CN113471091A - Led芯片无损阵列检测装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片。其每次只检测一颗LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于显示发光器件检测技术领域，尤其涉及一种LED芯片无损阵列检测装置及方法。
背景技术
微型LED作为LED技术的重要分支之一，它被认为是极具颠覆性的次世代显示技术。从性能上看，微型LED既继承了LED高效率、高亮度、高可靠度上的优点，同时又在对比度，饱和度，响应效率方面具有LED无可比拟的优势，因而受到了世界范围内各国专家和技术人员的高度关注。
同时微型LED实际上的尺寸非常小，因此通过在芯片上集成的高密度微小尺寸的微型LED阵列的方式以满足成规模的检测工作。但在这一过程中，传统的方法是使用高贞数探针对LED芯片阵列的每一个微型LED芯片进行接触，这样不可避免的会对LED芯片造成损害。专利（201780084326.9、201880019926.1）在这方面做出了努力，通过使用场板，经由位移电流耦合装置注入电流来功能地测试LED阵列。该方法在很大程度上解决了LED芯片阵列接触的问题，但该方法无法只能同时探测一个区域的LED芯片发光与否，无法逐一测量每个LED芯片光学和电学信号，因此在实际使用过程中应用价值不大。此外，专利（201780084326.9、201880019926.1）通过机械扫描实现对所有LED芯片的检测，因此检测速率偏低。本发明通过电学扫描实现对所有芯片的检测，检测效率获得极大提高。此外，本发明可以实现对每个LED芯片光学和电学信号对LED芯片检测，这对于提升器件的合格率至关重要。
发明内容
针对现有技术的缺陷和不足，本发明提出一种LED芯片无损阵列检测装置及方法，通过对与所检测LED芯片阵列对应的微电极阵列施加电压信号，逐一以无接触的方式驱动LED芯片，并采集每个LED芯片的发光性能和电学特性，从而可以检测每个LED芯片的光电性能，并筛选出不能有效工作的LED芯片。该发明避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命；同时克服了发明专利（201780084326.9）和（201880019926.1）中，仅仅能批量检测LED发光与否，但不能获得每个LED光学和电学特性的缺点。
其可以通过无接触的方式实现对单颗LED芯片的电信号和光信号的同步采集，可以克服传统检测方式中对LED芯片造成物理性破坏或者检测信号不够丰富的缺点。其特征在于，所述LED芯片无损检测装置包括第一基板、设置于所述第一基板下表面的第一导电层、第二基板、第二导电层、光信号检测系统、电信号检测系统、供电系统。其特征还在于，所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，及用于分隔所述行、列电极的绝缘层。其特征还在于，所述行电极与所述微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触所述微电极阵列。进行LED芯片检测时，每次只检测一个LED芯片。其特征还在于LED芯片阵列无损检测步骤如下：（1）将LED芯片阵列放置于所述第二基板上表面，（2）所述微电极阵列一一对应于第二基板上表面的LED芯片阵列，（3）所述第一基板在垂直方向靠近但不接触所检测的LED芯片，（4）检测单独一行的某个LED芯片时，所述供电系统对所检测LED的芯片对应微电极相连的行电极施加电压，其他行电极接地，（5）所述供电系统对所检测LED的芯片对应微电极水平方向上最靠近的列电极悬空，其他列电极接地，（6）所述光信号检测系统记录所检测LED芯片的发光信息，所述电信号检测系统记录所检测LED芯片的电信号，（7）检测完一个LED的芯片之后，最靠近这个LED芯片的所述列电极由悬空转为接地，下一列列电极由接地转为悬空，重复以上（5）、（6）步骤，直至相同一行的LED芯片检测完毕，（8）接着这一行所对应的所述行电极由施加电压转为接地，下一行行电极由接地转为施加电压，重复以上（7）的步骤，直至所有LED芯片检测完毕。本发明提出的LED芯片无损检测方法中，每次只检测一个LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
本发明具体采用以下技术方案：
一种LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于，包括：带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；
所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；
所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片；
所述光信号检测系统用于检测LED芯片的发光信息；
所述电信号检测系统用于检测LED芯片的电信号；
所述供电系统分别连接第一导电板的行电极和列电极，以及第二导电板，且输出的电信号施加在第一导电层，所述第二导电层接地。
进一步地，所述第一导电板设置在第一基板的下表面；所述第二导电层设置在第二基板的上表面或下表面。
进一步地，所述第一导电板的下表面设置有阻隔层。所述阻隔层包括但不限于气体、液体、固体，及其组合。
进一步地，所述光信号检测系统和第一基板同时位于第二基板的同侧，且所述第一基板位于所述光信号检测系统和所述第二基板之间；所述第一基板、第一导电板和阻隔层在所检测LED芯片发光波长范围内的光透过率大于30%。
所述第二基板、第二导电层可以在所检测LED芯片发光波长范围内的光透过率大于30%，也可以不透光。
进一步地，所述第一导电层和所检测的LED芯片的垂直距离为10 nm到1 cm 范围；所述微电极阵列与所检测LED芯片阵列在垂直方向上的相对位置一一对应；微电极和所对应的列电极之间的水平距离为10 nm到1 cm范围。
进一步地，所述光信号检测系统和第一基板位于第二基板的异侧，且所述第二基板和第二导电板在所检测LED芯片发光波长范围内的光透过率大于30%。
进一步地，所述供电系统输出的电压波形包括：正弦波或方波或锯齿波或脉冲波或噪声或指数上升/下降或心电图或高斯或半正矢或洛仑兹或双音频或谐波或视频信号或雷达信号或 DC 电压，及其组合。
进一步地，所述光信号检测系统包括：亮度检测器、光谱分析仪和光透镜组；所述电信号检测系统包括：信号放大器、电流分析仪和电压分析仪。
进一步地，所述绝缘层设置于行电极线列和列电极线列的交界处，用于分隔行、列电极线列。
以及根据以上LED芯片无损阵列检测装置的检测方法，其特征在于,进行LED芯片检测时，每次只检测一个LED芯片，包括以下步骤：
步骤S1：将LED芯片阵列放置于所述第二基板上表面；
步骤S2：将所述微电极阵列对应于LED芯片阵列；且所述第一基板在垂直方向靠近但不接触所检测的LED芯片；
步骤S3：检测某个LED芯片时，找到所检测LED芯片垂直对应的微电极，对与该微电极相连的行电极施加电压，其他行电极接地；对靠近该微电极的列电极进行悬空，其他列电极阵列接地；
步骤S4：所述光信号检测系统记录所检测LED芯片的发光信息，所述电信号检测系统记录所检测LED芯片的电信号；
步骤S5：重复步骤S3-步骤S4直至所有LED芯片检测完毕。
与现有技术相比，本发明及其优选方案每次只检测一个LED芯片，可以同时完成对单颗LED芯片的电信号和光信号的采集，避免了传统LED芯片检测过程中，探针对LED芯片的损害，有利于提高检测芯片使用可靠性，延长LED芯片实际使用寿命。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步详细的说明：
图1为本发明实施例LED芯片无损阵列检测装置的截面结构示意图。
图2为本发明实施例LED芯片无损阵列检测装置的上半部分的俯视示意图。
图3为本发明实施例一LED芯片无损阵列检测装置的下半部分俯视示意图。
图4为本发明实施例的LED芯片无损阵列检测方法及装置的单个LED芯片的无接触检测交流特性图。
图5为本发明实施例的LED芯片无损阵列检测方法及装置的单个LED芯片的无接触检测LED发光图。
图6为本发明实施例二的第二导电层置于第二基板上方的截面结构示意图。
图7为本发明实施例三的光信号检测系统置于第二导电层下方的截面结构示意图。
图8为本发明实施例四的LED芯片无损阵列检测方法及装置的上半部分仰视示意图。
具体实施方式
为让本专利的特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，作详细说明如下：
应该指出，以下详细说明都是示例性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。
本实施例提供了一种LED芯片无损阵列检测方法及装置的详细方案。
LED芯片无损检测装置包括第一基板、设置于第一基板下表面的第一导电层、第二基板、第二导电层、光信号检测系统、电信号检测系统、供电系统。其特征还在于，第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，及用于分隔行、列电极的绝缘层。
其中，行电极与微电极阵列相连，列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列。进行LED芯片检测时，每次只检测一个LED芯片。
采用的LED芯片阵列无损检测步骤如下：（1）将LED芯片阵列放置于第二基板上表面，（2）微电极阵列一一对应于第二基板上表面的LED芯片阵列，（3）第一基板在垂直方向靠近但不接触所检测的LED芯片，（4）检测单独一行的某个LED芯片时，供电系统对所检测LED的芯片对应微电极相连的行电极施加电压，其他行电极接地，（5）供电系统对所检测LED的芯片对应微电极水平方向上最靠近的列电极悬空，其他列电极接地，（6）光信号检测系统记录所检测LED芯片的发光信息，电信号检测系统记录所检测LED芯片的电信号，（7）检测完一个LED的芯片之后，最靠近这个LED芯片的列电极由悬空转为接地，下一列列电极由接地转为悬空，重复以上（5）、（6）步骤，直至相同一行的LED芯片检测完毕，（8）接着这一行所对应的行电极由施加电压转为接地，下一行行电极由接地转为施加电压，重复以上（7）的步骤，直至所有LED芯片检测完毕。
实施例一：
在本实施例中，第一导电层表面可以设置有氧化硅阻隔层。
在本实施例中，第一基板、第一导电层、阻隔层在所检测LED芯片发光波长范围内的光透过率为80%。
在本实施例中，微电极阵列与所检测LED芯片阵列的的大小范围和摆放位置一一对应。
在本实施例中，第一导电层和所检测的LED芯片阵列的垂直距离为10μm。
在本实施例中，第二基板、第二导电层可以在所检测LED芯片发光波长范围内不透光。
在本实施例中，供电系统输出的电压波形为正弦波，频率为2MHz，峰峰值30V。
在本实施例中，光信号检测系统包括亮度检测器、光谱分析仪、光透镜组。
在本实施例中，进一步地，电信号检测系统包括信号放大器、电流分析仪、电压分析仪。
在本实施例中，光信号检测系统和第一基板位于第二基板的同侧，其光信号检测系统在第一基板上方。
在本实施例中，供电系统输出的电信号施加在第一导电层、第二导电层接地。
在本实施例中，LED芯片所对应的微电极与最靠近的列电极之间的水平距离为500nm。
在本实施例中，绝缘层放置于行电极和列电极的交界处，用于分隔行电极和列电极。
图1为本发明实施例的一种LED芯片无损阵列检测方法及装置的截面结构图。第一基板101设置在第一导电层102表面，第一导电层102在阻隔层103表面；待检测的LED芯片203设置在第二基板201上表面，第二导电层202位于第二基板201下表面；光信号检测系统301设置于第一基板101的上方，用于记录检测的LED芯片203的发光信息；供电系统401在第一导电层102和第二导电层202之间施加电信号，电信号检测系统501记录所检测LED芯片的电信号。
图2为本发明实施例的一种LED芯片无损阵列检测方法及装置的上半部分仰视图。第一基板01位于第一导电层07的上表面，阻隔层02位于第一导电层07的下表面，第一导电层07包括微电极阵列03、列电极04、行电极05、绝缘层06；行电极05与微电极阵列03相连，列电极04在水平方向上靠近但不接触微电极阵列03，绝缘层06用于分隔行电极05和列电极04。
图3为本发明实施例的一种LED芯片无损阵列检测方法及装置的下半部分俯视图。第二基板08位于第一导电层10的下表面，LED芯片阵列09位于第一导电层10的上表面，LED芯片阵列09摆放位置以及大小范围一一对应于图2中微电极阵列03与阻隔层02。
图4、图5为本发明实施例的一种LED芯片无损阵列检测方法及装置的单个LED芯片的无接触检测交流特性图和LED发光图。如图，在图4中有三条纵坐标轴，分别代表电压（V）、电流（mA）、相对亮度。整个LED芯片的交流特性就是以1μs为周期持续发光的过程，从中可以看出本检测方法及装置能够无损有效地驱动LED芯片，并获得每个芯片的电流、亮度特性。图5为绿光LED芯片的发光图。
实施例二：
在本实施例中，第二导电层位于第二基板的上表面。
图6为实施例二第二导电层置于第二基板上方的截面结构图。第一基板101设置在第一导电层102表面，第一导电层102在阻隔层103表面；待检测的LED芯片203设置在第二导电层202表面，第二导电层202位于第二基板201表面；光信号检测系统301设置于第一基板101的上方，用于记录检测的LED芯片203的发光信息；供电系统401在第一导电层102和第二导电层202之间施加电信号，电信号检测系统501记录所检测LED芯片的电信号。
实施例三：
在本实施例中，光信号检测系统和第一基板分别位于第二基板的异侧，其光信号检测系统在第二基板下方。第二基板、第二导电层在待检测LED芯片发光波长范围内的光透过率为80%。
图7为实施例三光信号检测系统置于第二导电层下方的截面结构图。第一基板101设置在第一导电层102表面，第一导电层102在阻隔层103表面；待检测的LED芯片203设置在第二基板201表面，第二基板201位于第二导电层202表面；光信号检测系统301设置于第二导电层202的下方，用于记录检测的LED芯片203的发光信息。
实施例四：
在本实施例中，微电极阵列周围有一层屏蔽电极，屏蔽电极为列电极的一部分，屏蔽电极靠近但不接触微电极阵列。屏蔽电极与列电极阵列相连。
图8为本发明实施例的一种LED芯片无损阵列检测方法及装置的上半部分仰视图。第一基板01位于第一导电层07的上表面，阻隔层02位于第一导电层07的下表面，第一导电层07包括微电极阵列03、列电极04、行电极05、绝缘层06、包裹电极08；行电极05与微电极阵列03相连，列电极04与包裹电极08相连，包裹电极靠近但不接触微电极阵列03，绝缘层06用于分隔行电极05和列电极04。
本专利不局限于上述最佳实施方式，任何人在本专利的启示下都可以得出其它各种形式的LED芯片无损阵列检测装置及方法，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利的涵盖范围。
Claims (10)
1.一种LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于，包括：带有第一导电板的第一基板、带有第二导电板的第二基板、光信号检测系统、电信号检测系统和供电系统；
所述第一导电层包括微电极阵列、行电极、列电极，以及用于分隔行、列电极的绝缘层；所述行电极与微电极阵列相连，所述列电极在水平方向上靠近但不接触微电极阵列；
所述第二基板用于承载待测LED芯片；所述微电极阵列用于对应第二基板上表面的LED芯片阵列；所述第一基板在垂直方向靠近但不接触待测LED芯片；
所述光信号检测系统用于检测LED芯片的发光信息；
所述电信号检测系统用于检测LED芯片的电信号；
所述供电系统分别连接第一导电板的行电极和列电极，以及第二导电板，且输出的电信号施加在第一导电层，所述第二导电层接地。
2.根据权利要求1所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述第一导电板设置在第一基板的下表面；所述第二导电层设置在第二基板的上表面或下表面。
3.根据权利要求2所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述第一导电板的下表面设置有阻隔层。
4.根据权利要求3所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述光信号检测系统和第一基板位于第二基板的同侧，且所述第一基板位于所述光信号检测系统和所述第二基板之间；所述第一基板、第一导电板和阻隔层在所检测LED芯片发光波长范围内的光透过率大于30%。
5.根据权利要求2所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述第一导电层和所检测的LED芯片的垂直距离为10 nm到1 cm 范围；所述微电极阵列与所检测LED芯片阵列在垂直方向上的相对位置一一对应；微电极和所对应的列电极之间的水平距离为10 nm到1cm范围。
6.根据权利要求1所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述光信号检测系统和第一基板位于第二基板的异侧，且所述第二基板和第二导电板在所检测LED芯片发光波长范围内的光透过率大于30%。
7.根据权利要求1所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述供电系统输出的电压波形包括：正弦波或方波或锯齿波或脉冲波或噪声或指数上升/下降或心电图或高斯或半正矢或洛仑兹或双音频或谐波或视频信号或雷达信号或 DC 电压，及其组合。
8.根据权利要求1所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述光信号检测系统包括：亮度检测器、光谱分析仪和光透镜组；所述电信号检测系统包括：信号放大器、电流分析仪和电压分析仪。
9.根据权利要求1所述的LED芯片无损阵列检测装置，其特征在于：所述绝缘层设置于行电极线列和列电极线列的交界处，用于分隔行、列电极线列。
10.根据权利要求1所述的LED芯片无损阵列检测装置的检测方法，其特征在于,进行LED芯片检测时，每次只检测一个LED芯片包括以下步骤：
步骤S1：将LED芯片阵列放置于所述第二基板上表面；
步骤S2：将所述微电极阵列对应于LED芯片阵列；且所述第一基板在垂直方向靠近但不接触所检测的LED芯片；
步骤S3：检测某个LED芯片时，找到所检测LED芯片垂直对应的微电极，对与该微电极相连的行电极施加电压，其他行电极接地；对靠近该微电极的列电极进行悬空，其他列电极阵列接地；
步骤S4：所述光信号检测系统记录所检测LED芯片的发光信息，所述电信号检测系统记录所检测LED芯片的电信号；
步骤S5：重复步骤S3-步骤S4直至所有LED芯片检测完毕。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114236334A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-03-25 | 严群 | 通过光激发增强电流注入led电致发光性能检测系统 |
| WO2023108549A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Jade Bird Display (Shanghai) Company | Inspecting tool for inspecting micro led array panel |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101339092A (zh) * | 2008-08-13 | 2009-01-07 | 重庆大学 | Led芯片/晶圆/外延片的非接触式检测方法及检测装置 |
| KR20090087246A (ko) * | 2008-02-12 | 2009-08-17 | 우리엘이디 주식회사 | Ｌｅｄ 어레이 검사장치 및 그 검사방법 |
| CN104459507A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 深圳市华测检测技术股份有限公司 | 一种检测led芯片光学性能的多路检测系统 |
| CN110335831A (zh) * | 2018-03-29 | 2019-10-15 | 普因特工程有限公司 | 微发光二极管的检查方法 |
| CN110337712A (zh) * | 2016-12-16 | 2019-10-15 | 特索罗科技有限公司 | 发光二极管(led)测试设备和制造方法 |
| CN111199706A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-05-26 | 深圳市思坦科技有限公司 | 一种Micro-LED器件、检测方法和显示面板 |
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2021
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090087246A (ko) * | 2008-02-12 | 2009-08-17 | 우리엘이디 주식회사 | Ｌｅｄ 어레이 검사장치 및 그 검사방법 |
| CN101339092A (zh) * | 2008-08-13 | 2009-01-07 | 重庆大学 | Led芯片/晶圆/外延片的非接触式检测方法及检测装置 |
| CN104459507A (zh) * | 2014-11-27 | 2015-03-25 | 深圳市华测检测技术股份有限公司 | 一种检测led芯片光学性能的多路检测系统 |
| CN110337712A (zh) * | 2016-12-16 | 2019-10-15 | 特索罗科技有限公司 | 发光二极管(led)测试设备和制造方法 |
| CN110335831A (zh) * | 2018-03-29 | 2019-10-15 | 普因特工程有限公司 | 微发光二极管的检查方法 |
| CN111199706A (zh) * | 2020-03-04 | 2020-05-26 | 深圳市思坦科技有限公司 | 一种Micro-LED器件、检测方法和显示面板 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| KUN WANG: ""Electroluminescence from μLED without external charge injection"", 《SCIENTIFIC REPORTS》, vol. 10, pages 8059 * |
| LILI ZHENG: ""Theoretical Study of LED Operating in Noncarrier Injection Mode"", 《NANOMATERIALS》, vol. 12, pages 2532 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114236334A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-03-25 | 严群 | 通过光激发增强电流注入led电致发光性能检测系统 |
| CN114236334B (zh) * | 2021-11-05 | 2023-10-10 | 严群 | 通过光激发增强电流注入led电致发光性能检测系统 |
| WO2023108549A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Jade Bird Display (Shanghai) Company | Inspecting tool for inspecting micro led array panel |
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