CN113540183A - 显示装置 - Google Patents

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高武恂
郭来泳
马振硕
朴珉贞
柳基福
李素罗
郑震九
蔡宗沅
韩锐祗
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底，包括像素区域和透射区域；薄膜晶体管，在第一基底上；平坦化层，在薄膜晶体管上；第一发光电极，在平坦化层上；堤，覆盖第一发光电极的一部分；发光层，在第一发光电极上；以及第二发光电极，在发光层和堤上。透射区域包括穿透堤和平坦化层的透射孔。

Description

显示装置
技术领域
本公开的示例实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息社会发展，针对用于显示图像的显示装置的需求正在以各种形式增加。例如，显示装置正应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置、智能电视等的各种电子装置。显示装置可以包括包含连接到扫描线、数据线和电力线以显示图像的多个像素的显示面板。另外，显示装置可以包括诸如用于拍摄显示装置的前表面的图像的图像传感器、用于感测用户是否位于显示装置的前表面附近(例如，靠近或邻近显示装置的前表面)的接近传感器、用于感测显示装置的前表面的照度的照度传感器以及用于识别用户的虹膜的虹膜传感器的各种光学装置。光学装置可以设置在显示装置的前表面中的不与显示面板叠置的孔中。
随着显示装置应用于各种电子装置，正在期望具有各种设计的显示装置。例如，在智能电话的情况下，需要一种能够通过从显示装置的前表面去除不与显示面板叠置的孔来扩大显示区域的显示装置。在这种情况下，设置在显示装置的前表面中的孔中的光学装置会与显示面板叠置。然而，当光学装置与显示面板叠置时，光学装置会被显示面板的像素、扫描线、数据线和/或电力线覆盖。因此，会使入射到光学装置上的光的量减少，导致光学装置的功能劣化。
在本背景部分中公开的上面的信息是为了增强对本公开的背景的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或更多个示例实施例涉及一种显示装置，即使当光学装置与显示面板叠置时，该显示装置也可以防止或基本上防止入射在光学装置上的光量的减少。
然而，本公开的方面和特征不限于这里阐述的方面和特征。通过参照本公开的附图和详细描述，本公开的上述和其他示例实施例对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的一个或更多个示例实施例，显示装置包括：第一基底，包括像素区域和透射区域；薄膜晶体管，在第一基底上；平坦化层，在薄膜晶体管上；第一发光电极，在平坦化层上；堤，覆盖第一发光电极的一部分；发光层，在第一发光电极上；以及第二发光电极，在发光层和堤上。透射区域包括穿透堤和平坦化层的透射孔。
在示例实施例中，显示装置还可以包括封装层，封装层包括：第一无机层，在第二发光电极上；有机层，在第一无机层上；以及第二无机层，在有机层上，并且有机层可以填充透射孔。
在示例实施例中，显示装置还可以包括在薄膜晶体管的栅电极上的层间绝缘膜，并且第一无机层可以在透射区域处接触层间绝缘膜。
在示例实施例中，透射孔还可以穿透层间绝缘膜。
在示例实施例中，显示装置还可以包括在薄膜晶体管的有源层上的栅极绝缘层。薄膜晶体管的栅电极可以在栅极绝缘层上，并且第一无机层可以在透射区域处接触栅极绝缘层。
在示例实施例中，显示装置还可以包括：第一缓冲层，在第一基底上；第二基底，在第一缓冲层上；以及第二缓冲层，在第二基底上，并且薄膜晶体管的有源层可以在第二缓冲层上。
在示例实施例中，透射孔还可以穿透层间绝缘膜和栅极绝缘层。
在示例实施例中，第一无机层可以在透射区域处接触第二缓冲层。
在示例实施例中，透射孔还可以穿透层间绝缘膜、栅极绝缘层和第二缓冲层。
在示例实施例中，第一无机层可以在透射区域处接触第二基底。
在示例实施例中，透射孔还可以穿透层间绝缘膜、栅极绝缘层、第二缓冲层和第二基底。
在示例实施例中，第一无机层可以在透射区域处接触第一缓冲层。
在示例实施例中，第二缓冲层可以在透射区域处在第二基底朝向透射孔延伸所沿的方向上比第二基底突出得远。
在示例实施例中，第一无机层可以接触第二缓冲层的下表面。
根据本公开的一个或更多个示例实施例，显示装置包括：像素区域，包括用于显示图像的多个子像素；以及透射区域，与像素区域相邻。像素区域包括：第一基底；薄膜晶体管，在第一基底上；发光元件，在薄膜晶体管上，并且被构造为发射光；以及封装层，在发光元件上。透射区域包括第一基底和封装层，并且封装层包括：第一无机层；有机层，在第一无机层上；以及第二无机层，在有机层上。有机层在像素区域处的最大厚度比有机层在透射区域处的最大厚度小。
在示例实施例中，像素区域还可以包括在薄膜晶体管的有源层上的栅极绝缘层和在薄膜晶体管的栅电极上的层间绝缘膜，并且透射区域还可以包括栅极绝缘层和层间绝缘膜中的至少一个。
在示例实施例中，第一无机层可以在透射区域处接触栅极绝缘层和层间绝缘膜中的至少任何一个。
在示例实施例中，像素区域还可以包括：第一缓冲层，在第一基底上；第二基底，在第一缓冲层上；以及第二缓冲层，在第二基底与薄膜晶体管的有源层之间。
在示例实施例中，透射区域还可以包括第一缓冲层、第二基底和第二缓冲层，并且第一无机层可以在透射区域处接触第二缓冲层。
在示例实施例中，透射区域还可以包括第一缓冲层和第二基底，并且第一无机层可以在透射区域处接触第二基底。
在示例实施例中，透射区域还可以包括第一缓冲层，并且第一无机层可以在透射区域处接触第一缓冲层。
在示例实施例中，第二缓冲层可以在透射区域处在第二基底朝向透射孔延伸所沿的方向上比第二基底突出得远。
在示例实施例中，第一无机层可以接触第二缓冲层的下表面。
根据本公开的一个或更多个示例实施例，显示装置包括：显示面板，包括像素区域和透射区域，像素区域包括用于显示图像的多个子像素，透射区域被像素区域围绕；以及光学装置，在显示面板的厚度方向上与显示面板的透射区域叠置。显示面板包括：第一基底；薄膜晶体管，在第一基底上；平坦化层，在薄膜晶体管上；第一发光电极，在平坦化层上；堤，覆盖第一发光电极的一部分；发光层，在第一发光电极上；以及第二发光电极，在发光层和堤上。透射区域包括穿透堤和平坦化层的透射孔。
根据本公开的上述示例实施例和其他示例实施例中的一个或更多个，光学装置可以设置在显示面板的包括透射区域的副显示区域中。因此，即使在光学装置与显示面板叠置时，也可以减少入射在光学装置上的光量的减少。
通过以下详细描述、附图和权利要求及其等同物，本公开的其他方面、特征和示例实施例可以是明显的。
附图说明
通过以下参照附图对示例实施例的详细描述，本公开的以上和其他方面和特征对于本领域技术人员将变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2是根据实施例的显示装置的分解透视图；
图3是示出根据实施例的显示面板、显示电路板、显示驱动电路和触摸驱动电路的平面图；
图4是示出根据实施例的显示面板、显示电路板、显示驱动电路和触摸驱动电路的平面图；
图5是根据实施例的显示面板的主显示区域的布局图；
图6是根据实施例的显示面板的副显示区域的布局图；
图7是根据实施例的显示面板的副显示区域的布局图；
图8是更详细地示出图6的像素和透射区域的布局图；
图9是图8的第一子像素的详细布局图；
图10是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图；
图11是沿着图9的线II-II'截取的显示面板的示例的剖视图；
图12是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图；
图13是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图；
图14是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图；
图15是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图；
图16是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图；
图17是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图；
图18是图17的区域E的放大的详细剖视图；以及
图19是沿着图8的线I-I'截取的显示面板的示例的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，其中同样的附图标记始终指示同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里所示的实施例。相反，这些实施例是作为示例提供的，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言为了完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
在附图中，为了清楚，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于说明，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”、“底部”、“顶部”等的空间相对术语，来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(另外的)元件或特征的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包括装置在使用中或在操作中的不同方位。例如，如果翻转附图中的装置，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件于是将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”另一元件或层或“与”另一元件或层“相邻”时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到、直接结合到所述另一元件或层或者与所述另一元件或层直接相邻，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”另一元件或层或“与”另一元件或层“直接相邻”时，不存在中间元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为本公开的限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，术语“包含”、“包括”、“具有”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”、“……中的一个(种/者)”和“……中选择的”的表达位于一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰所述列中的个别元件。诸如“平面图”的短语可以指从顶部或从与显示装置的显示区域垂直的方向的视图。
如在这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。如在这里使用的，术语“使用”及其变形可以被认为分别与术语“利用”及其变形同义。此外，术语“示例性”意图指示例或说明。
在这里记载的任何数值范围意图包括包含在记载的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括在记载的最小值1.0与记载的最大值10.0之间(并包括记载的最小值1.0和记载的最大值10.0)的全部子范围，即，具有大于或等于1.0的最小值和小于或等于10.0的最大值的全部子范围，诸如以2.4至7.6为例。在这里记载的任何最大数值限制意图包括其中包含的所有较低数值限制，而在本说明书中记载的任何最小数值限制意图包括其中包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地记载包含在在这里明确记载的范围内的任何子范围。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的意思一致的意思，而不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
图1是根据实施例的显示装置10的透视图。图2是根据实施例的显示装置10的分解透视图。
参照图1和图2，根据本实施例的显示装置10可以应用于各种合适的便携式电子装置，例如诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、超移动PC(UMPC)等。作为另一示例，根据本实施例的显示装置10可以用作电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置等的显示单元。作为另一示例，根据本实施例的显示装置10可以应用于各种合适的可穿戴装置，例如诸如智能手表、手表电话、玻璃状显示器、头戴式显示器(HMD)等。作为另一示例，根据本实施例的显示装置10可以应用于车辆的仪表盘(dashboard)、车辆的中央仪表板(centerfascia)、设置在车辆的仪表盘上的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧镜的室内镜显示器、设置在前座的后部上作为车辆的后座的娱乐的显示器等。
在本说明书中，第一方向(例如，X轴方向)可以是显示装置10的短边方向，例如，显示装置10的水平方向。第二方向(例如，Y轴方向)可以是显示装置10的长边方向，例如，显示装置10的竖直方向。第三方向(例如，Z轴方向)可以是显示装置10的厚度方向。
显示装置10可以具有与四边形形状相似(例如，或者与四边形形状相同或与四边形形状基本上相同)的平面形状。例如，显示装置10可以具有与如图1中所示的具有沿第一方向(例如，X轴方向)的短边和沿第二方向(例如，Y轴方向)的长边的四边形类似的平面形状。在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的短边与在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的长边相交处的每个拐角可以以合适曲率(例如，预定曲率)倒角，或者可以是直角的。然而，本公开不限于此，并且显示装置10的平面形状不限于四边形形状。例如，显示装置10的平面形状可以是任何合适的形状，例如诸如另一多边形形状、圆形形状、椭圆形形状等。
显示装置10可以形成为平坦的或基本上平坦的。在另一示例中，显示装置10可以形成为例如使其两个面对的边弯折(或弯曲)。例如，显示装置10可以形成为使左边和右边弯折(或弯曲)。在另一示例中，显示装置10可以形成为使其上边、下边、左边和右边中的全部弯折(或弯曲)。
根据本实施例的显示装置10包括盖窗100、显示面板300、显示电路板310、显示驱动电路320、支架600、主电路板700、一个或更多个光学装置740至770以及底盖900。
盖窗100可以设置在显示面板300上，以覆盖显示面板300的前表面。因此，盖窗100可以用于保护显示面板300的前表面。
盖窗100可以包括与显示面板300对应的光透射部分(例如，光透射区域)DA100和与除了显示面板300之外的区域对应的光阻挡部分(例如，光阻挡区域)NDA100。光阻挡部分NDA100可以形成为不透明的。在另一示例中，光阻挡部分NDA100可以形成为具有当不显示图像时可以向用户示出的图案的装饰层。
显示面板300可以设置在盖窗100下方。显示面板300可以包括包含主显示区域MDA和副显示区域SDA的显示区域DA。主显示区域MDA可以占据显示区域DA的大部分(例如，显示区域DA的大多数部分)。副显示区域SDA可以设置在主显示区域MDA的一侧(例如，一端)处(例如，在其中或其上)，例如，如图2中所示，在主显示区域MDA的上侧(例如，上端)处，但是本公开不限于此。例如，在其他实施例中，副显示区域SDA可以设置在主显示区域MDA的至少两个相对侧(例如，两个相对端)处(例如，在其中或其上)，或者设置在主显示区域MDA的至少两个相邻侧(例如，两个相邻端)处(例如，在其中或其上)。
主显示区域MDA可以包括包含用于显示图像的像素的像素区域，但是可以不包括使光透射穿过其的透射区域。另一方面，副显示区域SDA可以包括使光透射穿过其的透射区域和包含用于显示图像的像素的像素区域两者。因此，副显示区域SDA的光透射率可以比主显示区域MDA的光透射率高。
副显示区域SDA可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与一个或更多个光学装置740至770叠置。因此，穿过副显示区域SDA的光可以入射在一个或更多个光学装置740至770上。因此，虽然光学装置740至770中的每个被显示面板300叠置(例如，与显示面板300叠置)，但是光学装置740至770中的一个或更多个(例如，光学装置740至770中的每个)可以感测从显示装置10的前表面入射的光。
显示面板300可以是包括发光元件的发光显示面板。例如，显示面板300可以是包括有机发光二极管(其包括有机发光层)的有机发光显示面板、包括微型发光二极管的微型发光二极管显示面板、包括量子点发光二极管(其包括量子点发光层)的量子点发光显示面板或包括无机发光元件(其包括无机半导体)的无机发光显示面板。为了便于描述，下面将主要更详细地描述显示面板300是有机发光显示面板的情况。
显示电路板310和显示驱动电路320可以连接到显示面板300的一侧(例如，附着到显示面板300的一侧或安装在显示面板300的一侧上)。显示电路板310可以是可以弯折(或折叠)的柔性印刷电路板、坚硬且不易弯折的刚性印刷电路板或包括刚性印刷电路板和柔性印刷电路板两者的复合印刷电路板。
显示驱动电路320可以通过显示电路板310接收控制信号和电力电压，并且可以生成并输出用于驱动显示面板300的信号和电压。显示驱动电路320可以形成为集成电路，并且使用玻璃上芯片(COG)法、塑料上芯片(COP)法或超声键合法附着到(例如，安装在)显示面板300上。然而，本公开不限于此。例如，显示驱动电路320可以附着到(例如，安装在)显示电路板310上。
触摸驱动电路330可以设置在显示电路板310上。触摸驱动电路330可以形成为集成电路并且附着到(例如，安装在)显示电路板310的上表面上。触摸驱动电路330可以通过显示电路板310电连接到显示面板300的触摸传感器层的触摸电极。触摸驱动电路330可以向触摸电极输出触摸驱动信号，并且可以感测在每个触摸电极的电容中充入的电压。
触摸驱动电路330可以根据在每个触摸电极处感测到的电信号的变化来生成触摸数据，并且可以向主处理器710发送触摸数据。主处理器710可以分析触摸数据以计算已经发生触摸的触摸坐标。触摸可以包括接触触摸和/或接近触摸。接触触摸是指例如诸如人的手指或笔的对象直接接触设置在触摸传感器层上的盖窗100的情况。接近触摸是指例如诸如人的手指或笔的对象以距盖窗100的合适或期望的接近度被定位在盖窗100上方(例如，悬停在盖窗100之上)的情况。
另外，用于供应用于驱动显示驱动电路320的显示驱动电压的电源单元(例如，电源或电源电路)可以设置在显示电路板310上。
支架600可以设置在显示面板300下方。支架600可以包括塑料、金属或者塑料和金属两者。支架600可以包括第一相机传感器720插入到其中的第一相机孔CMH1、其中设置有电池790的电池孔BH、连接到显示电路板310的线缆314穿过的线缆孔CAH以及其中设置有光学装置740至770的光透射孔SH。在另一示例中，支架600可以形成为不与显示面板300的副显示区域SDA叠置，并且在该示例中，可以不包括光透射孔SH。
主电路板700和电池790可以设置在支架600下方。主电路板700可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
主电路板700可以包括主处理器710、第一相机传感器720、主连接器730以及一个或更多个光学装置740至770。光学装置740至770可以包括接近传感器740、照度传感器750、虹膜传感器760和第二相机传感器770。
第一相机传感器720可以设置在主电路板700的上表面和下表面两者上。主处理器710可以设置在主电路板700的上表面上。主连接器730可以设置在主电路板700的下表面上。接近传感器740、照度传感器750、虹膜传感器760和第二相机传感器770可以设置在主电路板700的上表面上。
主处理器710可以控制显示装置10的功能(例如，所有功能)。例如，主处理器710可以通过显示电路板310向显示驱动电路320输出数字视频数据，使得显示面板300可以显示图像。另外，主处理器710可以从触摸驱动电路330接收触摸数据，可以确定用户的触摸坐标，然后可以执行由显示在用户的触摸坐标处的图标指示的应用。另外，主处理器710可以将从第一相机传感器720接收的第一图像数据转换为数字视频数据，并且可以通过显示电路板310向显示驱动电路320输出数字视频数据。因此，由第一相机传感器720拍摄的图像可以显示在显示面板300上。此外，主处理器710可以根据从接近传感器740、照度传感器750、虹膜传感器760和第二相机传感器770接收的传感器信号来控制显示装置10。
主处理器710可以根据从接近传感器740接收的接近传感器信号来确定对象是否定位为靠近显示装置10的前表面(例如，邻近显示装置10的前表面或在距显示装置10的前表面的合适的接近度内)。当在其中用户使用显示装置10与另一方通信(例如，谈话)的通话模式中对象定位为靠近显示装置10的前表面时，即使用户执行触摸动作，主处理器710也可以不执行由在触摸坐标处显示的图标指示的应用。
主处理器710可以根据从照度传感器750接收的照度传感器信号来确定显示装置10的前表面的亮度。主处理器710可以根据显示装置10的前表面的亮度来调整显示在显示面板300上的图像的亮度。
主处理器710可以根据从虹膜传感器760接收的虹膜传感器信号来确定用户的虹膜图像是否与预先存储在存储器中的虹膜图像相同(例如，相同或基本上相同)。当用户的虹膜图像与预先存储在存储器中的虹膜图像相同时，主处理器710可以解锁显示装置10，并且可以在显示面板300上显示主屏幕。
主处理器710可以根据从第二相机传感器770接收的第二图像数据来生成数字视频数据。主处理器710可以通过显示电路板310向显示驱动电路320输出数字视频数据。因此，由第二相机传感器770拍摄的图像可以显示在显示面板300上。
第一相机传感器720可以处理由图像传感器获得的诸如静止图像或运动图像的图像帧，并且可以向主处理器710输出处理后的图像帧。第一相机传感器720可以是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器或电荷耦合器件(CCD)传感器。第一相机传感器720可以通过第二相机孔CMH2暴露在底盖900的下表面上。因此，第一相机传感器720可以拍摄设置在显示装置10的后表面处的对象或背景。
穿过支架600的线缆孔CAH的线缆314可以连接到主连接器730。因此，主电路板700可以电连接到显示电路板310。
接近传感器740是用于检测对象是否定位为靠近显示装置10的前表面(例如，邻近显示装置10的前表面或在距显示装置10的前表面的合适的接近度内)的传感器。接近传感器740可以包括输出光的光源和接收被对象反射的光的光接收单元(例如，光接受器或光接收器)。接近传感器740可以根据被对象反射的光量来确定是否存在定位为靠近显示装置10的前表面的对象。因为接近传感器740在第三方向(例如，Z轴方向)上与光透射孔SH、显示面板300的副显示区域SDA和盖窗100的光透射部分DA100叠置(例如，被其叠置)，所以接近传感器740可以根据是否存在定位为靠近显示装置10的前表面的对象来生成接近传感器信号，并且可以向主处理器710输出接近传感器信号。
照度传感器750是用于检测显示装置10的前表面的亮度的传感器。照度传感器750可以包括具有根据入射光的亮度而变化的电阻值的电阻器。照度传感器750可以根据电阻器的电阻值确定显示装置10的前表面的亮度。因为照度传感器750在第三方向(例如，Z轴方向)上与光透射孔SH、显示面板300的副显示区域SDA和盖窗100的光透射部分DA100叠置(例如，被其叠置)，所以照度传感器750可以根据显示装置10的前表面的亮度来生成照度传感器信号，并且可以向主处理器710输出照度传感器信号。
虹膜传感器760是用于检测用户的虹膜的拍摄图像是否与预先存储在存储器中的虹膜图像相同(例如，相同或基本上相同)的传感器。因为虹膜传感器760在第三方向(例如，Z轴方向)上与光透射孔SH、显示面板300的副显示区域SDA和盖窗100的光透射部分DA100叠置(例如，被其叠置)，所以虹膜传感器760可以拍摄设置在显示装置10上方(例如，在显示装置10的前表面处)的用户的虹膜。虹膜传感器760可以根据用户的虹膜图像是否与预先存储在存储器中的虹膜图像相同来生成虹膜传感器信号，并且可以向主处理器710输出虹膜传感器信号。
第二相机传感器770可以处理由图像传感器获得的诸如静止图像或运动图像的图像帧，并且可以向主处理器710输出处理后的图像帧。第二相机传感器770可以是CMOS图像传感器或CCD传感器。第二相机传感器770的像素的数量可以比第一相机传感器720的像素的数量小(例如，比第一相机传感器720的像素的数量少)，并且第二相机传感器770的尺寸可以比第一相机传感器720的尺寸小。因为第二相机传感器770在第三方向(例如，Z轴方向)上与光透射孔SH、显示面板300的副显示区域SDA和盖窗100的光透射部分DA100叠置(例如，被其叠置)，所以第二相机传感器770可以拍摄设置在显示装置10上方(例如，在显示装置10的前表面处)的对象或背景。
电池790可以设置为在第三方向(例如，Z轴方向)上不与主电路板700叠置。电池790可以与支架600的电池孔BH叠置。
另外，主电路板700还可以包括通过移动通信网络能够向基站、外部终端和服务器中的至少一个发送无线信号并从基站、外部终端和服务器中的至少一个接收无线信号的移动通信模块(例如，移动通信天线或收发器)。根据文本/多媒体信息的发送/接收，无线信号可以包括语音信号、视频通话信号、各种数据等。
底盖900可以设置在主电路板700和电池790下方。底盖900可以扣紧并固定到支架600。底盖900可以形成显示装置10的底部外观。底盖900可以包括塑料、金属或者塑料和金属两者。
暴露第一相机传感器720的下表面的第二相机孔CMH2可以形成在底盖900中。然而，本公开不受图2中所示的实施例中所示的第一相机传感器720的位置以及与第一相机传感器720对应的第一相机孔CMH1和第二相机孔CMH2的位置限制。
图3是示出根据实施例的显示面板300、显示电路板310、显示驱动电路320和触摸驱动电路330的平面图。图4是示出根据实施例的显示面板300、显示电路板310、显示驱动电路320和触摸驱动电路330的平面图。
参照图3，显示面板300可以是刚性显示面板或者柔性显示面板，刚性显示面板坚硬且不容易弯折(或折叠)，柔性显示面板是柔性的且可以容易弯折、折叠或卷曲。例如，显示面板300可以是可以被折叠和展开的可折叠显示面板、具有弯曲的显示表面的弯曲显示面板、具有除了弯折的显示表面之外的区域的弯折显示面板、可以卷曲和/或展开的可卷曲的显示面板、可以拉伸和/或不拉伸的可拉伸显示面板等。
另外，显示面板300可以是被实现为透明的透明显示面板，使得设置在显示面板300的下表面(例如，位于显示面板300的后表面)上的对象或背景可以从显示面板300的前表面观看(例如，可以被看到)。另外，显示面板300可以是可以反射显示面板300的前表面处的对象或背景的反射显示面板。
显示面板300可以包括主区域MA和从主区域MA的一侧(例如，一端)突出的副区域SBA。主区域MA可以包括显示图像的显示区域DA和设置在显示区域DA周围(例如，围绕显示区域DA的外围)的非显示区域NDA。显示区域DA可以占据主区域MA的大部分(例如，主区域MA的大多数部分)。显示区域DA可以设置在主区域MA的中心(例如，中心区域)处。非显示区域NDA可以是显示区域DA外部的区域。非显示区域NDA可以被限定为显示面板300的边缘区域(例如，外围区域)。
显示区域DA可以包括主显示区域MDA和副显示区域SDA。主显示区域MDA可以占据显示区域DA的大部分(例如，显示区域DA的大多数部分)。
主显示区域MDA可以不包括使光透射穿过其的透射区域，并且可以包括包含用于显示图像的像素的像素区域。另一方面，副显示区域SDA可以包括使光透射穿过其的透射区域和包含用于显示图像的像素的像素区域两者。因此，副显示区域SDA的光透射率可以比主显示区域MDA的光透射率高。
副显示区域SDA可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与光学装置740至770叠置。因此，穿过副显示区域SDA的光可以入射在光学装置740至770上。因此，虽然光学装置740至770中的每个与显示面板300叠置(例如，被其叠置)，但是光学装置740至770中的每个可以感测从显示装置10的前表面入射的光。
副显示区域SDA可以设置在主显示区域MDA的一侧(例如，一端)上，例如，如图3中所示，设置在主显示区域MDA的上侧(例如，上端)上。然而，本公开不限于此。例如，副显示区域SDA可以设置在主显示区域MDA的左侧、右侧或下侧(例如，下端)上。在另一示例中，副显示区域SDA可以被布置为与主显示区域MDA的中心相邻，并且可以被主显示区域MDA围绕(例如，主显示区域MDA在其外围周围)。在另一示例中，副显示区域SDA可以设置为与显示面板300的拐角相邻。
在另一实施例中，参照图4，显示区域DA可以包括多个副显示区域SDA1至SDA4，例如，如图4中所示。在该示例中，副显示区域SDA1至SDA4可以彼此间隔开。副显示区域SDA1至SDA4中的每个可以被主显示区域MDA围绕(例如，主显示区域MDA在其外围周围)。
第一副显示区域SDA1可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与接近传感器740叠置。因此，虽然接近传感器740与显示面板300叠置(例如，被其叠置)，但是接近传感器740可以通过第一副显示区域SDA1感测从显示装置10的前表面入射的光。
第二副显示区域SDA2可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与照度传感器750叠置。因此，虽然照度传感器750与显示面板300叠置(例如，被其叠置)，但是照度传感器750可以通过第二副显示区域SDA2感测从显示装置10的前表面入射的光。
第三副显示区域SDA3可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与虹膜传感器760叠置。因此，虽然虹膜传感器760与显示面板300叠置(例如，被其叠置)，但是虹膜传感器760可以通过第三副显示区域SDA3感测从显示装置10的前表面入射的光。
第四副显示区域SDA4可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第二相机传感器770叠置。因此，虽然第二相机传感器770与显示面板300叠置(例如，被其叠置)，但是第二相机传感器770可以通过第四副显示区域SDA4感测从显示装置10的前表面入射的光。
显示区域DA可以包括如图4中所示的四个副显示区域SDA1至SDA4，但是本公开不限于此。副显示区域SDA1至SDA4的数量可取决于显示装置10的光学装置740至770的数量。例如，副显示区域SDA1至SDA4可以设置为与光学装置740至770一一对应。
如图4中所示，副显示区域SDA1至SDA4中的每个可以是圆形的，但是本公开不限于此。例如，副显示区域SDA1至SDA4中的每个可以具有任何合适的形状，例如诸如多边形形状、椭圆形形状等。另外，如图4中所示，副显示区域SDA1至SDA4可以具有彼此相同或基本上相同的尺寸，但是本公开不限于此。例如，副显示区域SDA1至SDA4中的至少一个可以具有与其他副显示区域的尺寸不同的尺寸。
副区域SBA可以在第二方向(例如，Y轴方向)上从主区域MA的一侧(例如，一端)突出。如图3和图4中所示，副区域SBA的在第一方向(例如，X轴方向)上的长度可以比主区域MA的在第一方向(例如，X轴方向)上的长度小，并且副区域SBA的在第二方向(例如，Y轴方向)上的长度可以比主区域MA的在第二方向(例如，Y轴方向)上的长度小，但是本公开不限于此。
显示面板300的副区域SBA可以弯折(或折叠)，并且设置在显示面板300下方。在这种情况下，显示面板300的副区域SBA可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与显示面板300的主区域MA叠置(例如，可以被其叠置)。
显示电路板310和显示驱动电路320可以附着到显示面板300的副区域SBA(例如，安装在显示面板300的副区域SBA上)。显示电路板310可以通过使用低电阻高可靠性材料(例如诸如各向异性导电膜或自组装各向异性导电膏(SAP))附着到显示面板300的副区域SBA的垫(pad，或称为“焊盘”)上。触摸驱动电路330可以设置在显示电路板310上。
图5是根据实施例的显示面板300的主显示区域MDA的布局图。
参照图5，主显示区域MDA可以包括发射光的发射区域RE、GE1、BE和GE2。主显示区域MDA的发射区域RE、GE1、BE和GE2可以包括发射第一颜色的光的第一发射区域RE、发射第二颜色的光的第二发射区域GE1、发射第三颜色的光的第三发射区域BE和发射第四颜色的光的第四发射区域GE2。第一发射区域RE、第二发射区域GE1、第三发射区域BE和第四发射区域GE2可以发射颜色彼此不同的光。在另一示例中，第一发射区域RE、第二发射区域GE1、第三发射区域BE和第四发射区域GE2中的至少两个可以发射颜色彼此相同的光。例如，第二发射区域GE1和第四发射区域GE2可以发射颜色彼此相同的光。
第一发射区域RE、第二发射区域GE1、第三发射区域BE和第四发射区域GE2中的每个可以具有矩形平面形状，但是本公开不限于此。例如，第一发射区域RE、第二发射区域GE1、第三发射区域BE和第四发射区域GE2中的每个可以具有诸如除了矩形形状之外的另一多边形形状、圆形形状、椭圆形形状等的任何合适的形状。另外，在图5至图8中，每个第三发射区域BE的面积被示出为最大，每个第二发射区域GE1的面积和每个第四发射区域GE2的面积被示出为最小，但是本公开不限于此。
一个第一发射区域RE、一个第二发射区域GE1、一个第三发射区域BE和一个第四发射区域GE2可以被限定为用于表现白色灰度级(例如，白色灰度值)的一个像素发射组EG。换言之，从一个第一发射区域RE发射的光、从一个第二发射区域GE1发射的光、从一个第三发射区域BE发射的光和从一个第四发射区域GE2发射的光可以组合来表现白色灰度级。
第一发射区域RE中的每个可以包括在对应的第一子像素中，第二发射区域GE1中的每个可以包括在对应的第二子像素中，第三发射区域BE中的每个可以包括在对应的第三子像素中，第四发射区域GE2中的每个可以包括在对应的第四子像素中。第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素可以被限定为(例如，可以形成)一个像素。下面将参照图8更详细地描述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素。
第二发射区域GE1和第四发射区域GE2可以设置在奇数行处(例如，在其中或其上)。第二发射区域GE1和第四发射区域GE2可以设置为在奇数行中的每个中在第一方向(例如，X轴方向)上并排。第二发射区域GE1和第四发射区域GE2可以交替地设置在奇数行中的每个处(例如，在其中或其上)。第四发射区域GE2中的每个可以具有在第四方向DR4上延伸的长边和在第五方向DR5上延伸的短边，第二发射区域GE1中的每个可以具有在第五方向DR5上延伸的长边和在第四方向DR4上延伸的短边。第四方向DR4可以是第一方向(例如，X轴方向)与第二方向(例如，Y轴方向)之间的方向，第五方向DR5可以是与第四方向DR4相交(例如，交叉)的方向。
第一发射区域RE和第三发射区域BE可以设置在偶数行处(例如，在其中或其上)。第一发射区域RE和第三发射区域BE可以设置为在偶数行中的每个中在第一方向(例如，X轴方向)上并排。第一发射区域RE和第三发射区域BE可以交替地设置在偶数行中的每个处(例如，在其中或其上)。第一发射区域RE和第三发射区域BE中的每个可以具有菱形平面形状。在这种情况下，第一发射区域RE和第三发射区域BE中的每个可以包括平行于或基本上平行于第四方向DR4的边和平行于或基本上平行于第五方向DR5的边。
第二发射区域GE1和第四发射区域GE2可以设置在偶数列处(例如，在其中或其上)。第二发射区域GE1和第四发射区域GE2可以设置为在偶数列中的每个中在第二方向(例如，Y轴方向)上并排。第二发射区域GE1和第四发射区域GE2可以交替地设置在偶数列中的每个处(例如，在其中或其上)。
第一发射区域RE和第三发射区域BE可以设置在奇数列处(例如，在其中或其上)。第一发射区域RE和第三发射区域BE可以设置为在奇数列中的每个中在第二方向(例如，Y轴方向)上并排。第一发射区域RE和第三发射区域BE可以交替地设置在奇数列中的每个处(例如，在其中或其上)。
触摸电极SE在平面图中可以具有网格结构或网状结构。触摸电极SE可以设置在发射区域RE、GE1、BE和GE2之间。触摸电极SE可以在第四方向DR4和第五方向DR5上延伸。因为触摸电极SE在平面图中具有网格结构或网状结构，所以发射区域RE、GE1、BE和GE2可以不与触摸电极SE叠置。因此，可以防止或基本上防止从发射区域RE、GE1、BE和GE2发射的光被触摸电极SE阻挡(例如，可以不被触摸电极SE阻挡)，因此，可以防止或基本上防止亮度的降低。
图6是根据实施例的显示面板300的副显示区域SDA的布局图。图7是根据实施例的显示面板300的副显示区域SDA的布局图。
参照图6，副显示区域SDA可以包括包含用于发射光的发射区域RE、GE1、BE和GE2的像素区域PXA以及透射光的透射区域TA。
透射区域TA可以设置为与像素区域PXA相邻。像素区域PXA和透射区域TA可以设置为在第一方向(例如，X轴方向)上并排。像素区域PXA和透射区域TA可以在第一方向(例如，X轴方向)上交替地设置。另外，像素区域PXA和透射区域TA可以设置为在第二方向(例如，Y轴方向)上并排。像素区域PXA和透射区域TA可以在第二方向(例如，Y轴方向)上交替地设置。
由于透射区域TA，在副显示区域SDA处(例如，在其中或其上)的每单位面积的发射区域RE、GE1、BE和GE2的数量可以比在主显示区域MDA处(例如，在其中或其上)的每单位面积的发射区域RE、GE1、BE和GE2的数量小。另外，由于透射区域TA，副显示区域SDA的发射区域RE、GE1、BE和GE2的面积与副显示区域SDA的面积(例如，总面积)的比率可以比主显示区域MDA的发射区域RE、GE1、BE和GE2的面积与主显示区域MDA的面积(例如，总面积)的比率小。像素区域PXA中的每个可以包括I个像素发射组EG(其中I是正整数)。例如，像素区域PXA中的每个可以包括四个像素发射组EG。在这种情况下，在像素区域PXA中的每个中，可以在第一方向(例如，X轴方向)上布置两个像素发射组EG，可以在第二方向(例如，Y轴方向)上布置两个像素发射组EG。因为像素发射组EG中的每个的发射区域RE、GE1、BE和GE2与参照图5描述的发射区域RE、GE1、BE和GE2相同或基本上相同，所以可以不重复其冗余描述。
透射区域TA是入射在显示面板300上的光穿过(例如，透射穿过)的区域。透射区域TA不包括发射区域RE、GE1、BE和GE2。如图6和图7中所示，触摸电极SE可以从透射区域TA排除(例如，可以从透射区域TA去除)，用于连接设置在相邻像素区域PXA中的触摸电极SE的触摸连接图案TCP可以设置在透射区域TA处(例如，在其中或其上)。
透射区域TA可以被像素区域PXA围绕(例如，像素区域PXA在其外围周围)。每个透射区域TA的面积可以与其中设置有一个I像素发射组EG的面积相同或基本上相同。例如，每个透射区域TA的面积可以与如图6中所示的其中设置有四个像素发射组EG的面积相同或基本上相同。在这种情况下，在副显示区域SDA处(例如，在其中或其上)的每单位面积的发射区域RE、GE1、BE和GE2的数量可以是在主显示区域MDA处(例如，在其中或其上)的每单位面积的发射区域RE、GE1、BE和GE2的数量的一半。
作为另一示例，为了增加透射区域TA的光透射率，每个透射区域TA的面积可以与如图7中所示的其中设置有六个像素发射组EG的面积相同或基本上相同。在这种情况下，在副显示区域SDA处(例如，在其中或其上)的每单位面积的发射区域RE、GE1、BE和GE2的数量可以是在主显示区域MDA处(例如，在其中或其上)的每单位面积的发射区域RE、GE1、BE和GE2的数量的四分之一。
触摸电极SE在平面图中可以具有网格结构或网状结构。触摸电极SE可以设置在发射区域RE、GE1、BE和GE2之间。触摸电极SE可在第四方向DR4和第五方向DR5上延伸。因为触摸电极SE在平面图中具有网格结构或网状结构，所以发射区域RE、GE1、BE和GE2可以不与触摸电极SE叠置。因此，可以防止或基本上防止从发射区域RE、GE1、BE和GE2发射的光被触摸电极SE阻挡(例如，可以不被触摸电极SE阻挡)，因此，可以防止或基本上防止亮度的降低。另外，触摸电极SE不设置在透射区域TA处(例如，在其中或其上)。因此，可以防止或基本上防止穿过透射区域TA的光被触摸电极SE阻挡(例如，可以不被触摸电极SE阻挡)。
根据图6和图7中所示的实施例，图2中所示的光学装置740至770可以设置在显示面板300的包括透射区域TA的副显示区域SDA中。在这种情况下，由于透射区域TA，从显示装置10的前表面入射的光可以被感测到。
图8是更详细地示出图6的像素区域PXA和透射区域TA的布局图。图8是图6的区域A的放大视图。
参照图8，像素区域PXA可以被限定为在其处(例如，其中或其上)设置有至少一个像素PX的区域。换言之，像素区域PXA可以包括至少一个像素PX。像素PX可以包括多个子像素SP1至SP4以表现白色灰度级(例如，白色灰度值)。换言之，像素PX可以被限定为用于表现白色灰度级的一组子像素SP1至SP4。子像素SP1至SP4中的每个可以被限定为能够表现灰度级的最小单位。例如，如图8中所示，像素PX可以包括四个子像素SP1至SP4，但是包括在像素PX中的子像素SP1至SP4的数量不限于此。
像素PX可以包括第一子像素SP1至第四子像素SP4。第一子像素SP1可以包括发射第一颜色的光的第一发射区域RE。第二子像素SP2可以包括发射第二颜色的光的第二发射区域GE1。第三子像素SP3可以包括发射第三颜色的光的第三发射区域BE。第四子像素SP4可以包括发射第四颜色的光的第四发射区域GE2。
更详细地，第一子像素SP1可以指能够表现第一颜色的灰度级的最小单位。为此，如图9中所示，第一子像素SP1可以包括用于向第一发射区域RE施加电压或电流的多个晶体管DT和ST1至ST6以及第一发射区域RE的第一发光电极171。第二子像素SP2可以指能够表现第二颜色的灰度级的最小单位。为此，第二子像素SP2可以包括用于向第二发射区域GE1施加电压或电流的多个晶体管DT和ST1至ST6以及第二发射区域GE1的第一发光电极171。第三子像素SP3可以指能够表现第三颜色的灰度级的最小单位。为此，第三子像素SP3可以包括用于向第三发射区域BE施加电压或电流的多个晶体管DT和ST1至ST6以及第三发射区域BE的第一发光电极171。第四子像素SP4可以指能够表现第四颜色的灰度级的最小单位。为此，第四子像素SP4可以包括用于向第四发射区域GE2施加电压或电流的多个晶体管DT和ST1至ST6以及第四发射区域GE2的第一发光电极171。
现在将参照图9更详细地描述第一子像素SP1。除了与各个发射区域GE1、BE或GE2的形状对应的第一发光电极171的形状之外，第二子像素SP2、第三子像素SP3和第四子像素SP4可以具有与图9的第一子像素SP1的布局结构相同或基本上相同的布局结构，因此，可以不重复其冗余描述。
图9是图8的第一子像素SP1的详细布局图。
参照图9，第一子像素SP1可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管ST1至第六晶体管ST6以及第一电容器C1。
驱动晶体管DT可以包括有源层DT_ACT、栅电极DT_G、第一电极DT_S和第二电极DT_D。驱动晶体管DT的有源层DT_ACT可以与驱动晶体管DT的栅电极DT_G叠置。驱动晶体管DT的栅电极DT_G可以通过第一接触孔CNT1连接到第一连接电极BE1。第一连接电极BE1可以通过第二接触孔CNT2连接到第1-1晶体管ST1-1的第一电极S1-1和第3-2晶体管ST3-2的第二电极D3-2。第一连接电极BE1可以与第k扫描线Sk交叉。驱动晶体管DT的第一电极DT_S可以连接到第二晶体管ST2的第二电极D2。驱动晶体管DT的第二电极DT_D可以连接到第3-1晶体管ST3-1的第一电极S3-1和第五晶体管ST5的第一电极S5。
第一晶体管ST1可以形成为双晶体管。第一晶体管ST1可以包括第1-1晶体管ST1-1和第1-2晶体管ST1-2。
第1-1晶体管ST1-1可以包括有源层ACT1-1、栅电极G1-1、第一电极S1-1和第二电极D1-1。第1-1晶体管ST1-1的栅电极G1-1可以是第k-1扫描线Sk-1的一部分，并且可以是第1-1晶体管ST1-1的有源层ACT1-1与第k-1扫描线Sk-1之间的叠置区域。第1-1晶体管ST1-1的第一电极S1-1可以通过第二接触孔CNT2连接到驱动晶体管DT的第一连接电极BE1。第1-1晶体管ST1-1的第二电极D1-1可以连接到第1-2晶体管ST1-2的第一电极S1-2。
第1-2晶体管ST1-2可以包括有源层ACT1-2、栅电极G1-2、第一电极S1-2和第二电极D1-2。第1-2晶体管ST1-2的栅电极G1-2可以是第k-1扫描线Sk-1的一部分，并且可以是第1-2晶体管ST1-2的有源层ACT1-2与第k-1扫描线Sk-1之间的叠置区域。第1-2晶体管ST1-2的第一电极S1-2可以连接到第1-1晶体管ST1-1的第二电极D1-1。第1-2晶体管ST1-2的第二电极D1-2可以通过第四接触孔CNT4连接到初始化连接电极VIE。
第二晶体管ST2可以包括有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2和第二电极D2。第二晶体管ST2的栅电极G2可以是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第二晶体管ST2的有源层ACT2与第k扫描线Sk之间的叠置区域。第二晶体管ST2的第二电极D2可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。第二晶体管ST2的第一电极S2可以通过第三接触孔CNT3连接到第j数据线Dj。
第三晶体管ST3可以形成为双晶体管。第三晶体管ST3可以包括第3-1晶体管ST3-1和第3-2晶体管ST3-2。
第3-1晶体管ST3-1可以包括有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1和第二电极D3-1。第3-1晶体管ST3-1的栅电极G3-1可以是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第3-1晶体管ST3-1的有源层ACT3-1与第k扫描线Sk之间的叠置区域。第3-1晶体管ST3-1的第一电极S3-1可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第3-1晶体管ST3-1的第二电极D3-1可以连接到第3-2晶体管ST3-2的第一电极S3-2。
第3-2晶体管ST3-2可以包括有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2和第二电极D3-2。第3-2晶体管ST3-2的栅电极G3-2可以是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第3-2晶体管ST3-2的有源层ACT3-2与第k扫描线Sk之间的叠置区域。第3-2晶体管ST3-2的第一电极S3-2可以连接到第3-1晶体管ST3-1的第二电极D3-1。第3-2晶体管ST3-2的第二电极D3-2可以通过第二接触孔CNT2连接到第一连接电极BE1。
第四晶体管ST4可以包括有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4和第二电极D4。第四晶体管ST4的栅电极G4可以是第k发射线Ek的一部分，并且可以是第四晶体管ST4的有源层ACT4与第k发射线Ek之间的叠置区域。第四晶体管ST4的第一电极S4可以通过第七接触孔CNT7连接到第一电容器C1的第二电极CE12。第四晶体管ST4的第二电极D4可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。
第五晶体管ST5可以包括有源层ACT5、栅电极G5、第一电极S5和第二电极D5。第五晶体管ST5的栅电极G5可以是第k发射线Ek的一部分，并且可以是第五晶体管ST5的有源层ACT5与第k发射线Ek之间的叠置区域。第五晶体管ST5的第一电极S5可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第五晶体管ST5的第二电极D5可以通过第六接触孔CNT6连接到第一阳极连接电极ANDE1。
第六晶体管ST6可以包括有源层ACT6、栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6。第六晶体管ST6的栅电极G6可以是第k扫描线Sk的一部分，并且可以是第六晶体管ST6的有源层ACT6与第k扫描线Sk之间的叠置区域。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第六接触孔CNT6连接到第六晶体管ST6的第一电极S6。如图11中所示，第二阳极连接电极ANDE2可以通过第一阳极接触孔AND_CNT1连接到第一阳极连接电极ANDE1。如图11中所示，发光元件的第一发光电极171可以通过第二阳极接触孔AND_CNT2连接到第二阳极连接电极ANDE2。第六晶体管ST6的第二电极D6可以通过第四接触孔CNT4连接到初始化连接电极VIE。
初始化电压线VIL可以通过第五接触孔CNT5连接到初始化连接电极VIE，并且初始化连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第1-2晶体管ST1-2的第二电极D1-2和第六晶体管ST6的第二电极D6。初始化连接电极VIE可以与第k条扫描线Sk交叉。
第一电容器C1的第一电极CE11可以是驱动晶体管DT的栅电极DT_G的一部分。第一电容器C1的第二电极CE12可以是通过第八接触孔CNT8连接到第一驱动电压线VDDL的水平驱动电压线HVDDL的一部分。第一电极CE11和第二电极CE12可以彼此叠置。
图10是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。图11是沿着图9的线II-II'截取的显示面板300的示例的剖视图。
在图10中，为了便于说明和描述，示出了电连接到第一发光电极171的第五晶体管ST5的有源层ACT5、栅电极G5、第一电极S5和第二电极D5。
参照图10和图11，第一缓冲层BF1可以设置在第一基底SUB1上。第二基底SUB2可以设置在第一缓冲层BF1上，第二缓冲层BF2可以设置在第二基底SUB2上。薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、封装层TFE和触摸传感器层SENL可以顺序地设置在第二缓冲层BF2上。
第一基底SUB1和第二基底SUB2中的每个可以包括绝缘材料(例如，可以由绝缘材料制成)，绝缘材料例如诸如玻璃、石英或聚合物树脂。例如，第一基底SUB1和第二基底SUB2中的每个可以包括聚酰亚胺。第一基底SUB1和第二基底SUB2中的每个可以是可以弯折、折叠和/或卷曲的柔性基底。
第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2中的每个是用于保护薄膜晶体管层TFTL的薄膜晶体管和发光元件层EML的发光层172免受通过可能易受湿气渗透的第一基底SUB1和第二基底SUB2引入的湿气影响的层。第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2中的每个可以由彼此交替堆叠的多个无机层组成。例如，第一缓冲层BF1和第二缓冲层BF2中的每个可以是其中交替堆叠有氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中选择的一个或更多个无机层的多层。
光阻挡层BML可以设置在第二基底SUB2上。光阻挡层BML可以与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT叠置，以防止或基本上防止由于入射在驱动晶体管DT的有源层DT_ACT上的光而产生漏电流。虽然在图11中光阻挡层BML被示出为仅与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT叠置，但是本公开不限于此。例如，光阻挡层BML可以与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT以及与第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的有源层ACT1至ACT6叠置。光阻挡层BML可以被第二缓冲层BF2覆盖。光阻挡层BML可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种(例如，由其中的任何一种或更多种制成)的单层或多层。
薄膜晶体管层TFTL包括有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2、第一源极金属层DTL1、第二源极金属层DTL2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160和第二平坦化层180。
有源层ACT可以形成在第二缓冲层BF2上。有源层ACT可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。当有源层ACT包括多晶硅(例如，由多晶硅制成)时，离子掺杂的有源层ACT可以具有导电性。因此，有源层ACT可以包括第一子像素SP1的驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的有源层DT_ACT和ACT1至ACT6以及第一电极DT_S、S1-1、S1-2、S2、S3-1、S3-2、S4、S5和S6以及第二电极DT_D、D1-1、D1-2、D2、D3-1、D3-2、D4、D5和D6。
栅极绝缘层130可以形成在有源层ACT上。栅极绝缘层130可以包括无机层(例如，可以由无机层制成)，无机层例如诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第一栅极层GTL1可以形成在栅极绝缘层130上。第一栅极层GTL1可以包括第一子像素SP1的驱动晶体管DT的栅电极DT_G和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的栅电极G1-1至G6以及扫描线和发射线。第一栅极层GTL1可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种(例如，由其中的任何一种或更多种制成)的单层或多层。
第一层间绝缘膜141可以形成在第一栅极层GTL1上。第一层间绝缘膜141可以包括无机层(例如，可以由无机层制成)，无机层例如诸如氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第一层间绝缘膜141可以包括多个无机层。
第二栅极层GTL2可以形成在第一层间绝缘膜141上。第二栅极层GTL2可以包括初始化电压线VIL和第一电容器C1的第二电极CE12。第二栅极层GTL2可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种(例如，由其中的任何一种或更多种制成)的单层或多层。
第二层间绝缘膜142可以形成在第二栅极层GTL2上。第二层间绝缘膜142可以包括无机层(例如，可以由无机层制成)，无机层例如诸如氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。第二层间绝缘膜142可以包括多个无机层。
第一源极金属层DTL1可以形成在第二层间绝缘膜142上。第一源极金属层DTL1可以包括数据线DL、第一驱动电压线VDDL、第一连接电极BE1、第一阳极连接电极ANDE1和初始化连接电极VIE。第一源极金属层DTL1可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种(例如，由其中的任何一种或更多种制成)的单层或多层。
第一平坦化层160可以形成在第一源极金属层DTL1上，以使由于有源层ACT、第一栅极层GTL1、第二栅极层GTL2和第一源极金属层DTL1引起的台阶变平(例如，平坦化)。第一平坦化层160可以包括有机层(例如，可以由有机层制成)，有机层例如诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。
在一些实施例中，保护层150可以另外形成在第一源极金属层DTL1与第一平坦化层160之间。保护层150可以包括无机层(例如，可以由无机层制成)，无机层例如诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。
第二源极金属层DTL2可以形成在第一平坦化层160上。第二源极金属层DTL2可以包括第二阳极连接电极ANDE2。第二源极金属层DTL2可以是包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或更多种(例如，由其中的任何一种或更多种制成)的单层或多层。
第二平坦化层180可以形成在第二源极金属层DTL2上。第二平坦化层180可以包括有机层(例如，可以由有机层制成)，有机层例如诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。
虽然第一子像素SP1的驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6被示出为其中栅电极位于有源层上方的顶栅型，但是本公开不限于此。换言之，第一子像素SP1的驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6可以形成为其中栅电极位于有源层下方的底栅型，或者其中栅电极位于有源层上方和下方两者的双栅型。
如图11中所示，第一接触孔CNT1可以是穿透第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露驱动晶体管DT的栅电极DT_G的孔。第一连接电极BE1可以通过第一接触孔CNT1连接到驱动晶体管DT的栅电极DT_G。
第二接触孔CNT2可以是穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第1-1晶体管ST1-1的第一电极S1-1和第3-2晶体管ST3-2的第二电极D3-2的孔。第一连接电极BE1可以通过第二接触孔CNT2连接到第1-1晶体管ST1-1的第一电极S1-1和第3-2晶体管ST3-2的第二电极D3-2。
第三接触孔CNT3可以是穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第二晶体管ST2的第一电极S2的孔。第j数据线Dj可以通过第三接触孔CNT3连接到第二晶体管ST2的第一电极S2。
第四接触孔CNT4可以是穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第一晶体管ST1(例如，ST1-2)的第二电极D1(例如，D1-2)和第六晶体管ST6的第二电极D6的孔。初始化连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第1-2晶体管ST1-2的第二电极D1-2和第六晶体管ST6的第二电极D6。
第五接触孔CNT5可以是穿透第二层间绝缘膜142以暴露初始化电压线VIL的孔。初始化连接电极VIE可以通过第五接触孔CNT5连接到初始化电压线VIL。
如图11中所示，第六接触孔CNT6可以是穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第五晶体管ST5的第二电极D5的孔。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第六接触孔CNT6连接到第五晶体管ST5的第二电极D5。
第七接触孔CNT7可以是穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第四晶体管ST4的第一电极S4的孔。第一驱动电压线VDDL可以通过第七接触孔CNT7连接到第四晶体管ST4的第一电极S4。
第八接触孔CNT8可以是穿透第二层间绝缘膜142以暴露水平驱动电压线HVDDL的孔。第一驱动电压线VDDL可以通过第八接触孔CNT8连接到水平驱动电压线HVDDL。
如图11中所示，第一阳极接触孔AND_CNT1可以是穿透保护层150和第一平坦化层160以暴露第一阳极连接电极ANDE1的孔。
如图11中所示，第二阳极接触孔AND_CNT2可以是穿透第二平坦化层180以暴露第二阳极连接电极ANDE2的孔。
发光元件层EML形成在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件170和堤190。
发光元件170和堤190形成在第二平坦化层180上。发光元件170中的每个可以包括第一发光电极171、发光层172和第二发光电极173。
第一发光电极171可以形成在第二平坦化层180上。第一发光电极171可以通过穿透第二平坦化层180的第二阳极接触孔AND_CNT2连接到第二阳极连接电极ANDE2。
在其中光在从发光层172朝向第二发光电极173的方向上发射的顶发射结构中，第一发光电极171可以包括具有高反射率的金属材料(例如，可以由具有高反射率的金属材料制成)，具有高反射率的金属材料例如诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
堤190可以形成在第二平坦化层180上，以限定第一发光电极171，从而限定发射区域RE、GE1、BE和GE2中的每个。堤190可以形成为覆盖第一发光电极171的边缘。堤190可以包括有机层(例如，可以由有机层制成)，有机层例如诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。
发射区域RE、GE1、BE和GE2中的每个是其中顺序堆叠有第一发光电极171、发光层172和第二发光电极173的区域，使得来自第一发光电极171的空穴和来自第二发光电极173的电子在发光层172中结合在一起来发光。
发光层172形成在第一发光电极171和堤190上。发光层172可以包括有机材料，以发射期望颜色(例如，预定颜色)的光。例如，发光层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。
第二发光电极173形成在发光层172上。第二发光电极173可以形成为覆盖发光层172。第二发光电极173可以是子像素SP1至SP4共用的公共层。覆盖层可以形成在第二发光电极173上。
在顶发射结构中，第二发光电极173可以包括能够透射光的透明导电材料(TCO)或半透射导电材料(例如，可以由能够透射光的透明导电材料(TCO)或半透射导电材料制成)，能够透射光的透明导电材料(TCO)例如诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，半透射导电材料例如诸如镁(Mg)、银(Ag)或者Mg和Ag的合金。当第二发光电极173包括半透射导电材料(例如，由半透射导电材料制成)时，可以通过微腔来增大光输出效率。
封装层TFE可以形成在发光元件层EML上。封装层TFE可以包括至少一个无机层，以防止或基本上防止氧和/或湿气渗透到发光元件层EML中。另外，封装层TFE可以包括至少一个有机层，以保护发光元件层EML免受例如诸如灰尘的外来物质影响。例如，封装层TFE可以包括第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。
第一无机层TFE1可以设置在第二发光电极173上，有机层TFE2可以设置在第一无机层TFE1上，第二无机层TFE3可以设置在有机层TFE2上。第一无机层TFE1和第二无机层TFE3中的每个可以是其中交替堆叠有氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中选择的一个或更多个无机层的多层。有机层TFE2可以是单体。
触摸传感器层SENL设置在封装层TFE上。触摸传感器层SENL包括第三缓冲层BF3、触摸电极SE和触摸绝缘层TINS1。
第三缓冲层BF3可以设置在封装层TFE上。第三缓冲层BF3可以是具有绝缘功能和光学功能的层。第三缓冲层BF3可以包括至少一个无机层。例如，第三缓冲层BF3可以是其中交替堆叠有氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中选择的一个或更多个无机层的多层。第三缓冲层BF3可以通过使用延性材料的层压工艺、诸如使用溶液材料的旋涂或狭缝模具涂覆的工艺或沉积工艺形成。然而，本公开不限于此，并且可以省略第三缓冲层BF3。
触摸绝缘层TINS1可以设置在第三缓冲层BF3上。触摸绝缘层TINS1可以是具有绝缘功能和光学功能的层。触摸绝缘层TINS1可以包括无机层(例如，可以由无机层制成)，无机层例如诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。在另一示例中，触摸绝缘层TINS1可以包括有机层(例如，可以由有机层制成)，有机层例如诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂。触摸绝缘层TINS1可以通过使用延性材料的层压工艺、诸如使用溶液材料的旋涂或狭缝模具涂覆的工艺或沉积工艺形成。
触摸电极SE可以设置在触摸绝缘层TINS1上。触摸电极SE可以不与发射区域RE、GE1、BE和GE2以及透射区域TA叠置。换言之，在发射区域RE、GE1、BE和GE2以及透射区域TA处(例如，在其中或其上)可以不形成触摸电极SE。触摸电极SE中的每个可以是包括钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)(例如，由其制成)的单层，或者可以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。
透射区域TA可以是用于透射光的其中未设置有薄膜晶体管层TFTL的金属层、发光元件层EML的金属层和触摸传感器层SENL的金属层的区域。因此，透射区域TA可以包括第一基底SUB1、第一缓冲层BF1、第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。
透射区域TA可以包括透射孔TH。透射孔TH可以是穿透第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190以暴露薄膜晶体管层TFTL的第二层间绝缘膜142的孔。透射孔TH可以填充有封装层TFE。例如，透射孔TH可以填充有第一无机层TFE1和有机层TFE2。因此，第一无机层TFE1和第二层间绝缘膜142可以在透射区域TA中彼此接触。另外，因为透射区域TA的透射孔TH填充有有机层TFE2，所以有机层TFE2的在透射区域TA处(例如，在其中或其上)的最大厚度可以比有机层TFE2的在像素区域PXA处(例如，在其中或其上)的最大厚度大。
聚酰亚胺具有短波长光(例如，蓝色类的光)的高吸收率。因此，当第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190包括聚酰亚胺(例如，由聚酰亚胺制成)时，它们可以吸收短波长光。因此，当第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190设置在透射区域TA中时，被光学装置740至770感测到的光中的短波长光的强度可能会低(例如，可能会非常低)。
因为透射区域TA包括穿透由聚酰亚胺制成的至少一个有机层(例如，如图10中所示的第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190)的透射孔TH，所以透射孔TH可以防止或基本上防止入射在光学装置740至770上的光中的短波长光被至少一个有机层吸收。
虽然第二发光电极173在图10中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在第二层间绝缘膜142的上表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
图12是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。
图12的实施例可以与图10的实施例不同，不同之处在于图12中的透射区域TA的透射孔TH穿透第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190，以暴露第一层间绝缘膜141。因此，可以不重复其冗余描述。
参照图12，透射区域TA可以包括第一基底SUB1、第一缓冲层BF1、第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。第一无机层TFE1和第一层间绝缘膜141可以在透射区域TA处(例如，在其中或其上)彼此接触。
当第二层间绝缘膜142包括具有彼此不同的折射率的多个无机层时，穿过第二层间绝缘膜142的光的透射率可能会由于无机层的折射率之间的差异而降低。例如，当第二层间绝缘膜142包括氮化硅层和氧化硅层时，穿过第二层间绝缘膜142的光的透射率可能会由于氮化硅层的折射率与氧化硅层的折射率之间的差异而降低。
作为另一示例，当第二层间绝缘膜142是与第一层间绝缘膜141不同的单个无机层时，穿过第二层间绝缘膜142的光的透射率可能会由于第一层间绝缘膜141的折射率与第二层间绝缘膜142的折射率之间的差异而降低。例如，当第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142中的任何一个是氮化硅层而其中的另一个是氧化硅层时，穿过第二层间绝缘膜142的光的透射率可能会由于氮化硅层的折射率与氧化硅层的折射率之间的差异而降低。
如图12中所示，因为透射区域TA包括穿透第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190的透射孔TH，所以可以防止或基本上防止穿过透射区域TA的光的透射率因第二层间绝缘膜142而降低。
虽然第二发光电极173在图12中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在第一层间绝缘膜141的上表面、第二层间绝缘膜142的侧表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
图13是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。
图13的实施例与图12的实施例不同，不同之处在于图13中的透射区域TA的透射孔TH穿透第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190，以暴露栅极绝缘层130。因此，可以不重复其冗余描述。
参照图13，透射区域TA可以包括第一基底SUB1、第一缓冲层BF1、第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。第一无机层TFE1和栅极绝缘层130可以在透射区域TA处(例如，在其中或其上)彼此接触。
当第一层间绝缘膜141包括具有彼此不同的折射率的多个无机层时，穿过第一层间绝缘膜141的光的透射率可能会由于无机层的折射率之间的差异而降低。例如，当第一层间绝缘膜141包括氮化硅层和氧化硅层时，穿过第一层间绝缘膜141的光的透射率可能会由于氮化硅层的折射率与氧化硅层的折射率之间的差异而降低。
作为另一示例，当第一层间绝缘膜141是与栅极绝缘层130不同的单个无机层时，穿过第一层间绝缘膜141的光的透射率可能会由于第一层间绝缘膜141的折射率与栅极绝缘层130的折射率之间的差异而降低。例如，当第一层间绝缘膜141和栅极绝缘层130中的任何一个是氮化硅层而其中的另一个是氧化硅层时，穿过第一层间绝缘膜141的光的透射率可能会由于氮化硅层的折射率与氧化硅层的折射率之间的差异而降低。
如图13中所示，因为透射区域TA包括穿透第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190的透射孔TH，所以可以防止或基本上防止穿过透射区域TA的光的透射率因第一层间绝缘膜141以及第二层间绝缘膜142而降低。
虽然第二发光电极173在图13中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在栅极绝缘层130的上表面、第一层间绝缘膜141的侧表面、第二层间绝缘膜142的侧表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
图14是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。
图14的实施例与图13的实施例不同，不同之处在于图14的透射区域TA的透射孔TH穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190，以暴露第二缓冲层BF2。因此，可以不重复其冗余描述。
参照图14，透射区域TA可以包括第一基底SUB1、第一缓冲层BF1、第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。第一无机层TFE1和第二缓冲层BF2可以在透射区域TA处(例如，在其中或其上)彼此接触。
当栅极绝缘层130是与第二缓冲层BF2不同的单个无机层时，穿过栅极绝缘层130的光的透射率可能会由于栅极绝缘层130的折射率与第二缓冲层BF2的折射率之间的差异而降低。例如，当栅极绝缘层130和第二缓冲层BF2中的任何一个是氮化硅层而其中的另一个是氧化硅层时，穿过栅极绝缘层130的光的透射率可能会由于氮化硅层的折射率与氧化硅层的折射率之间的差异而降低。
如图14中所示，因为透射区域TA包括穿透栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190的透射孔TH，所以可以防止或基本上防止穿过透射区域TA的光的透射率因栅极绝缘层130以及第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142而降低。
虽然第二发光电极173在图14中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在第二缓冲层BF2的上表面、栅极绝缘层130的侧表面、第一层间绝缘膜141的侧表面、第二层间绝缘膜142的侧表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
图15是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。
图15的实施例与图14的实施例不同，不同之处在于图15的透射区域TA的透射孔TH穿透第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190，以暴露第二基底SUB2。因此，可以不重复其冗余描述。
参照图15，透射区域TA可以包括第一基底SUB1、第一缓冲层BF1、第二基底SUB2、第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。第一无机层TFE1和第二基底SUB2可以在透射区域TA处(例如，在其中或其上)彼此接触。
当第二缓冲层BF2包括具有彼此不同的折射率的多个无机层时，穿过第二缓冲层BF2的光的透射率可能会由于无机层的折射率之间的差异而降低。例如，当第二缓冲层BF2包括氮化硅层和氧化硅层时，穿过第二缓冲层BF2的光的透射率可能会由于氮化硅层的折射率与氧化硅层的折射率之间的差异而降低。
作为另一示例，当第二缓冲层BF2是单个无机层时，穿过第二缓冲层BF2的光的透射率可能会由于第二缓冲层BF2的折射率与第二基底SUB2的折射率之间的差异而降低。例如，当第二缓冲层BF2是无机层而第二基底SUB2是有机层时，穿过第二缓冲层BF2的光的透射率可能会由于无机层的折射率与有机层的折射率之间的差异而降低。
如图15中所示，因为透射区域TA包括穿透第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190的透射孔TH，所以可以防止或基本上防止穿过透射区域TA的光的透射率因第二缓冲层BF2以及栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142而降低。
虽然第二发光电极173在图15中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在第二基底SUB2的上表面、第二缓冲层BF2的侧表面、栅极绝缘层130的侧表面、第一层间绝缘膜141的侧表面、第二层间绝缘膜142的侧表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
图16是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。
图16的实施例与图15的实施例不同，不同之处在于图16中的透射区域TA的透射孔TH穿透第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190，以暴露第一缓冲层BF1。因此，可以不重复其冗余描述。
参照图16，透射区域TA可以包括第一基底SUB1、第一缓冲层BF1、第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。第一无机层TFE1和第一缓冲层BF1可以在透射区域TA处(例如，在其中或其上)彼此接触。
穿过第二基底SUB2的光的透射率可能会由于第二基底SUB2的折射率与第一缓冲层BF1的折射率之间的差异而降低。例如，当第一缓冲层BF1是无机层而第二基底SUB2是有机层时，穿过第二基底SUB2的光的透射率可能会由于无机层的折射率与有机层的折射率之间的差异而降低。
另外，因为聚酰亚胺具有短波长光(例如，蓝色类光)的高吸收率，所以当第二基底SUB2由聚酰亚胺制成时，第二基底SUB2可以吸收短波长光。因此，当第二基底SUB2设置在透射区域TA中时，被光学装置740至770感测到的光中的短波长光的强度可能会低(例如，可能会非常低)。
如图16中所示，因为透射区域TA包括穿透第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190的透射孔TH，所以可以防止或基本上防止穿过透射区域TA的光的透射率因第二基底SUB2以及第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142而降低。另外，透射孔TH可以防止或基本上防止入射在光学装置740至770上的光中的短波长光被第二基底SUB2吸收。
虽然第二发光电极173在图16中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在第一缓冲层BF1的上表面、第二基底SUB2的侧表面、第二缓冲层BF2的侧表面、栅极绝缘层130的侧表面、第一层间绝缘膜141的侧表面、第二层间绝缘膜142的侧表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
图17是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。图18是图17的区域E的放大的详细剖视图。
图17和图18的实施例与图16的实施例不同，不同之处在于图17和图18中的透射区域TA的透射孔TH穿透第一缓冲层BF1的第二子缓冲层SBF2、第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190，以暴露第一子缓冲层SBF1。因此，可以不重复其冗余描述。
参照图17和图18，透射区域TA可以包括第一基底SUB1、第一缓冲层BF1的第一子缓冲层SBF1、第一无机层TFE1、有机层TFE2和第二无机层TFE3。第一无机层TFE1和第一缓冲层BF1的第一子缓冲层SBF1可以在透射区域TA处(例如，在其中或其上)彼此接触。
如图18中所示，当第一缓冲层BF1包括具有彼此不同的折射率的第一子缓冲层SBF1和第二子缓冲层SBF2时，穿过第一缓冲层BF1的光的透射率可能会由于第一子缓冲层SBF1的折射率与第二子缓冲层SBF2的折射率之间的差异而降低。例如，当第一缓冲层BF1包括氮化硅层和氧化硅层时，穿过第一缓冲层BF1的光的透射率可能会由于氮化硅层的折射率与氧化硅层的折射率之间的差异而降低。
如图17中所示，因为透射区域TA包括穿透第一缓冲层BF1的第二子缓冲层SBF2、第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、第一平坦化层160、第二平坦化层180和堤190的透射孔TH，所以可以防止或基本上防止穿过透射区域TA的光的透射率因第一缓冲层BF1以及第二基底SUB2、第二缓冲层BF2、栅极绝缘层130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142而降低。
虽然第二发光电极173在图17中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在第一子缓冲层SBF1的上表面、第二子缓冲层SBF2的侧表面、第二基底SUB2的侧表面、第二缓冲层BF2的侧表面、栅极绝缘层130的侧表面、第一层间绝缘膜141的侧表面、第二层间绝缘膜142的侧表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
图19是沿着图8的线I-I'截取的显示面板300的示例的剖视图。
图19的实施例与图16的实施例不同，不同之处在于图19中的第二缓冲层BF2在透射区域TA处(例如，在其中或其上)在一方向(例如，Y轴方向)上比第二基底SUB2突出得远。因此，可以不重复其冗余描述。
参照图19，当使用第二缓冲层BF2作为掩模对第二基底SUB2进行过蚀刻时，第二缓冲层BF2可以在透射区域TA处(例如，在其中或其上)在例如第二方向(例如，Y轴方向)的方向上比第二基底SUB2突出得远。这里，因为第二缓冲层BF2是无机层并且第二基底SUB2是例如诸如聚酰亚胺的有机层，所以用来蚀刻第二基底SUB2的蚀刻材料可以是不与无机层反应而与有机层反应的材料。在这种情况下，类似于屋顶的屋檐，第二缓冲层BF2可以在第二方向(例如，Y轴方向)上比第二基底SUB2突出得远，并且第二缓冲层BF2的下表面可以暴露。因此，在透射孔TH中第二基底SUB2的部分之间在第二方向(例如，Y轴方向)上的距离可以比第二缓冲层BF2的部分之间的距离大。
另外，在透射区域TA中，第二缓冲层BF2可以在第一方向(例如，X轴方向)上比第二基底SUB2突出得远。在这种情况下，类似于屋顶的屋檐，第二缓冲层BF2可以在第一方向(例如，X轴方向)上比第二基底SUB2突出得远，并且第二缓冲层BF2的下表面可以暴露。因此，在透射孔TH中第二基底SUB2的部分之间在第一方向(例如，X轴方向)上的距离可以比第二缓冲层BF2的部分之间的距离大。
当通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)形成第一无机层TFE1时，第一无机层TFE1可以具有合适的台阶覆盖(例如，可以具有优异的台阶覆盖)特性。台阶覆盖是指通过合适的工艺(例如，预定工艺)形成的层即使在形成有台阶的部分处也是连续的而不断裂。因此，第一无机层TFE1也可以形成在第二缓冲层BF2的通过从透射孔TH去除第二基底SUB2而暴露的下表面上。换言之，第一无机层TFE1可以在透射孔TH中设置在第二缓冲层BF2的下表面、第二基底SUB2的侧表面和第一缓冲层BF1的上表面上。
如图19中所示，因为类似于屋顶的屋檐的第二缓冲层BF2在一方向上比第二基底SUB2突出得远并且使第二缓冲层BF2的下表面暴露，所以第一无机层TFE1可以在透射孔TH中设置在第二缓冲层BF2的下表面、第二基底SUB2的侧表面和第一缓冲层BF1的上表面上。因此，第二缓冲层BF2和第一无机层TFE1可以彼此直接接触，从而提高封装能力。
虽然第二发光电极173在图19中设置在透射孔TH的侧表面上，但是本公开不限于此。例如，第二发光电极173可以不设置在透射孔TH的侧表面上，而是可以设置在堤190上。换言之，第二发光电极173可以不在透射孔TH中设置在第一缓冲层BF1的上表面、第二基底SUB2的侧表面、第二缓冲层BF2的下表面和侧表面、栅极绝缘层130的侧表面、第一层间绝缘膜141的侧表面、第二层间绝缘膜142的侧表面、第一平坦化层160的侧表面、第二平坦化层180的侧表面和堤190的侧表面上。
虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在示例实施例中可以进行各种修改。将理解的是，除非另有描述，否则每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此，如对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另有特别说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此，将理解的是，前述是各种示例实施例的说明，并且将不被解释为受这里公开的特定示例实施例限制，并且对公开的示例实施例以及其他示例实施例的各种修改旨在包括在如所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (15)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括像素区域和透射区域；
薄膜晶体管，在所述第一基底上；
平坦化层，在所述薄膜晶体管上；
第一发光电极，在所述平坦化层上；
堤，覆盖所述第一发光电极的一部分；
发光层，在所述第一发光电极上；以及
第二发光电极，在所述发光层和所述堤上，
其中，所述透射区域包括穿透所述堤和所述平坦化层的透射孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括封装层，所述封装层包括：第一无机层，在所述第二发光电极上；有机层，在所述第一无机层上；以及第二无机层，在所述有机层上，
其中，所述有机层填充所述透射孔。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述薄膜晶体管的栅电极上的层间绝缘膜，
其中，所述第一无机层在所述透射区域处接触所述层间绝缘膜。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述透射孔还穿透所述层间绝缘膜。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述薄膜晶体管的有源层上的栅极绝缘层，
其中，所述薄膜晶体管的所述栅电极在所述栅极绝缘层上，并且所述第一无机层在所述透射区域处接触所述栅极绝缘层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一缓冲层，在所述第一基底上；
第二基底，在所述第一缓冲层上；以及
第二缓冲层，在所述第二基底上，
其中，所述薄膜晶体管的所述有源层在所述第二缓冲层上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述透射孔还穿透所述栅极绝缘层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一无机层在所述透射区域处接触所述第二缓冲层。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述透射孔还穿透所述栅极绝缘层和所述第二缓冲层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一无机层在所述透射区域处接触所述第二基底。
11.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述透射孔还穿透所述栅极绝缘层、所述第二缓冲层和所述第二基底。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一无机层在所述透射区域处接触所述第一缓冲层。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二缓冲层在透射区域处在所述第二基底朝向所述透射孔延伸所沿的方向上比所述第二基底突出得远。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一无机层接触所述第二缓冲层的下表面。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括像素区域和透射区域，所述像素区域包括用于显示图像的多个子像素，所述透射区域被所述像素区域围绕；以及
光学装置，在所述显示面板的厚度方向上与所述显示面板的所述透射区域叠置，
其中，所述显示面板包括：
第一基底；
薄膜晶体管，在所述第一基底上；
平坦化层，在所述薄膜晶体管上；
第一发光电极，在所述平坦化层上；
堤，覆盖所述第一发光电极的一部分；
发光层，在所述第一发光电极上；以及
第二发光电极，在所述发光层和所述堤上，
其中，所述透射区域包括穿透所述堤和所述平坦化层的透射孔。
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