，为了实现柔性显示器，第一基板110和绝缘层160各自可以包含玻璃或聚酰亚胺(PI)。
例如，导电粘合层130可以由各向异性导电膜来实现，并且为此目的，可以对其上设置有绝缘层160的基板施用各向异性导电膜。
接下来，设置其上设置有与辅助电极170和第二电极140的位置对应并构成个体像素的多个半导体发光二极管150的第二基板112，使得半导体发光二极管150面对辅助电极170和第二电极140。
在这种情况下，作为用于生长半导体发光二极管150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。
半导体发光二极管具有在它们形成在晶圆单元中时可以形成显示器的间隙和尺寸，使得它们可以有效地用于显示器。
接下来，对布线板和第二基板112进行热压。例如，可以使用ACF压头对布线板和第二基板112进行热压。通过热压来粘结布线板和第二基板112。只有半导体发光二极管150、辅助电极170和第二电极140之中的一些部分因各向异性导电膜的通过热压而具有导电性的特性而具有导电性，因此电极和半导体发光二极管150可以电连接。在这种情况下，半导体发光二极管150被插入各向异性导电膜中，因此可以在半导体发光二极管150之间形成分隔壁。
接下来，去除第二基板112。例如，可以使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)来去除第二基板112。
最后，通过去除第二基板112，将半导体发光二极管150暴露于外部。如有必要，可以通过用硅氧化物(SiOx)等涂覆与半导体发光二极管150联接的布线板的顶部来形成透明绝缘层(未示出)。
另外，还可以包括在半导体发光二极管150的表面上形成荧光层的步骤。例如，半导体发光二极管150可以是发射蓝光(B)的蓝色半导体发光二极管，并且用于将蓝光(B)转换成子像素的光的红色荧光主体或绿色荧光主体可以在蓝色半导体发光二极管的表面上形成层。
可以以各种方式修改上述使用半导体发光二极管的显示器的制造方法或结构。作为示例，竖直半导体发光二极管也可以应用于上述显示器。此后，将参考图5a至图5c和图6来描述竖直结构。
另外，在此后将描述的修改形式或实施方式中，相同或类似的部件被赋予相同或类似的附图标记，并且为了进行描述，参照以上描述。
图7是示出了使用本公开的半导体发光二极管的显示器的另一实施方式的立体图，图8是沿着图7中的线D-D截取的截面图，并且图9是示出了图8的竖直半导体发光二极管的概念图。
参照这些附图，显示器可以是使用无源矩阵(PM)型竖直半导体发光二极管的显示器。
显示器包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240和多个半导体发光二极管250。
作为其上设置有第一电极220的布线板的基板210可以包含聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示器。另外，可以使用任何材料，只要它们具有绝缘性和柔性即可。
第一电极220设置在基板210上，并可以形成为在一个方向上长的条形。第一电极220可以被配置为用作数据电极。
导电粘合层230形成在其上设置有第一电极220的基板210上。像应用了倒装芯片型发光二极管的显示器一样，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏和包括导电颗粒的溶液。然而，在该实施方式中，举例说明了导电粘合层230由各向异性导电膜实现的情况。
以第一电极220设置在基板210上并随后通过施加热和压力来连接半导体发光二极管250的状态设置各向同性导电膜，半导体发光二极管250与第一电极220电连接。在这种情况下，优选的是将半导体发光二极管250设置为设置在第一电极220上。
如上所述的电连接的产生是因为当施加热和压力时，各向异性导电膜部分地具有厚度方向上的导电性。因此，各向异性导电膜被划分成在厚度方向上具有导电性的部分以及在厚度方向上没有导电性的部分。
另外，由于各向异性导电膜包含粘合剂成分，因此导电粘合层230不仅实现电连接，而且实现半导体发光二极管250与第一电极220之间的机械联接。
如上所述，半导体发光二极管250设置在导电粘合层230上，由此它构成了显示器中的个体像素。由于半导体发光二极管250具有优异的亮度，因此它可以构成甚至小尺寸的个体子像素。个体半导体发光二极管250可以具有一边为80μm或更小的尺寸，并可以是矩形或正方形二极管。当它是矩形时，尺寸可以是20×80μm或更小。
半导体发光二极管250可以是竖直结构。
跨第一电极220的长度方向设置并与竖直半导体发光二极管250电连接的多个第二电极240设置在竖直半导体发光二极管之间。
参照图9，竖直半导体发光二极管包括p型电极256、形成在p型电极256上的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情况下，设置在下部部分处的p型电极256可以通过导电粘合层230与第一电极220电连接，并且设置在上部部分处的n型电极252可以与以下将描述的第二电极240电连接。半导体发光二极管250的大优势在于电极可以上下设置，因此可以减小芯片尺寸。
再次参照图8，荧光层280可以形成在半导体发光二极管250的表面上。例如，半导体发光二极管250是发射蓝光(B)的蓝色半导体发光二极管251，并可以设置用于将蓝光(B)转换成子像素的颜色的荧光层280。在这种情况下，荧光层280可以是构成个体像素的红色荧光主体281和绿色荧光主体282。
也就是说，可以将蓝光转换成红光(R)的红色荧光主体281可以在形成有红色子像素的位置处堆叠在蓝色半导体发光二极管上，并且可以将蓝光转换成绿光(G)的绿色荧光主体282可以在形成有绿色子像素的位置处堆叠在蓝色半导体发光二极管上。另外，只有蓝色半导体发光二极管可以被独立用在形成蓝色子像素的部分处。在这种情况下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以形成一个像素。
然而，本公开不一定限于此，并且可以应用用于在应用倒装芯片型发光二极管的显示器中实现如上所述的蓝色、绿色和红色的其他结构。
根据该实施方式，第二电极240设置在半导体发光二极管250之间并与半导体发光二极管电连接。例如，半导体发光二极管250可以设置为多行，并且第二电极240可以设置在半导体发光二极管250的多行之间。
由于形成个体像素的半导体发光二极管250之间的距离足够大，因此第二电极240可以设置在半导体发光二极管250之间。
第二电极240可以形成为呈在一个方向上长的条形的电极，并可以与第一电极垂直地设置。
另外，第二电极240和半导体发光二极管250可以通过从第二电极240突出的连接电极电连接。更详细地，连接电极可以是半导体发光二极管250的n型电极。例如，n型电极形成为用于欧姆接触的欧姆电极，并且第二电极通过印刷或沉积覆盖欧姆电极的至少部分。因此，第二电极240和半导体发光二极管250的n型电极可以电连接。
根据附图，第二电极240可以设置在导电粘合层230上。根据情况，包含硅氧化物(SiOx)等的透明绝缘层(未示出)可以形成在其上形成有半导体发光二极管250的基板210上。当在形成透明绝缘层之后设置第二电极240时，第二电极240设置在透明绝缘层上。另外，第二电极240可以形成为在导电粘合层230或透明绝缘层上彼此间隔开。
如果使用诸如ITO(铟锡氧化物)这样的透明电极将第二电极240设置在半导体发光二极管250上，则存在的问题是ITO物质没有很好地粘结到半导体层。因此，本公开的优点在于，通过将第二电极240设置在半导体发光二极管250之间，不需要使用诸如ITO这样的透明电极。因此，可以通过使用与n型半导体层很好粘结的导电物质作为水平电极而不限于选择透明材料来提高光提取效率。
根据附图，分隔壁290可以设置在半导体发光二极管250之间。也就是说，分隔壁290可以设置在竖直半导体发光二极管250之间，以隔离形成个体像素的半导体发光二极管250。在这种情况下，分隔壁290可以用于分离个体子像素，并可以与导电粘合层230一体地形成。例如，半导体发光二极管250插入各向异性导电膜中，各向异性导电膜的基底构件可以形成分隔壁。
另外，当各向异性导电膜的基底构件是黑色时，分隔壁290可以具有反射特性，并且即使没有分立的黑色绝缘体也可以增加对比度。
又如，反射型分隔壁可以设置为分隔壁190。根据显示器的目的，分隔壁290可以包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240直接设置在半导体发光二极管250之间的导电粘合层230上，则分隔壁290可以设置在各半导体发光二极管250和第二电极240之间。因此，存在以下效果：使用半导体发光二极管250，可以构成甚至小尺寸的个体子像素，因为半导体发光二极管250的距离相对较大，所以可以将第二电极240设置在半导体发光二极管250之间，并且可以实现具有HD质量的柔性显示器。
另外，根据附图，黑色矩阵291可以设置在荧光主体之间，以提高对比度。也就是说，黑色矩阵291可以提高明暗对比度。
如上所述，半导体发光二极管250设置在导电粘合层230上，由此它构成了显示器中的个体像素。由于半导体发光二极管250具有优异的亮度，因此它可以构成甚至小尺寸的个体子像素。因此，可以实现其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素通过半导体发光二极管形成一个像素的全色显示器。
图10是示意性示出了其中通过自组装类型将半导体发光二极管组装到显示面板的方法的实施方式的视图。
参考图10，简要描述其中使用电磁场通过自组装类型将半导体发光二极管组装到显示面板的示例。
参照图10，可以将半导体发光二极管1104置于填充有流体1200的腔室1300中。
半导体发光二极管1104可以被实现为图4中示出的水平半导体发光二极管或图9中示出的竖直半导体发光二极管。另外，半导体发光二极管1104可以包括具有磁性构件的磁性层。磁性层可以包含诸如镍Ni这样的具有磁性的金属。由于置于流体中的半导体发光二极管1104包括磁性层，因此它可以在从组装设备1000产生的磁场的作用下移动到面板1100，因此可以将它组装到面板1100。
此后，可以将面板1100(或基板)设置在腔室1300上。根据实施方式，可以将面板1100置于腔室1300中。
可以在面板1100上形成分别与待组装的半导体发光二极管1104对应的一对组装电极(未示出)。组装电极可以由ITO实现，或者可以由其他常见材料实现。组装电极可以对应于通过在施加电压时发射电场来将组装好的半导体发光二极管1104固定到面板1100的一对组装电极。组装电极之间的间隙小于半导体发光二极管1104的宽度和联接孔1102的宽度，因此可以使用电场更精确地固定半导体发光二极管1104的组装位置。
在面板1100中形成与半导体发光二极管1140联接的联接孔1102，并且其上形成联接孔1102的表面可以与流体1200接触。联接孔可以引导半导体发光二极管1140的准确组装位置。例如，联接孔1102可以由形成在面板1100的基板上的分隔壁190(参见图3b)形成。
此外，联接孔1102可以具有与将组装在对应位置处的半导体发光二极管1104的形状对应的形状和尺寸。因此，可以防止其他半导体发光二极管或多个半导体发光二极管联接到联接孔1102。
在设置面板1100之后，包括磁性构件的组装设备1000可以沿着面板1100移动。组装设备1000可以与面板1100接触地移动，以使磁场到达流体1200内部的面积最大化。根据实施方式，组装设备1000可以包括多个磁性构件或尺寸对应于面板1100的磁性构件。在这种情况下，组装设备1000的移动距离可以被限制在预定范围内。
腔室1300中的半导体发光二极管1104可以在由组装设备1000产生的磁场的作用下朝向组装设备1000移动。
可以将半导体发光二极管1104插入联接孔1102中，并使其在朝向组装设备1000移动的同时与面板1100接触。例如，半导体发光二极管1104的n型半导体层与面板1100接触的图案或形状可以形成在联接孔1102和/或半导体发光二极管1104中。
另外，可以在通过形成在面板1100上的组装电极施加的电场的作用下，将正与面板1100接触的半导体发光二极管1104固定到面板1100，而没有由于设备1000的移动而分离。因此，可以将半导体发光二极管1104组装到面板1100。
也就是说，通过使用电磁场的自组装类型，可以显著减少将各半导体发光二极管组装到基板所花费的时间，因此可以快速且经济地实现大面积的高像素显示器。
此后，将参考图11至图19来更详细地描述图10中示出的组装设备1000。
图11是根据本公开的实施方式的组装设备的立体图。
参照图11，组装设备1000可以包括旋转模块1030和组装模块1060。旋转模块1030可以使用从外部提供的驱动力来旋转与旋转模块1030连接的组装模块1060。
组装模块1060可以在旋转模块1030的作用下横向旋转。特别地，组装模块1060可以以预定距离连接到旋转模块1030的旋转轴。在这种情况下，当旋转模块1030旋转时，组装模块1060可以沿着轨道旋转(轨道运动)。
磁性构件设置在组装模块1060的下方，并可以沿着轨道与面板1100接触地旋转。处于流体中的半导体发光二极管1104可以在从磁性构件产生的磁场的作用下朝向磁性构件移动。另外，当磁性构件沿着轨道旋转时，半导体发光二极管1104也可以对应于磁性构件的旋转而移动。半导体发光二极管1104在移动时被插入面板1100的联接孔1102中，由此它们可以组装到面板1100。
图12是图11的组装设备中所包括的旋转模块的立体图。图13是示出了图12中示出的旋转模块的旋转结构示例的视图。图14是图12中示出的旋转模块的截面图。
参照图12至图14，旋转模块1030可以包括壳体1031和紧固到壳体1031的下部部分的框架1032。
壳体1031和框架1032可以在其中形成供多个齿轮1034、1045和1046容纳在其中的容纳空间。
旋转模块1030可以包括杆1033，杆1033在从外部驱动源传递的驱动力的作用下旋转。例如，杆1033可以被实现为圆形杆。此后，假定在下面的描述中杆1033是圆形杆1033。
圆形杆1033可以具有固定到主齿轮1034的端部和连接到外部驱动力供应器(未示出)的另一端部。
供圆形杆1033穿过的穿通孔可以形成在壳体1031的上部部分处，并且圆形杆1033可以穿过穿通孔被固定到容纳在壳体1031中的主齿轮1034。
圆形杆1033可以在外部驱动力供应器的作用下旋转。圆形杆1033的纵向方向可以对应于旋转轴线。当圆形杆1033旋转时，固定到圆形杆1033的主齿轮1034也可以旋转。
根据实施方式，限制主齿轮1034的竖直移动并防止主齿轮1034旋转的固定构件1035和1036可以设置在主齿轮1034的上方和下方。
继续参照图12至图14，旋转模块1030可以包括与主齿轮1034啮合的第一辅助齿轮1045和第二辅助齿轮1046。第一辅助齿轮1045和第二辅助齿轮1046可以在与主齿轮1034的旋转方向的相反方向上旋转。也就是说，第一辅助齿轮1045的旋转方向与第二辅助齿轮1046的旋转方向可以相同。
根据实施方式，限制竖直移动并防止第一辅助齿轮1045和第二辅助齿轮1046分离的固定构件1047、1048、1049和1050可以分别设置在第一辅助齿轮1045和第二辅助齿轮1046的上方和下方。
第一连接轴1051可以固定到第一辅助齿轮1045，并且第二连接轴1052可以固定到第二辅助齿轮1046。第一连接轴1051和第二连接轴1052可以分别对应于第一辅助齿轮1045和第二辅助齿轮1046的旋转而旋转。也就是说，旋转模块1030和组装模块1060在多个位置处连接，可以提高连接稳定性。
第一连接轴1051和第二连接轴1052可以与组装模块1060连接。详细地，供组装模块1060的第一轴1062(参见图15)插入的第一紧固孔1053可以形成在第一连接轴1051中。类似地，供组装模块1060的第二轴1063(参见图15)插入的第二紧固孔1054可以形成在第二连接轴1052中。
特别地，第一紧固孔1053和第二紧固孔1054的中心可以分别与第一连接轴1051和第二连接轴1052的旋转轴线间隔开。也就是说，如图14中所示，第一紧固孔1053和第二紧固孔1054可以形成为偏离第一连接轴1051和第二连接轴1052的中心。因此，当第一连接轴1051和第二连接轴1052旋转时，第一轴1062、第二轴1063和包括这些轴的组装模块1060可以沿着预定轨道旋转(轨道运动)。
此外，根据实施方式，旋转模块1030和组装模块1060可以在一个位置连接。在这种情况下，旋转模块1030可以不包括辅助齿轮1045和1046，并且一个主轴可以固定到主齿轮1034。另外，只有插入这个连接轴中的一个轴可以形成在组装模块1060处。
根据实施方式，防止第一连接轴1051和第二连接轴1052有锯齿边的连接轴固定器1041和1042可以分别紧固到第一连接轴1051和第二连接轴1052的上部部分。
图15是图11的组装设备中所包括的组装模块的立体图。图16是示出了图15的组装模块中所包括的磁性构件容纳器和磁性构件固定板的视图。图17是示出了图15的组装模块的一部分的截面图。
参照图15至图17，组装模块1060可以包括形成整个外观的壳体1061和紧固到壳体1061的下部部分的磁性构件容纳器1071。
第一轴1062和第二轴1063可以紧固到壳体1061。同时，为了使组装模块1060在旋转模块1030的连接轴1051和1052旋转时沿着轨道旋转(轨道运动)，第一轴1062和第二轴1063可以被紧固或插入，以能够相对于壳体1061或连接轴1051和1052中的任一个旋转。
磁性构件容纳器1071可以紧固到壳体1061的下部部分。容纳磁性构件的至少一个磁性构件容纳孔1072可以形成在磁性构件容纳器1071中。
另外，从顶部凹入并容纳磁性构件固定板1081的容纳空间1073可以形成在磁性构件容纳器1071上。容纳空间1073可以形成在至少一个磁性构件容纳孔1072上。壳体1061设置在容纳在容纳空间1073中的磁性构件固定板1081的上方，因此可以防止磁性构件固定板1081在外部分离。
例如，磁性构件固定板1081由磁性金属制成，因此至少一个固定磁性构件1092可以固定在磁性构件容纳器1071中。例如，至少一个固定磁性构件1092可以通过磁性构件固定板1081的吸引而附接并固定到磁性构件固定板1081的底部。
根据实施方式，磁性构件固定板1081还可以包括形成在与形成在磁性构件容纳器1071中的至少一个磁性构件容纳孔1072对应的位置处的至少一个磁性构件容纳槽1082。在这种情况下，至少一个固定磁性构件1092可以容纳在至少一个磁性构件容纳槽1082中。
参照图17，移动磁性构件1091和固定磁性构件1092可以设置在至少一个磁性构件容纳孔1072中。移动磁性构件1091可以从磁性构件容纳器1071向下部分地突出，并且固定磁性构件1092可以附接并固定到磁性构件固定板1081的底部。
可以在移动磁性构件1091和固定磁性构件1092的彼此面对的横截面上形成相同的极性。因此，排斥作用在移动磁性构件1091和固定磁性构件1092之间，因此除非从外部施加另一力，否则移动磁性构件1091可以与固定磁性构件1092间隔开预定距离。在这种情况下，即使面板1100的与组装设备1000接触的接触表面由于弯曲等而不均匀，移动磁性构件1091也可以平滑地与接触表面接触。
移动磁性构件1091和固定磁性构件1092可以被定义为一种冲击吸收模块。下面，参考图19和图20更详细地描述在组装模块1060中实现的冲击吸收模块的效果。
图18是示意性示出了根据组装设备的驱动的磁性构件的轨道运动和基于该轨道运动的半导体发光二极管的组装操作的视图。
图18从上方示出了半导体发光二极管的组装操作。参照图18，可以将面板1100设置为面对联接孔1102的下部部分。因此，联接孔1102可以与流体1200接触或被置于流体1200中。
此外，当组装半导体发光二极管时，可以将组装设备1000设置为使得移动磁性构件1091与面板1100接触。当将移动磁性构件1091设置为与面板1100接触时，可以使存在于流体1200中的半导体发光二极管1104在磁场的作用下移动到面板1100。朝向面板1100移动的半导体发光二极管1104可以进入形成在面板1100中的联接孔1102。通过形成在面板1100上的组装电极(未示出)施加的电场，可以将进入联接孔1102的半导体发光二极管1104固定在联接孔1102中。
此外，可以通过从外部提供的驱动力来旋转组装设备1000的圆形杆1033。在这种情况下，圆形杆1033固定到其上的主齿轮1034也可以旋转，并且与主齿轮1034啮合的第一辅助齿轮1045和第二辅助齿轮1046也可以旋转。
在第一辅助齿轮1045和第二辅助齿轮1046旋转时，连接到第一辅助齿轮1045的第一连接轴1051和连接到第二辅助齿轮1046的第二连接轴1052可以旋转。当第一连接轴1051和第二连接轴1052旋转时，与第一连接轴1051和第二连接轴1052连接的组装模块1060可以沿着预定轨道旋转。
在这种情况下，设置在组装模块1060中的至少一个移动磁性构件1091可以沿着预定轨道O旋转。由于至少一个移动磁性构件1091沿着预定轨道O旋转，因此半导体发光二极管1104可以在与面板1100接触地水平移动的同时更有效地组装到联接孔1102。另外，组装设备1000可以使用有限数量的移动磁性构件1091有效地将半导体发光二极管组装到面积更宽的联接孔中。根据实施方式，组装设备1000可以在沿预定方向移动的同时，将半导体发光二极管组装到各个区域中的联接孔中。
也就是说，根据本公开的实施方式，组装设备1000包括与面板1100接触地移动的至少一个磁性构件1091，因此可以利用磁场有效地将容纳在流体1200中的半导体发光二极管1104朝向面板引导。因此，组装设备1000使得半导体发光二极管1104能够更容易地组装到面板1100，因此可以显著地减少传送处理的处理时间。
图19示出了与图15的组装模块中所包括的冲击吸收模块相关的示例性视图。
参照图19的(a)，冲击吸收模块可以包括移动磁性构件1091和固定磁性构件1092。固定磁性构件1092可以附接并固定到磁性构件固定板1081，并且移动磁性构件1091可以被实现为能基于来自固定磁性构件1092的排斥和从面板1100的接触表面施加的力而竖直移动达预定长度。
此外，为了防止移动磁性构件1091从磁性构件容纳孔1072向下分离，移动磁性构件1091的上半径可以大于下半径。另外，从内周表面突出的至少一个突出部1073可以形成在磁性构件容纳孔1072的下部部分处。该至少一个突出部1073与移动磁性构件1091的外周表面接触，由此限制移动磁性构件1091的倾斜或水平振动并防止移动磁性构件1091分离。因此，突出部1073可以稳定地将移动磁性构件1091保持到位。
相对于至少一个突出部1073限定的磁性构件容纳孔1072的内径可以对应于移动磁性构件1091的下外径，并可以小于移动磁性构件1091的上外径。
另一方面，参照图19的(b)，组装设备1000可以包括各种类型的冲击吸收模块。例如，冲击吸收模块可以具有磁性构件1093和反分离器，或者可以仅具有移动磁性构件1091。
或者，冲击吸收模块可以包括磁性构件1095以及连接在磁性构件1095和磁性构件容纳器1071或磁性构件固定板1081之间的弹簧1096。在这种情况下，磁性构件1095可以被实现为能基于弹簧1096的弹性恢复力和从面板1100的接触表面施加的力而竖直移动达预定长度。
图20是示出了根据图18的冲击吸收模块的实现方式的效果的示例性视图。
参照图20，面板1100可以设置在流体1200和腔室1300的上方，以组装半导体发光二极管1104。例如，面板1100的外边缘可以安置在腔室1300中，并且中心部分可以设置在流体1200的上方。此外，待制造的显示器的面积越大，面板1100的面积也可以越大。此外，面板1100的厚度与面积相比非常小，因此当面板1100设置在流体1200和腔室1300上方时，如图20所示，中心部分可以弯曲。
当组装设备1000仅具有固定磁性构件1900时，如在图20的右侧，多个磁性构件1900中的一些可以与面板1100间隔开预定距离，而不与面板接触。在这种情况下，从磁性构件1900施加的磁场没有传递到流体1200中，半导体发光二极管1104不能平滑地被朝向面板1100引导。结果，半导体发光二极管的组装率可以劣化。
相反，根据本公开的实施方式，由于冲击吸收模块形成在组装设备1000中，因此即使面板1100弯曲，多个移动磁性构件1091也可以平滑地与面板1100接触。因此，组装设备1000可以平滑地将在流体1200中的半导体发光二极管1104朝向面板1100引导，并可以在制造大面积显示器时防止半导体发光二极管的组装率劣化。
以上描述仅仅说明了本公开的精神，在不脱离本公开的精神的情况下，本领域的技术人员可以按各种方式改变和修改本公开。
因此，提供本文中描述的实施方式不是仅仅为了限制，而是为了说明本公开的精神，并且本公开的精神不受实施方式限制。
本公开的保护范围应该通过随附权利要求书来解释，并且本公开的范围和精神应该被解释为包括在本公开的专利权利内。

Claims (17)

1.一种用于将半导体发光二极管组装到显示面板的组装设备，所述组装设备包括：
组装模块，所述组装模块包括与所述显示面板的表面接触的至少一个磁性构件以及具有至少一个磁性构件容纳孔的磁性构件容纳器，其中，所述至少一个磁性构件在操作上构造成与所述显示面板的表面接触；以及
旋转模块，所述旋转模块包括齿轮和轴，并且连接到所述组装模块并被配置为使所述组装模块沿着轨道旋转，其中
所述组装模块包括磁性构件固定板和紧固到所述至少一个磁性构件的上部的壳体，并且
其中，所述旋转模块包括杆和主齿轮，所述杆固定到所述主齿轮。
2.根据权利要求1所述的组装设备，其中，所述组装模块的所述至少一个磁性构件通过所述至少一个磁性构件容纳孔从所述磁性构件容纳器向下突出。
3.根据权利要求2所述的组装设备，其中，在所述磁性构件中，容纳在所述至少一个磁性构件容纳孔中的第一部分的半径大于从所述至少一个磁性构件容纳孔向下突出的第二部分的半径。
4.根据权利要求3所述的组装设备，其中，在所述磁性构件容纳孔的下部部分处形成有从内周表面突出的至少一个突出部。
5.根据权利要求4所述的组装设备，其中，基于所述至少一个突出部来说的所述磁性构件容纳孔的下内径小于所述磁性构件的所述第一部分的半径。
6.根据权利要求1所述的组装设备，其中，所述磁性构件固定板容纳于在所述磁性构件容纳器的上部部分上凹入的容纳空间中，并且所述磁性构件固定板由金属制成。
7.根据权利要求6所述的组装设备，其中，所述组装模块还包括至少一个固定磁性构件，所述至少一个固定磁性构件容纳在所述至少一个磁性构件容纳孔中并附接到所述磁性构件固定板的底部。
8.根据权利要求7所述的组装设备，其中，所述至少一个磁性构件设置在所述至少一个固定磁性构件的下方，并且所述至少一个磁性构件和所述至少一个固定磁性构件在其彼此面对的表面上具有相同的极性。
9.根据权利要求8所述的组装设备，其中，所述至少一个磁性构件能基于所述至少一个固定磁性构件的排斥和外力而上下移动。
10.根据权利要求1所述的组装设备，其中，所述组装模块还包括紧固在所述壳体和所述旋转模块之间的至少一个轴。
11.根据权利要求10所述的组装设备，其中，所述旋转模块还包括：
至少一个辅助齿轮，所述至少一个辅助齿轮与所述主齿轮啮合；以及
至少一个连接轴，所述至少一个连接轴固定到所述至少一个辅助齿轮，并且
其中，所述至少一个轴与所述至少一个连接轴连接。
12.根据权利要求11所述的组装设备，其中，所述至少一个轴与所述至少一个连接轴连接，以与所述至少一个连接轴的旋转中心间隔开。
13.根据权利要求11所述的组装设备，其中，在所述至少一个连接轴的下部部分处形成有供所述至少一个轴插入的紧固槽。
14.根据权利要求13所述的组装设备，其中，所述紧固槽的中心与所述至少一个连接轴的旋转轴线间隔开。
15.根据权利要求1所述的组装设备，其中，所述组装模块还包括容纳在所述至少一个磁性构件容纳孔中的至少一个固定磁性构件，并且
其中，所述至少一个磁性构件位于所述至少一个固定磁性构件下方。
16.根据权利要求15所述的组装设备，其中，所述至少一个磁性构件和所述至少一个固定磁性构件在其彼此面对的表面上具有相同的极性。
17.根据权利要求16所述的组装设备，其中，所述至少一个磁性构件将基于所述至少一个固定磁性构件的排斥和外力而上下移动。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108735919B (zh) * 2018-05-29 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 将薄膜图案化的方法、显示器件及其制备方法
KR102145016B1 (ko) * 2019-02-28 2020-08-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 디스플레이 패널에 조립하는 조립 장치
US11322645B1 (en) * 2019-05-24 2022-05-03 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method thereof
US20230317491A1 (en) * 2020-09-29 2023-10-05 Lg Electronics Inc. Apparatus and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049974A (en) * 1998-04-29 2000-04-18 National Semiconductor Corporation Magnetic alignment apparatus and method for self-alignment between a die and a substrate
WO2017063319A2 (zh) * 2015-10-14 2017-04-20 南京洛普科技有限公司 多层磁吸式前维护小间距led显示屏
CN107833525A (zh) * 2016-09-15 2018-03-23 伊乐视有限公司 发光显示器的流体组装的系统和方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3635030B2 (ja) * 2000-12-26 2005-03-30 Ｎｅｃマシナリー株式会社 ダイボンダ
US6953735B2 (en) * 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
US7629026B2 (en) * 2004-09-03 2009-12-08 Eastman Kodak Company Thermally controlled fluidic self-assembly
US8860635B2 (en) * 2005-04-04 2014-10-14 The Invention Science Fund I, Llc Self assembling display with substrate
US8119427B1 (en) * 2011-01-06 2012-02-21 Chi Mei Lighting Technology Corporation Light emitting diode die-bonding with magnetic field
US9773750B2 (en) * 2012-02-09 2017-09-26 Apple Inc. Method of transferring and bonding an array of micro devices
TWI440059B (zh) * 2012-05-10 2014-06-01 Ind Tech Res Inst 自組裝設備、使元件自組裝的方法以及熱電元件組裝方法
KR101382601B1 (ko) * 2012-07-02 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 장치 및 그 방법
KR101521939B1 (ko) * 2013-12-17 2015-05-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US10418527B2 (en) * 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
WO2017034268A1 (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102481524B1 (ko) * 2016-01-11 2022-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102521632B1 (ko) * 2016-05-02 2023-04-13 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 픽 앤 플레이스 방법
EP3731276B1 (en) * 2018-04-19 2023-11-01 LG Electronics Inc. Apparatus and method for self-assembling of semiconductor light-emitting element
KR102145016B1 (ko) * 2019-02-28 2020-08-18 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 디스플레이 패널에 조립하는 조립 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049974A (en) * 1998-04-29 2000-04-18 National Semiconductor Corporation Magnetic alignment apparatus and method for self-alignment between a die and a substrate
WO2017063319A2 (zh) * 2015-10-14 2017-04-20 南京洛普科技有限公司 多层磁吸式前维护小间距led显示屏
CN107833525A (zh) * 2016-09-15 2018-03-23 伊乐视有限公司 发光显示器的流体组装的系统和方法

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