CN113451190B - 一种半导体的转移装置及转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体的转移装置及转移方法，通过控制转移基板移动至目标基板上方，再由红外发射部发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位，在第二磁部从目标基板上拾取到半导体后，通过控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节，从而确保半导体在转移过程中与目标基板的准确对位。本发明提供的半导体的转移装置，通过红外功能实现对半导体的准确拾取，并且在拾取半导体后还可通过磁力调整半导体的水平位置，为半导体焊接至目标基板时提供准确的定位，避免了半导体焊接偏位的情况。

Description

一种半导体的转移装置及转移方法
技术领域
本发明涉及半导体显示器件制造技术领域，尤其涉及的是一种半导体的转移装置及转移方法。
背景技术
随着半导体的不断发展，Micro-LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，是新一代显示技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级；其中，由于封装过程中极高效率、99.9999％良品率和正负0.5μm以内转移精度的需要，而Micro-LED元器件尺寸基本小于50μm且数目是几万到几百万个，因此在Micro-LED产业化过程中仍需要克服的一个核心技术难题就是Micro-LED元器件的巨量转移(MassTransfer)技术。对于现代超精密加工技术来说，从晶圆上巨量转移几万到几十万个Micro-LED到基板，本身已是一个巨大的挑战，加工效率、良品率和转移精度更加无法保证。
现有的巨量转移技术虽然一次可转移大量的半导体芯片，但是在进行巨量转移时，将半导体芯片转移到基板时并不能准确的定位，因此，容易造成转移的半导体芯片焊接偏位。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种半导体的转移装置及转移方法，旨在解决现有的半导体芯片在巨量转移中转移精度过低的问题。
本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：
半导体的转移装置一种半导体的转移装置，其中，包括：转移基板，设置在所述转移基板上的控制器、设置在所述转移基板上且与所述控制器电连接的第一电磁部、设置在所述第一电磁部的表面且与所述控制器电连接的红外发射部以及活动设置在所述第一电磁部内且用于拾取半导体的第二磁部；其中，所述半导体携带有磁性；
所述转移基板用于移动至目标基板上方；
所述红外发射部用于发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位；
所述控制器用于输出第一控制电流至所述第一电磁部，以使所述第一电磁部产生电磁力，以控制所述第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述控制器还用于输出第二控制电流至所述第二磁部，以使所述第二磁部拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述第一电磁部包括活动设置在所述转移基板上的多块第一电磁挡板，各个第一电磁挡板均与所述控制器电连接，且相邻的所述第一电磁挡板相互垂直。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述第二磁部包括设置在所述转移基板上且与所述控制器电连接的驱动电磁挡板、与所述驱动电磁挡板磁力连接的吸附盘以及固定设置在所述吸附盘四周的第二磁挡板。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述第一电磁挡板与所述第二磁挡板数量一致，且单个所述第一电磁挡板与单个所述第二磁挡板对应平行设置。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述移动基板上设置有滑轨，所述第一电磁挡板和所述驱动电磁挡板设置有滑球，所述第一电磁挡板和所述驱动电磁挡板分别与所述移动基板滑动连接。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述第一电磁挡板和驱动电磁挡板为电磁体，所述第二磁挡板为永磁体或电磁体。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述红外发射部包括红外发射器，所述红外发射器与所述第一电磁部可拆卸连接。
进一步的，所述的半导体的转移装置，其中，所述吸附盘为磁体、吸盘或机械手。
一种半导体的转移方法，其中，包括：
控制转移基板移动至目标基板上方；
红外发射部发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位；
控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使所述第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节。
进一步的，所述的转移方法，其中，所述控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使所述第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节还包括：控制器输出第二控制电流至所述第二磁部，以使所述第二磁部拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板。
有益效果：本发明提供一种半导体的转移装置及转移方法；通过控制转移基板移动至目标基板上方，再由红外发射部发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位，在第二磁部从目标基板上拾取到半导体后，通过控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节，从而确保半导体在转移过程中与目标基板的准确对位。本发明提供的半导体的转移装置，通过红外功能实现对半导体的准确拾取，并且在拾取半导体后还可通过磁力调整半导体的水平位置，为半导体焊接至目标基板时提供准确的定位，避免了出现半导体焊接偏位的情况。
附图说明
图1是本发明中一种半导体的转移装置的工作状态示意图；
图2是本发明中一种半导体的转移装置的仰视图；
图3是本发明中一种半导体的转移装置的拾取半导体时的状态示意图；
图4是本发明中一种半导体的转移装置的放置半导体时的状态示意图；
图5是本发明中一种半导体的转移方法的较佳实施例的流程图。
图中：100、转移基板；200、控制器；300、第一电磁部；400、红外发射部；500、第二磁部；600、半导体；800、滑球；900、目标基板；310、第一电磁挡板；510、吸附盘；520、第二磁挡板；530、驱动电磁挡板。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在实施方式和申请专利范围中，除非文中对于冠词有特别限定，否则“一”与“所述”可泛指单一个或复数个。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
实施例一：
请参阅图1，图1为本发明中一种半导体的转移装置的工作状态示意图。其中，所述转移装置包括：转移基板100，设置在所述转移基板100上的控制器200、设置在所述转移基板100上且与所述控制器200电连接的第一电磁部300、设置在所述第一电磁部300的表面且与所述控制器200电连接的红外发射部400以及活动设置在所述第一电磁部300内且用于拾取半导体600的第二磁部500，其中，所述半导体600携带有磁性。
具体的，所述转移基板100用于移动至目标基板900上方；所述红外发射部400用于发射红外信号对目标基板900上的半导体600进行定位；所述控制器200用于输出第一控制电流至所述第一电磁部300，以使所述第一电磁部300产生电磁力，以控制所述第二磁部500调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节；
其中，所述控制器200还用于输出第二控制电流至所述第二磁部500，以使所述第二磁部500拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板。
进一步地，请参阅图2，图2是本发明中一种半导体的转移装置的仰视图。所述第一电磁部300包括活动设置在所述转移基板100上的多块第一电磁挡板310，相邻的所述第一电磁挡板310相互垂直，且相互垂直的第一电磁挡板310之间未直接拼接。如图2所示，第一电磁部300包括四块第一电磁挡板310，四块第一电磁挡板310分别设置在所述第二磁部500四周，且各个第一电磁挡板310距离第二磁部500的距离相等，则设置在第一电磁部300中的第二磁部500可在四周磁力的作用下进行横向水平移动。
更进一步地，请继续参阅图2，所述第二磁部500包括设置在所述转移基板上且与所述控制器200电连接的驱动电磁挡板530、与所述驱动电磁挡板530磁力连接的吸附盘510以及固定设置在所述吸附盘510四周的第二磁挡板520；所述第二磁挡板520用于与驱动电磁挡板530或第一电磁挡板310产生磁力，以带动所述吸附盘510上下运动或水平方向的前后左右运动。可选的，所述吸附盘510也可与控制器200电连接，在其控制下对目标基板900上的半导体600拾取或放置。优选的，所述第二磁挡板520可设置为四块，且相邻第二磁挡板520之间垂直，其中，相对的第二磁挡板520之间电磁极性互斥，例如，一个为N极，则相对应的对面的第二磁挡板520则为S极。
在本发明实施例中，当需要对目标基板上的半导体600进行转移时，可控制转移基板100移动至目标基板上方，再由红外发射部400发射红外信号对目标基板上的半导体600进行定位；当然目标基板上相应设置有红外接收器(图中未示出)，在接收到红外发射部400发射的红外信号后反馈位置目标基板上半导体600的位置信息。进一步地，在获取到准确的半导体600所在位置后，移动基板移动到确定位置，同时控制器200控制输出第二控制电流至第二磁部500，第二磁部500中的驱动电磁挡板530通电，其中，第二磁挡板可为永磁体，在常态下则吸附在驱动电磁挡板上，当需使第二磁挡板310向下移动时，可通过控制器200输出的第二控制电流使驱动电磁挡板530的极性与第二磁挡板520的极性相斥(改变电流方向可改变电磁体磁场)。因此可通过驱动电磁挡板530驱动第二磁挡板携带吸附盘朝下方移动(即朝着目标基板上的半导体600移动)，直到靠近目标基板900并由吸附盘510将目标基板上的半导体600拾取后，控制器200控制驱动电磁挡板530断电(当然也可输出电流方向不一样的第二控制电流，以产生极性相吸的磁场，从而吸合第二磁挡板)，则第二磁挡板520在拾取完半导体600后与驱动电磁挡板530重新吸合。
需要说明的是，所述转移基板200的移动以及红外发射部400发射红外信号均可由所述控制器200控制实现，可选的，所述控制器可为电流及逻辑控制器。
进一步地，当拾取后的半导体600需要再转移到目标基板上时，为了实现半导体600放置在目标基板时的准确定位，例如需将半导体600放置在目标基板的焊接位置时，可在红外发射部400与目标基板上的红外接收器定位后，再由控制器200输出第一控制电流至第一电磁部300，使其通电产生电磁力，使得设置在第一电磁部内的第二磁部在水平方向上移动，以此调节半导体600相对于目标基板的水平方向上的位置，为半导体600准确放置在目标基板的焊接位置提供必要条件。
具体的，请继续参阅图2，第一电磁部300中的各个第一电磁挡板可单独与控制器200电连接，控制器200以输出不同强度的第一控制电流至各个电磁挡板，例如，需将半导体往左边调节一段距离，则控制器输出第一控制电流至第一电磁部左边的第一电磁挡板310，使左边的第一挡板310将第二磁部500向左吸附一段距离，在调节好相应的移动距离后控制器使左边的第一电磁挡板断电，同理，当需调节半导体的其他水平方向时，通过控制器输出第一控制电流至另外的第一电磁挡板即可，从而调节半导体相对目标基板的水平位置。
更进一步地，在通过第一电磁部300调节好半导体600相对于目标基板900的水平方向上的位置后，此时被第二磁部500拾取的半导体600与目标基板900上的焊接位置处于不同水平面上的相同位置。进而所述控制器200再次输出第二控制电流至第二磁部500，使得驱动电磁挡板530通电，以使第二磁部500带动半导体600向下运动(即朝着目标基板900的方向运动)，在靠近目标基板900时，去掉吸附盘510拾取半导体600的作用力(吸附盘可单独与控制器连接)，使半导体600可以准确无误的放置在目标基板900上的焊接位置上，从而完成半导体600的转移。
值得一提的是，在完成转移后，还可通过外部设备检测目标基板900上的半导体600是否与焊接位置放置在同一位置。若检测出半导体600仍与焊接位置存在偏差，可通过控制器200再次输出第二控制电流至第二磁部500使其再次拾取半导体600(上述已对第二磁部拾取半导体过程做详细描述，故在此不再赘述)，进而所述控制器200控制红外发射部400对目标基板900上的焊接位置再次进行定位，以修正偏差，进一步地，所述控制器200输出第一控制电流至所述第一电磁部300，第一电磁部300通电产生电磁力以使所述第二磁部500带动半导体600在水平方向上调整相应位置，以此修正半导体600相对于焊接位置的偏差。最后控制器200再输出第二控制电流至第二磁部500，使所述第二磁部500重新放置半导体600至焊接位置，从而最终完成对半导体600位置的修正。
其中，所述移动基板上设置有滑轨(图中未示出)，所述第一电磁挡板310和所述驱动电磁挡板530设置有滑球800，所述第一电磁挡板310和所述驱动电磁挡板530分别与所述移动基板滑动连接。所述滑球800利用磁力吸附到滑轨上，可在滑轨上自由滑动，需要说明的是，所述第一电磁挡板310在正常使用时不滑动，当需要调试第二磁部500或移动第二磁部500的位置时，此时可将第一电磁挡板310移开。
可选的，所述吸附盘510可选择为磁体，通过控制器200对吸附盘510通电以拾取目标基板900上的半导体600，所述半导体600携带有磁性，可与吸附盘510相吸合，同理，在需放置半导体时可对吸附盘断电或输出反向磁场使半导体与吸附盘分离来将半导体600放置至目标基板900；当然还可选择为气体吸附装置，例如吸盘，同样可通过控制器200控制吸盘拾取半导体600或放置半导体600，进一步，还可通过将吸附盘510设置为机械手，通过机械手同样可实现对半导体600的拾取或放置。应理解，吸附盘510还可采用更多方式进行半导体600的拾取或放置。
值得说明的是，所述第一电磁挡板310与所述第二磁挡板520数量一致，且单个所述第一电磁挡板310与单个所述第二磁挡板520对应平行设置，例如当第一电磁挡板310设置为四块时，则相对应的第二电磁的挡板也为四块，同时，相互平行的第一电磁挡板310与第二磁挡板520的极性互斥，例如内部的第二磁挡板520为S极，则外围的第一电磁挡板310则为N极。
可选的，所述第一电磁挡板310和驱动电磁挡板530为电磁体(由磁芯和线圈构成，当线圈中有电流流过时能产生磁场)，所述第二磁挡板520为永磁体(永磁体是指在开路状态下能长期保留较高剩磁的磁体)或电磁体。所述第一电磁挡板310或驱动电磁挡板530在通电后利用电磁力使得第二磁挡板520产生不同方向的运动。
其中，红外发射部400包括红外发射器(图中未示出)，为了便于使用，方便实时调整对目标基板900上半导体600的红外定位，可将所述红外发射器与所述第一电磁部300设置为可拆卸连接。
下面以本实施例的具体应用场景为例，请参阅图3和图4，以对本发明所述半导体的转移装置的工作过程进行更加详细的说明：
1、目标基板可包括第一目标基板910和第二目标基板920，第一目标基板为生长基板，生长有待转移的半导体600；第二目标基板为接收待转移半导体600的待转移基板，设置有焊接位置，待与半导体600焊接。
2、当需要将第一目标基板上的半导体600转移到第二目标基板上时，控制器200控制移动基板移动到第一目标基板上方，控制器200通过红外发射部400发射红外信号，对第一目标基板上的半导体600进行定位，当定位完成后，移动基板再移动到定位后的位置。控制器200输出第二控制电流至驱动电磁挡板530，驱动电磁挡板530产生电磁力驱动第二磁挡板310向下动作，以拾取第一目标基板上的半导体600，当第二磁部拾取到半导体600后，控制器200断开第二控制电流，第二磁挡板310向上动作与驱动电磁挡板吸合，完成半导体600的拾取。
3、当需要将拾取到的半导体600转移到第二目标基板时，同理，所述控制器200控制移动基板移动到第二目标基板，进而控制红外发射部400对第二基板上的焊接位置进行定位(当然焊接位置是设置有红外接收器的)，通过完成定位后，控制器200输出第二控制电流至所述驱动电磁挡板530，使第二磁挡板310向下运动，将半导体600放置到第二目标基板相对应的焊接位置上，以此完成半导体600的转移。
4、对转移到第二目标基板上的半导体600进行位置检测，当检测出半导体600与焊接位置存在偏差时，需要修正半导体600与焊接位置之间的偏差。可通过控制器200输出第二控制电流至驱动电磁挡板530，使第二磁挡板310将半导体600从第二目标基板上拾取，进而再由红外发射部400重新对第二目标基板上的焊接位置进行定位，待定位出新的位置后，控制器200输出第一电流至第一电磁部300，使第一电磁部300产生电磁力，从而调整设置在其中的第二磁部500的前后左右方向，在调整完毕后，控制器200控制驱动电磁挡板530通电，以使所述第二磁挡板310重新将半导体600放置在第二目标基板上，从而完成半导体600位置的修正。
实施例二：
基于上述的半导体的转移装置，本发明还提供一种半导体的转移方法；
请参阅图5，图5为本发明中一种半导体的转移方法的较佳实施例的流程图；所述转移方法包括以下步骤：
S100、控制转移基板移动至目标基板上方；
S200、红外发射部发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位；
S300、控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使所述第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节。
进一步地，在步骤S300之前还包括：
S210、控制器输出第二控制电流至所述第二磁部，以使所述第二磁部拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板；
在本发明实施例中，请继续参阅图1，当需要对目标基板上的半导体600进行转移时，可控制转移基板100移动至目标基板上方，再由红外发射部400发射红外信号对目标基板上的半导体600进行定位；当然目标基板上相应设置有红外接收器(图中未示出)，在接收到红外发射部400发射的红外信号后反馈位置目标基板上半导体600的位置信息。进一步地，在获取到准确的半导体600所在位置后，移动基板移动到确定位置，同时控制器200控制输出第二控制电流至第二磁部500，第二磁部500中的驱动电磁挡板530通电，其中，第二磁挡板可为永磁体，在常态下则吸附在驱动电磁挡板上，当需使第二磁挡板310向下移动时，可通过控制器200输出的第二控制电流使驱动电磁挡板530的极性与第二磁挡板520的极性相斥(改变电流方向可改变电磁体磁场)。因此可通过驱动电磁挡板530驱动第二磁挡板携带吸附盘朝下方移动(即朝着目标基板上的半导体600移动)，直到靠近目标基板900并由吸附盘510将目标基板上的半导体600拾取后，控制器200控制驱动电磁挡板530断电(当然也可输出电流方向不一样的第二控制电流，以产生极性相吸的磁场，从而吸合第二磁挡板)，则第二磁挡板520在拾取完半导体600后与驱动电磁挡板530重新吸合。
需要说明的是，所述转移基板200的移动以及红外发射部发射红外信号均可由所述控制器200控制实现，可选的，所述控制器可为电流及逻辑控制器。
进一步地，当拾取后的半导体600需要再转移到目标基板上时，为了实现半导体600放置在目标基板时的准确定位，例如需将半导体600放置在目标基板的焊接位置时，可在红外发射部400与目标基板上的红外接收器定位后，再由控制器200输出第一控制电流至第一电磁部300，使其通电产生电磁力，使得设置在第一电磁部内的第二磁部在水平方向上移动，以此调节半导体600相对于目标基板的水平方向上的位置，为半导体600准确放置在目标基板的焊接位置提供必要条件。
具体的，请继续参阅图2，第一电磁部300中的各个第一电磁挡板可单独与控制器200电连接，控制器200以输出不同强度的第一控制电流至各个电磁挡板，例如，需将半导体往左边调节一段距离，则控制器输出第一控制电流至第一电磁部左边的第一电磁挡板310，使左边的第一挡板310将第二磁部500向左吸附一段距离，在调节好相应的移动距离后控制器使左边的第一电磁挡板断电，同理，当需调节半导体的其他水平方向时，通过控制器输出第一控制电流至另外的第一电磁挡板即可，从而调节半导体相对目标基板的水平位置。
更进一步地，在通过第一电磁部300调节好半导体600相对于目标基板900的水平方向上的位置后，此时被第二磁部500拾取的半导体600与目标基板900上的焊接位置处于不同水平面上的相同位置。进而所述控制器200再次输出第二控制电流至第二磁部500，使得驱动电磁挡板530通电，以使第二磁部500带动半导体600向下运动(即朝着目标基板900的方向运动)，在靠近目标基板900时，去掉吸附盘510拾取半导体600的作用力(吸附盘可单独与控制器连接)，使半导体600可以准确无误的放置在目标基板900上的焊接位置上，从而完成半导体600的转移。
综上所述，本发明提供一种半导体的转移装置及转移方法；通过控制转移基板移动至目标基板上方，再由红外发射部发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位，在第二磁部从目标基板上拾取到半导体后，通过控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节，从而确保半导体在转移过程中与目标基板的准确对位。本发明提供的半导体的转移装置，通过红外功能实现对半导体的准确拾取，并且在拾取半导体后还可通过磁力调整半导体的水平位置，为半导体焊接至目标基板时提供准确的定位，避免了半导体焊接偏位的情况。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由权利要求所指出。

Claims (10)

1.一种半导体的转移装置，其特征在于，包括：转移基板，设置在所述转移基板上的控制器、设置在所述转移基板上且与所述控制器电连接的第一电磁部、设置在所述第一电磁部的表面且与所述控制器电连接的红外发射部以及活动设置在所述第一电磁部内且用于拾取半导体的第二磁部；其中，所述半导体携带有磁性；
所述转移基板用于移动至目标基板上方；
所述红外发射部用于发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位；
所述控制器用于输出第一控制电流至所述第一电磁部，以使所述第一电磁部产生电磁力，以控制所述第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节；
所述第一电磁部包括活动设置在所述转移基板上的多块第一电磁挡板，各个第一电磁挡板均与所述控制器电连接，且相邻的所述第一电磁挡板相互垂直，且各个第一电磁挡板至所述第二磁部的距离相等。
2.根据权利要求1所述的半导体的转移装置，其特征在于，所述控制器还用于输出第二控制电流至所述第二磁部，以使所述第二磁部拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板。
3.根据权利要求2所述的半导体的转移装置，其特征在于，所述第二磁部包括设置在所述转移基板上且与所述控制器电连接的驱动电磁挡板、与所述驱动电磁挡板磁力连接的吸附盘以及固定设置在所述吸附盘四周的第二磁挡板。
4.根据权利要求3所述的半导体的转移装置，其特征在于，所述第一电磁挡板与所述第二磁挡板数量一致，且单个所述第一电磁挡板与单个所述第二磁挡板对应平行设置。
5.根据权利要求3所述的半导体的转移装置，其特征在于，所述移动基板上设置有滑轨，所述第一电磁挡板和所述驱动电磁挡板设置有滑球，所述第一电磁挡板和所述驱动电磁挡板分别与所述移动基板滑动连接。
6.根据权利要求4所述的半导体的转移装置，其特征在于，所述第一电磁挡板和驱动电磁挡板为电磁体，所述第二磁挡板为永磁体或电磁体。
7.根据权利要求1所述的半导体的转移装置，其特征在于，所述红外发射部包括红外发射器，所述红外发射器与所述第一电磁部可拆卸连接。
8.根据权利要求3所述的半导体的转移装置，其特征在于，所述吸附盘为磁体、吸盘或机械手。
9.一种半导体的转移方法，其特征在于，包括：
控制转移基板移动至目标基板上方；
红外发射部发射红外信号对目标基板上的半导体进行定位；
控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使所述第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节；
所述第一电磁部包括活动设置在所述转移基板上的多块第一电磁挡板，各个第一电磁挡板均与所述控制器电连接，且相邻的所述第一电磁挡板相互垂直，且各个第一电磁挡板至所述第二磁部的距离相等。
10.根据权利要求9所述的半导体的转移方法，其特征在于，所述控制器输出第一控制电流至第一电磁部，以使所述第一电磁部产生电磁力，以控制第二磁部调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置，其中，所述调节所拾取的半导体在目标基板上的焊接位置包括水平方向的调节还包括：控制器输出第二控制电流至所述第二磁部，以使所述第二磁部拾取目标基板上的半导体或放置半导体至目标基板。
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