CN113471173A - 测试结构及测试方法 - Google Patents
测试结构及测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113471173A CN113471173A CN202110748238.2A CN202110748238A CN113471173A CN 113471173 A CN113471173 A CN 113471173A CN 202110748238 A CN202110748238 A CN 202110748238A CN 113471173 A CN113471173 A CN 113471173A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- contact
- test
- contact structure
- resistance
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 160
- 238000010998 test method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
Abstract
本发明提供一种测试结构及测试方法，所述测试结构包括第一互连线层，所述第一互连线层包括至少一个第一测试线；位于所述第一互连线层上的接触层，所述接触层包括第一接触结构和位于所述第一接触结构一侧的多个第二接触结构，所述多个第二接触结构与所述第一接触结构位于同一所述第一测试线上，并与同一所述第一测试线电连接。在测试方法中，可通过获取测试结构中的第一接触结构与每个第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，然后根据所述电阻温度系数，得到第一互连线层中是否存在微观缺陷(例如晶粒缺陷、应力失配)，从而可有效的监测互连线层的质量变化，进而可为后续的电迁移和应力迁移等可靠性测试项目提供初期筛选，节省了测试资源。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种测试结构及测试方法。
背景技术
电迁移、应力迁移等测试项目是检测金属互连线可靠性的重要表征方法。然而，当金属互连线的可靠性能不达标时，通常需要借助失效分析等技术手段检测金属互连结构的失效原因。但金属互连结构的失效分析周期较长，且不能及时的反馈失效原因。此外，金属互连结构的互连线层中的末端缺陷、应力失配以及晶粒缺陷等，在实际的晶圆可接收性测试中不容易被监测到，从而容易导致不达标的晶圆进入后续的测试(例如晶圆的可靠性测试)中，造成资源浪费。
发明内容
本发明的目的在于提供一种测试结构及测试方法，以解决互连线层中的缺陷不易被到的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种测试结构，包括：
位于衬底上的第一互连线层，所述第一互连线层包括至少一个第一测试线；
位于所述第一互连线层上的接触层，所述接触层包括第一接触结构和位于所述第一接触结构一侧的多个第二接触结构，所述多个第二接触结构与所述第一接触结构位于同一所述第一测试线上，并与同一所述第一测试线电连接。
位于所述接触层上的第二互连线层，所述第二互连线层包括多个第二测试线，所述第二互连线层中的第二测试线的数量与所述第一接触结构和多个所述第二接触结构的总数量相同，其中，一个所述第二测试线与所述第一接触结构或一个所述第二接触结构电连接。
可选的，在所述的测试结构中，所述第一互连线层的材质与所述第二互连线层的材质相同，且所述第一接触结构的材质与所述第二接触结构的材质相同。
可选的，在所述的测试结构中，所述第二测试线的宽度与所述第一测试线的宽度之比为4:1～5:1。
可选的，在所述的测试结构中，所述第一接触结构的顶部的宽度大于所述第一接触结构的底部的宽度，所述第二接触结构的顶部的宽度大于所述第二接触结构的底部的宽度，并且所述第一接触结构的顶部的宽度与所述第二接触结构的顶部的宽度相同，所述第一接触结构的底部的宽度与所述第二接触结构的底部的宽度相同。
可选的，在所述的测试结构中，所述第一接触结构的底部的宽度和所述第二接触结构的底部的宽度均与所述第一测试线的宽度相同。
可选的，在所述的测试结构中，所述测试结构还包括位于所述衬底上的介质层，所述第一互连线层嵌设于所述介质层中，所述介质层中具有第一接触孔和位于所述第一接触孔一侧的多个第二接触孔，所述多个第二接触孔和所述第一接触孔均贯穿部分厚度的所述介质层，并暴露出所述第一互连线层中的同一第一测试线，所述第一接触结构填充所述第一接触孔并与所述第一测试线电连接，多个所述第二接触结构分别填充多个所述第二接触孔并与所述第一测试线电连接。
基于同一发明构思，本发明提供一种测试方法，包括：
提供如上所述的测试结构；
获取所述测试结构的第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数；以及，
将所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述第一测试线是否存在缺陷，其中，若所述第一接触结构与所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数不在所述阈值范围内，则判定为所述第一接触结构与所述第二接触结构之间的第一测试线中存在缺陷。
可选的，在所述的测试方法中，获取所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数的方法包括：
将所述测试结构置于至少三种不同的温度下；
测量每种温度下的所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻；以及，
根据每种温度下的所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻，得到所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数。
可选的，在所述的测试方法中，通过四端法测量所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻，所述四端法包括：
对每个所述第二测试线的一端施加电流，并测量每个所述第二测试线的另一端的电压；以及，
根据每个所述第二测试线的一端施加的电流及测量的每个所述第二测试线的另一端的电压，得到所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻。
可选的，所述测试方法用于电迁移测试或者应力迁移测试之前的测试。
在本发明提供的测试结构及测试方法中，所述测试结构包括位于衬底上的第一互连线层，所述第一互连线层包括至少一个第一测试线；位于所述第一互连线层上的接触层，所述接触层包括第一接触结构和位于所述第一接触结构一侧的多个第二接触结构，所述多个第二接触结构与所述第一接触结构位于同一所述第一测试线上，并与同一所述第一测试线电连接，在测试方法中，通过获取测试结构中的第一接触结构与每个第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，然后将所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述第一测试线中是否存在缺陷。由此，可通过比较所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，得到第一互连线层中是否存在微观缺陷(例如晶粒缺陷、应力失配)，从而可有效的监测互连线层的质量变化，进而可为后续的电迁移和应力迁移等可靠性测试项目提供初期筛选，节省了测试资源。
附图说明
图1和图2是本发明实施例的测试结构的剖面示意图；
图3是本发明实施例的测试结构的俯视图；
图4是本发明实施例的测试方法的流程示意图；
其中，附图标记说明如下：
100-衬底；110-第一测试线；121-第一接触结构；122、122a、122b、122c-第二接触结构；130-第二测试线；140-介质层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的测试结构及测试方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1是本发明实施例的测试结构的剖面示意图。参考图1，所述测试结构包括：位于衬底100上的第一互连线层，所述第一互连线层包括至少一个第一测试线110；位于所述第一互连线层上的接触层，所述接触层包括第一接触结构121和位于所述第一接触结构一侧的多个第二接触结构122、122a、122b、122c，所述多个第二接触结构122、122a、122b、122c与所述第一接触结构121位于同一所述第一测试线110上，并与同一所述第一测试线110电连接。
继续参考图1所示，所述第一接触结构121的顶部的宽度大于所述第一接触结构121的底部的宽度，所述第二接触结构122、122a、122b、122c的顶部的宽度大于所述第二接触结构122、122a、122b、122c的底部的宽度，并且所述第一接触结构121的顶部的宽度与所述第二接触结构122、122a、122b、122c的顶部的宽度相同，所述第一接触结构121的底部的宽度与所述第二接触结构122、122a、122b、122c的底部的宽度相同。即所述第一接触结构121的截面形状和所述第二接触结构122、122a、122b、122c的截面形状均呈一倒梯形。
图2是本发明实施例的测试结构的剖面示意图。参考图2所示，所述测试结构还包括位于所述衬底100上的介质层140，所述第一互连线层嵌设于所述介质层140中，所述介质层140中具有第一接触孔和位于所述第一接触孔一侧的多个第二接触孔，所述多个第二接触孔和所述第一接触孔均贯穿部分厚度的所述介质层140，并暴露出所述第一互连线层中的同一第一测试线110，所述第一接触结构121分别填充所述第一接触孔并与所述第一测试线110电连接，所述多个第二接触结构122、122a、122b、122c分别填充多个所述第二接触孔并与所述第一测试线110电连接。其中，所述介质层140用于多个第二接触结构122、122a、122b、122c之间的隔离，以及用于所述第一接触结构121与所述第二接触结构122之间的隔离。所述介质层140的材质例如可以为二氧化硅。
优选的方案中，所述第一接触结构121的材质与所述第二接触结构122的材质相同，以避免因不同的材质金属的电阻不同而影响后续的测量效果。所述第一接触结构121的材质与所述第二接触结构122的材质例如可以为金属钨，金属钨具有低电阻率、对电迁移的高抵抗力以及填充小通孔时的优异的平整性。
较佳的，所述第一互连线层的材质与所述第二互连线层的材质相同，以避免因材质不同而影响后续的电阻的测量精度。所述第一互连线层的材质与所述第二互连线层的材质例如可以为铝，在本发明的其他实施例中，所述第一互连线层和所述第二互连线层的材质也可以为其他的导电材质，例如铜。
图3是本发明实施例的测试结构的俯视图。参考图3并结合图1和图2所示，所述测试结构还包括位于所述接触层上的第二互连线层，所述第二互连线层包括多个第二测试线130，所述第二互连线层中的第二测试线130的数量与所述第一接触结构121和多个所述第二接触结构122的总数量相同。所述第二测试线130可覆盖部分所述介质层140。所述第二测试线130可作为后续测试所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构122之间的电阻的引线。所述第二测试线130可平行于所述第一测试线110，也可垂直于所述第一测试线110。
其中，一个所述第二测试线130与所述第一接触结构121或一个所述第二接触结构122电连接，如此，可通过所述第二测试线130向所述第一接触结构121或所述第二接触结构122施加电源，从而使所述第一接触结构121通过第一测试线110与每个所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间形成通路。
本实施例中，多个所述第二接触结构122、122a、122b、122c依次间隔排布，且多个所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的间距相同。进一步的，所述接触层中的第二接触结构122的数量可以大于3个，如果所述接触层中的第二接触结构122的数量太少，则多个第二接触结构122之间的间距会很大，如此一来，无法准确的得到第一测试线110中的缺陷的位置。更进一步的，所述第二接触结构122的数量可以不大于4个，如果所述接触层中的第二接触结构122的数量太多，与其电连接的第二测试线130的总数量也会增多，第二互连线层中的电阻会增大，在测量第一接触结构121与每个所述第二接触结构122之间的电阻时，会影响电阻的测量精度，因此，本实施例中所述第二接触结构的数量可以不大于4个，以保证测量电阻时的测量精度。
所述第二测试线130的宽度与所述第一测试线110的宽度之比为4:1～5:1。如此一来，可使所述第二测试线130的宽度尺寸与第一测试线110的宽度尺寸存在较大的尺寸差，在测量电阻时，可避免将所述第一测试线110的电阻误判为所述第一接触结构121与所述第二接触结构122之间的电阻。进一步的，所述第一测试线110的宽度可以小于1μm，例如0.9μm，以减小所述第一测试线110所占用的面积，从而使得所述测试结构中的结构较为紧凑。
图4是本发明实施例的测试方法的流程示意图。基于同一发明构思，本发明还提供一种测试方法，包括：
步骤S1:提供本发明所提供的测试结构；
步骤S2：获取所述测试结构的第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数；以及，
步骤S3：将所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述第一测试线是否存在缺陷，其中，若所述第一接触结构与所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数不在所述阈值范围内，则判定为所述第一接触结构与所述第二接触结构之间的第一测试线中存在缺陷。
首先，执行步骤S1，继续参考图1～3所示，提供本实施例所提供的测试结构。
接着，执行步骤S2，获取所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的电阻的电阻温度系数。具体的方法包括：首先，将所述测试结构置于至少三种不同的温度下，例如25℃、75℃和125℃。然后，测量每种温度下的所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构122之间的电阻。优选的，通过四端法测量所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的电阻，如此可消除测量时的接触电阻。
具体的，所述四端法包括：对每个第二测试线130的一端F施加电流，并测量每个所述第二测试线的另一端S的电压，即对第二测试线130的F1、F2、F3、F4、Fp端(可参考图3所示)施加电流，并测量第二测试线130的S1、S2、S3、S4、Sp端(可参考图3所示)的电压；以及，根据每个所述第二测试线130的一端F施加的电流及测量的每个所述第二测试线的另一端S的电压，得到所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构之间的电阻。
接着，根据每种温度下的所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的电阻，得到所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的电阻的电阻温度系数。所述电阻温度系数可以有效地表征出金属材料在微观结构上的变化，由此，可有效的监测互连线层的质量变化，进而可为后续的电迁移和应力迁移等可靠性测试项目提供初期筛选，节省了测试资源。
其中，所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构之间的电阻的温度系数通过如下公式得到：
其中，TCR表示第一接触结构与第二接触结构之间的电阻温度系数，TCRp表示第一接触结构与第二接触结构之间的电阻温度系数的变化量，ρr表示第一测试线的电阻率，ρp表示第一测试线存在缺陷时，第一测试线的电阻率的变化量，T表示温度，
表示ρp对T的微分。
接着，执行步骤S3，将所述第一接触结构121与每个所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的电阻的电阻温度系数，与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述第一测试线110是否存在缺陷(例如晶粒缺陷、应力失配)，其中，若所述第一接触结构121与所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的电阻的电阻温度系数不在所述阈值范围内，则判定为所述第一接触结构121与所述第二接触结构122、122a、122b、122c之间的第一测试线110中存在缺陷。如此可有效的监测互连线层的质量变化，进而可为后续的电迁移和应力迁移等可靠性测试项目提供初期筛选，节省了测试资源。
此外，本实施例的所述测试方法可用于电迁移测试或者应力迁移测试之前的测试。
综上可见，在本发明提供的测试方法中，所述测试结构包括位于衬底上的第一互连线层，所述第一互连线层包括至少一个第一测试线；位于所述第一互连线层上的接触层，所述接触层包括第一接触结构和位于所述第一接触结构一侧的多个第二接触结构，所述多个第二接触结构与所述第一接触结构位于同一所述第一测试线上，并与同一所述第一测试线电连接，在测试方法中，通过获取测试结构中的第一接触结构与每个第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，然后将所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述第一测试线中是否存在缺陷。由此，可通过比较所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，得到第一互连线层中是否存在微观缺陷(例如晶粒缺陷、应力失配)，从而可有效的监测互连线层的质量变化，进而可为后续的电迁移和应力迁移等可靠性测试项目提供初期筛选，节省了测试资源。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
Claims (10)
1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：
位于衬底上的第一互连线层，所述第一互连线层包括至少一个第一测试线；
位于所述第一互连线层上的接触层，所述接触层包括第一接触结构和位于所述第一接触结构一侧的多个第二接触结构，所述多个第二接触结构与所述第一接触结构位于同一所述第一测试线上，并与同一所述第一测试线电连接；位于所述接触层上的第二互连线层，所述第二互连线层包括多个第二测试线，所述第二互连线层中的第二测试线的数量与所述第一接触结构和多个所述第二接触结构的总数量相同，其中，一个所述第二测试线与所述第一接触结构或一个所述第二接触结构电连接。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一互连线层的材质与所述第二互连线层的材质相同，且所述第一接触结构的材质与所述第二接触结构的材质相同。
3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第二测试线的宽度与所述第一测试线的宽度之比为4:1～5:1。
4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一接触结构的顶部的宽度大于所述第一接触结构的底部的宽度，所述第二接触结构的顶部的宽度大于所述第二接触结构的底部的宽度，并且所述第一接触结构的顶部的宽度与所述第二接触结构的顶部的宽度相同，所述第一接触结构的底部的宽度与所述第二接触结构的底部的宽度相同。
5.如权利要求4所述的测试结构，其特征在于，所述第一接触结构的底部的宽度和所述第二接触结构的底部的宽度均与所述第一测试线的宽度相同。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括位于所述衬底上的介质层，所述第一互连线层嵌设于所述介质层中，所述介质层中具有第一接触孔和位于所述第一接触孔一侧的多个第二接触孔，所述多个第二接触孔和所述第一接触孔均贯穿部分厚度的所述介质层，并暴露出所述第一互连线层中的同一第一测试线，所述第一接触结构填充所述第一接触孔并与所述第一测试线电连接，多个所述第二接触结构分别填充多个所述第二接触孔并与所述第一测试线电连接。
7.一种测试方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求1～6中任一项所述的测试结构；
获取所述测试结构的第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数；以及，
将所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数，与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述第一测试线是否存在缺陷，其中，若所述第一接触结构与所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数不在所述阈值范围内，则判定为所述第一接触结构与所述第二接触结构之间的第一测试线中存在缺陷。
8.如权利要求7所述的测试方法，其特征在于，获取所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数的方法包括：
将所述测试结构置于至少三种不同的温度下；
测量每种温度下的所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻；以及，
根据每种温度下的所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻，得到所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻的电阻温度系数。
9.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，通过四端法测量所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻，所述四端法包括：
对每个所述第二测试线的一端施加电流，并测量每个所述第二测试线的另一端的电压；以及，
根据每个所述第二测试线的一端施加的电流及测量的每个所述第二测试线的另一端的电压，得到所述第一接触结构与每个所述第二接触结构之间的电阻。
10.如权利要求7～9中任一项所述的测试方法，其特征在于，所述测试方法用于电迁移测试或者应力迁移测试之前的测试。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110748238.2A CN113471173B (zh) | 2021-06-29 | 测试结构及测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110748238.2A CN113471173B (zh) | 2021-06-29 | 测试结构及测试方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113471173A true CN113471173A (zh) | 2021-10-01 |
| CN113471173B CN113471173B (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342027A (ja) * | 1993-06-01 | 1994-12-13 | Nippondenso Co Ltd | 配線の評価方法及び評価装置 |
| JPH1167861A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Matsushita Electron Corp | 集積回路における金属配線の評価方法及び評価装置 |
| JP2974068B1 (ja) * | 1998-06-15 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | エレクトロマイグレーション試験用半導体素子 |
| CN1747144A (zh) * | 2004-09-08 | 2006-03-15 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 内连线金属层结构的测试方法 |
| US20060066337A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | Kang Seung H | Test semiconductor device and method for determining Joule heating effects in such a device |
| CN102621468A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-08-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 电阻温度系数的检测结构及检测方法 |
| CN203895445U (zh) * | 2014-05-08 | 2014-10-22 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 应力迁移测试结构 |
| CN104241251A (zh) * | 2013-06-09 | 2014-12-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的测试结构 |
| CN105489519A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-04-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法 |
| CN110379725A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-10-25 | 上海华力微电子有限公司 | 电迁移测试结构及方法 |
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06342027A (ja) * | 1993-06-01 | 1994-12-13 | Nippondenso Co Ltd | 配線の評価方法及び評価装置 |
| JPH1167861A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Matsushita Electron Corp | 集積回路における金属配線の評価方法及び評価装置 |
| JP2974068B1 (ja) * | 1998-06-15 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | エレクトロマイグレーション試験用半導体素子 |
| CN1747144A (zh) * | 2004-09-08 | 2006-03-15 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 内连线金属层结构的测试方法 |
| US20060066337A1 (en) * | 2004-09-29 | 2006-03-30 | Kang Seung H | Test semiconductor device and method for determining Joule heating effects in such a device |
| CN102621468A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-08-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 电阻温度系数的检测结构及检测方法 |
| CN104241251A (zh) * | 2013-06-09 | 2014-12-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的测试结构 |
| CN203895445U (zh) * | 2014-05-08 | 2014-10-22 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 应力迁移测试结构 |
| CN105489519A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-04-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 高电阻结构的原位温度检测装置、芯片和失效检测方法 |
| CN110379725A (zh) * | 2019-07-25 | 2019-10-25 | 上海华力微电子有限公司 | 电迁移测试结构及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8237458B2 (en) | Electromigration testing and evaluation apparatus and methods | |
| US5712571A (en) | Apparatus and method for detecting defects arising as a result of integrated circuit processing | |
| US9030216B2 (en) | Coaxial four-point probe for low resistance measurements | |
| US6362638B1 (en) | Stacked via Kelvin resistance test structure for measuring contact anomalies in multi-level metal integrated circuit technologies | |
| CN107527661B (zh) | 一种字线电阻测试方法及三维存储器失效分析方法 | |
| CN108573890B (zh) | 一种铜金属互连电迁移测试结构及其测试方法 | |
| US7487064B2 (en) | Method for detecting and monitoring defects | |
| CN112864131B (zh) | 电迁移测试结构及电迁移测试方法 | |
| US9875964B2 (en) | Semiconductor device components and methods | |
| US20040207383A1 (en) | Test structure and related methods for evaluating stress-induced voiding | |
| US6383827B1 (en) | Electrical alignment test structure using local interconnect ladder resistor | |
| CN113471173B (zh) | 测试结构及测试方法 | |
| KR100346179B1 (ko) | 반도체장치의 일렉트로마이그레이션의 신뢰성 평가장치 및 그 방법 | |
| US6621280B1 (en) | Method of testing an integrated circuit | |
| CN113471173A (zh) | 测试结构及测试方法 | |
| EP2385551A1 (en) | Silicon substrate wafer and test method | |
| JP4844101B2 (ja) | 半導体装置の評価方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR100295916B1 (ko) | 최소 영역 디자인 룰 측정을 위한 테스트 구조 및 그 방법 | |
| CN113782516B (zh) | 电迁移测试结构、系统、存储器、制造方法及测试方法 | |
| CN112820715B (zh) | 校准用晶圆级在片电阻标准样片及制备方法 | |
| US6833557B1 (en) | Integrated circuit and a method of manufacturing an integrated circuit | |
| US8179153B2 (en) | Probe apparatus, a process of forming a probe head, and a process of forming an electronic device | |
| KR100607766B1 (ko) | 반도체 검사용 프로브 카드의 프로브 니들 구조 및 제조방법 | |
| CN112505102A (zh) | 封装基板之电阻测量方法及其封装基板 | |
| CN113097092B (zh) | 应力迁移测试结构和应力迁移测试方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |