CN113471376B - 发光结构、有机发光二极管和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种发光结构、有机发光二极管和电子设备；所述发光结构包括：三线态‑三线态湮灭层、第一电子给体层，所述第一电子给体层与所述三线态‑三线态湮灭层在电子和空穴注入后形成激基复合物；其中，所述激基复合物的一部分激子直接复合以产生黄光，另一部分激子用于在所述三线态‑三线态湮灭层中产生蓝光。本发明的技术方案旨在解决现有技术中大尺寸OLED面板结构复杂的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及电子设备技术领域，特别涉及一种发光结构、有机发光二极管和电子设备。
背景技术
OLED显示技术不断取代液晶显示技术，逐渐成为显示领域的主流技术。现目前，在小尺寸显示场景中，例如：手机、pad等，OLED已经逐步占据高端、中端市场；然而在中大尺寸显示领域，例如：台式电脑、电视等，OLED占据份额仍然很小，主要原因是价格高昂且产能不足。更深层次的原因是目前的大尺寸OLED面板结构复杂、层数众多，从而提高了对制程、设备的要求。因此，简化大尺寸OLED面板的结构具有重要价值。
现有技术中，大尺寸OLED面板主要采用白光OLED+滤波片结构，其中白光OLED是叠层的红、绿、蓝结构，中间以电荷产生层相连，层数众多、制程复杂，且驱动电压大、亮度低。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种发光结构、有机发光二极管和电子设备，旨在解决现有技术中大尺寸OLED面板结构复杂的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出一种发光结构，所述发光结构包括：
三线态-三线态湮灭层，
第一电子给体层，所述第一电子给体层与所述三线态-三线态湮灭层在电子和空穴注入后形成激基复合物；
其中，所述激基复合物的一部分激子直接复合以产生黄光，所述激基复合物的另一部分激子用于在所述三线态-三线态湮灭层中产生蓝光。
可选地，所述三线态-三线态湮灭层与所述第一电子给体层层叠设置，所述第一电子给体层包括第一电子给体材料，所述三线态-三线态湮灭层包括三线态-三线态湮灭材料，所述三线态-三线态湮灭层与所述第一电子给体层在界面处形成所述激基复合物；其中，所述第一电子给体材料的HOMO能级与所述三线态-三线态湮灭材料的LUMO能级之间的能级差为2.2～2.4eV；
可选地，所述三线态-三线态湮灭层和所述第一电子给体层之间具有第二电子给体层；所述第一电子给体层包括第一电子给体材料，所述第二电子给体层包括第二电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料；所述第一电子给体层和所述第二电子给体层的界面处形成所述激基复合物；其中，其中，所述第一电子给体层包括第一电子给体材料，所述第二电子给体层包括第二电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料，所述第二电子给体材料的HOMO能级介于所述第一电子给体材料的HOMO能级和所述三线态-三线态湮灭材料的HOMO能级之间。
可选地，所述第二电子给体材料占所述第二电子给体层的摩尔比为5％～30％。。
可选地，所述第一电子给体层还包括三线态-三线态湮灭材料，其中，三线态-三线态湮灭材料在所述第一电子给体层中的摩尔比为20％～45％。
可选地，所述第二电子给体层中的第二电子给体材料与所述三线态-三线态湮灭材料的摩尔比为3：7至7：3。
可选地，所述第一电子给体层的厚度为10～50nm，所述第二电子给体层的厚度为10～20nm，所述三线态-三线态湮灭层的厚度为10～20nm。
可选地，所述三线态-三线态湮灭层与所述第一电子给体层混合构成所述发光结构；所述三线态-三线态湮灭层包括三线态-三线态湮灭材料；所述第一电子给体层包括第一电子给体材料；其中，第一电子给体材料的HOMO能级与三线态-三线态湮灭材料的LUMO能级之间的能级差要求在2.2eV～2.4eV；第一电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料的摩尔比为3:7～7:3；所述发光结构的厚度为20～50nm。
可选地，第二方面，本发明还提出一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极和阴极，还包括设置在所述阳极和所述阴极之间的如前所述的发光结构。
可选地，第三方面，本发明还提出一种电子设备，所述电子设备还包括如前所述的有机发光二极管。
本发明技术方案的技术方案中，发光结构包括三线态-三线态湮灭层，第一电子给体层，所述第一电子给体层与所述三线态-三线态湮灭层在电子和空穴注入后形成用于产生黄光的激基复合物；其中，所述激基复合物的部分激子用于在所述三线态-三线态湮灭层中产生蓝光。黄光和蓝光混合成白光。相比较于R/G/B子发光单元叠层连接的器件结构，该结构简单，制程简单，无需复杂的工艺，适合于大尺寸的OLED显示面板制成；而且，由于本发明的发光结构形成的OLED面板厚度较小，便于超薄的电子设备的发展需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明OLED结构的优选示意图；
图2为本发明第一优选的发光结构的能级示意图；
图3为本发明第二优选的发光结构的能级示意图；
图4为本发明第三优选的发光结构的能级示意图；
图5为本发明第四优选的发光结构的能级示意图。
附图标号说明：
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
为了准确地理解本发明的技术方案，列出本发明中英文缩写及中文对照：
OLED：Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管。
TTA：Triplet-Triplet Annihilation，三线态-三线态湮灭。
HOMO：Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道。
LUMO：Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低位占分子轨道。
为了准确地理解本发明的技术方案，本发明中材料可以从下述材料中选择：
AND:9,10-bis(2’-naphthyl)anthracene；可以作为TTA材料。
m-MTDATA:4,4',4”-Tris[(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine；可以作为第一电子给体材料。
TAPC:4,4’-Cyclohexylidenebis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine；课可以作为第二电子给体材料。
PhPC:9-(4-(10-phenylanthracene-9-yl)phenyl)-9H-carbazole，可以作为TTA材料。
NPB:N,N’-Di(1-naphthyl)-N,N’-diphenyl-(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine，可以作为第一电子给体材料。
TCTA:4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine，可以作为第二电子给体材料。
4PPIAN:9,10-bis(2,5-dimethyl-5'-phenyl-[1,1':3'1”-terphenyl]-4-yl)anthracene，可以作为TTA材料。
传统的OLED结构为R/G/B(红、绿、蓝)子发光单元叠层连接的器件结构，中间以电荷产生层相连，层数较多，制程复杂，且驱动电压大、亮度低，不适宜用于大尺寸的白光OLED结构。
为此，本发明之发明人经过长期的探究，提出一种发光结构，用于OLED结构中，以克服现有技术中OLED结构难以适用于大尺寸的结构中。具体地，
为实现上述目的，本发明提出一种发光结构505，所述发光结构包括：
三线态-三线态湮灭层100，
第一电子给体层200，在电子和空穴注入后所述第一电子给体层200与所述三线态-三线态湮灭层100形成激基复合物，
所述激基复合物的部分激子在三线态-三线态湮灭层100中产生蓝光，所述激基复合物的发光为黄光，以使得所述蓝光和所述黄光混合形成白光。
蓝光的波长为450nm～480nm。黄光的波长为580nm～595nm。
本发明的发光结构通过形成于三线态-三线态湮灭层100和第一电子给体层200之间的激基复合物发黄光与激基复合物的部分激子在TTA(三线态-三线态湮灭)中产生蓝光，以形成白光。相比较于R/G/B子发光单元叠层连接的器件结构，该结构简单，制程简单，无需复杂的工艺，适合于大尺寸的OLED显示面板制成；而且，由于本发明的发光结构形成的OLED面板厚度较小，便于超薄的电子设备的发展需求。
在本发明中，三线态-三线态湮灭层100可以由三线态-三线态湮灭材料(TTA)材料制成，比如AND(9,10-bis(2'-naphthyl)anthracene，HOMO能级为5.9eV，LUMO能级为2.9eV)；
第一电子给体层200可以由第一电子给体材料制成，比如m-MTDATA(4,4',4”-Tris[(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamin)，HOMO能级为5.1eV，LUMO能级为2.0eV)。
本发明中，激基复合物可以在三线态-三线态湮灭层100和第一电子给体层200叠构后在界面处形成，也可以是两者混合构成。
参照图1所示，本发明的OLED结构包括基板501、阳极502、阴极507、位于阳极502和阴极507之间的发光结构505、设置于阳极502和发光结构505之间的空穴传输层504、设置于阳极502和空穴传输层504之间的空穴注入层503、设置于阴极507和发光结构505之间的电子传输层506。阳极502背离发光结构505的一侧为基板501。优选地，所述白光OLED结构还包括设置于阴极507和电子传输层506之间的电子注入层。
在OLED结构中，三线态-三线态湮灭层100靠近电子传输层506，而形成的激基复合物靠近空穴传输层504。本发明中，在电子和空穴注入后，进而分别注入至电子传输层506和空穴传输层504在三线态-三线态湮灭层100和第一电子给体层200中形成由激基复合物激子组成的激基复合物。形成的激基复合物激子，其中一部分激子发生辐射复合，产生黄光；而另一部分激基复合物激子，由于TTA材料的T1(第一激发三线态能级)能级比激基复合物的T1能级小，所以转移到TTA层中，并在TTA层中发生三线态融合产生单线态的过程，产生单线态激子并辐射复合产生蓝光，由此可以不用专门设置蓝光荧光层。
实施例1
本实施例提出一种优选的发光结构，参照图2所示，该发光结构包括所述三线态-三线态湮灭层100与所述第一电子给体层200，所述三线态-三线态湮灭层100与所述第一电子给体层200层叠构成。所述三线态-三线态湮灭层100具有电子受体层功能。其中，电子和空穴注入后，经由电荷传输层在第一电子给体层200和三线态-三线态湮灭层100层界面处累积形成所述激基复合物。所述三线态-三线态湮灭层100靠近阴极，所述第一电子给体层200靠近阳极。其中，所述第一电子给体层包括第一电子给体材料，所述三线态-三线态湮灭层包括三线态-三线态湮灭材料，所述第一电子给体材料的HOMO能级与所述三线态-三线态湮灭材料的LUMO能级之间的能级差为2.2～2.4eV，使得所述激基复合物的发光为黄光；在本发明中，TTA发出的蓝光的波长为470nm附近(如450nm～480nm)，优选为470nm，在该波段的蓝光能够使得形成的白光偏向暖白光。
具体地：以该发光结构为基础的白光OLED的发光机制为：电子和空穴分别从阴极和阳极注入，经由电子传输层506和空穴传输层504在第一电子给体层200/TTA层界面处累积，形成激基复合物激子，其中一部分激子发生辐射复合，产生黄光；而另一部分激子，由于TTA材料的T1(第一激发三线态能级)能级比激基复合物的T1能级小，所以转移到TTA层中，并在TTA层中发生三线态融合产生单线态的过程，产生单线态激子并辐射复合产生蓝光。
可选地，所述第一电子给体层200厚度为10～50nm，所述三线态-三线态湮灭层100的厚度为10～30nm。
由于界面异质结激基复合物的激子累积区较窄，导致激子复合区也较窄，致使白光OLED的亮度一般，且效率Roll-off(滚降现象)明显。此外，TTA产生的蓝光激子会反向转移到激基复合物中，因此，该结构白光OLED的发光光谱偏向暖白光。
以该发光结构制成OLED结构的一种优选工艺为：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(3)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积m-MTDATA作为空穴传输层，厚度为40nm；
(4)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积m-MTDATA作为第一电子给体层200，厚度为15nm；
(5)在第一电子给体层200上利用蒸镀法沉积AND:BCzVBi(3％)作为TTA层，厚度为15nm，其中AND为TTA材料，BCzVBi为荧光客体；
(6)在TTA层上利用蒸镀法沉积TPBi:Liq作为电子传输层，厚度为30nm；
(7)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al作为阴极，厚度为100nm。
实施例2
可选地，参照图4所示，所述三线态-三线态湮灭层100和所述第一电子给体层200之间具有第二电子给体层300。第一电子给体层200包括第一电子给体材料。第二电子给体层300为混合功能层。第二电子给体层300由TTA材料B和第二电子给体材料A混合构成，并且第二电子给体材料可以为TAPC，TTA材料为AND，并且第二电子给体材料A在整个混合功能层中的摩尔比要求为5％～30％，使得第二电子给体材料A与TTA材料A之间不会形成激基复合物，且也有助于一部分空穴经由第二电子给体材料B向TTA层中传输。并且，第二电子给体材料A的HOMO能级介于第一电子给体层200的HOMO能级和TTA层的HOMO能级之间，有效地避免第二电子给体材料A与TTA材料B之间形成激基复合物进而提高白光的质量。
本实施例中，所述第一电子给体层200和所述第二电子给体层300的界面处形成所述激基复合，产生黄光，且其中一部分激子将能量转移给TTA材料，发生TTA过程，产生蓝光；此外，仍有一部分空穴经由第二电子给体材料传输至TTA层中，与TTA层中的电子发生TTA过程，产生蓝光，由于这一部分蓝光激子与界面激基复合物距离较远，从而不发生反向的能量转移，提高了白光光谱中蓝光成分的比例，使白光光谱由暖白向正白光移动。
可选地，所述第一电子给体层200的厚度为10～50nm，所述第二电子给体层300的厚度为10～20nm，所述三线态-三线态湮灭层100的厚度为10～20nm。
以该发光结构制成OLED结构的一种优选工艺为：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(3)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积m-MTDATA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积m-MTDATA作为第一电子给体层200，厚度为15nm；
(5)在第一电子给体层200上利用蒸镀法沉积TAPC(15％):AND(85％)作为混合功能层，厚度为15nm；
(6)在混合功能层上利用蒸镀法沉积AND:BCzVBi(3％)作为TTA层，厚度为10nm，其中AND为TTA材料，BCzVBi为荧光客体；
(7)在TTA层上利用蒸镀法沉积TPBi:Liq作为电子传输层，厚度为30nm；
(8)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al作为阴极，厚度为100nm。
实施例3
本实施例可以作为实施例2的进一步的优化方案，以进一步低降低效率Roll-off现象。具体地，实施例2提供的发光结构形成的OLED结构中，白光OLED仍然存在激子累积区、复合区较窄的问题。为了优化该方案，提出实施例3，作为上述实施例2的进一步方案。
可选地，参照图5所示，所述第一电子给体层200内加入三线态-三线态湮灭材料(TTA材料B)，形成体异质结激基复合物层。由于体异质结激基复合物的存在，大大宽化了激子累积区和复合区，大大提高了白光OLED的亮度、明显改善了效率Roll-off现象(滚降现象)。其次，由于体异质结激基复合物和TTA层的分隔，保证了足够的蓝光发光，使得白光光谱更加纯正。
进一步地，第一电子给体层200内加入的三线态-三线态湮灭材料(TTA材料B)在所述体异质结激基复合物层的摩尔比为20％～45％；在该预设比例范围内，体异质结激基复合物能够最大化地宽化了激子累积区和复合区，使得该方案得到的白光光谱更加纯正。
进一步地，所述第二电子给体层300包括第二电子给体材料A和三线态-三线态湮灭材料(TTA材料B)，所述第二电子给体材料A占所述第二电子给体层300的质量比为30％～70％，优选为50％。即：优选地，所述第二电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料的摩尔比为1：1。
以该发光结构制成OLED结构的一种优选工艺为：
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(3)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积m-MTDATA作为空穴传输层，厚度为30nm；
(4)在空穴传输层上利用蒸镀法沉积m-MTDATA(65％):AND(35％)作为体异质结激基复合物层层，厚度为15nm；
(5)在体异质结激基复合物层上利用蒸镀法沉积TAPC(50％):AND(50％)作为混合功能层，厚度为10nm；
(6)在混合功能层上利用蒸镀法沉积AND:BCzVBi(3％)作为TTA层，厚度为15nm，其中AND为TTA材料，BCzVBi为荧光客体；
(7)在TTA层上利用蒸镀法沉积TPBi:Liq作为电子传输层，厚度为30nm；
(8)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al作为阴极，厚度为100nm。
实施例4
可选地，参照图3所示，所述三线态-三线态湮灭层100与所述第一电子给体层200混合构成所述发光结构，以使得在所述三线态-三线态湮灭层100与所述第一电子给体层200处处形成所述激基复合物。所述发光层由第一电子给体层200和TTA层混合构成，同时，TTA层还兼有电子受体层功能，其能带结构示意图如图2所示。在该结构中，所述第一电子给体材料占该混合层的质量比为30％～70％，优选为50％。即：所述第一电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料的摩尔比为3:7～7:3，优选地，所述第一电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料的摩尔比为1：1。第一电子给体材料的HOMO能级与TTA材料的LUMO能级之间的能级差要求在2.2eV～2.4eV；且TTA发光应该为波长470nm附近的蓝光。在该发光层结构中，整个发光层的厚度可以是20～50nm。电子给体材料和TTA材料在整个发光层中处处形成激基复合物，极大地宽化了激子累积区和复合区，显著提高了白光OLED的亮度、以及改善了效率Roll-off现象(滚降现象)。但发光光谱仍然偏向暖白光。
可选地，所述发光结构的厚度为20～50nm。
(1)以透明导电薄膜ITO作为阳极，厚度为50nm；
(2)在ITO上利用蒸镀法沉积MoO3作为空穴注入层，厚度为10nm；
(3)在空穴注入层上利用蒸镀法沉积m-MTDATA作为空穴传输层，厚度为40nm；
(4)在空穴传输层上利用蒸镀法共沉积m-MTDATA(49％):AND(49％):BCzVBi(2％)作为发光层，厚度为30nm，其中m-MTDATA为电子给体材料，AND为TTA材料和电子受体材料，BCzVBi为荧光客体；
(5)在发光层上利用蒸镀法沉积TPBi:Liq作为电子传输层，厚度为30nm；
(6)在电子传输层上利用蒸镀法沉积Al作为阴极，厚度为100nm。
此外，本发明还提出一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极和阴极，还包括设置在阳极和阴极之间的发光结构，该发光结构的具体结构参照上述实施例，由于有机发光二极管采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
此外，本发明还提出一种电子设备，所述电子设备包括有机发光二极管，该有机发光二极管的具体结构参照上述实施例，由于有机发光二极管采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种发光结构，其特征在于，所述发光结构包括：
三线态-三线态湮灭层，
第一电子给体层，所述第一电子给体层与所述三线态-三线态湮灭层在电子和空穴注入后形成激基复合物；
其中，所述激基复合物的一部分激子直接复合以产生黄光，所述激基复合物的另一部分激子用于在所述三线态-三线态湮灭层中产生蓝光；
所述三线态-三线态湮灭层和所述第一电子给体层之间具有第二电子给体层，所述第一电子给体层和所述第二电子给体层在界面处形成所述激基复合物；
其中，所述第一电子给体层包括第一电子给体材料与三线态-三线态湮灭材料，三线态-三线态湮灭材料在所述第一电子给体层中的摩尔比为20％～45％；
所述第二电子给体层包括第二电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料，所述第二电子给体材料的HOMO能级介于所述第一电子给体材料的HOMO能级和所述三线态-三线态湮灭材料的HOMO能级之间；所述第二电子给体材料占所述第二电子给体层的摩尔比为5％～30％。
2.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述三线态-三线态湮灭层与所述第一电子给体层层叠设置，所述三线态-三线态湮灭层与所述第一电子给体层在界面处形成所述激基复合物；
其中，所述第一电子给体层包括第一电子给体材料，所述三线态-三线态湮灭层包括三线态-三线态湮灭材料，所述第一电子给体材料的HOMO能级与所述三线态-三线态湮灭材料的LUMO能级之间的能级差为2.2～2.4eV。
3.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述第二电子给体层中的第二电子给体材料与所述三线态-三线态湮灭材料的摩尔比为3：7至7：3。
4.如权利要求1或3所述的发光结构，其特征在于，所述第一电子给体层的厚度为10～50nm，所述第二电子给体层的厚度为10～20nm，所述三线态-三线态湮灭层的厚度为10～20nm。
5.如权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述三线态-三线态湮灭层与所述第一电子给体层混合构成所述发光结构；
所述三线态-三线态湮灭层包括三线态-三线态湮灭材料，所述第一电子给体层包括第一电子给体材料；
其中，第一电子给体材料的HOMO能级与三线态-三线态湮灭材料的LUMO能级之间的能级差要求在2.2eV～2.4eV。
6.如权利要求5所述的发光结构，其特征在于，所述第一电子给体材料和三线态-三线态湮灭材料的摩尔比为3:7～7:3；
所述发光结构的厚度为20～50nm。
7.一种有机发光二极管，包括阳极和阴极，其特征在于，所述有机发光二极管还包括权利要求1至6中任一项所述的发光结构，所述发光结构设置在所述阳极和所述阴极之间。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求7所述的有机发光二极管。
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