CN113497326B - 耦合器、射频电路板、射频放大器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种耦合器及电子设备，涉及电子设备领域，该耦合器占用更小的PCB布局面积，更加有利于设备小型化的需求。该耦合器包括信号输入端、信号输出端、耦合端以及隔离端，其中耦合器用于将信号输入端与信号输出端之间的路径上传输的信号耦合至耦合端与隔离端之间的路径上；其中，耦合器还具体包括设置于印制电路板PCB上的主信号孔以及第一耦合孔。其中，主信号孔的第一端耦接信号输入端，主信号孔的第二端耦接信号输出端；第一耦合孔的第一端耦接耦合端，第一耦合孔的第二端耦接隔离端。在PCB的厚度方向上第一耦合孔的第一端与主信号孔的第一端靠近PCB的第一侧，第一耦合孔的第二端与主信号孔的第二端靠近PCB的第二侧。
Description
技术领域
本申请涉及电子设备领域，尤其涉及一种耦合器、射频电路板、射频放大器及电子设备。
背景技术
随着无线产品快速演进，基站等通信设备小型化需求愈发强烈，这就对有源、无源部件提出了小型化的设计要求。目前，有源电路尝试了多种小型化的设计方案，比如采用射频前端模块(radio frequency front end module，RFFEM)芯片、射频发射功放模组等形式实现了小型化的设计方案，未来还将进一步向小型化演进。在这样的背景下，无源部件的小型化即将成为产品向小型化演进的关键技术瓶颈。
耦合器是无线通信产品中应用最广泛的无源部件，目前耦合器的技术方案都是基于平面印制电路板(printed circuit board，PCB)上的微带/带状线形式。通常，采用布设在PCB平面上的两根相互靠近的带状走线间的电磁耦合实现耦合器功能。由于需要一定电长度的带状走线，这导致了耦合器在X-Y平面(垂直于PCB厚度Z方向)尺寸较大，占用较大PCB布局面积，无法满足小型化需求。
发明内容
本申请实施例提供一种耦合器、射频电路板、射频放大器及电子设备，占用更小的PCB布局面积，更加有利于设备小型化的需求。
为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
第一方面，提供一种耦合器。该耦合器包括信号输入端、信号输出端、耦合端以及隔离端，其中耦合器用于将所述信号输入端与信号输出端之间的路径上传输的信号耦合至耦合端与隔离端之间的路径上；其中，耦合器还包括：设置于印制电路板PCB上的主信号孔，以及设置在PCB上的第一耦合孔，主信号孔的第一端与信号输入端耦接，主信号孔的第二端与信号输出端耦接；第一耦合孔的第一端与耦合端耦接，第一耦合孔的第二端与隔离端耦接；其中，在PCB的厚度方向上第一耦合孔的第一端与主信号孔的第一端靠近PCB的第一侧，第一耦合孔的第二端与主信号孔的第二端靠近PCB的第二侧。其中，主信号孔作为耦合器的主信号路径，第一耦合孔作为耦合器的耦合信号路径，当信号电流从信号输入端输入至主信号孔时，经主信号孔从信号输出端输出；其中，第一耦合孔的隔离端连接接地端，这样根据左手定律(感生电流)第一耦合孔会产生与第一耦合孔相反的耦合电流，并自耦合端输出从而实现耦合器的功能。在本申请的实施例中，由于耦合器的主信号路径以及耦合信号路径均采用PCB上的导孔的形式实现，由于通常PCB上的导孔是沿PCB的厚度方向分布，相对目前采用布设在PCB平面上的带状走线实现的耦合器，本申请的实施例提供的耦合器占用更小的PCB布局面积，更加有利于设备小型化的需求。
在一种可能的实现方式中，设置于PCB上的第二耦合孔以及换层孔，其中，换层孔串接于第一耦合孔以及第二耦合孔之间；换层孔的第一端与第一耦合孔的第二端通过PCB中第一层的第一线路耦接，换层孔的第二端与第二耦合孔的第一端通过PCB中第二层的第二线路耦接；第二耦合孔的第二端与隔离端耦接；在PCB的厚度方向上第二耦合孔的第一端与换层孔的第二端靠近所述PCB的第一侧，第二耦合孔的第二端与换层孔的第一端靠近PCB的第二侧。在该实现方式中为了提高耦合器的主信号路径与耦合信号路径的耦合度，可以设置多个耦合孔，将多个耦合孔通过换层孔串接从而可以从主信号路径耦合更多的能量。
在一种可能的实现方式中，其中耦合端和隔离端分别位于第一耦合孔的两端，这样当耦合端CO连接的器件与接地端均位于PCB的同一侧时，为了方便连接。耦合器还包括：设置于PCB上的换层孔，其中换层孔的第一端与第一耦合孔的第一端通过PCB中第一层的第一线路耦接，换层孔的第二端与所述耦合端耦接，在PCB的厚度方向上换层孔的第一端靠近PCB的第一侧，换层孔的第二端靠近PCB的第二侧。这样可以将耦合端以及隔离端在PCB的同一侧引出，方便与其他器件的连接。
在一种可能的实现方式中，为了提高该耦合器的耦合度，可以尽量拉近第一耦合孔以及第二耦合孔与主信号孔的距离。例如：第一耦合孔与主信号孔的距离小于第一阈值。或者，第二耦合孔与主信号孔的距离小于第一阈值。
在一种可能的实现方式中，为了避免换层孔上耦合的信号直接将耦合信号路径上的信号抵消从而降低该耦合器的耦合度，可以尽量拉远换层孔与主信号孔的距离。换层孔与主信号孔的距离大于第一耦合孔与主信号孔的距离。或者，所述换层孔与所述主信号孔的距离大于所述第二耦合孔与所述主信号孔的距离。
在一种可能的实现方式中，为了避免换层孔上耦合的信号直接将耦合信号路径上的信号抵消从而降低该耦合器的耦合度。换层孔与所述主信号孔之间设置有参考地，和/或,换层孔与所述第一耦合孔之间设置有参考地。和/或,换层孔与所述第二耦合孔之间设置有参考地。
在一种可能的实现方式中，当主信号孔作为耦合器的主信号路径，第一耦合孔作为耦合器的耦合信号路径，当信号电流从信号输入端输入至主信号孔时，经主信号孔从信号输出端输出；则，第二耦合孔上产生耦合电流I1，该电流I1从第二耦合孔通过第二线路传输到换层孔，经换层孔换层后，通过第一线路传输到第一耦合孔，电流I1在第一耦合孔与第一耦合孔耦合的电流I2叠加后形成电流Iall，该电流Iall从第二耦合孔传输后从耦合端输出。其中，需要说明的是，电流I1在流经第一线路、换层孔以及第二线路会产生相位变化，为避免电流I1与电流I2直接抵消，第一耦合孔与第二耦合孔中信号的相位差小于180°。即第二耦合孔上的信号经过第二线路、换层孔和第一线路产生的相移小于180°。
在一种可能的实现方式中，为了保证耦合器的耦合度，主信号孔以及第一耦合孔的延伸方向平行于PCB的厚度方向，这样当第一耦合孔与主信号孔平行是，第一耦合孔可以有效耦合主信号孔中最多的能量。
在一种可能的实现方式中，第二耦合孔的延伸方向平行于PCB的厚度方向。
在一种可能的实现方式中，换层孔的延伸方向平行于PCB的厚度方向。
第二方面，提供一种射频电路板，包括印制电路板PCB，以及设置于所述PCB上的耦合器；所述耦合器包括信号输入端、信号输出端、耦合端以及隔离端，其中耦合器用于将所述信号输入端与信号输出端之间的路径上传输的信号耦合至耦合端与隔离端之间的路径上；其中，耦合器还包括：设置于印制电路板PCB上的主信号孔，以及设置在所述PCB上的第一耦合孔，所述主信号孔的第一端与所述信号输入端耦接，所述主信号孔的第二端与所述信号输出端耦接；所述第一耦合孔的第一端与所述耦合端耦接，所述第一耦合孔的第二端与所述隔离端耦接；其中，在所述PCB的厚度方向上所述第一耦合孔的第一端与所述主信号孔的第一端靠近所述PCB的第一侧，所述第一耦合孔的第二端与所述主信号孔的第二端靠近所述PCB的第二侧；其中，所述耦合器的信号输入端耦合于射频放大器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于双工器的输入端；和/或，所述耦合器的信号输入端耦合于所述双工器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于天线。
在一种可能的实现方式中，所述耦合器还包括：设置于所述PCB上的第二耦合孔以及换层孔，其中，所述换层孔串接于所述第一耦合孔以及所述第二耦合孔之间；其中，所述换层孔的第一端与所述第一耦合孔的第二端通过所述PCB中第一层的第一线路耦接，所述换层孔的第二端与所述第二耦合孔的第一端通过所述PCB中第二层的第二线路耦接；所述第二耦合孔的第二端与所述隔离端耦接；其中，在所述PCB的厚度方向上所述第二耦合孔的第一端与所述换层孔的第二端靠近所述PCB的第一侧，所述第二耦合孔的第二端与所述换层孔的第一端靠近所述PCB的第二侧。
在一种可能的实现方式中，所述耦合器还包括：设置于所述PCB上的换层孔，其中所述换层孔的第一端与所述第一耦合孔的第一端通过所述PCB中第一层的第一线路耦接，所述换层孔的第二端与所述耦合端耦接；其中，在所述PCB的厚度方向上所述换层孔的第一端靠近所述PCB的第一侧，所述换层孔的第二端靠近所述PCB的第二侧。
在一种可能的实现方式中，所述换层孔与所述主信号孔的距离大于所述第一耦合孔与所述主信号孔的距离。
在一种可能的实现方式中，所述换层孔与所述主信号孔的距离大于所述第二耦合孔与所述主信号孔的距离。
在一种可能的实现方式中，所述换层孔与所述主信号孔之间设置有参考地。
在一种可能的实现方式中，所述换层孔与所述第一耦合孔之间设置有参考地。
在一种可能的实现方式中，所述换层孔与所述第二耦合孔之间设置有参考地。
在一种可能的实现方式中，所述耦合器的信号输入端与所述射频放大器的输出端之间还耦合有环形器。
在一种可能的实现方式中，所述耦合器的信号输出端与所述天线之间还耦合有移相器。
第三方面，提供一种射频放大器，包括印制电路板PCB，设置于所述PCB上的功率放大晶体管以及第一方面提供的耦合器，其中所述耦合器的信号输入端耦接所述功率放大晶体管的输出端。
第四方面，提供一种电子设备，包括第一方面提供的耦合器，其中所述耦合器的信号输入端耦合于射频放大器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于双工器的输入端；或者，所述耦合器的信号输入端耦合于所述双工器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于天线。
在一种可能的实现方式中，所述耦合器的信号输入端与所述射频放大器的输出端之间还耦合有环形器。
在一种可能的实现方式中，所述耦合器的信号输出端与所述天线之间还耦合有移相器。
其中，第二方面、第三方面以及第四方面中任一种可能实现方式中所带来的技术效果可参见上述第一方面不同的实现方式所带来的技术效果，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或背景技术中的技术方案，下面将对本申请实施例或背景技术中所需要使用的附图进行说明。
图1为本申请的实施例提供的一种PCB的结构示意图；
图2为本申请的实施例提供的一种耦合器的结构示意图；
图3为本申请的实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
图4为本申请的另一实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
图5为本申请的又一实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
图6A为本申请的实施例提供的一种射频电路板的结构示意图；
图6B为本申请的另一实施例提供的一种射频电路板的结构示意图；
图6C为本申请的又一实施例提供的一种射频电路板的结构示意图；
图7为本申请的另一实施例提供的一种耦合器的结构示意图；
图8为本申请的实施例提供的一种如图7所示的耦合器的侧视结构示意图；
图9为本申请的又一实施例提供的一种耦合器的结构示意图；
图10为本申请的再一实施例提供的一种耦合器的结构示意图；
图11为本申请的实施例提供的一种如图10所示的耦合器的俯视结构示意图；
图12为本申请的实施例提供的一种如图10所示的耦合器的侧视结构示意图；
图13为本申请的另一实施例提供的一种耦合器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例可以是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
除非另有定义，否则本文所用的所有科技术语都具有与本领域普通技术人员公知的含义相同的含义。在本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b，a和c，b和c或a、b和c，其中a、b和c可以是单个，也可以是多个。另外，在本申请的实施例中，“第一”、“第二”等字样并不对数量和次序进行限定。
需要说明的是，本申请中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“耦接”可以是实现信号传输的电性连接的方式，“耦接”可以是直接的电性连接，也可以通过中间媒介间接的电性连接。
首先，对本申请的实施例中的印制电路板PCB的结构说明如下：
参照图1所示，提供一种多层PCB的结构，其包含多层叠加的导线层(或电路层)，其中相邻的两层导线层之间通过绝缘介质(例如树脂材料)粘合，如图1所示的PCB，自P面至B面包含5层导线层。而不同导线层之间通过导孔(via)电连接。导孔(via)的制作工艺是通过在PCB上钻孔，然后在钻孔的表面电镀上一层导电物质(例如铜)，如此一来电流可以在通过导孔连接的两层导线层之间流动。此外，如图1所示，导孔(via)包括通孔(plating throughhole，PTH)、盲孔：(blind via hole，BVH)和埋孔(buried via hole，BVH)。其中，通孔的钻孔通常需要将PCB打穿，通孔用于连通PCB的最外层的两层导线层(例如图1中的导线层1和导线层5)。盲孔的钻孔通常是从PCB的一侧打入，并未将PCB打穿，盲孔用于将PCB的一层最外层的导线层与一内层的导线层(例如图1中的导线层1和导线层3)连通。埋孔的钻孔通常是在PCB的内部，埋孔通常是在绝缘介质粘合过程中对需要设置埋孔的绝缘介质钻孔，埋孔用于将PCB的两层内层的导线层(例如图1中的导线层2和导线层4)连通。在本申请的下述实施例中，提供的主信号孔、第一耦合孔、第二耦合孔、换层孔均属于上述的导孔的范畴，当然，根据实际需求并不限于通孔、盲孔或埋孔。
对本申请的实施例提供的耦合器的基本原理说明如下：
本申请的实施例提供的耦合器是一种无源射频器件，如图2所示，耦合器包括信号输入端、信号输出端、隔离端和耦合端。其中，信号输入端与信号输出端之间的路径(主信号路径)与耦合端与隔离端之间的路径(耦合信号路径)平行放置，这样可通过耦合端与隔离端之间的耦合信号路径从信号输入端与信号输出端之间的主信号路径上耦合(提取)一部分能量，并将其导向至耦合端。参照图2所示的耦合器，当信号电流从信号输入端输入至主信号路径时，信号电流经主信号路径从信号输出端输出；其中，耦合信号路径的隔离端连接接地端GND，这样根据左手定律(感生电流)耦合信号路径会产生与主信号路径相反的耦合电流，并自耦合端输出。
本申请实施例提供的耦合器可以应用于电子设备，该电子设备为手机、平板电脑、个人计算机(personal computer，PC)、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、智能手表、上网本、可穿戴电子设备、增强现实技术(augmented reality，AR)设备、虚拟现实(virtual reality，VR)设备、车载设备、智能汽车、智能音响、机器人、智能眼镜等不同类型的终端。该电子设备还可以为基站等网络设备。本申请实施例对上述电子设备的具体形式不做特殊限制。
以手机为例，图3至图5示出了一种电子设备100的结构示意图，其中，图3示出了所描述的实施例的电子设备100的顶视图。图4示出了所描述的实施例的电子设备100的底视图。图5示出了将电子设备100的后盖被打开后的顶视图，其展示了依据被描述的实施例的各式内部部件的一特定的配置，图5中的虚线箭头表示后盖被打开的方向。可以理解的是，本实施例示意的结构并不构成对电子设备100的具体限定。在本申请另一些实施例中，电子设备100可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。
如图3和图4所示，电子设备100可以包括壳体100A，壳体100A可以包括前盖101、后盖103以及边框102，前盖101和后盖103相对设置，边框102围绕在前盖101和后盖103的四周，并将前盖101和后盖103连接在一起。前盖101可以为玻璃盖板，显示器192设置在前盖101下方。电子设备100可以围绕壳体100A的外周设置输入/输出部件。例如，可以在前盖101的顶部设置诸如前置摄像头的孔105A和受话器的孔106。可以在边框102的一条边缘设置按键180，并在边框102的底缘设置麦克风的孔107、扬声器的孔108以及USB接口的孔109。可以在后盖103的顶部设置诸如后置摄像头的孔105B、PPG传感器的孔105C。
壳体100A内部可以具有腔体104，内部部件封装在该腔体内。如图5所示，内部部件可以被收纳在腔体104内，内部部件可以包括印制电路板(Printed circuit boards，PCB)110、用于将音频电信号转换为声音信号的扬声器170A、用于将音频电信号转换成声音信号的受话器170B、用于将声音信号转换为电信号的麦克风170C、USB接口130、前置摄像头193A、后置摄像头193B以及用于产生振动提示的马达191等部件。其中，印制电路板110上可以设置有处理器120、电源管理集成电路(power management integrated circuit，PMIC)140、至少一个功率放大器(在一个实施例中，包括功率放大器(power amp lifier，PA)152A、功率放大器PA 152B、功率放大器PA 152C、功率放大器PA 152D，不同的功率放大器PA支持不同的频段，用于放大不同频段的发送信号，例如，功率放大器PA 152A和功率放大器PA 152B可以用于放大第一带宽范围的发送信号，功率放大器PA 152C和功率放大器PA152D可以用于放大第二带宽范围的发送信号)、至少一个用于为功率放大器供电的包络跟踪调制器(envelope tracking modulator)ETM(在一个实施例中，包括包络跟踪调制器ETM151A和包络跟踪调制器ETM 151B，不同的包络跟踪调制器ETM支持不同的带宽，例如包络跟踪调制器ETM 151A为功率放大器PA 152A和功率放大器PA 152B供电，包络跟踪调制器ETM151B为功率放大器PA 152C和功率放大器PA 152D供电)、切换开关153以及天线电路154等部件。PPG传感器160，其中PPG传感器160包括探测器161以及发光器件驱动电路162；其中探测器161用于检测经检测对象反射和/或散射的发光器件驱动电路162的发光器件的测试光信号。此外，印制电路板110还可以包括耦合器、滤波器、低噪声放大器、音频编解码器、内部存储器、传感器、电感、电容等部件，为了清楚显示本实施例，滤波器、低噪声放大器、音频编解码器、内部存储器、传感器、电感、电容未在图5中示出。印制电路板110上的部件排布紧密，以在有限的空间内放下所有的部件。印制电路板110上的部件的排布方式并不做限定。在一些实施例中，印制电路板110上的部件可以设置在印制电路板110的一面(例如面向后盖102的一面)。在一些实施例中，印制电路板110上的部件可以设置在印制电路板110的两面(例如，分别位于面向后盖102的一面，以及位于面向前盖101的一面)。
处理器120可以包括一个或多个处理单元，例如：处理器120可以包括应用处理器(application processor，AP)，调制解调处理器，图形处理器(graphics processingunit，GPU)，图像信号处理器(image signal processor，ISP)，神经网络处理器(neural-network processing unit，NPU)，控制器，视频编解码器，数字信号处理器(digitalsignal processor，DSP)，基带，和/或射频电路等。控制器可以根据指令操作码和时序信号，产生操作控制信号，完成取指令和执行指令的控制。
处理器120中可以设置存储器，用于存储指令和数据。在一些实施例中，处理器120中的存储器为包括高速缓冲存储器。该存储器可以保存处理器120刚用过或循环使用的指令或数据。如果处理器120需要再次使用该指令或数据，可从所述存储器中直接调用。避免了重复存取，减少了处理器120的等待时间，因而提高了系统的效率。
处理器120可以根据移动通信技术或无线通信技术对信号进行调频。移动通信技术可以包括全球移动通讯系统(global system for mobile communications，GSM)，通用分组无线服务(general packet radio service，GPRS)，码分多址接入(code divisionmultiple access，CDMA)，带宽码分多址(wideband code division multiple access，WCDMA)，时分码分多址(time-division code division multiple access，TD-SCDMA)，长期演进(long term evolution，LTE)，新兴的无线通信技术(又可称为第五代移动通信技术，英语：5th generation mobile networks或5th generation wireless systems、5th-Generation、5th-Generation New Radio，简称5G、5G技术或5G NR)等。无线通信技术可以包括无线局域网(wireless local area networks，WLAN)(如无线保真(wirelessfidelity，Wi-Fi)网络)，蓝牙(bluetooth，BT)，全球导航卫星系统(global navigationsatellite system，GNSS)，调频(frequency modulation，FM)，近距离无线通信技术(nearfield communication，NFC)，红外技术(infrared，IR)等。
处理器120还可以包括至少一个基带和至少一个射频电路。基带是指用来合成即将发射的基带信号，或/和用于对接收到的基带信号进行解码。具体地说，就是发射时，基带把语音或其他数据信号编码成用来发射的基带信号(基带码)；接收时，把收到的基带信号(基带码)解码为语音或其他数据信号。基带可以包括编码器、解码器和基带处理器等部件。编码器用来合成即将发射的基带信号，解码器用于对接收到的基带信号进行解码。基带处理器可以为微处理器(MCU)，基带处理器可以用于控制编码器和解码器，例如，基带处理器可以用于完成编码和解码的调度，编码器和解码器之间的通信，以及外设驱动(可以通过向基带以外的部件发送使能信号，以使能基带以外的部件)等等。射频电路用于将基带信号进行处理以形成发送(Transmit，TX)信号，并将发送信号传递给功率放大器PA进行放大；或/和，射频电路用于将接收(Receive，RX)信号进行处理以形成基带信号，并将形成的基带信号发送基带进行解码。在一些实施例中，每个基带对应一个射频电路，以根据一种或多种通信技术对信号进行调频。例如，第一基带和第一射频电路根据5G技术对信号进行调频，第二基带和第二射频电路根据4G技术对信号进行调频，第三基带和第三射频电路根据Wi-Fi技术对信号进行调频，第四基带和第四射频电路根据蓝牙技术对信号进行调频，等等。或者，第一基带和第一射频电路可以同时根据4G技术和5G技术对信号进行调频，第二基带和第二射频电路根据Wi-Fi技术对信号进行调频，等等。在一些实施例中，还可以一个基带对应多个射频电路，以提高集成度。
在一些实施例中，基带和射频电路可以与处理器120的其它部件集成在一个集成电路中。在一些实施例中，基带和射频电路可以分别为独立于处理器120的一个独立器件。在一些实施例中，可以一个基带与一个射频电路可以集成一个与处理器120独立的器件中。
在处理器120中，不同的处理单元可以是独立的器件，也可以集成在一个或多个集成电路中。
天线电路154用于发射和接收电磁波信号(射频信号)。天线电路154中可以包括多个天线或多组天线(多组天线包括两个以上的天线)，每个天线或多组天线可用于覆盖单个或多个通信频带。多个天线可以为多频天线、阵列天线或片上(on-chip)天线中的一种或几种。
处理器120与天线电路154相耦合，以实现发射和接收射频信号相关联的各种功能。例如，当电子设备100发射信号时，基带将待发射的数据(数字信号)合成即将发射的基带信号，基带信号由射频电路转化为发送信号(射频信号)，发送信号经功率放大器进行放大，功率放大器输出的放大输出信号传递给切换开关153，并经天线电路154发射出去。发送信号由处理器120发送到切换开关153的路径为发射链路(或称为发射路径)。当电子设备100需要接收信号时，天线电路154将接收信号(射频信号)发送给切换开关153，切换开关153将射频信号发送给射频电路，射频电路将射频信号处理为基带信号，射频电路将处理后的基带信号转化为数据后，发送给相应的应用处理器。射频信号由切换开关153发送到处理器120的路径为接收链路(或称为接收路径)。
切换开关153可以被配置为选择性的将天线电路154电连接到发射链路或接收链路。在一些实施例中，切换开关153可以包括多个开关。切换开关153还可以被配置为提供额外的功能，包括对信号进行滤波和/转接(duplexing)。
SIM卡接口194用于连接SIM卡。SIM卡可以通过插入SIM卡接口194，或从SIM卡接口194拔出，实现和电子设备100的接触和分离。电子设备100可以支持1个或N个SIM卡接口，N为大于1的正整数。SIM卡接口194可以支持Nano SIM卡，Micro SIM卡，SIM卡等。同一个SIM卡接口194可以同时插入多张卡。所述多张卡的类型可以相同，也可以不同。每张SIM卡可以支持一个或多个通信标准，每个通信标准具有规定的频段，并规定有不同的最大带宽。SIM卡接口194也可以兼容不同类型的SIM卡。SIM卡接口194也可以兼容外部存储卡。电子设备100通过SIM卡和网络交互，实现通话以及数据通信等功能。在一些实施例中，电子设备100采用eSIM，即：嵌入式SIM卡。eSIM卡可以嵌在电子设备100中，不能和电子设备100分离。
PMIC 140用于管理电子设备100中的电源。例如，PMIC 140可以包括充电管理电路和供电管理电路。其中，充电管理电路用于从充电器接收充电输入，例如，在一些有线充电的实施例中，充电管理电路可以通过USB接口130接收有线充电器的充电输入。供电管理电路用于接收电池141和/或充电管理电路的输入，为处理器120、显示器192、前置摄像头193A、后置摄像头193B和马达191等部件供电。在其他一些实施例中，充电管理电路和供电管理电路也可以设置于处理器120中。在另一些实施例中，充电管理电路和供电管理电路也可以设置于不同的器件中。
结合上述的电子设备，本申请的实施例提供的耦合器的信号输入端耦合于射频放大器的输出端，耦合器的信号输出端耦合于双工器的输入端；这样，耦合器的耦合端输出的信号可用于数字预失真(digital pre-distortion,DPD)或模拟预失真(analog pre-distortion，APD)校准，其中，双工器具体可以采用滤波器；或者，耦合器的信号输入端耦合于双工器的输出端，耦合器的信号输出端耦合于天线，这样，耦合器的耦合端输出的信号可用于天线驻波检测。此外，耦合器的耦合端输出的信号还可以用于有源天线系统(activeantenna system，AAS)校准电路检测收发信机(transceiver，TRX)通道的功率和相位。在一些示例中，耦合器的信号输入端与射频放大器的输出端之间还耦合有环形器。耦合器的信号输出端与天线之间还耦合有移相器(例如，可以是用于混合波束成形(hybridbeamforming，HBF)的移相器)。
具体的，在结构上，该耦合器可以设置于射频电路板，参照图6A所示，该射频电路板包括印制电路板PCB62，以及设置于PCB62上的耦合器61(61A)；其中，耦合器61A的信号输入端耦合于双工器64的输出端，耦合器61A的信号输出端耦合于天线65。或者，参照图6B所示，耦合器61A的信号输入端耦合于射频放大器63的输出端，耦合器61A的信号输出端耦合于双工器64的输入端。示例性的，在图6A、图6B中射频放大器63的输出端还耦合有环形器66，其中环形器66有单向传输功能，能够确保射频放大器63输出的信号单向输出至下一器件。在一些示例中，参照图6C所示，耦合器61(61A)的信号输入端还可以通过移相器67(例如可以用于HBF的移相器)耦合至天线(图6C中未示出)。
此外，在一些示例中，参照图6A、图6C所示，该耦合器61(61B)可以设置于射频放大器63，该射频放大器63包括印制电路板PCB(图中未示出)，设置于PCB上的功率放大晶体管以及耦合器61B，其中耦合器61B的信号输入端耦接功率放大晶体管的输出端。此外，如图6C所示，射频放大器63的输出端还耦合有环形器65时，耦合器61B的信号输入端耦合至环形器65的输出端。
参照图7所示，本申请的实施例提供一种耦合器，耦合器包括信号输入端IN、信号输出端OUT、耦合端CO(couple)以及隔离端IS(isolate)，其中耦合器用于将信号输入端IN与信号输出端OUT之间的路径上传输的信号耦合至耦合端CO与隔离端IS之间的路径上，耦合器还包括设置于印制电路板PCB(图7中未示出)上的主信号孔71，以及设置在PCB上的第一耦合孔72，主信号孔71的第一端与信号输入端IN耦接，主信号孔71的第二端与信号输出端OUT耦接；第一耦合孔72的第一端与耦合端CO耦接，第一耦合孔72的第二端与隔离端IS耦接。其中，在PCB的厚度方向上第一耦合孔72的第一端与主信号孔71的第一端靠近PCB的第一侧(例如可以是PCB的B面)，第一耦合孔72的第二端与主信号孔71的第二端靠近PCB的第二侧(例如PCB的P面)。
其中，主信号孔71作为耦合器的主信号路径，第一耦合孔72作为耦合器的耦合信号路径，当信号电流从信号输入端IN输入至主信号孔71时，经主信号孔71从信号输出端OUT输出；其中，第一耦合孔72的隔离端IS连接接地端，这样根据左手定律(感生电流)第一耦合孔72会产生与第一耦合孔72相反的耦合电流，并自耦合端CO输出从而实现耦合器的功能。需要说明的是，本申请的实施例中主信号孔71以及第一耦合孔72并不限于图1中示出的通孔、埋孔或盲孔的任一形式。图7中示出的主信号孔71可以为通孔，第一耦合孔72为通孔，当然，可以理解的是，当主信号孔71与第一耦合孔72在延伸方向相对的重合的长度越长时，耦合器的耦合度越高，例如，在将主信号孔71与第一耦合孔72同样采用相同长度的通孔时，可以获得更高的耦合度，当然根据实际需求在将第一耦合孔72采用比主信号孔71的通孔更短的盲孔或埋孔时，也可以降低耦合器的耦合度。
此外，结合图6A、图6B以及图6C所示，由于耦合器61A的主信号孔耦接于双工器64的输出端与天线65之间，或者，耦合器61A的主信号孔耦接于射频放大器63的输出端与双工器64的输入端之间，因此，如图6A或图6C所示，双工器64与天线65分设于PCB的两侧，或者，如图6B所示，双工器64与射频放大器63分设于PCB的两侧。
在本申请的实施例中，由于耦合器的主信号路径以及耦合信号路径均采用PCB上的导孔的形式实现，由于通常PCB上的导孔是沿PCB的厚度方向分布，相对目前采用布设在PCB平面上的带状走线实现的耦合器，本申请的实施例提供的耦合器占用更小的PCB布局面积，更加有利于设备小型化的需求。此外，由于主信号孔和第一耦合孔均采用PCB上的导孔，因此主信号孔以及第一耦合孔周围的介质分布是均匀的，因此信号在主信号孔或第一耦合孔中的奇偶模传播速度一致，能够获得更好的方向性。
此外，图8示出了图7的耦合器的侧视结构示意图，其中耦合端CO和隔离端IS分别位于第一耦合孔的两端。这样当耦合端CO连接的器件与接地端均位于PCB的同一侧时，为了方便连接，如图9所示，耦合器还包括设置于PCB上的换层孔73，其中换层孔73的第一端与第一耦合孔72的第一端通过PCB中第一层的第一线路74耦接，换层孔73的第二端与耦合端CO耦接。这样可以将耦合端CO以及隔离端IS在PCB的同一侧引出，方便与其他器件的连接。其中，在PCB的厚度方向上换层孔73的第一端靠近PCB的第一侧(例如B面)，换层孔73的第二端靠近PCB的第二侧(例如P面)。
在一些示例中，为了提高耦合器的主信号路径与耦合信号路径的耦合度，可以设置多个耦合孔，其中多个耦合孔通过换层孔串接。参照图10以及图10结构的俯视图图11(其中图11中未示出信号输出端OUT)所示，耦合器还包括：设置于PCB上的第二耦合孔75以及换层孔73，其中，换层孔73串接于第一耦合孔72以及第二耦合孔75之间；其中，换层孔73的第一端与第一耦合孔72的第二端通过PCB中第一层的第一线路74耦接，换层孔73的第二端与第二耦合孔75的第一端通过PCB中第二层的第二线路76耦接；第二耦合孔75的第二端与隔离端IS耦接。其中，在PCB的厚度方向上第二耦合孔75的第一端与换层孔73的第二端靠近PCB的第一侧(例如B面)，第二耦合孔75的第二端与换层孔73的第一端靠近PCB的第二侧(例如P面)。
结合图12示出的图10结构的侧视图，其中以包含10层导线层的PCB为例，其中，信号输出端OUT位于第一层导线层，第一线路74以及隔离端IS位于第四层导线层，第二线路76以及耦合端CO位于第九层导线层，输入端IN位于第十层导线层，其中为了实现各个导线层的线路均匀分布，图12提供的各个导线层设置的线路均为示例性的，例如，在一些示例中，也可以将第二线路76以及耦合端CO设置于第十层导线层；或者当第一耦合孔72、第二耦合孔75以及换层孔73采用通孔时，也可以将第一线路74以及隔离端IS设置于第一层导线层至第九层导线层中的任意一层，只是第一线路74以及隔离端IS、第二线路76以及耦合端CO设置的导线层决定了第一耦合孔72与第二耦合孔75的有效耦合长度，例如第一耦合孔72的有效耦合长度主要是第一线路74与耦合端CO之间的部分，第二耦合孔75的有效耦合长度主要是第二线路76与隔离端SI之间的部分，因此需要根据实际需要的耦合信号的强度设置第一线路74以及隔离端IS、第二线路76以及耦合端CO所在的导线层。其中，为了保证耦合器的耦合度，主信号孔以及第一耦合孔的延伸方向平行于PCB的厚度方向(图12中Z方向)，这样当第一耦合孔与主信号孔平行时，第一耦合孔可以有效耦合主信号孔中最多的能量。同理，第二耦合孔的延伸方向平行于PCB的厚度方向；换层孔的延伸方向平行于PCB的厚度方向。此外，如图10所示，当主信号孔71作为耦合器的主信号路径，信号电流从信号输入端IN输入至主信号孔71时，经主信号孔71从信号输出端OUT输出(如图10中实线箭头所示)；则如图13所示，第一耦合孔72、第一线路74、换层孔73、第二线路76以及第二耦合孔75在耦合端CO以及隔离端IS之间形成的耦合信号路径上产生的耦合电流的流向如图13中的实线箭头所示。其中，第二耦合孔75上产生耦合电流I1，该电流I1从第二耦合孔75通过第二线路76传输到换层孔73，经换层孔73换层后，通过第一线路74传输到第一耦合孔72，电流I1在第一耦合孔72与第一耦合孔72耦合的电流I2叠加后形成电流Iall，该电流Iall从第二耦合孔传输后从耦合端CO输出。其中，需要说明的是，电流I1在流经第一线路74、换层孔73以及第二线路76会产生相位变化，为避免电流I1与电流I2直接抵消，第一耦合孔72与第二耦合孔75中信号的相位差小于180°。即第二耦合孔75上的信号经过第二线路76、换层孔73和第一线路74产生的相移小于180°。
此外，为了避免换层孔73上耦合的信号直接将耦合信号路径上的信号抵消从而降低该耦合器的耦合度，可以尽量拉远换层孔73与主信号孔的距离。例如，换层孔73与主信号孔71的距离大于第一耦合孔72与主信号孔71的距离。或者，换层孔73与主信号孔71的距离大于第二耦合孔75与主信号孔71的距离。此外，为了提高该耦合器的耦合度，可以尽量拉近第一耦合孔72以及第二耦合孔75与主信号孔71的距离。例如，第一耦合孔与所述主信号孔的距离小于第一阈值。所述第二耦合孔与所述主信号孔的距离小于第一阈值。
在另一种示例中，为了避免换层孔73上耦合的信号直接将耦合信号路径上的信号抵消从而降低该耦合器的耦合度。可以在换层孔73与主信号孔71之间设置参考地，在换层孔73与第一耦合孔72之间设置参考地，在换层孔73与第二耦合孔75之间设置参考地。通过参考地将换层孔73与其他导孔隔离，避免其他导孔上的信号直接耦合到换层孔73上。
在上述实施例中，对各个实施例的描述各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
尽管结合具体特征及其实施例对本申请进行了描述，显而易见的，在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是本申请的示例性说明，且视为已覆盖本申请范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (26)
1.一种耦合器，其特征在于，所述耦合器包括信号输入端、信号输出端、耦合端以及隔离端，其中所述耦合器用于将所述信号输入端与所述信号输出端之间的主信号路径上传输的信号耦合至所述耦合端与所述隔离端之间的耦合信号路径上；其中，所述耦合器还包括：设置于印制电路板PCB上的主信号孔，以及设置在所述PCB上的第一耦合孔；
所述主信号孔的第一端与所述信号输入端耦接，所述主信号孔的第二端与所述信号输出端耦接；所述第一耦合孔的第一端与所述耦合端耦接，所述第一耦合孔的第二端与所述隔离端耦接；其中，在所述PCB的厚度方向上所述第一耦合孔的第一端与所述主信号孔的第一端靠近所述PCB的第一侧，所述第一耦合孔的第二端与所述主信号孔的第二端靠近所述PCB的第二侧；
所述主信号路径包括所述主信号孔，所述耦合信号路径包括所述第一耦合孔。
2.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，还包括：设置于所述PCB上的第二耦合孔以及换层孔，所述换层孔串接于所述第一耦合孔以及所述第二耦合孔之间；
所述换层孔的第一端与所述第一耦合孔的第二端通过所述PCB中第一层的第一线路耦接，所述换层孔的第二端与所述第二耦合孔的第一端通过所述PCB中第二层的第二线路耦接；所述第二耦合孔的第二端与所述隔离端耦接；
其中，在所述PCB的厚度方向上所述第二耦合孔的第一端与所述换层孔的第二端靠近所述PCB的第一侧，所述第二耦合孔的第二端与所述换层孔的第一端靠近所述PCB的第二侧。
3.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，还包括：设置于所述PCB上的换层孔，其中所述换层孔的第一端与所述第一耦合孔的第一端通过所述PCB中第一层的第一线路耦接，所述换层孔的第二端与所述耦合端耦接；
其中，在所述PCB的厚度方向上所述换层孔的第一端靠近所述PCB的第一侧，所述换层孔的第二端靠近所述PCB的第二侧。
4.根据权利要求1-3任一项所述的耦合器，其特征在于，所述第一耦合孔与所述主信号孔的距离小于第一阈值。
5.根据权利要求2所述的耦合器，其特征在于，所述第二耦合孔与所述主信号孔的距离小于第一阈值。
6.根据权利要求2或3所述的耦合器，其特征在于，所述换层孔与所述主信号孔的距离大于所述第一耦合孔与所述主信号孔的距离。
7.根据权利要求2所述的耦合器，其特征在于，
所述换层孔与所述主信号孔的距离大于所述第二耦合孔与所述主信号孔的距离。
8.根据权利要求2或3所述的耦合器，其特征在于，所述换层孔与所述主信号孔之间设置有参考地。
9.根据权利要求2或3所述的耦合器，其特征在于，所述换层孔与所述第一耦合孔之间设置有参考地。
10.根据权利要求2所述的耦合器，其特征在于，所述换层孔与所述第二耦合孔之间设置有参考地。
11.根据权利要求2所述的耦合器，其特征在于，所述第一耦合孔与第二耦合孔中信号的相位差小于180°。
12.根据权利要求2所述的耦合器，其特征在于，所述第二耦合孔上的信号经过所述第二线路、所述换层孔和所述第一线路产生的相移小于180°。
13.一种射频电路板，其特征在于，包括印制电路板PCB，以及设置于所述PCB上的耦合器；所述耦合器包括信号输入端、信号输出端、耦合端以及隔离端，其中所述耦合器用于将所述信号输入端与所述信号输出端之间的主信号路径上传输的信号耦合至所述耦合端与所述隔离端之间的耦合信号路径上；其中，所述耦合器还包括：设置于印制电路板PCB上的主信号孔，以及设置在所述PCB上的第一耦合孔，所述主信号孔的第一端与所述信号输入端耦接，所述主信号孔的第二端与所述信号输出端耦接；所述第一耦合孔的第一端与所述耦合端耦接，所述第一耦合孔的第二端与所述隔离端耦接；在所述PCB的厚度方向上所述第一耦合孔的第一端与所述主信号孔的第一端靠近所述PCB的第一侧，所述第一耦合孔的第二端与所述主信号孔的第二端靠近所述PCB的第二侧；所述主信号路径包括所述主信号孔，所述耦合信号路径包括所述第一耦合孔；
其中，所述耦合器的信号输入端耦合于射频放大器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于双工器的输入端；或，所述耦合器的信号输入端耦合于所述双工器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于天线。
14.根据权利要求13所述的射频电路板，其特征在于，所述耦合器还包括：设置于所述PCB上的第二耦合孔以及换层孔，其中，所述换层孔串接于所述第一耦合孔以及所述第二耦合孔之间；
所述换层孔的第一端与所述第一耦合孔的第二端通过所述PCB中第一层的第一线路耦接，所述换层孔的第二端与所述第二耦合孔的第一端通过所述PCB中第二层的第二线路耦接；所述第二耦合孔的第二端与所述隔离端耦接；
其中，在所述PCB的厚度方向上所述第二耦合孔的第一端与所述换层孔的第二端靠近所述PCB的第一侧，所述第二耦合孔的第二端与所述换层孔的第一端靠近所述PCB的第二侧。
15.根据权利要求13所述的射频电路板，其特征在于，所述耦合器还包括：设置于所述PCB上的换层孔，其中所述换层孔的第一端与所述第一耦合孔的第一端通过所述PCB中第一层的第一线路耦接，所述换层孔的第二端与所述耦合端耦接；
在所述PCB的厚度方向上所述换层孔的第一端靠近所述PCB的第一侧，所述换层孔的第二端靠近所述PCB的第二侧。
16.根据权利要求14或15所述的射频电路板，其特征在于，所述换层孔与所述主信号孔的距离大于所述第一耦合孔与所述主信号孔的距离。
17.根据权利要求14所述的射频电路板，其特征在于，
所述换层孔与所述主信号孔的距离大于所述第二耦合孔与所述主信号孔的距离。
18.根据权利要求14或15所述的射频电路板，其特征在于，所述换层孔与所述主信号孔之间设置有参考地。
19.根据权利要求14或15所述的射频电路板，其特征在于，所述换层孔与所述第一耦合孔之间设置有参考地。
20.根据权利要求14所述的射频电路板，其特征在于，所述换层孔与所述第二耦合孔之间设置有参考地。
21.根据权利要求13-15任一项所述的射频电路板，其特征在于，所述耦合器的信号输入端与所述射频放大器的输出端之间还耦合有环形器。
22.根据权利要求13-15任一项所述的射频电路板，其特征在于，所述耦合器的信号输出端耦合于天线时，所述耦合器的信号输出端与所述天线之间还耦合有移相器。
23.一种射频放大器，其特征在于，包括印制电路板PCB，设置于所述PCB上的功率放大晶体管以及如权利要求1-12任一项所述的耦合器，其中所述耦合器的信号输入端耦接所述功率放大晶体管的输出端。
24.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的耦合器，其中所述耦合器的信号输入端耦合于射频放大器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于双工器的输入端；
或者，所述耦合器的信号输入端耦合于所述双工器的输出端，所述耦合器的信号输出端耦合于天线。
25.根据权利要求24所述的电子设备，其特征在于，所述耦合器的信号输入端与所述射频放大器的输出端之间还耦合有环形器。
26.根据权利要求24所述的电子设备，其特征在于，所述耦合器的信号输出端与所述天线之间还耦合有移相器。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107785642A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-03-09 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种基于超指数线振荡式负载的多层定向耦合器 |
| CN212113971U (zh) * | 2020-06-09 | 2020-12-08 | 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 | 基于带状线结构的半波长谐振器的滤波器及天线 |
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|---|---|---|---|---|
| DE69214696T2 (de) * | 1991-03-29 | 1997-05-28 | Kokusai Electric Co Ltd | Richtkoppler des KM-Typs zur Leistungsdetektierung in tragbarem Telefon |
| JP2004023228A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナ制御装置、及びフェイズドアレイアンテナ |
| US7002430B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-02-21 | Intel Corporation | Compact non-linear geometry electromagnetic coupler for use with digital transmission systems |
| US7319370B2 (en) * | 2005-11-07 | 2008-01-15 | Tdk Corporation | 180 degrees hybrid coupler |
| EP2381526A4 (en) * | 2009-01-19 | 2012-01-04 | Sumitomo Electric Industries | DIRECTION COUPLER AND THIS COMPREHENSIVE WIRELESS COMMUNICATION DEVICE |
| DE202010016850U1 (de) * | 2010-12-22 | 2011-04-14 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | HF Leistungs-Koppler |
| WO2014180493A1 (en) * | 2013-05-06 | 2014-11-13 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Directional coupler |
| WO2018039898A1 (zh) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 海能达通信股份有限公司 | 无线电发射机及其小型化的定向耦合器 |
| US10594291B2 (en) * | 2018-07-06 | 2020-03-17 | Futurewei Technologies, Inc. | Branch-line coupler |
| CN210576370U (zh) * | 2019-09-02 | 2020-05-19 | 深南电路股份有限公司 | 耦合器 |
| CN113113753B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-04-15 | 西安理工大学 | 一种基于硅通孔技术的定向耦合器 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107785642A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-03-09 | 中国电子科技集团公司第四十研究所 | 一种基于超指数线振荡式负载的多层定向耦合器 |
| CN212113971U (zh) * | 2020-06-09 | 2020-12-08 | 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 | 基于带状线结构的半波长谐振器的滤波器及天线 |
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