CN113540149B - 可编程的多量子态存储器及制备方法 - Google Patents
可编程的多量子态存储器及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113540149B CN113540149B CN202110787366.8A CN202110787366A CN113540149B CN 113540149 B CN113540149 B CN 113540149B CN 202110787366 A CN202110787366 A CN 202110787366A CN 113540149 B CN113540149 B CN 113540149B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic field
- quantum state
- reduced
- conversion
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 18
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 239000010431 corundum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 5
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 3
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 15
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法，方法包括以下步骤：一、制备磁性拓扑绝缘体材料；二、对样品的性质进行表征；三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上；四、制备出霍尔条构型的金属电极；五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变；本发明能提升存储密度，具有非易失和极低功耗的双重优点。
Description
技术领域
本发明涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法。
背景技术
传统的存储器是根据每个磁性存储单元的磁化强度的方向来定义二进制编码“0”或“1”。利用磁头这种电磁元件来进行数据的存储和读取。相应的计算机存储器可以分为内部存储器和外部存储器。内部存储器访问速率快，但是断电易丢失；外部存储器可以长期存储数据，但是访问速度慢，功耗也大。
随着量子科技的发展，人们开始在不断寻找基于量子材料的新型信息元器件。近年来，量子材料被得到了充分的研究，比如一些拓扑材料的拓扑保护特性使得基于拓扑材料的元器件将会具有极低的能耗，从而发热量大大减小；再比如量子材料中的量子态可以利用量子叠加原理带来指数级的算力和存储力的提升。因而，将量子材料中的各类量子性质应用到新型的元器件上，是科技的发展趋势。
近年来，随着人工智能和大数据的发展，大量的数据需要在本地存储和处理。为了支持大数据分析，当前存储器的存储带宽以及功耗都面临着巨大的挑战。而现在磁介质存储密度的提升已经开始逐年放缓。基于现有磁存储结构的磁盘设计遇到了新的困难。同时，大规模的数据交换，尤其是芯片与外部存储之间的频繁数据读取，大幅度增加了能耗。另一方面，数据的稳定保存不易丢失更是一直以来的基本诉求。而现在的内部存储器一旦遭遇断电，就会面临数据丢失，还无法做到和外部存储器一样即算即存。所以现有的技术急需解决存储密度低、断电易失、功耗巨大的问题。
发明内容
本发明的内容是提供一种可编程的多量子态存储器及制备方法，其能够克服现在的存储器面临的存储密度低、断电易失、功耗巨大的问题。
根据本发明的可编程的多量子态存储器的制备方法，其包括以下步骤：
一、生长制备磁性拓扑绝缘体材料，得到样品；
二、对样品的性质进行表征；
三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至衬底上；
四、制备出金属电极；
五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变。
作为优选，磁性拓扑绝缘体材料为MnBi2Te4。
作为优选，磁性拓扑绝缘体材料MnBi2Te4单晶制备方法为：
a、将Mn粉、Bi粉和Te粉以1∶2∶4的摩尔比混合，将充分混合后的原材料放在刚玉坩埚中；
b、随后将刚玉坩埚真空封装在一个安瓿瓶中，真空度为1e-5Torr；
c、将安瓿瓶置于一个高温炉中，以1K/min的速率升至950K，并在此温度下保持48h；
d、随后以0.1K/min的速率将温度降至900K，保持72h后再以0.1K/min的速率降至700K；在700K时保持超过一个星期的时间；
e、最后将安瓿瓶取出迅速淬水，使其迅速降温，剥离掉表面粗糙部分，里面即为MnBi2Te4单晶。
作为优选，样品的性质表征包括：
(1)样品质量表征：通过透射电子显微镜可以表征样品生长的晶体质量；
(2)样品的性能表征：通过降温曲线，表征出对应的奈尔温度在24K左右，同时能看到清晰的磁滞回线。
作为优选，步骤三中，通过Scotch胶带进行机械剥离，并将剥离后的磁性拓扑绝缘体材料薄层直接粘附到含有285nm SiO2的高掺硅衬底上，并移除胶带。
作为优选，步骤五中，通过稀释制冷机进行电学信号测量，电学信号测量时，稀释制冷机工作温度为10mK～300K，工作磁场为0T～14T。
作为优选，步骤五中，通过变换磁场完成四个量子态的转变，变换磁场是通过施加不同的磁场序列，具体为：
1)先施加磁场，再将磁场降到零场，此时对应的量子态为|0＞，以五星符号表示；
2)将磁场降到负磁场，再将磁场升到正磁场，此时将磁场降到零场，对应的量子态为|1＞，以三角符号表示，也即完成了从|0＞到|1＞的转换；
3)将磁场升到正磁场，然后将磁场降到负磁场，此时磁场降到零场，对应的量子态为|2＞，以圆形符号表示，也即完成了从|1＞到|2＞的转换；
4)将磁场降到负磁场，再将磁场降到零场，此时对应的量子态为|3＞，以菱形符号表示，也即完成了|2＞到|3＞的转换。
作为优选，步骤1)中，施加磁场的数值大于临界值μ0Hc2；步骤2)中，负磁场数值小于临界值-μ0Hc2；正磁场数值大于临界值μ0Hc1但是小于临界值μ0Hc2；步骤3)中，正磁场数值大于临界值μ0Hc2；负磁场数值在-μ0Hc2和-μ0Hc1之间；步骤4)中，负磁场数值小于临界值-μ0Hc2；
其中，μ0代表真空磁导率；H代表磁场强度；c代表临界。
本发明还提供了一种可编程的多量子态存储器，其采用上述的一种可编程的多量子态存储器的制备方法，存储器从下到上依次为：p型掺杂的硅片、285nm厚的SiO2层、磁性拓扑绝缘体材料、金属电极。
本发明通过制备基于拓扑保护的量子材料的新型量子元器件，实现4进制的多量子态存储器。该发明基于多量子态，因而最小单元的存储密度就提升了两倍，整体存储密度的提升将是指数级的；而基于量子材料的拓扑保护特性，则具有功耗极低而且断电之后数据不丢失的双重优点。
本发明利用了拓扑量子材料中的拓扑态的拓扑保护特性，通过不同量子态的相变来实现在四个量子态|0＞|1＞|2＞|3＞的切换。和传统的二进制不同，这种四进制的切换既能带来指数级的存储量的增长，同时量子态受拓扑保护，具有非易失和低功耗特性，应用到随机存储器上也能克服目前随机存储器断电数据易丢失的问题，同时作为长期存储应用，不受环境干扰，具有更高的保真度，在未来的量子存储上具有光明的前景。
附图说明
图1为实施例1中一种可编程的多量子态存储器及制备方法的流程图；
图2为实施例1中多量子态存储器的原型器件图；
图3为实施例1中磁场调控下的霍尔电压Vxy的变化示意图；
图4为实施例1中磁场的施加序列和霍尔电压信号切换的示意图。
具体实施方式
为进一步了解本发明的内容，结合附图和实施例对本发明作详细描述。应当理解的是，实施例仅仅是对本发明进行解释而并非限定。
实施例1
如图1所示，本实施例提供了一种可编程的多量子态存储器的制备方法，其包括以下步骤：
一、通过化学气相传输法生长制备高晶体质量的磁性拓扑绝缘体材料MnBi2Te4，得到样品；
磁性拓扑绝缘体材料MnBi2Te4单晶制备方法为：
a、将纯度99.999％Mn粉、纯度99.999％Bi粉和纯度99.999％Te粉以1∶2∶4的摩尔比混合，将充分混合后的原材料放在刚玉坩埚中；
b、随后将刚玉坩埚真空封装在一个安瓿瓶中，真空度为1e-5Torr；
c、将安瓿瓶置于一个高温炉中，以1K/min的速率升至950K，并在此温度下保持48h；
d、随后以0.1K/min的速率将温度降至900K，保持72h后再以0.1K/min的速率降至700K；在700K时保持超过一个星期的时间；
e、最后将安瓿瓶取出迅速淬水，使其迅速降温，剥离掉表面粗糙部分，里面即为MnBi2Te4单晶。
二、通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜仪器对样品的性质进行表征；
样品的性质表征包括：
(1)样品质量表征：通过透射电子显微镜可以表征样品生长的晶体质量；
(2)样品的性能表征：通过降温曲线，表征出对应的奈尔温度在24K左右，同时能看到清晰的磁滞回线。
三、通过机械剥离的方式将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上；
通过Scotch胶带进行机械剥离，并将剥离后的磁性拓扑绝缘体材料薄层直接粘附到含有285nm SiO2的高掺硅衬底上，并移除胶带。
四、通过光刻胶旋涂、电子束曝光、镀膜微纳加工工艺制备出霍尔条构型的金属电极；
五、通过点焊机点焊样品电极后，通过稀释制冷机(工作温度为10mK～300K，工作磁场为0T～14T)进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变。
施加交流电于图2所示配置的两个普通电极之间(用双环符号表示)，图2中，从下到上依次为：p型掺杂的硅片、285nm厚的SiO2层、磁性拓扑绝缘体材料、金属电极，其中S代表源极，D代表漏极，在源漏电极之间施加交流电，霍尔电压在如图2所示的两个电极之间，用Vxy来表示。
图3中的四个台阶分别对应四个量子态。图4展示了通过施加编程的磁场脉冲，就可以实现霍尔电压在四个量子态之间的演化；其中图4上图是磁场的施加序列，图4下图是相应的霍尔电压的信号切换，展示了四个量子态之间的可调演化。
通过变换磁场完成四个量子态的转变，可以通过施加不同的磁场序列，具体为：
1)先施加磁场(数值大于临界值μ0Hc2)，此时磁场降到零场，对应的量子态为|0＞，以五星符号表示；
2)将磁场降到负磁场(数值小于临界值-μ0Hc2)，再将磁场升到正磁场(数值大于临界值μ0Hc1但是小于临界值μ0Hc2)，此时将磁场降到零场，对应的量子态为|1＞，以三角符号表示，也即完成了从|0＞到|1＞的转换；
3)将磁场升到正磁场(数值大于临界值μ0Hc2)，然后将磁场降到负磁场(数值在-μ0Hc2和-μ0Hc1之间)，此时磁场降到零场，对应的量子态为|2＞，以圆形符号表示，也即完成了从|1＞到|2＞的转换；
4)将磁场降到负磁场(数值小于临界值-μ0Hc2)，再将磁场降到零场，此时对应的量子态为|3＞，以菱形符号表示，也即完成了|2＞到|3＞的转换。
其中，μ0代表真空磁导率；H代表磁场强度；c代表临界。
本实施例还提供了一种可编程的多量子态存储器，其采用上述的一种可编程的多量子态存储器的制备方法，存储器从下到上依次为：p型掺杂的硅片、285nm厚的SiO2层、磁性拓扑绝缘体材料、金属电极。
本实施例基于四个量子态，实现四进制的存储，提升存储密度。拓扑量子态由于具备拓扑保护特性，具有非易失和极低功耗的双重优点。本实施例的多量子态存储器既可用于内部存储器也可用于外部存储器，而且断电之后，数据依然存在。
以上示意性的对本发明及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.可编程的多量子态存储器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
一、生长制备磁性拓扑绝缘体材料，得到样品；
二、对样品的性质进行表征；
三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至衬底上；
四、制备出金属电极；
五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变；
所述磁性拓扑绝缘体材料为MnBi2Te4；
步骤五中，通过变换磁场完成四个量子态的转变，变换磁场是通过施加不同的磁场序列，具体为：
1)先施加磁场，再将磁场降到零场，此时对应的量子态为|0>，以五星符号表示；
2)将磁场降到负磁场，再将磁场升到正磁场，此时将磁场降到零场，对应的量子态为|1>，以三角符号表示，也即完成了从|0>到|1>的转换；
3)将磁场升到正磁场，然后将磁场降到负磁场，此时磁场降到零场，对应的量子态为|2>，以圆形符号表示，也即完成了从|1>到|2>的转换；
4)将磁场降到负磁场，再将磁场降到零场，此时对应的量子态为|3>，以菱形符号表示，也即完成了|2>到|3>的转换；
步骤1)中，施加磁场的数值大于临界值μ0Hc2；步骤2)中，负磁场数值小于临界值-μ0Hc2；正磁场数值大于临界值μ0Hc1但是小于临界值μ0Hc2；步骤3)中，正磁场数值大于临界值μ0Hc2；负磁场数值在-μ0Hc2和-μ0Hc1之间；步骤4)中，负磁场数值小于临界值-μ0Hc2；
其中，μ0代表真空磁导率；H代表磁场强度；c代表临界。
2.根据权利要求1所述的可编程的多量子态存储器的制备方法，其特征在于：磁性拓扑绝缘体材料MnBi2Te4单晶制备方法为：
a、将Mn粉、Bi粉和Te粉以1:2:4的摩尔比混合，将充分混合后的原材料放在刚玉坩埚中；
b、随后将刚玉坩埚真空封装在一个安瓿瓶中，真空度为1e-5Torr；
c、将安瓿瓶置于一个高温炉中，以1K/min的速率升至950K，并在此温度下保持48h；
d、随后以0.1K/min的速率将温度降至900K，保持72h后再以0.1K/min的速率降至700K；在700K时保持超过一个星期的时间；
e、最后将安瓿瓶取出迅速淬水，使其迅速降温，剥离掉表面粗糙部分，里面即为MnBi2Te4单晶。
3.根据权利要求1所述的可编程的多量子态存储器的制备方法，其特征在于：样品的性质表征包括：
(1)样品质量表征：通过透射电子显微镜表征样品生长的晶体质量；
(2)样品的性能表征：通过降温曲线，表征出对应的奈尔温度在24K，同时能看到清晰的磁滞回线。
4.根据权利要求1所述的可编程的多量子态存储器的制备方法，其特征在于：步骤三中，通过Scotch胶带进行机械剥离，并将剥离后的磁性拓扑绝缘体材料薄层直接粘附到含有285nm SiO2的高掺硅衬底上，并移除胶带。
5.根据权利要求1所述的可编程的多量子态存储器的制备方法，其特征在于：步骤五中，通过稀释制冷机进行电学信号测量，电学信号测量时，稀释制冷机工作温度为10mK～300K，工作磁场为0T～14T。
6.可编程的多量子态存储器，其特征在于：其采用如权利要求1-5中任意一种所述的可编程的多量子态存储器的制备方法，存储器从下到上依次为：p型掺杂的硅片、285nm厚的SiO2层、磁性拓扑绝缘体材料、金属电极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110787366.8A CN113540149B (zh) | 2021-07-12 | 2021-07-12 | 可编程的多量子态存储器及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110787366.8A CN113540149B (zh) | 2021-07-12 | 2021-07-12 | 可编程的多量子态存储器及制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113540149A CN113540149A (zh) | 2021-10-22 |
| CN113540149B true CN113540149B (zh) | 2024-06-04 |
Family
ID=78098756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110787366.8A Active CN113540149B (zh) | 2021-07-12 | 2021-07-12 | 可编程的多量子态存储器及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113540149B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103238101A (zh) * | 2010-12-07 | 2013-08-07 | 小利兰斯坦福大学理事会 | 并入有包括拓扑绝缘体的拓扑材料的电装置及光学装置 |
| WO2013125101A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | スピン電子メモリ及びスピン電子回路 |
| CN109065707A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-12-21 | 华中科技大学 | 一种基于铁磁材料的多态存储器及多态存储方法 |
| CN110726736A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-24 | 南京大学 | 一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法 |
| CN112713240A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-27 | 南京邮电大学 | 一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法 |
-
2021
- 2021-07-12 CN CN202110787366.8A patent/CN113540149B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103238101A (zh) * | 2010-12-07 | 2013-08-07 | 小利兰斯坦福大学理事会 | 并入有包括拓扑绝缘体的拓扑材料的电装置及光学装置 |
| WO2013125101A1 (ja) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | スピン電子メモリ及びスピン電子回路 |
| CN109065707A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-12-21 | 华中科技大学 | 一种基于铁磁材料的多态存储器及多态存储方法 |
| CN110726736A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-24 | 南京大学 | 一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法 |
| CN112713240A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-27 | 南京邮电大学 | 一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 拓扑绝缘体电子态的电场调控;常凯;北大核心;458-461 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113540149A (zh) | 2021-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101587936B (zh) | 基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法 | |
| US5741435A (en) | Magnetic memory having shape anisotropic magnetic elements | |
| CN101599530B (zh) | 一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法 | |
| CN103794723A (zh) | 一种相变存储器单元及其制备方法 | |
| RU2124765C1 (ru) | Композиция материала запоминающего устройства, способ его изготовления, энергонезависимое запоминающее устройство, способ его изготовления, способ запоминания и воспроизведения двух независимых бит двоичных данных в одной ячейке памяти энергонезависимого запоминающего устройства | |
| Xu et al. | Chiral-induced spin selectivity in biomolecules, hybrid organic–inorganic perovskites and inorganic materials: a comprehensive review on recent progress | |
| CN113540149B (zh) | 可编程的多量子态存储器及制备方法 | |
| WO2022217860A1 (zh) | 一种诱导硫系相变材料结晶的方法及其应用 | |
| US11348943B2 (en) | Non-volatile ferroelectric memory and method of preparing the same | |
| CN112467025B (zh) | 一种利用针尖电场在铁电薄膜中构建周期性条带畴的方法 | |
| CN109003636A (zh) | 一种基于垂直读写操作的多态非易失性固态存储单元 | |
| CN102769101A (zh) | 一种GeTe4相变记忆元件及制备方法 | |
| CN115605073A (zh) | 一种基于Mn掺杂氧化镓的阻变存储器及其制备方法 | |
| Kumari et al. | Analog resistive switching behavior in BiCoO3 thin film | |
| CN110066978A (zh) | 一种铁酸铋薄膜的制备方法及其用途 | |
| CN113299823A (zh) | 一种电场可调磁电信息存储器件及其制备方法 | |
| CN101752498A (zh) | 一种Ga2Te3相变记忆元件及其制备方法 | |
| Padhan et al. | Transition from a double exchange ferromagnetic metal to hysteretic insulator mimicking charge ordering effects in ultra-thin epitaxial films of a perovskite manganite | |
| JP3472783B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気感応装置 | |
| CN108417709A (zh) | 一种集多值存储和逻辑运算于一体的器件单元及操作方法 | |
| CN100587995C (zh) | 固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用 | |
| CN117746940A (zh) | 一种电场写入信息的磁电随机存储器 | |
| CN105428532A (zh) | Dy-Ge-Sb-Te和Dy-Sb-Te相变存储材料 | |
| CN101488556A (zh) | 高密度相变存储器的制备方法 | |
| CN101222019A (zh) | 基于非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1－x及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |