CN113470980A - 一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料及其制备方法和应用，采用一步溶剂热法在泡沫镍表面原位生成NiS/Ni3S2纳米棒异质结构电极材料，具有优异的电化学性能,其最大比容量为230.3mAh g‑1。在其制备过程中,原材料廉价易得,反应条件温和、时间短、成本低、低毒,并且无模板和无表面活性剂,更易应用于工业生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种高性能NiS/Ni3S2纳米棒阵列超级电容器电极材料及其制备方法，属于复合新材料技术领域，主要应用于电化学电容器的电极材料。
技术背景
超级电容器是一种新型储能装置。相较于锂离子电池，超级电容器具有功率密度高、稳定性好、倍率性能好、寿命长等优点。因此它在移动通讯，电动交通工具，航空航天等电化学储能领域具有很大的潜在应用价值。在储能方面和锂离子电池形成优势互补，是近年来研究的一个热点领域。Co、Ni、Zn、Cu、Mg等具有法拉第电容行为的过渡金属硫化物和双金属硫化物由于具有较高的能量密度、较好的循环寿命，且价格低廉、制备工艺简单，现已经成为超级电容器电极材料的研究热点。而其复合电极材料更是达成两种电极材料之间性能的互补，复合材料结构单元可有不同的组分组合而成，材料间由于多种界面的引入和存在，更有利于实现1+1＞2的优化效果。近年来随着对镍基电极材料的深入研究，其与过渡金属化合物结合形成的复合材料也倍受关注，大多数研究为Ni3S2/Co(OH)2、NiCo2S4/CuO、NiO/NiMoO4等复合电极材料。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料及其制备方法，并将其应用于电化学电容器的电极材料。
本发明的技术目的通过下述技术方案予以实现。
一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料及其制备方法，以泡沫镍为镍源，硫粉为硫源，采用一步溶剂热法在泡沫镍表面原位生成NiS/Ni3S2纳米棒结构电极材料。
将硫粉均匀分散在无水乙二胺中，再加入无水乙醇，分散均匀以形成反应溶液；将泡沫镍置于所述反应溶液中进行反应，以在泡沫镍表面原位生成NiS/Ni3S2纳米棒结构电极材料。
而且，采用聚四氟乙烯反应釜为水热反应容器，体积为100—200mL。
而且，反应的气氛为空气、温度为140—180摄氏度，反应时间为4—8小时。
而且，反应的气氛为空气、温度为160—180摄氏度，反应时间为6—8小时。
而且，在使用之前，对泡沫镍进行处理，以去除油污，促进反应，泡沫镍的大小为3cm×2cm×1.5mm。
而且，硫粉和无水乙二胺的质量比为1：(50—200)，优选1：(100—200)。
而且，无水乙二胺和无水乙醇的体积比为1：1。
本发明的技术方案采用一步溶剂热法在泡沫镍表面原位生成NiS/Ni3S2纳米棒异质结构电极材料，具有优异的电化学性能,其最大比容量为230.3mAh g-1。在其制备过程中,原材料廉价易得,反应条件温和、时间短、成本低、低毒,并且无模板和无表面活性剂,更易应用于工业生产。
附图说明
图1为本发明制备的NiS/Ni3S2电极材料的SEM照片。
图2为本发明制备的NiS/Ni3S2电极材料的XRD图。
图3为本发明制备的NiS/Ni3S2电极材料应用于超级电容器的循环伏安性能测试曲线图。
图4为本发明制备的NiS/Ni3S2电极材料应用于超级电容器的倍率性能测试曲线图。
具体实施方式
下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
将4mmoL S粉溶解至16mL无水乙二胺中，形成均匀的溶液A，然后将16mL无水乙醇的混合均匀溶液加到溶液A中后，用磁力搅拌充分搅拌形成均匀的溶液B。最后将均匀的溶液B转移至100mL聚四氟乙烯反应釜中并加入已处理好的泡沫镍(3cm×2cm×1.5mm)，在鼓风干燥箱中160℃反应6h制得异质材料NiS/Ni3S2。
实施例2
在实施例1的基础之上，调整反应温度为140摄氏度，反应时间为8小时。
实施例3
在实施例1的基础之上，调整反应温度为180摄氏度，反应时间为4小时。
对上述制备的NiS/Ni3S2纳米棒阵列电极材料(实施例1)进行表征。SEM如图1所示，可以明显看出泡沫镍表面原位生长纳米棒阵列，且在泡沫镍上生长的非常均匀，并具有坚固的结构。图2是电极材料的X射线粉末衍射(XRD)图。数据中在21.7°、31.4°、37.4°、44.3°、49.7°和54.9°对应的是Ni3S2(JCPDS No.44-1418)的特征峰，其对应的峰的晶面分别为(101)、(110)、(003)、(202)、(113)和(104)晶面；而在18.4°、30.4°、35.7°、40.5°、48.8°、57.4°和59.8°对应的是NiS(JCPDS No.86-2281)的特征峰其对应的峰的晶面分别为(110)、(101)、(021)、(211)、(131)、(330)和(012)晶面。值得注意的是，数据中除了Ni、NiS和Ni3S2的特征峰外，没有发现其他的衍射峰，这表明在本实验中，在泡沫镍上直接生长Ni3S2和NiS复合结构。以NiS/Ni3S2纳米棒阵列超级电容器电极材料为工作电极(1cm×1cm×1.5mm)，Hg/HgO(1M KOH)为参比电极，活性炭(AC)为对电极构成三电极系统，在3M KOH电解液中，控制扫描速度为5～20mV s-1，测得循环伏安曲线如图3所示，可以看出NiS/Ni3S2电极材料在充放电过程中存在明显的氧化还原反应，电流密度随着扫速的增加而增加，且氧化峰向右偏移，还原峰向左偏移。不同扫速下循环伏安曲线非常相似，表明电极发生氧化还原反应过程速度控制步骤受动力学控制；控制电流密度为2～20mA cm-2，测得恒电流充放电曲线如图4所示，当电流密度为2mA cm-2时，电极材料的质量比容量高达230.3mAh g-1，当电流密度为20mA cm-2时，电极材料的质量比容量高达170.0mAh g-1，其倍率性能高达74.1％。
根据本发明内容进行工艺参数的调整，均可实现高性能NiS/Ni3S2纳米棒阵列电极材料的制备，经测试表现出与本发明基本一致的性能。以上对本发明做了示例性的描述，应该说明的是，在不脱离本发明的核心的情况下，任何简单的变形、修改或者其他本领域技术人员能够不花费创造性劳动的等同替换均落入本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料，其特征在于，以泡沫镍为镍源，硫粉为硫源，将硫粉均匀分散在无水乙二胺中，再加入无水乙醇，分散均匀以形成反应溶液；将泡沫镍置于所述反应溶液中进行水热反应，以在泡沫镍表面原位生成NiS/Ni3S2纳米棒结构电极材料；反应的气氛为空气、温度为140—180摄氏度，反应时间为4—8小时；硫粉和无水乙二胺的质量比为1：(50—200)，无水乙二胺和无水乙醇的体积比为1：1。
2.根据权利要求1所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料，其特征在于，反应的气氛为空气、温度为160—180摄氏度，反应时间为6—8小时。
3.根据权利要求1所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料，其特征在于，硫粉和无水乙二胺的质量比为1：(100—200)。
4.根据权利要求1所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料，其特征在于，采用聚四氟乙烯反应釜为水热反应容器，体积为100—200mL。
5.根据权利要求1所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料，其特征在于，在使用之前，对泡沫镍进行处理，以去除油污，促进反应，泡沫镍的大小为3cm×2cm×1.5mm。
6.一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，以泡沫镍为镍源，硫粉为硫源，将硫粉均匀分散在无水乙二胺中，再加入无水乙醇，分散均匀以形成反应溶液；将泡沫镍置于所述反应溶液中进行水热反应，以在泡沫镍表面原位生成NiS/Ni3S2纳米棒结构电极材料；反应的气氛为空气、温度为140—180摄氏度，反应时间为4—8小时；硫粉和无水乙二胺的质量比为1：(50—200)，无水乙二胺和无水乙醇的体积比为1：1。
7.根据权利要求6所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，反应的气氛为空气、温度为160—180摄氏度，反应时间为6—8小时。
8.根据权利要求6所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，硫粉和无水乙二胺的质量比为1：(100—200)。
9.根据权利要求6所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料的制备方法，其特征在于，在使用之前，对泡沫镍进行处理，以去除油污，促进反应，泡沫镍的大小为3cm×2cm×1.5mm。
10.如权利要求1—5之一所述的一种高性能硫化镍—二硫化三镍纳米棒阵列超级电容器电极材料在电容器材料中的应用。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20211001 |