CN116192084A - 体声波谐振器 - Google Patents

体声波谐振器 Download PDF

Info

Publication number
CN116192084A
CN116192084A CN202211406156.0A CN202211406156A CN116192084A CN 116192084 A CN116192084 A CN 116192084A CN 202211406156 A CN202211406156 A CN 202211406156A CN 116192084 A CN116192084 A CN 116192084A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
acoustic wave
piezoelectric layer
wave resonator
bulk acoustic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211406156.0A
Other languages
English (en)
Inventor
韩相宪
孙尙郁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of CN116192084A publication Critical patent/CN116192084A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02047—Treatment of substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/178—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of a laminated structure of multiple piezoelectric layers with inner electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本公开提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；以及种子层，设置在所述第一电极下方，其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，其中，所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述横向谐振抑制部中的厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。

Description

体声波谐振器
本申请要求于2021年11月29日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0167235号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种体声波谐振器。
背景技术
随着无线通信装置小型化的趋势，对高频组件小型化的需求不断增加，例如，可使用基于半导体薄膜晶片制造技术的体声波谐振器(BAW)型滤波器。
体声波谐振器(BAW)可指被构造为滤波器的薄膜器件，该体声波谐振器可通过在硅晶片上沉积压电介电材料来利用压电性质引起谐振，硅晶片可以是半导体支撑基板。
最近，对5G通信技术的兴趣不断增加，并且已经积极进行了可在候选频带中实现的声波谐振器技术的开发。此外，已经进行了各种结构形状和功能的研究以改善体声波谐振器的特性和性能，并且相应地也进行了制造方法的持续研究。
上述信息仅作为背景信息呈现，以帮助理解本公开。关于上述内容中的任意内容是否可适用作为关于本公开的现有技术，没有做出任何确定，也没有做出断言。
发明内容
提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；以及种子层，设置在所述第一电极下方，其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，其中，所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述横向谐振抑制部中的厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。
所述横向谐振抑制部中的所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的厚度可比所述有效部中的所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个的厚度薄。
所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度可比所述有效部中的所述种子层的厚度厚。
所述横向谐振抑制部中的所述种子层可朝向所述第一电极凸出，并且所述种子层凸出的距离可以是
Figure BDA0003936706040000021
至/>
Figure BDA0003936706040000022
所述横向谐振抑制部的宽度可以是2.6μm至6.2μm。
所述横向谐振抑制部中的所述压电层的厚度可比所述有效部中的所述压电层的厚度厚。
所述谐振部还可包括设置为围绕所述横向谐振抑制部的延伸部，并且所述延伸部可包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的插入层。
所述插入层可设置在所述第一电极与所述压电层之间或所述压电层与所述第二电极之间。
所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度可等于所述延伸部中的所述种子层的厚度。
所述压电层可包括堆叠在所述第一电极上的第一压电层和堆叠在所述第一压电层上的第二压电层，并且所述第一压电层和所述第二压电层可利用不同材料形成。
所述压电层还可包括堆叠在所述第二压电层上的第三压电层，并且所述第三压电层可利用与所述第一压电层相同的材料形成。
在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；以及谐振部，包括堆叠在所述基板上的多个薄膜层，其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，其中，在所述多个薄膜层中，在所述横向谐振抑制部中的利用金属材料形成的薄膜层的总厚度比所述有效部中的利用金属材料形成的所述薄膜层的总厚度薄
Figure BDA0003936706040000031
至/>
Figure BDA0003936706040000032
所述多个薄膜层可包括种子层和堆叠在所述种子层上的第一电极，并且所述横向谐振抑制部中的所述种子层可朝向所述第一电极凸出。
所述横向谐振抑制部中的所述种子层和所述第一电极的总厚度可等于所述有效部中的所述种子层和所述第一电极的总厚度。
所述多个薄膜层可包括按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极，并且所述横向谐振抑制部中的所述压电层可朝向所述第一电极或所述第二电极凸出。
所述横向谐振抑制部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的总厚度可等于所述有效部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的总厚度。
在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：多个层，包括在厚度方向上按顺序设置在基板上的种子层、第一电极、压电层和第二电极，其中，所述多个层中的一个或更多个包括设置在横向谐振抑制部中的在厚度方向上的凸起，并且其中，所述多个层在与所述横向谐振抑制部相邻的有效部中的总厚度与在所述横向谐振抑制部中的总厚度相同。
所述横向谐振抑制部中的所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的厚度可小于所述有效部中的所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个的厚度。
所述体声波谐振器还可包括在延伸部中设置在所述第一电极和所述第二电极之间的插入层，其中，所述横向谐振抑制部设置在所述有效部和所述延伸部之间。
所述横向谐振抑制部的宽度可在约2.6μm至约6.2μm的范围内。
所述凸起可在所述第一电极的厚度的约5％至10％的范围内。
根据以下具体实施方式和附图，其它特征和方面将是易于理解的。
附图说明
图1是根据本公开的实施例的体声波谐振器的平面图。
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3是沿图1的线II-II'截取的截面图。
图4是沿图1的线III-III'截取的截面图。
图5是根据横向谐振抑制部的宽度和厚度的损耗特性的曲线图。
图6是示意性地示出根据本公开的另一实施例的体声波谐振器的截面图。
图7是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
图8是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
图9是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
图10是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
图11是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
图12是示意性地示出根据本公开的又一实施例的体声波谐振器的截面图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的要素。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
在下文中，尽管现在将参照附图详细描述本公开的示例实施例，但应注意示例不限于此。
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本公开内容之后将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域已知的特征的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解本公开内容之后将是易于理解的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的要素被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”另一要素“上”、直接“连接到”另一要素或直接“结合到”另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一要素时，不存在介于它们之间的其它要素。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合；同样地，“中的至少一个”包括相关所列项中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合。
尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”、“下面”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个要素与另一要素的关系。这样的空间相对术语意在除了包括附图中描绘的方位之外还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一要素在“上方”或“上面”的要素于是将相对于所述另一要素在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其它方式(旋转90度或者处于其它方位)定位，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，附图中所示的形状可能发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括制造期间发生的形状的改变。
在此，应注意关于示例的术语“可”的使用，例如，关于示例可包括或实现的内容，意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例，而所有示例不限于此。
在此描述的示例的特征可以以在理解本公开内容之后将易于理解的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解本公开内容之后将易于理解的其它构造是可行的。
本公开的一方面在于提供一种具有改善性能的声波谐振器。
图1是根据本公开的实施例的体声波谐振器的平面图，并且图2是沿着图1中的线I-I'截取的截面图。图3是沿图1中的线II-II'截取的截面图，并且图4是沿图1中的线III-III'截取的截面图。
参照图1至图4，本公开的实施例中的声波谐振器100可被实现为体声波谐振器(BAW)，并且可包括基板110、支撑层140、谐振部120和插入层170。
基板110可被构造为硅基板。例如，作为基板110，可使用硅晶片或绝缘体上硅(SOI)型基板。
绝缘层115可设置在基板110的上表面上，并且可将基板110与谐振部120电隔离。此外，当在制造声波谐振器的工艺期间形成腔C时，绝缘层115可防止基板110被蚀刻气体蚀刻。
在这种情况下，绝缘层115可利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的至少一种形成，并且可通过化学气相沉积、RF磁控溅射或蒸镀中的一种形成。
支撑层140可形成在绝缘层115上，并且可设置为围绕腔C和蚀刻停止部145。
腔C可形成为空隙，并且可通过去除在制备支撑层140的工艺中形成的牺牲层的一部分来形成。
可沿着腔C的边界设置蚀刻停止部145。可提供蚀刻停止部145以防止在形成腔C的工艺期间蚀刻超出腔的区域。
膜层150可形成在支撑层140上，并且可形成腔C的上表面。因此，膜层150也可利用在形成腔C的工艺中不容易去除的材料形成。
例如，当使用包括氟(F)、氯(Cl)等的卤化物的蚀刻气体来去除支撑层140的一部分(例如，用于腔的区域)时，膜层150可利用与蚀刻气体具有低反应性的材料形成。在这种情况下，膜层150可包括二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)中的至少一种。
另外，膜层150可被构造为包括氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的至少一种材料的介电层，或者可被构造为包括铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)和铪(Hf)中的至少一种材料的金属层。然而，本公开的构造不限于此。
谐振部120可包括第一电极121、压电层123和第二电极125。在谐振部120中，第一电极121、压电层123和第二电极125可从底部以此顺序堆叠。因此，在谐振部120中，压电层123可设置在第一电极121和第二电极125之间。
由于谐振部120形成在膜层150上，因此膜层150、第一电极121、压电层123和第二电极125可堆叠以形成谐振部120。
谐振部120可通过响应于施加到第一电极121和第二电极125的信号使压电层123谐振来产生谐振频率和反谐振频率。
如图2所示，谐振部120可在宽度方向上分成中央部S和延伸部E。
中央部S可以是第一电极121、压电层123和第二电极125堆叠成大致平坦的区域，并且可以是实质上产生谐振的谐振有效区域。
延伸部E可以是从中央部S延伸到中央部S的外部的区域，并且可以是插入层170介于第一电极121和压电层123之间的区域。更具体地，延伸部E可以是第一电极121、插入层170、压电层123和第二电极125堆叠的区域。
横向谐振抑制部K可形成在中央部S中。
横向谐振抑制部K可设置在中央部S中，并且可以是沿着中央部S的外周以预定宽度形成的环形区域。可设置横向谐振抑制部K以抑制寄生振动，寄生振动可能是在谐振部120中产生的不必要的振动，这将在后面描述。
基于中央部S和延伸部E之间的边界，横向谐振抑制部K可从中央部S的内侧沿着边界形成为连续环形，并且延伸部E可从中央部S的外侧沿着边界形成为连续环形。然而，根据需要，一些区域可构造为不连续的环形。
因此，如图2所示，在谐振部120的穿过中央部S的截面表面上，延伸部E可设置在中央部S的两端中的每一端上。此外，延伸部E设置在中央部S的两端上，插入层170可设置在延伸部E的两侧中的每一侧上。
插入层170可包括倾斜表面L，倾斜表面L具有在远离中央部S的方向上增加的高度。
在延伸部E中，压电层123和第二电极125可设置在插入层170上。因此，设置在延伸部E中的压电层123和第二电极125可具有沿着插入层170的形状的倾斜表面。
在本实施例中，延伸部E可被限定为包括在谐振部120中，因此，在延伸部E中也可发生谐振。然而，本公开不限于此，并且，根据延伸部E的结构，在延伸部E中可不发生谐振，并且可仅在中央部S中发生谐振。
第一电极121和第二电极125可利用导体形成，并且可利用金、钼、钌、铱、铝、铂、钛、钨、钯、钽、铬、镍或包括上述元素中的至少一种的合金形成，但本公开不限于此。
在谐振部120中，第一电极121可被构造为具有比第二电极125大的面积，并且第一金属层180可沿着第一电极121的外边缘设置在第一电极121上。因此，第一金属层180可与第二电极125间隔开预定距离，并且可设置为围绕谐振部120。
由于第一电极121设置在膜层150上，因此第一电极121可形成为平坦的。由于第二电极125设置在压电层123上，因此可形成弯曲以对应于压电层123的形状。
第一电极121可作为用于输入诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输出电极中的一者。
种子层162可设置在第一电极121下方。具体地，种子层162可设置在第一电极121和膜层150之间，以作为用于形成第一电极的种子。
种子层可利用氮化铝(AlN)形成。此外，当第一电极利用钼(Mo)形成时，种子层162可利用具有六方密排(HCP)晶体结构的金属(诸如钛(Ti))形成。在这种情况下，可减少与第一电极121的晶格失配。
第二电极125可完全设置在中央部S中，也可部分地设置在延伸部E中。因此，第二电极125可被分成设置在压电层123的压电部123a上的部分和设置在压电层123的弯曲部123b上的部分。
更具体地，在实施例中，第二电极125可设置为覆盖压电层123的整个压电部123a和倾斜部1231的一部分。因此，设置在延伸部E中的第二电极(图4中的125a)的面积可小于倾斜部1231的倾斜表面的面积，并且谐振部120中的第二电极125的面积可小于压电层123的面积。
因此，如图2所示，在谐振部120的穿过中央部S的截面表面上，第二电极125的端部可设置在延伸部E中。此外，第二电极125的设置在延伸部E中的端部可与插入层170部分重叠。在这种情况下，延伸部E可与插入层170部分重叠的构造表示，当第二电极125投影在设置有插入层170的平面上时，投影在该平面上的第二电极125的形状可与插入层170重叠。因此，第二电极125的端部可设置在倾斜部上。
第二电极125可用作用于输入诸如射频(RF)信号等的电信号的输入电极和输出诸如射频(RF)信号等的电信号的输出电极中的一者。例如，当第一电极121用作输入电极时，第二电极125可用作输出电极，并且当第一电极121用作输出电极时，第二电极125可用作输入电极。
如图4所示，当第二电极125的端部设置在压电层123的倾斜部1231上时，谐振部120的声阻抗的局部结构可从中央部S以稀疏/密集/稀疏/密集结构形成，使得用于将横向波反射到谐振部120中的反射界面可增加。因此，大多数横向波可不逸出谐振部120，并且可被反射到谐振部120中，使得可改善体声波谐振器的性能。
压电层123可被构造为产生将电能转换为声波形式的机械能的压电效应，并且可形成在第一电极121和插入层170上。
作为压电层123的材料，可使用氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、掺杂氮化铝、锆钛酸铅(PZT)、石英等。掺杂的氮化铝还可包括稀土金属、过渡金属或碱土金属。稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。过渡金属可包括铪(Hf)、钛(Ti)、锆(Zr)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。碱土金属可包括镁(Mg)。
当掺杂到氮化铝(AlN)中以改善压电性能的元素的含量小于0.1at％时，可能无法实现高于氮化铝(AlN)的压电性能，而当元素的含量超过30at％时，用于沉积的制造和组分控制可能是困难的，使得可能形成非均匀相。
因此，在本实施例中，以掺杂氮化铝的总含量为基准，掺杂到氮化铝(AlN)中的元素的含量可在0.1at％至30at％的范围内。
在本实施例中，掺杂有钪(Sc)的氮化铝(AlN)可用于压电层。在这种情况下，压电常数可增加，使得声波谐振器的机电耦合系数(Kt 2)可增加。
根据本实施例的压电层123可包括设置在中央部S中的压电部123a和设置在延伸部E中的弯曲部123b。
压电部123a可被构造为直接堆叠在第一电极121的上表面上。因此，压电部123a可介于第一电极121和第二电极125之间，并且可与第一电极121和第二电极125一起形成为平坦的。
弯曲部123b可被限定为从压电部123a向外延伸并设置在延伸部E中的区域。
弯曲部123b可设置在插入层170上，并且可具有其上表面可沿着插入层170的形状升起的形状。因此，压电层123可在压电部123a与弯曲部123b之间的边界上弯曲，并且弯曲部123b可升高以对应于插入层170的厚度和形状。
弯曲部123b可分成倾斜部1231和延伸部1232。
倾斜部1231可指沿着插入层170的倾斜表面L形成为倾斜的部分。此外，延伸部1232可指从倾斜部1231向外延伸的部分。
倾斜部1231可形成为平行于插入层170的倾斜表面L，并且倾斜部1231的倾斜角可形成为与插入层170的倾斜表面L的倾斜角相同。
插入层170可设置在第一电极121和第二电极125之间，并且在本实施例中，可沿着由膜层150、第一电极121和蚀刻停止部145形成的表面设置。因此，插入层170可部分地设置在谐振部120中，并且可设置在第一电极121和压电层123之间。
插入层170可设置在中央部S的外周上，并且可支撑压电层123的弯曲部123b。因此，压电层123的弯曲部123b可根据插入层170的形状分成倾斜部1231和延伸部1232。
在本实施例中，插入层170可设置在除了中央部S之外的区域中。例如，插入层170可设置在基板110上除了中央部S之外的整个区域上，或者可部分地设置在该区域上。
插入层170的邻近中央部S设置的侧表面可形成为具有恒定倾斜角θ的倾斜表面L。为此，插入层170可被构造为具有在远离中央部S的方向上增加的厚度。
当插入层170的侧表面的倾斜角θ小于5°时，为了制备这种构造，可能需要显著减小插入层170的厚度或者可能需要过度增加倾斜表面L的面积，这可能难以实现。
此外，当插入层170的侧表面的倾斜角θ大于70°时，堆叠在插入层170上的压电层123或第二电极125的倾斜角可大于70°。在这种情况下，由于堆叠在倾斜表面L上的压电层123或第二电极125过度弯曲，因此可能在弯曲部中产生裂纹。
因此，在本实施例中，倾斜表面L的倾斜角θ可形成在大于等于5°且小于等于70°的范围内。
在本实施例中，压电层123的倾斜部1231可沿着插入层170的倾斜表面L形成，并且因此可具有与插入层170的倾斜表面L相同的倾斜角。因此，与插入层170的倾斜表面L类似，倾斜部1231的倾斜角也可形成在大于等于5°且小于等于70°的范围内。该构造可同样地应用于堆叠在插入层170的倾斜表面L上的第二电极125。
插入层170可利用诸如二氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、二氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)等的介电材料形成，并且可利用与压电层123的材料不同的材料形成。
此外，插入层170可利用金属材料实现。当本实施例中的体声波谐振器用于5G通信时，由于在谐振器中可能大量产生热量，因此可能需要平稳地发散在谐振部120中产生的热量。为此，本实施例中的插入层170可利用含钪(Sc)的铝合金材料形成。
此外，插入层170可形成为注入氮(N)或氟(F)的SiO2薄膜。
当设置插入层170时，延伸部E可形成为比中央部S更厚。因此，延伸部E可用作朝向中央部S反射在中央部S中产生的水平声波中的朝向谐振部120的外部的水平声波的框架，以减少弹性波的能量损失。因此，可确保高Q因数和Kt 2。
当实现滤波器或双工器时，高Q因数可改善对其它频带的阻隔特性，并且高Kt 2可确保带宽以在数据发送和接收期间增加数据传输量和数据传输速度。
谐振部120可通过形成为空隙的腔C与基板110间隔开。
在制造声波谐振器的工艺中，可通过向入口孔(图1中的H)供应蚀刻气体(或蚀刻溶液)来去除支撑层140的一部分以形成腔C。
保护层127可沿着声波谐振器100的表面设置，并且可保护声波谐振器100。保护层127可沿着由第二电极125和压电层123的弯曲部123b形成的表面设置。
保护层127可形成为单层，或者可根据需要通过堆叠具有不同材料的两个或更多个层来形成。此外，保护层127可在最终工艺中被部分地去除以进行频率控制。例如，可在频率微调工艺中调整保护层127的厚度。
作为保护层127，可使用包括氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、二氧化锆(ZrO2)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、二氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)中的一种的介电层，但是本公开不限于此。
第一电极121和第二电极125可在谐振部120的外部延伸。此外，第一金属层180和第二金属层190可分别设置在延伸部的上表面上。
第一金属层180和第二金属层190可利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的一种形成。在这种情况下，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金或铝-钪(Al-Sc)合金。
第一金属层180和第二金属层190可用作将本实施例中的声波谐振器的电极121和125电连接到设置为与声波谐振器相邻并且在基板110上的另一声波谐振器的电极的连接布线。
第一金属层180可穿透保护层127，并且可结合到第一电极121。
此外，在谐振部120中，第一电极121的面积可大于第二电极125的面积，并且第一金属层180可形成在第一电极121的外周部分上。
因此，第一金属层180可沿着谐振部120的外周设置，并且可围绕第二电极125。然而，本公开不限于此。
另外，在本实施例中，保护层127的位于谐振部120上的至少一部分可设置为接触第一金属层180和第二金属层190。由于第一金属层180和第二金属层190可利用具有高热导率的金属材料形成，并且可具有大体积，因此可提供良好的散热效果。
因此，为了经由保护层127将压电层123中产生的热快速传导到第一金属层180和第二金属层190，保护层127可连接到第一金属层180和第二金属层190。
在本实施例中，保护层127的至少一部分可设置在第一金属层180和第二金属层190下方。具体地，保护层127可分别设置在第一金属层180和压电层123之间、第二金属层190和压电层123之间以及第二金属层190和第二电极125之间。
如上构造的谐振部120可通过设置在膜层150下方的腔C与基板110间隔开。因此，膜层150可设置在第一电极121和插入层170下方，并且可支撑谐振部120。
腔C可形成为空隙，并且可通过向入口孔(图1中的H)供应蚀刻气体(或蚀刻溶液)去除支撑层140的一部分来形成。
如上所述，在根据本实施例的体声波谐振器中，横向谐振抑制部K可设置在谐振部120中以抑制可能是不必要的振动的寄生振动。
在本实施例中，中央部S可被分成设置在中央区域中的有效部A和设置在有效部A周围的横向谐振抑制部K。
横向谐振抑制部K可从有效部A延伸，并且堆叠层中的每个的厚度结构可与有效部A的堆叠层中的每个的厚度结构不同。具体地，横向谐振抑制部K可被定义为包括种子层162、第一电极121、压电层123和第二电极125的多个薄膜层中的至少一个的厚度与有效部A中的多个薄膜层中的至少一个的厚度形成为不同的区域。具体地，横向谐振抑制部K中的种子层162、第一电极121、压电层123和第二电极125的厚度分布可形成为与不同地形成的有效部A中的种子层162、第一电极121、压电层123和第二电极125的厚度分布不同。
由于横向谐振抑制部K设置为围绕有效部A的外周，因此在谐振部120的穿过中央部S的截面中(如图2所示)，横向谐振抑制部K可分别设置在有效部A的两端。
在以下描述中，横向谐振抑制部K的宽度W可指截面中所示的两个横向谐振抑制部K中的任意一个的宽度，并且例如，可指有效部A和延伸部E之间的最短距离。
如图2所示，横向谐振抑制部K的总厚度可形成为与有效部A的总厚度相同。因此，当薄膜层中的任意一个的厚度在横向谐振抑制部K中增加时，与有效部A相比，堆叠在与其对应的薄膜层上方或下方的另一薄膜层的厚度可减小。
另外，本实施例的横向谐振抑制部K可被定义为其中利用金属材料形成的第一电极121和第二电极125中的至少一个形成为比有效部A薄的区域。
在本实施例中，种子层162可形成为使得设置在横向谐振抑制部K中的部分朝向第一电极121凸出并且比设置在有效部A中的部分厚。在横向谐振抑制部K和有效部A中，第一电极121和种子层162的总厚度可形成为彼此相等。
因此，第一电极121可形成为使得设置在横向谐振抑制部K中的部分比设置在有效部A中的部分薄。
由于即使在横向谐振抑制部K中，第一电极121也必须设置在种子层162上，因此种子层162在横向谐振抑制部K中凸出的距离T2可小于设置在有效部A中的第一电极121的厚度T3。
由于这种构造，在多个薄膜层中，利用金属材料形成的薄膜层在本实施例的横向谐振抑制部K中的总厚度可形成为比在有效部A中的总厚度薄。在这种情况下，由于横向谐振抑制部K和有效部A的整体物理性质不同，因此横向谐振抑制部K的谐振频率可形成为与有效部A的谐振频率不同。例如，横向谐振抑制部K的谐振频率可形成在比有效部A的谐振频率更高的频带中。
由于谐振频率的差异，可分别在横向谐振抑制部K和有效部A中产生具有不同波长的横向波。因此，由于具有不同波长的横向波彼此干涉，因此可抑制横向谐振。
因此，可有效地限制横向波以使由于横向波的谐振而产生的噪声(例如，横向波噪声)最小化。
图5是根据横向谐振抑制部的宽度和厚度的损耗特性的曲线图，并且在增加横向谐振抑制部K的种子层162的厚度的同时测量损耗特性。
在图5的曲线图中，对在有效部A中具有
Figure BDA0003936706040000141
的厚度的第一电极121和/>
Figure BDA0003936706040000142
的厚度的种子层162的体声波谐振器进行测量。此外，在图5中，横轴表示横向谐振抑制部K的宽度W，并且纵轴表示由横向波噪声引起的损耗特性。在这种情况下，由横向波噪声引起的损耗特性可被定义为在体声波谐振器的S参数曲线图中低于谐振频率的频带中，由于不必要的谐振而严重产生噪声的某些频带的面积之和。因此，随着损耗特性增加，体声波谐振器的性能可能劣化。
同时参照图5，可以看出，随着横向谐振抑制部K的宽度W增加，由于横向波噪声引起的损耗特性降低，然后在通过极点之后再次增加。
通过各种实验，证实了当由于横向波噪声引起的损耗特性大于等于12(dB)时，能量损耗大大增加，并且体声波谐振器的有效性降低。因此，在根据本实施例的体声波谐振器中，横向谐振抑制部K的宽度和深度可被限定在损耗特性小于12的范围内。
考虑到图5中损耗特性小于12的范围，横向谐振抑制部K的宽度W可包括在大约2.6μm(微米)至6.2μm的范围内。例如，当横向谐振抑制部K的宽度W在上述范围内时，可调整种子层162在横向谐振抑制部K中凸出的距离(T2，在下文中，凸出距离)，以具有小于12的损耗特性。
因此，在本实施例中，横向谐振抑制部K的宽度W可形成在大约2.6μm至6.2μm的范围内。
此外，参照图5，当凸出距离T2为
Figure BDA0003936706040000151
时，无论横向谐振抑制部K的宽度W如何，损耗特性在所有范围内大于等于12，并且当凸出距离T2为/>
Figure BDA0003936706040000152
时，在一些区域中测量的损耗特性小于12。因此，当凸出距离T2小于/>
Figure BDA0003936706040000153
时，即使当横向谐振抑制部的宽度W改变时，损耗特性也不会小于12。因此，在本实施例的体声波谐振器中，上述凸出距离T2可形成为大于等于/>
Figure BDA0003936706040000154
另外，当凸出距离T2过长时，横向谐振抑制部K中的第一电极121的厚度T3可能过短，并且在这种情况下，可能发生另一寄生谐振。
考虑到工艺中的误差，通常，第一电极121可被制造为具有10％的余量的厚度。因此，在本实施例的体声波谐振器中，凸出距离T2可形成在第一电极121的厚度的10％的范围内。例如，凸出距离T2可形成在第一电极121的厚度的大约5％至10％的范围内。
如上所述，在本实施例中，由于第一电极121的厚度形成为约
Figure BDA0003936706040000155
因此凸出距离T2可形成在小于等于/>
Figure BDA0003936706040000156
的范围内。
因此，横向谐振抑制部K中的种子层162的凸出距离T2可形成在
Figure BDA0003936706040000157
至/>
Figure BDA0003936706040000158
的范围内。为此，在构成谐振部120的多个薄膜层中，可形成利用金属材料形成的薄膜层(例如，第一电极和第二电极)，使得横向谐振抑制部K和有效部A的厚度差(利用金属材料形成的薄膜层的厚度差)在/>
Figure BDA0003936706040000159
至/>
Figure BDA00039367060400001510
的范围内。
在本实施例中，横向谐振抑制部K可设置在中央部S中，其整个部分是振动有效区域。然而，本公开不限于此，并且如果需要，至少一部分可被构造为设置在延伸部E上。
如上所述构造的根据本实施例的体声波谐振器可通过横向谐振抑制部K来抑制由横向波引起的寄生谐振，以使由于横向波谐振产生的噪声和谐振器性能的劣化最小化。
寄生谐振可能由谐振部120中产生的横向波(或横模驻波)引起，使谐振性能失真或劣化。
因此，为了使不必要的谐振最小化，根据本实施例的体声波谐振器可通过在实质上产生谐振的中央部S和用作框架的延伸部E之间的边界处设置横向谐振抑制部K来改变与其相关的部分的特性。
因此，由于有效部A、横向谐振抑制部K和延伸部E中的谐振频率可形成为彼此不同，因此可改变整体振动形式。由此，根据水平方向上的距离，可减小谐振部120内的垂直方向上的振幅变化量。
因此，通过横向谐振抑制部K，以低于谐振频率的频率在水平方向上发生的谐振可被抑制，从而抑制噪声的发生。
本公开不限于上述实施例，并且各种修改是可行的。
图6至图12分别是示意性地示出根据本公开的一个或更多个其它实施例的体声波谐振器的截面图。
参照图6，在根据本实施例的体声波谐振器中，插入层170可设置在压电层123和第二电极125之间。因此，压电层123可作为整体形成为平坦的，并且第二电极125可部分地升起以对应于插入层170的形状。
本实施例的插入层170可具有与上述实施例相同的形状，但仅插入层170堆叠的位置可以以不同的方式构造。因此，类似于上述实施例的体声波谐振器，可形成根据本实施例的体声波谐振器的整体外观。
另外，在本实施例中所示的体声波谐振器中，第二电极125可设置在压电层123的上表面上，因此，在上述实施例中，第二电极125可设置在压电层123的延伸部1232以及压电层123的倾斜部1231的位置。然而，由于压电层123可整体上形成为平坦的，因此在本实施例中，压电层123的倾斜部1231也可以是平坦的。
参照图7，在根据本实施例的体声波谐振器中，设置在延伸部E中的种子层162的厚度可等于设置在横向谐振抑制部K中的种子层162的厚度。因此，设置在延伸部E中的第一电极121的厚度可等于设置在横向谐振抑制部K中的第一电极121的厚度。
如上所述，插入层170可设置在延伸部E中。因此，即使当种子层162和第一电极121形成为在横向谐振抑制部K中具有相同的厚度时，延伸部E也可在堆叠结构中与横向谐振抑制部K清楚地区分，以提供框架功能。
根据本实施例的体声波谐振器，在谐振部120的穿过中央部S的截面中，第二电极125的端部可仅形成在压电层123的压电部123a的上表面上，并且可不形成在弯曲部123b上。因此，第二电极125的端部可沿着压电部123a和倾斜部1231之间的边界设置。
参照图8，除了插入层170设置在压电层123和第二电极125之间之外，本实施例的体声波谐振器可类似于图7所示的体声波谐振器。这样，插入层170可堆叠在延伸部E中的各个位置处。
参照图9和图10，在本实施例的体声波谐振器中，压电层123而不是种子层162的厚度可在横向谐振抑制部K中增加。在这种情况下，横向谐振抑制部K中的第一电极121、压电层123和第二电极125的总厚度可与有效部A中的第一电极121、压电层123和第二电极125的总厚度相同。
参照图9，在本实施例中，压电层123的设置在横向谐振抑制部K中的部分可朝向第一电极121凸出，以比压电层123的设置在有效部A中的部分厚。因此，第一电极121的设置在横向谐振抑制部K中的部分可形成为具有比第一电极121的设置在有效部A中的部分薄的厚度。
由于即使在横向谐振抑制部K中，第一电极121也应该设置在压电层123下方，因此压电层123在横向谐振抑制部K中凸出的距离可小于有效部A中的第一电极121的厚度。
此外，参照图10，在本实施例中，压电层123的设置在横向谐振抑制部K中的部分可朝向第二电极125凸出，以比压电层123的设置在有效部A中的部分更厚。因此，第二电极125的设置在横向谐振抑制部K中的部分可形成为具有比第二电极125的设置在有效部A中的部分薄的厚度。
以与上述实施例类似的方式，在图9和图10所示的体声波谐振器中，横向谐振抑制部K中的压电层123朝向第一电极121或第二电极125凸出的距离可在
Figure BDA0003936706040000171
至/>
Figure BDA0003936706040000172
的范围内，并且横向谐振抑制部K的宽度可在2.6μm至6.2μm的范围内。
参照图11，在本实施例的体声波谐振器中，可省略上述插入层170。因此，堆叠在第一电极121上的压电层123和第二电极125可与第一电极121平行地设置。
由于可省略插入层170，因此在本实施例的体声波谐振器中，延伸部E中的堆叠结构可与有效部A中的堆叠结构相同。
此外，在本实施例的体声波谐振器中，压电层123可包括第一压电层123x和第二压电层123y。
第一压电层123x可堆叠在第一电极121上，并且第二压电层123y可堆叠在第一压电层123x上。在这种情况下，第一压电层123x和第二压电层123y可利用不同的材料形成。
参照图12，除了压电层123还可包括第三压电层123z之外，本实施例的体声波谐振器可类似于图11所示的体声波谐振器。
第三压电层123z可堆叠在第二压电层123y上，并且第二电极125可堆叠在第三压电层123z上。
在本实施例中，第三压电层123z可利用与第一压电层123x相同的材料形成，并且还可形成为具有与第一压电层123x相同的厚度。然而，本公开的构造不限于此。例如，第三压电层123z可利用与第一压电层123x和第二压电层123y不同的材料和不同的厚度形成。
应用于图11和图12的压电层可应用于上述其它实施例。
此外，每个实施例可与一个或更多个其它实施例组合来实施。
根据本公开的体声波谐振器可有效地抑制横向波以使由于寄生谐振引起的噪声的发生最小化。
虽然以上已经示出和描述了具体示例实施例，但是在理解本公开之后将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在这些示例中进行形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将被认为是仅描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，和/或由其它组件或其等同组件来替换或者添加所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案限定，并且在权利要求及其等同方案的范围内的全部变型将被解释为被包括在本公开中。

Claims (21)

1.一种体声波谐振器，包括：
基板；
谐振部，包括在所述基板上按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极；以及
种子层，设置在所述第一电极下方，
其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，
其中，所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第二电极在所述横向谐振抑制部中的厚度分布与在所述有效部中的厚度分布不同。
2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的厚度比所述有效部中的所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个的厚度薄。
3.如权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度比所述有效部中的所述种子层的厚度厚。
4.如权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层朝向所述第一电极凸出，并且
其中，所述种子层凸出的距离为
Figure FDA0003936706030000011
至/>
Figure FDA0003936706030000012
5.如权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部的宽度为2.6μm至6.2μm。
6.如权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述压电层的厚度比所述有效部中的所述压电层的厚度厚。
7.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振部还包括设置为围绕所述横向谐振抑制部的延伸部，并且
其中，所述延伸部包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的插入层。
8.如权利要求7所述的体声波谐振器，其中，所述插入层设置在所述第一电极与所述压电层之间或所述压电层与所述第二电极之间。
9.如权利要求7所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层的厚度等于所述延伸部中的所述种子层的厚度。
10.如权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包括堆叠在所述第一电极上的第一压电层和堆叠在所述第一压电层上的第二压电层，并且
其中，所述第一压电层和所述第二压电层利用不同材料形成。
11.如权利要求10所述的体声波谐振器，其中，所述压电层还包括堆叠在所述第二压电层上的第三压电层，并且
其中，所述第三压电层利用与所述第一压电层相同的材料形成。
12.一种体声波谐振器，包括：
基板；以及
谐振部，包括堆叠在所述基板上的多个薄膜层，
其中，所述谐振部包括设置在所述谐振部的中央部中的有效部，以及设置为围绕所述有效部的横向谐振抑制部，
其中，在所述多个薄膜层中，在所述横向谐振抑制部中的利用金属材料形成的薄膜层的总厚度比所述有效部中的利用金属材料形成的所述薄膜层的总厚度薄
Figure FDA0003936706030000021
至/>
Figure FDA0003936706030000022
13.如权利要求12所述的体声波谐振器，其中，所述多个薄膜层包括种子层和堆叠在所述种子层上的第一电极，并且
其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层朝向所述第一电极凸出。
14.如权利要求13所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述种子层和所述第一电极的总厚度等于所述有效部中的所述种子层和所述第一电极的总厚度。
15.如权利要求12所述的体声波谐振器，其中，所述多个薄膜层包括按顺序堆叠的第一电极、压电层和第二电极，并且
其中，所述横向谐振抑制部中的所述压电层朝向所述第一电极或所述第二电极凸出。
16.如权利要求15所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的总厚度等于所述有效部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极的总厚度。
17.一种体声波谐振器，包括：
多个层，包括在厚度方向上按顺序设置在基板上的种子层、第一电极、压电层和第二电极，
其中，所述多个层中的一个或更多个包括设置在横向谐振抑制部中的在厚度方向上的凸起，并且
其中，所述多个层在与所述横向谐振抑制部相邻的有效部中的总厚度与在所述横向谐振抑制部中的总厚度相同。
18.如权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部中的所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的厚度小于所述有效部中的所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个的厚度。
19.如权利要求17所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括在延伸部中设置在所述第一电极和所述第二电极之间的插入层，
其中，所述横向谐振抑制部设置在所述有效部与所述延伸部之间。
20.如权利要求19所述的体声波谐振器，其中，所述横向谐振抑制部的宽度在2.6μm至6.2μm的范围内。
21.如权利要求17所述的体声波谐振器，其中，所述凸起在所述第一电极的厚度的5％至10％的范围内。
CN202211406156.0A 2021-11-29 2022-11-10 体声波谐振器 Pending CN116192084A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0167235 2021-11-29
KR1020210167235A KR20230079955A (ko) 2021-11-29 2021-11-29 체적 음향 공진기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116192084A true CN116192084A (zh) 2023-05-30

Family

ID=86437073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211406156.0A Pending CN116192084A (zh) 2021-11-29 2022-11-10 体声波谐振器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230170872A1 (zh)
KR (1) KR20230079955A (zh)
CN (1) CN116192084A (zh)
TW (1) TW202322558A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230079955A (ko) 2023-06-07
US20230170872A1 (en) 2023-06-01
TW202322558A (zh) 2023-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114374370A (zh) 体声波谐振器
US11323093B2 (en) Bulk-acoustic wave resonator
CN111585538B (zh) 体声波谐振器
TWI735999B (zh) 體聲波諧振器
CN111327290B (zh) 声波谐振器及其制造方法
CN112187206A (zh) 体声波谐振器
TW202023081A (zh) 聲波諧振器及其製造方法
US11558026B2 (en) Bulk-acoustic wave resonator
CN112311351B (zh) 体声波谐振器
CN114465597A (zh) 体声波谐振器
CN116192084A (zh) 体声波谐振器
TWI765656B (zh) 體聲波共振器
US11843365B2 (en) Bulk-acoustic wave resonator
US20230087049A1 (en) Bulk acoustic resonator
US20230216470A1 (en) Bulk-acoustic wave resonator
CN117674755A (zh) 体声波谐振器以及体声波谐振器制造方法
CN113497599A (zh) 体声波谐振器
CN114268295A (zh) 体声波谐振器
TW202310460A (zh) 體聲波共振器
CN114448378A (zh) 体声波谐振器及声波谐振器
CN115996037A (zh) 体声波滤波器
TW202112066A (zh) 體聲波共振器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination