CN113497599A - 体声波谐振器 - Google Patents

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CN113497599A CN202011082734.0A CN202011082734A CN113497599A CN 113497599 A CN113497599 A CN 113497599A CN 202011082734 A CN202011082734 A CN 202011082734A CN 113497599 A CN113497599 A CN 113497599A
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金泰润
林昶贤
孙尚郁
吉宰亨
丁大勳
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Abstract

本公开提供了一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分。在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极全部设置为彼此叠置的有效区域中，在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合中形成至少一个台阶。

Description

体声波谐振器
本申请要求于2020年4月6日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0041508号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种体声波谐振器。
背景技术
体声波(BAW)滤波器利用体声波(BAW)谐振器构成。如果BAW谐振器的品质因数(Q)性能良好，则在BAW滤波器中能够仅选择期望频带的滚降特性良好，并且插入损耗和衰减的性能得到改善。为了改善BAW谐振器中的反谐振点的品质因数(Q)性能，可在谐振器周围形成框架，以将谐振期间生成的横向波反射到谐振器中，以使谐振能量收集在有效区域中。一般来说，框架利用与上电极的材料相同的材料形成，并且框架形成为比上电极的设置在BAW谐振器的有效区域中的剩余部分厚。然而，当仅提供单个框架时，在实现高品质因数(Q)性能方面存在限制。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并且在下面的具体实施方式中进一步描述所选择的构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总的方面，一种体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分。在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极全部设置为彼此叠置的有效区域中，在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合中形成至少一个台阶。
所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的一个的在所述有效区域的边缘处的厚度可大于所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述一个的在所述有效区域的中央部分中的厚度，以形成所述至少一个台阶之中的台阶。
所述体声波谐振器还可包括插入层，其中，所述插入层的一部分设置在所述第一电极与所述压电层之间。
与所述第二电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第二电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度可最小。所述第二电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度可大于所述第二电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述第二电极的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度可大于所述第二电极的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧。所述第二电极可与所述压电层、所述第一电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
所述压电层、所述插入层和所述第一电极可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
所述第二区域的宽度与所述第三区域的宽度之和可以是0.6μm至1.0μm。
所述第二电极的端部与所述插入层叠置的区域的宽度可以是0.4μm至0.8μm。
所述第二电极的在所述第一区域中的厚度与所述第二电极的在所述第二区域中的厚度之间的差可以是
Figure BDA0002719275470000021
至
Figure BDA0002719275470000022
与所述压电层的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述压电层的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度可最小。所述压电层的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度可大于所述压电层的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述压电层的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度可大于所述压电层的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧。所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层可在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
所述压电层、所述插入层和所述第一电极可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
与所述第一电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第一电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度可最小。所述第一电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度可大于所述第一电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述第一电极可设置在所述体声波谐振器的第三区域中，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧。所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层可在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
所述压电层、所述插入层和所述第一电极可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
所述压电层的声阻抗可大于所述第一电极和所述第二电极的声阻抗。
所述体声波谐振器还可包括：蚀刻停止部，设置为围绕腔；牺牲层，设置为围绕所述蚀刻停止部；以及金属焊盘，连接到所述第一电极和所述第二电极。
在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分；以及插入层，部分地设置在所述第一电极与所述压电层之间。在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极全部彼此叠置的有效区域中，通过所述插入层或所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个的区域厚度差形成至少一个台阶。
与所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度可最小。所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度可大于所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述第一区域中的厚度与所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述第二区域中的厚度之间的差可以是
Figure BDA0002719275470000041
至
Figure BDA0002719275470000042
与所述第二电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第二电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度可最小。所述第二电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度可大于所述第二电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述第二电极的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度可大于所述第二电极的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧。所述第二电极可与所述压电层、所述第一电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
所述压电层、所述插入层和所述第一电极可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
所述第二区域的宽度与所述第三区域的宽度之和可以是0.6μm至1.0μm。
所述第二电极的端部与所述插入层叠置的区域的宽度可以是0.4μm至0.8μm。
所述插入层可不设置在所述第三区域中。
与所述压电层的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述压电层的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度可最小。所述压电层的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度可大于所述压电层的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述压电层的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度可大于所述压电层的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧。所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层可在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
所述压电层、所述插入层和所述第一电极可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
与所述第一电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第一电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度可最小。所述第一电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度可大于所述第一电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述第一电极可设置在所述体声波谐振器的第三区域中，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧。所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层可在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
所述压电层、所述插入层和所述第一电极可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层可在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
所述压电层的声阻抗可大于所述第一电极和所述第二电极的声阻抗。
在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：第一电极，设置在基板上方；压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分。所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述体声波谐振器的整个有效区域中全部彼此叠置。所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个具有在所述有效区域的第一区域中的第一厚度和在所述有效区域的第二区域中的第二厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧。所述第二厚度大于所述第一厚度。
所述体声波谐振器还可包括台阶，所述台阶通过所述第一厚度与所述第二厚度之间的差形成在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个中。
所述第一厚度与所述第二厚度之间的所述差可以是
Figure BDA0002719275470000051
至
Figure BDA0002719275470000052
所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个可具有在所述有效区域的第三区域中的第三厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧。所述第三厚度可大于所述第二厚度。
所述体声波谐振器还可包括部分地设置在所述第一电极与所述压电层之间的插入层。所述插入层可完全设置在所述第三区域的外侧。
通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是示出根据实施例的体声波谐振器的示意性截面图。
图2是示出图1的A部分的放大图。
图3是示出图1的B部分的放大图。
图4是示出常规的体声波谐振器的说明性示图。
图5是示出在常规的体声波谐振器中根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
图6是示出根据实施例的图1的体声波谐振器的说明性示图。
图7是示出在图1的体声波谐振器中当BR宽度为0.4μm、0.6μm和0.8μm时根据第二电极的第二区域与第三区域的宽度之和的衰减性能的曲线图。
图8是示出根据实施例的图1的体声波谐振器的说明性示图。
图9是示出在图1的体声波谐振器中，当第二电极的第二区域与第三区域的宽度之和为0.6μm、0.8μm或1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
图10是示出根据实施例的图1的体声波谐振器的说明性示图。
图11是示出在图1的体声波谐振器中，当第二电极的第一区域与第二区域之间的厚度差为
Figure BDA0002719275470000061
并且第二电极的第二区域与第三区域的宽度之和为0.8μm和1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
图12是示出在图1的体声波谐振器中，当第二电极的第一区域与第二区域之间的厚度差为
Figure BDA0002719275470000062
并且第二电极的第二区域与第三区域的宽度之和为0.8μm和1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
图13是示出在图1的体声波谐振器中，当第二电极的第一区域与第二区域之间的厚度差为
Figure BDA0002719275470000063
并且第二电极的第二区域与第三区域的宽度之和为0.8μm和1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
图14是示出根据实施例的体声波谐振器的示意性截面图。
图15是示出根据实施例的体声波谐振器的示意性截面图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按比例绘制，并且为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，这里描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改和等同物将是显而易见的。例如，这里描述的操作的顺序仅仅是示例，并不限于这里阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出如在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略对本领域中已知的特征的描述。
这里描述的特征可以以不同的形式呈现，并且将不被解释为局限于这里描述的示例。更确切地说，已经提供这里描述的示例仅是为了示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现这里描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
这里，注意，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，但所有的示例和实施例不限于此。
在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。
如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。
尽管这里可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，这里描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，这里可使用诸如“上方”、“上部”、“下方”、“下部”、“前面”、“后面”和“侧面”的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意图除了包括附图中描绘的方位之外还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件在“上方”或“上部”的元件于是将相对于另一元件在“下方”或“下部”。因此，根据装置的空间方位，术语“上方”包括上方和下方两种方位。对于另一示例，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件在“前面”的元件于是将相对于另一元件为在“后面”。因此，根据装置的空间方位，术语“前面”包括前面和后面两种方位。装置还可以以其他方式(例如，旋转90度或在其他方位处)定位，且这里使用的空间相对术语将被相应地解释。
这里使用的术语仅用于描述各种示例，并不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式意图包括复数形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，附图中示出的形状可能出现变化。因此，这里描述的示例不限于附图中示出的特定形状，而是包括在制造期间发生的形状变化。
这里描述的示例的特征可以以如在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的各种方式组合。此外，尽管这里描述的示例具有各种构造，但如在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的其他构造也是可行的。
图1是示出根据实施例的体声波谐振器100的示意性截面图。图2是示出图1的A部分的放大图。图3是示出图1的B部分的放大图。
参照图1至图3，体声波谐振器100可包括例如基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极150、压电层160、第二电极170、插入层180、钝化层190和金属焊盘200。
基板110可以是硅基板。例如，硅晶圆或绝缘体上硅(SOI)型基板可用作基板110。
绝缘层112可设置在基板110的上表面上，并且可将基板110与设置在其上的结构(例如，层和组件)彼此电隔离。另外，当在制造工艺中形成腔C时，绝缘层112可防止基板110被蚀刻气体蚀刻。
在示例中，绝缘层112可利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合形成，并且可通过化学气相沉积、RF磁控溅射和蒸镀(真空蒸镀)中的任意一个形成。
牺牲层120可形成在绝缘层112上，并且腔C和蚀刻停止部130可设置在牺牲层120中。腔C可通过在制造期间去除牺牲层120的一部分来形成。如此，由于腔C形成在牺牲层120中，因此设置在牺牲层120上方的第一电极150以及另外的层可形成为平坦的。
蚀刻停止部130沿着腔C的横向/侧边界设置。蚀刻停止部130设置为防止在形成腔C的工艺中超过腔区域执行蚀刻。例如，蚀刻停止部130可设置在膜层140的槽142中。
膜层140与基板110一起形成腔C。另外，膜层140可利用在去除牺牲层120时与蚀刻气体具有低反应性的材料制成。膜层140可包括含有氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种的介电层。
利用氮化铝(AlN)制成的种子层(未示出)可形成在膜层140上。种子层可设置在膜层140与第一电极150之间。除了氮化铝(AlN)之外，种子层还可使用具有HCP晶体结构的电介质或金属来形成。作为示例，种子层可利用钛(Ti)形成。
第一电极150形成在膜层140上，并且第一电极150的一部分设置在腔C上方。此外，第一电极150可被构造为用于输入电信号(诸如射频(RF)信号等)的输入电极和用于输出电信号(诸如射频(RF)信号等)的输出电极中的任意一者。
作为示例，第一电极150可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成。然而，第一电极150不限于这些示例，并且第一电极150可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)或铬(Cr)的合金的导电材料制成。
压电层160形成为覆盖设置在腔C上方的第一电极150的至少一部分。压电层160是产生以弹性波的形式将电能转换为机械能的压电效应的部分，并且可包括例如氮化铝(AlN)材料。
此外，诸如稀土金属或过渡金属的掺杂剂可被掺杂到压电层160中。作为示例，用作掺杂剂的稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。此外，用作掺杂剂的过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。另外，压电层160也可包含作为二价金属的镁(Mg)。
与第一电极150和第二电极170的声阻抗相比，压电层160可利用具有低的声阻抗的材料制成。
声阻抗Z值作为材料的固有值可由以下式1表示。
式(1)
Figure BDA0002719275470000101
在上述式1中，ρ是密度，c是弹性模量。
第二电极170形成为覆盖设置在腔C上方的压电层160的至少一部分。第二电极170可被构造为用于输入电信号(诸如射频(RF)信号)的输入电极和用于输出电信号(诸如射频(RF)信号)的输出电极中的任意一者。也就是说，当第一电极150被构造为输入电极时，第二电极170可被构造为输出电极，并且当第一电极150被构造为输出电极时，第二电极170可被构造为输入电极。
然而，第二电极170不限于以上示例，并且第二电极170可使用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成。另外，第二电极170可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)或铬(Cr)的合金的导电材料制成。
在第一电极150、压电层160和第二电极170设置为全部彼此叠置的有效区域中，在第二电极170中形成至少一个台阶。例如，第二电极170可具有其中形成至少一个台阶的区域，并且该区域具有在有效区域的中央部分中的最小厚度和在有效区域的边缘部分处的与在有效区域的中央部分处的厚度不同的厚度。更详细地，如图2和图3中所示，例如，与第二电极170的在有效区域中的其他区域中的厚度相比，第二电极170的在第一区域Z0(例如，有效区域的中央部分中的内部区域)中的厚度可形成为最小。另外，在设置于第一区域Z0的外侧的第二区域Z1中，第二电极170的厚度形成为大于第二电极170的在第一区域Z0中的厚度。例如，在第二区域Z1中，第二电极170的厚度可比第二电极170的在第一区域Z0中的厚度大
Figure BDA0002719275470000111
至
Figure BDA0002719275470000112
另外，第二电极170的在设置于第二区域Z1的外侧的第三区域Z2中的厚度形成为大于第二电极170的在第二区域Z1中的厚度。
如图2和图3中所示，第一电极150、压电层160和第二电极170设置为在第一区域Z0、第二区域Z1和第三区域Z2中彼此叠置。
此外，如图2和图3中所示，第一电极150、插入层180、压电层160和第二电极170设置为在设置于第三区域Z2的外侧的第四区域Z3中叠置。插入层180的材料的声阻抗低于第一电极150、压电层160和第二电极170的材料的声阻抗。因此，可改善反射性能。
另外，如图2和图3中所示，在设置于第四区域Z3的外侧的第五区域Z4中，第一电极150、插入层180和压电层160可设置为彼此叠置，或者插入层180、压电层160和第二电极170可设置为彼此叠置。
因此，如图2和图3中所示，在第二电极170上且在第一区域Z0、第二区域Z1、第三区域Z2、第四区域Z3和第五区域Z4中形成至少一个台阶。
如上所述，可通过在第一区域Z0、第二区域Z1、第三区域Z2、第四区域Z3和第五区域Z4的边界处反射具有各种波长的横向波来改善反射性能。因此，可在反谐振点处实现高品质因数(Q)性能。
插入层180设置在第一电极150与压电层160之间。插入层180可利用例如包含二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)等中的任意一种的介电层形成，但可利用与压电层160的材料不同的材料形成。另外，如果需要，也可形成其中插入层180为气隙形式的区域。气隙可通过在制造工艺中去除插入层180来实现。
作为示例，插入层180可沿着膜层140、第一电极150和蚀刻停止部130的表面设置。插入层180的至少一部分可设置在压电层160与第一电极150之间。插入层180可不设置在第三区域Z2中。
插入层180可利用具有比第一电极150的声阻抗低的声阻抗的材料制成。
钝化层190形成在除了第一电极150和第二电极170的部分之外的区域中。钝化层190可防止第二电极170和第一电极150在制造工艺期间被损坏。
另外，钝化层190的一部分可通过蚀刻去除，以在制造的最终工艺中调节频率特性。也就是说，可调整钝化层190的厚度。作为示例，钝化层190可利用包含氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的任意一种的介电层形成。
金属焊盘200形成在第一电极150和第二电极170的未形成钝化层190的部分上。作为示例，金属焊盘200可利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)或铝合金等的材料制成。例如，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金。
金属焊盘200可包括连接到第一电极150的第一金属焊盘202和连接到第二电极170的第二金属焊盘204。
如上所述，可通过在第一区域Z0、第二区域Z1、第三区域Z2、第四区域Z3和第五区域Z4的边界处使具有各种波长的横向波反射来改善反射性能。因此，可在反谐振点处实现高品质因数(Q)性能。
在下文中，将描述体声波谐振器100的效果。
图4是示出常规的体声波谐振器10的说明性示图。图5是示出在常规的体声波谐振器中根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
参照图4，常规的体声波谐振器10具有4900μm2的面积和2.4的纵横比(高/宽比)。当改变图4中所示的截面A-A'中所示的BR宽度w1时，使图4中所示的截面B-B'中的BE宽度w2恒定在0.4μm。如图5中的该试验所示，当BR宽度为0.4μm时，衰减性能具有最大值33.1dB。
如图4中所示，BR宽度w1是其中插入层和第二电极彼此叠置的区域的宽度，BE宽度w2是第一电极和插入层彼此叠置的区域的宽度。
在下面的表1中示出了常规的谐振器10的性能。
表1
Figure BDA0002719275470000131
图6是示出根据实施例的体声波谐振器100的说明性示图。图7是示出在体声波谐振器100中，当BR宽度为0.4μm、0.6μm和0.8μm时根据第二电极170的第二区域Z1与第三区域Z2的宽度之和的衰减性能的曲线图。
如图7中所示，当第二区域Z1与第三区域Z2的宽度之和为0.8μm时，衰减性能具有最大值37.7dB。
在下面的表2中示出了根据第二电极170的第二区域Z1与第三区域Z2的宽度之和的由体声波谐振器100表现出的性能。
表2
Figure BDA0002719275470000132
图8是示出根据实施例的体声波谐振器100的说明性示图。图9是示出在体声波谐振器100中，当第二电极170的第二区域与第三区域的宽度之和为0.6μm、0.8μm和1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
如图9中所示，当BR宽度w1为0.6μm时，衰减性能具有最大值37.7dB。
在下面的表3中示出了根据BR宽度的由体声波谐振器100表现出的性能。
表3
Figure BDA0002719275470000141
图10是示出根据实施例的体声波谐振器100的说明性示图。图11是示出在体声波谐振器100中，当第二电极170的第一区域Z0与第二区域Z1之间的厚度差为
Figure BDA0002719275470000143
并且第二电极170的第二区域Z1与第三区域Z2的宽度之和为0.8μm和1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。图12是示出在根据实施例的体声波谐振器100中，当第二电极170的第一区域Z0与第二区域Z1之间的厚度差为
Figure BDA0002719275470000144
并且第二电极170的第二区域Z1与第三区域Z2的宽度之和为0.8μm和1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。图13是示出在根据实施例的体声波谐振器100中，当第二电极170的第一区域Z0与第二区域Z1之间的厚度差为
Figure BDA0002719275470000145
并且第二电极的第二区域Z1与第三区域Z2的宽度之和为0.8μm和1.0μm时，根据BR宽度的衰减性能的曲线图。
如图11至图13中所示，当厚度差为
Figure BDA0002719275470000146
时，衰减性能具有最大值37.7dB。
虽然在示例中，第二电极170的第一区域Z0与第二区域Z1之间的厚度差被描述为
Figure BDA0002719275470000147
至
Figure BDA0002719275470000148
但当第一区域与第二区域之间的厚度差为
Figure BDA00027192754700001410
至
Figure BDA0002719275470000149
时，可改善第二电极170的衰减性能。
表4
Figure BDA0002719275470000142
在下文中，将描述上述体声波谐振器100的变型实施例。然而，在下面讨论图14和图15时，将不重复与先前描述的实施例共享的组件的详细描述。
图14是示出根据实施例的体声波谐振器300的示意性截面图。
参照图14，体声波谐振器300可包括例如基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极150、压电层360、第二电极370、插入层180、钝化层190和金属焊盘200。因此，体声波谐振器300与体声波谐振器100的不同之处在于体声波谐振器300包括压电层360和第二电极370而不是压电层160和第二电极170。
压电层360形成为覆盖设置在腔C上方的第一电极150的至少一部分。压电层360是产生以弹性波的形式将电能转换为机械能的压电效应的部分，并且可包括例如氮化铝(AlN)材料。
此外，诸如稀土金属或过渡金属的掺杂剂可被掺杂到压电层360中。作为示例，用作掺杂剂的稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。此外，用作掺杂剂的过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。另外，压电层360也可包含作为二价金属的镁(Mg)。
另外，与第一电极150和第二电极370的声阻抗相比，压电层360可利用具有低的声阻抗的材料制成。
在第一电极150、压电层360和第二电极370全部设置为彼此叠置的有效区域中，在压电层360中形成至少一个台阶。作为示例，压电层360可具有其中形成至少一个台阶的区域，并且该区域具有在有效区域的中央部分中的最小厚度和在有效区域的边缘部分处的与中央部分处的厚度不同的厚度。更详细地，例如，与压电层360的在有效区域中的其他区域中的厚度相比，压电层360的在第一区域Z0(例如，有效区域的中央部分中的内部区域)中的厚度可形成为最小。另外，在设置于第一区域Z0的外侧的第二区域Z1中，压电层360的厚度形成为比压电层360的在第一区域Z0中的厚度大。另外，压电层360的在第二区域Z1中的厚度可比压电层360的在第一区域Z0中的厚度大
Figure BDA0002719275470000151
至
Figure BDA0002719275470000152
在设置于第二区域Z1的外侧的第三区域Z2中，压电层360的厚度形成为比压电层360的在第二区域Z1中的厚度大。
在第一区域Z0、第二区域Z1和第三区域Z2中，第一电极150、压电层360和第二电极370设置为彼此叠置。
在设置于第三区域Z2的外侧的第四区域Z3中，第一电极150、压电层360和第二电极370设置为彼此叠置。另外，插入层180的声阻抗可低于第一电极150、压电层360和第二电极370的声阻抗。因此，可改善反射性能。
另外，在设置于第四区域Z3的外侧的第五区域Z4中，第一电极150、插入层180和压电层360设置为彼此叠置，或者插入层180、压电层360和第二电极370设置为彼此叠置。
因此，如图14中所示，在压电层360上且在第一区域Z0、第二区域Z1、第三区域Z2、第四区域Z3和第五区域Z4中形成至少一个台阶。
如上所述，可通过在第一区域Z0、第二区域Z1、第三区域Z2、第四区域Z3和第五区域Z4的边界处使具有各种波长的横向波反射来改善反射性能。因此，可在反谐振点处实现高品质因数(Q)性能。
第二电极370可形成为覆盖设置在腔C上方的压电层360的至少一部分。第二电极370可被构造为用于输入电信号(诸如射频(RF)信号)的输入电极和用于输出电信号(诸如射频(RF)信号)的输出电极中的任意一者。也就是说，当第一电极150被构造为输入电极时，第二电极370可被构造为输出电极，并且当第一电极150被构造为输出电极时，第二电极370可被构造为输入电极。
作为示例，第二电极370可利用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成。然而，第二电极370不限于这些示例，并且第二电极370可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)或铬(Cr)的合金的导电材料制成。
图15是示出根据实施例的体声波谐振器500的示意性截面图。
参照图15，体声波谐振器500可包括例如基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、膜层140、第一电极550、压电层160、第二电极570、插入层180、钝化层190和金属焊盘200。因此，体声波谐振器500与体声波谐振器100的不同之处在于体声波谐振器500包括第一电极550和第二电极570而不是第一电极150和第二电极170。
第一电极550形成在膜层140上，并且第一电极550的一部分设置在腔C上方。此外，第一电极550可被构造为用于输入电信号(诸如射频(RF)信号等)的输入电极和用于输出电信号(诸如射频(RF)信号等)的输出电极中的任意一者。
作为示例，第一电极550可利用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成。然而，第一电极550不限于这些示例，并且第一电极550可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等或钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)或铬(Cr)的合金的导电材料制成。
在第一电极550、压电层160和第二电极570全部设置为彼此叠置的有效区域中，在第一电极550中形成至少一个台阶。作为示例，第一电极550可具有其中形成至少一个台阶的区域，并且该区域具有在有效区域的中央部分处的最小厚度和在有效区域的边缘部分处的与在中央部分处的厚度不同的厚度。例如，与其他区域相比，第一电极550的在第一区域Z0(例如，有效区域的中央部分中的内部区域)中的厚度形成为最小。另外，在设置于第一区域Z0的外侧的第二区域Z1中，第一电极550的厚度形成为大于第一电极550的在第一区域Z0中的厚度。另外，在第二区域Z1中，第一电极550的厚度可比第一电极550的在第一区域Z0中的厚度大
Figure BDA0002719275470000171
至
Figure BDA0002719275470000172
第三区域Z2设置在第二区域Z1的外侧。
在第一区域Z0、第二区域Z1和第三区域Z2中，第一电极550、压电层160和第二电极570设置为彼此叠置。
在设置于第三区域Z2的外侧的第四区域Z3中，第一电极550、插入层180、压电层160和第二电极570设置为彼此叠置。另外，插入层180的声阻抗可低于第一电极550、压电层160和第二电极570的声阻抗。因此，可改善反射性能。
另外，在第五区域Z4中，第一电极550、插入层180和压电层160设置为叠置，或者插入层180、压电层160和第二电极570设置为叠置。
因此，如图15中所示，在第一区域Z0、第二区域Z1、第三区域Z2、第四区域Z3和第五区域Z4中，在第一电极550上形成至少一个台阶。
如上所述，可通过在第一区域Z0、第二区域Z1、第三区域Z2、第四区域Z3和第五区域Z4的边界处使具有各种波长的横向波反射来改善反射性能。因此，可在反谐振点处实现高品质因数(Q)性能。
第二电极570形成为覆盖设置在腔C上方的压电层160的至少一部分。第二电极570可被构造为用于输入电信号(诸如射频(RF)信号等)的输入电极和用于输出电信号(诸如射频(RF)信号等)的输出电极中的任意一者。也就是说，当第一电极550被构造为输入电极时，第二电极570可被构造为输出电极，并且当第一电极550被构造为输出电极时，第二电极570可被构造为输入电极。
作为示例，第二电极570可利用诸如钼(Mo)或其合金的导电材料形成。然而，第二电极不限于这些示例，并且第二电极570可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)等的导电材料或由诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)或铬(Cr)的导电材料的合金制成。
如上所述，根据这里的公开内容，可改善体声波谐振器的横向波反射性能。
虽然本公开包括具体的示例，但在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中进行形式和细节上的各种改变。这里描述的示例将仅被认为是描述性含义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果描述的技术以不同的顺序执行，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或通过其他组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可实现合适的结果。另外，各个实施例可彼此组合。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且权利要求及其等同物的范围内的所有变型将被解释为包括在本公开中。

Claims (31)

1.一种体声波谐振器，包括：
第一电极，设置在基板上方；
压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及
第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分，
其中，在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极全部设置为彼此叠置的有效区域中，在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合中形成至少一个台阶。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的一个的在所述有效区域的边缘处的厚度大于所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述一个的在所述有效区域的中央部分中的厚度以形成所述至少一个台阶之中的台阶。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括插入层，其中，所述插入层的一部分设置在所述第一电极与所述压电层之间。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中：
与所述第二电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第二电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度最小；
所述第二电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度大于所述第二电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧；
所述第二电极的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度大于所述第二电极的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧；并且
所述第二电极与所述压电层、所述第一电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述压电层、所述插入层和所述第一电极在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者，所述第二电极、所述压电层和所述插入层在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，并且
其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
6.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第二区域的宽度与所述第三区域的宽度之和为0.6μm至1.0μm。
7.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极的端部与所述插入层叠置的区域的宽度为0.4μm至0.8μm。
8.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极的在所述第一区域中的厚度与所述第二电极的在所述第二区域中的厚度之间的差为
Figure FDA0002719275460000021
至
Figure FDA0002719275460000022
9.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中：
与所述压电层的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述压电层的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度最小；
所述压电层的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度大于所述压电层的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧；
所述压电层的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度大于所述压电层的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧；并且
所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器，其中，所述压电层、所述插入层和所述第一电极在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，并且
其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
11.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中：
与所述第一电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第一电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度最小；
所述第一电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度大于所述第一电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧；
所述第一电极设置在所述体声波谐振器的第三区域中，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧；并且
所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
12.根据权利要求11所述的体声波谐振器，其中，所述压电层、所述插入层和所述第一电极在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，并且
其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
13.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层的声阻抗大于所述第一电极和所述第二电极的声阻抗。
14.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：
蚀刻停止部，设置为围绕腔；
牺牲层，设置为围绕所述蚀刻停止部；以及
金属焊盘，连接到所述第一电极和所述第二电极。
15.一种体声波谐振器，包括：
第一电极，设置在基板上方；
压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；
第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分；以及
插入层，部分地设置在所述第一电极与所述压电层之间，
其中，在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极全部彼此叠置的有效区域中，通过所述插入层或所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个的区域厚度差形成至少一个台阶。
16.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中：
与所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度最小；并且
所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度大于所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧；并且
所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述第一区域中的厚度与所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个的在所述第二区域中的厚度之间的差为
Figure FDA0002719275460000041
至
Figure FDA0002719275460000042
17.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中：
与所述第二电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第二电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度最小；
所述第二电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度大于所述第二电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧；
所述第二电极的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度大于所述第二电极的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧；并且
所述第二电极与所述压电层、所述第一电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
18.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述压电层、所述插入层和所述第一电极在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，并且
其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
19.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述第二区域的宽度与所述第三区域的宽度之和为0.6μm至1.0μm。
20.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极的端部与所述插入层叠置的区域的宽度为0.4μm至0.8μm。
21.根据权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述插入层不设置在所述第三区域中。
22.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中：
与所述压电层的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述压电层的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度最小；
所述压电层的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度大于所述压电层的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧；
所述压电层的在所述体声波谐振器的第三区域中的厚度大于所述压电层的在所述第二区域中的厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧；并且
所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
23.根据权利要求22所述的体声波谐振器，其中，所述压电层、所述插入层和所述第一电极在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，并且
其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
24.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中：
与所述第一电极的在所述有效区域中的其他区域中的厚度相比，所述第一电极的在所述体声波谐振器的第一区域中的厚度最小；
所述第一电极的在所述体声波谐振器的第二区域中的厚度大于所述第一电极的在所述第一区域中的厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧；
所述第一电极设置在所述体声波谐振器的第三区域中，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧；并且
所述压电层、所述第一电极、所述第二电极和所述插入层在所述体声波谐振器的第四区域中彼此叠置，所述第四区域设置在所述第三区域的外侧。
25.根据权利要求24所述的体声波谐振器，其中，所述压电层、所述插入层和所述第一电极在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，或者所述第二电极、所述压电层和所述插入层在所述体声波谐振器的第五区域中彼此叠置，并且
其中，所述第五区域设置在所述第四区域的外侧。
26.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中，所述压电层的声阻抗大于所述第一电极和所述第二电极的声阻抗。
27.一种体声波谐振器，包括：
第一电极，设置在基板上方；
压电层，设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及
第二电极，设置为覆盖所述压电层的至少一部分；
其中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述体声波谐振器的整个有效区域中全部彼此叠置，
其中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个具有在所述有效区域的第一区域中的第一厚度和在所述有效区域的第二区域中的第二厚度，所述第二区域设置在所述第一区域的外侧，并且
其中，所述第二厚度大于所述第一厚度。
28.根据权利要求27所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括台阶，所述台阶通过所述第一厚度与所述第二厚度之间的差形成在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个中。
29.根据权利要求28所述的体声波谐振器，其中，所述第一厚度与所述第二厚度之间的所述差为
Figure FDA0002719275460000061
至
Figure FDA0002719275460000062
30.根据权利要求27所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的所述任意一个具有在所述有效区域的第三区域中的第三厚度，所述第三区域设置在所述第二区域的外侧，并且
其中，所述第三厚度大于所述第二厚度。
31.根据权利要求30所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括部分地设置在所述第一电极与所述压电层之间的插入层，
其中，所述插入层完全设置在所述第三区域的外侧。
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