CN113447716A - 一种显示面板的检测方法及显示面板 - Google Patents

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CN113447716A CN202011426248.6A CN202011426248A CN113447716A CN 113447716 A CN113447716 A CN 113447716A CN 202011426248 A CN202011426248 A CN 202011426248A CN 113447716 A CN113447716 A CN 113447716A
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Abstract

本发明实施例涉及一种显示面板的检测方法，包括提供一显示面板，显示面板的非显示区域设置有测试区域。在测设区域设置至少一个测试发光单元，试发光单元包括磊晶结构以及设置在所述磊晶结构一侧的多个测试电极，各个测试电极通过键合金属层与所述测设区域的焊接电极连接。获取多个所述测试发光单元的测试电阻以及与各个所述测试电阻对应的两个测试电极之间的间隔距离，根据测试电阻以及间隔距离获得测试发光单元的接触电阻，本申请可以简单的获得更加准确的接触电阻。

Description

一种显示面板的检测方法及显示面板
技术领域
本申请涉及一种显示面板检测的技术领域，尤其涉及一种显示面板检测方法以及一种显示面板。
背景技术
相对于有机电激光显示面板件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，Micro-LED在亮度、响应速度、对比度、色彩饱和度上均有着更好的表现。就目前可商业化的Micro-LED而言，Micro-LED显示面板一般包括背板、Micro-LED芯片、以及用于连接背板和Micro-LED芯片的键合层。通过键合层来实现背板和Micro-LED芯片的导通和稳定连接，而是否导通需要根据接触电阻进行判断。
然而在Micro-LED中，因为微型发光二极管晶片厚度太小，无法在键合层两端进行有效的扎针测量电阻，因此如何在Micro-LED显示面板中测量接触电阻值是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种显示面板的检测方法以及一种显示面板，其旨在解决现有技术中存在的在Micro-LED中，因为微型发光二极管晶片尺寸、厚度较小，无法在键合层两端进行有效执行接触电阻值测试的问题。
本申请提供一种显示面板的检测方法，其包括：
提供一显示面板，所述显示面板包括显示区域与围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述非显示区域设置有测试区域；
在所述测设区域设置至少一个测试发光单元，所述测试发光单元包括磊晶结构以及设置在所述磊晶结构一侧的多个测试电极，各个所述测试电极通过键合金属层与所述测设区域的焊接电极连接；
获取多个所述测试发光单元的测试电阻，以及与各个所述测试电阻对应的两个所述测试电极之间的间隔距离；
根据所述测试电阻以及与之对应的所述间隔距离，获得所述测试发光单元的接触电阻。
可选地，所述测试发光单元的接触电阻为所述键合金属层与所述测试电极接触产生的第一接触电阻、所述键合金属层的电阻以及所述键合金属层与所述焊接电极接触产生的第二接触电阻之和；
所述测试发光单元的测试电阻包括两倍的所述接触电阻与所述磊晶结构的电阻之和。
可选地，所述测试区域内设置N个所述测试发光单元，所述N大于1；
每一个所述测试发光单元包括两个所述测试电极，且两个所述测试电极之间包括一间隔距离；
在N个所述测试发光单元中，至少两个所述测试发光单元中的所述间隔距离不同。
可选地，在一个所述测试发光单元中，一个所述测试电阻对应一个所述磊晶结构的电阻与两个所述接触电阻。
可选地，所述测试发光单元的接触电阻R满足以下条件：
R＝(Rtotal1-K*L1)/2，其中，K＝(Rtotal2-Rtotal1)/(L2-L1)。
Rtotal1为第一测试发光单元对应的第一测试电阻；Rtotal2第二测试发光单元对应的第二测试电阻；所述K为所述磊晶结构的电阻系数；L1为所述第一测试发光单元中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离；L2为所述第二测试发光单元中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离，所述L1与所述L2不相同。
可选地，在所述测试区域内设置一个所述测试发光单元，其中，所述测试发光单元包括多个子磊晶结构，一个所述子磊晶结构对应一个电极对，所述电极对包括两个所述测试电极，两个所述测试电极之间具有一间隔距离；至少两个所述子磊晶结构的电极对对应的间隔距离不同。
可选地，在所述测试发光单元中，一个所述子磊晶结构的所述测试电阻对应一个所述子磊晶结构的电阻和与所述子磊晶结构对应的两个所述接触电阻。
可选地，所述子磊晶结构对应的接触电阻R满足以下条件：
R＝(RtotalA-K*LA)/2，其中，K＝(RtotalB-RtotalA)/(LA-LB)。
RtotalA为第一子磊晶结构对应的第一测试电阻；RtotalB为第二子磊晶结构对应的第二测试电阻；所述K为所述磊晶结构的电阻系数；LA为所述第一子磊晶结构中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离；LB为所述第二子磊晶结构中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离，所述LA与所述LB不相同。
上述检测方式中，通过对于测试发光单元的接触电阻的测量，能够准确、快速地判断出键合金属层的接触电阻对整个显示面板的发光单元是否产生了影响，同时在显示面板制作过程时也能够通过对测试发光单元的接触电阻的检测，显示面板的键合金属层的设置是否准确。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区域与围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述非显示区域设置有测试区域；所述测设区域设置有至少一个测试发光单元，所述测试发光单元包括磊晶结构以及设置在所述磊晶结构一侧的多个测试电极，各个所述测试电极通过键合金属层与所述测设区域的焊接电极连接；其中，通过检测多个所述测试发光单元的测试电阻以及与各个所述测试电阻对应的两个测试电极之间的间隔距离，获得所述测试发光单元的接触电阻。
可选地，所述测试发光单元的接触电阻为所述键合金属层与所述测试电极接触产生的第一接触电阻、所述键合金属层的电阻以及所述键合金属层与所述焊接电极接触产生的第二接触电阻之和；所述测试发光单元的测试电阻为两倍的所述接触电阻与所述磊晶结构的电阻之和。
可选地，所述测试区域内设置有N个所述测试发光单元，所述N大于1；每一个所述测试发光单元包括两个所述测试电极，且两个所述测试电极之间包括一间隔距离；在N个所述测试发光单元中，至少两个所述测试发光单元中的所述间隔距离不同。
可选地，在所述测试区域内设置一个所述测试发光单元，其中，所述测试发光单元包括多个子磊晶结构，一个所述子磊晶结构对应的电极对，所述电极对包括两个所述测试电极，两个所述测试电极之间具有一间隔距离；至少两个所述子磊晶结构的电极对对应的间隔距离不同；在所述测试发光单元中，一个所述子磊晶结构的所述测试电阻对应一个所述子磊晶结构的电阻和与所述子磊晶结构对应的两个所述接触电阻。
本申请的显示面板中，通过对于测试发光单元的接触电阻的测量，能够准确、快速地判断出键合金属层的接触电阻对整个显示面板的发光单元是否产生了影响，同时在显示面板制作过程时也能够通过对测试发光单元的接触电阻的检测，显示面板的键合金属层的设置是否准确。
附图说明
图1为本申请实施例公开的一种显示面板的结构示意图；
图2为所示其中一测试发光单元的等效电路结构示意图；
图3为本申请一实施例中如图1所示多个测试发光单元俯视结构示意图；
图4为图3所示多个测试发光单元沿着IV-IV线的剖面结构示意图；
图5为本申请另一实施例中显示面板的结构示意图；
图6为图5所示所示测试发光单元的俯视图；
图7为图5所示多个测试发光单元沿着VI-VI线的剖面结构示意图；
图8为本申请实施例显示面板的检测方法流程示意图。
附图标记说明：
10/30-显示面板；
101-显示区；
100-非显示区；
1011-像素单元；
110-测试区域；
111-测试发光单元；
1111-磊晶结构；
1112-测试电极；
20-键合金属层；
1101-焊接电极；
Rc1-第一接触电阻；
Rm-键合金属层的电阻；
Rc2-第二接触电阻；
W-磊晶结构的宽度；
111-a-第一测试发光单元；
111-b-第二测试发光单元；
111-c-第三测试发光单元；
111-d-第四测试发光单元；
L1/LA-第一间隔距离；
L2/LB-第二间隔距离；
L3/LC-第三间隔距离；
L4/LD-第四间隔距离；
1113-子磊晶结构；
111P-电极对；
S11～S14-步骤。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
目前可商业化的微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode，Micro-LED)显示面板而言，Micro-LED显示面板一般包括背板、Micro-LED芯片、以及用于连接背板和Micro-LED芯片的键合层。通过键合层来实现背板和Micro-LED芯片的导通和稳定连接，而是否导通需要根据接触电阻进行判断。然而在Micro-LED中，因为微型发光二极管晶片厚度太小，无法在键合层两端进行有效的扎针测量电阻值。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，实现在Micro-LED中测量接触电阻值，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本申请方案的详细阐述检测电路的具体电路结构以及相关检测方法的具体流程。
请参阅图1，其为本申请实施例公开的一种显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板10，其包括非显示区域100和显示区域101，其中，所述显示区域101包括多个像素单元1011，用于执行图像显示，非显示区域100环绕设置于显示区域101周围，并不用作图像显示。
非显示区域100包括测试区域110，测试区域110内设置N个测试发光单元111，其中，N为大于等于1的整数。在非显示区域100中的测试区域110中，针对测试发光单元111进行测试，以获得测试发光单元111的接触电阻R(图2)。
可以理解，所述显示面板10可用于包含诸如个人数字助理和/或音乐播放器功能的电子设备，诸如手机、平板电脑、具备无线通讯功能的可穿戴电子设备(如智能手表)等。上述电子设备也可以是其它电子装置，诸如具有触敏表面(例如触控面板)的膝上型计算机(Laptop)等。在一些实施例中，所述电子设备可以具有通信功能，即可以通过2G(第二代手机通信技术规格)、3G(第三代手机通信技术规格)、4G(第四代手机通信技术规格)、5G(第五代手机通信技术规格)或W-LAN(无线局域网)或今后可能出现的通信方式与网络建立通信。为简明起见，对此本申请实施例不做可以理解的限定。
请参阅图2，其为如图1所示其中一测试发光单元的等效电路结构示意图。如图2所示，测试发光单元111包括一个磊晶结构1111以及连接磊晶结构1111的两个间隔一定间隔距离的测试电极1112。在N个测试发光单元111，至少两个测试发光单元111中两个测试电极1112间隔的间隔距离不同。本实施例中，磊晶结构1111包括LED发光层以及多个半导体层。
每个测试电极1112通过键合金属层20与设置于基底BD的焊接电极1101连接。本实施例中，测试电极1112、键合金属层20以及焊接电极1101的材料为导电材料，三者连接固定的同时还相互呈电性导通的状态。也即是焊接电极1101、键合金属层20、测试电极1112以及磊晶结构1111形成一导电通路。
本实施例中，测试发光单元111的接触电阻R为键合金属层20与所述测试电极1112接触产生的第一接触电阻Rc1、键合金属层20本身具有的电阻Rm以及键合金属层20与焊接电极1101接触产生的第二接触电阻Rc2之和。对应地，对于任意一个测试发光单元111而言，其测试电阻Rtotal为两倍的测试发光单元111的接触电阻R与磊晶结构1111的电阻Rled之和。
请继续一并参见图3和图4，图3为本申请第一实施例中如图1所示多个测试发光单元俯视结构示意图，图4为图3所示多个测试发光单元沿着IV-IV线的剖面结构示意图。
如图3所示，每个测试发光单元111中，磊晶结构1111为矩形，其中，每个磊晶结构1111的宽度为W，连接磊晶结构1111的两个测试电极1112之间的间隔距离为L。
可以理解，磊晶结构1111的电阻Rled为两个测试电极1112之间的间隔距离L乘磊晶结构1111的片电阻Rs与宽度W的比值，也即是磊晶结构1111的电阻Rled可以表示为Rs/W*L。其中，为了便于简化磊晶结构1111的表达方式，Rs/W可以采用K来代替，其中，K可以定义为磊晶结构1111的电阻系数，其中，K为未知数。
两个焊接电极1101对应两个测试电极1112按照间隔距离设置，同时，两个焊接电极1101显露于磊晶结构1111之外。本实施例中，两个焊接电极1101位于磊晶结构1111的同一侧，当然，可变更地，在本申请其他实施例中，两个焊接电极1101可以分别设置于磊晶结构1111相对两侧或者相邻两侧。
在多个测试发光单元111中，至少两个测试发光单元111中的间隔距离不同。本实施例中，如图4所示，多个测试发光单元111包括四个测试发光单元，四个测试发光单元为依次排列设置的第一测试发光单元111-a、第二测试发光单元111-b、第三测试发光单元111-c以及第四测试发光单元111-d。
第一测试发光单元111-a中对应的两个测试电极1112间隔第一间隔距离L1；第二测试发光单元111-b中对应的两个测试电极1112间隔第二间隔距离L2；第三测试发光单元111-c中对应的两个测试电极1112间隔第三间隔距离L3；第四测试发光单元111-d中对应的两个测试电极1112间隔第四间隔距离L4；其中，第一间隔距离L1、第二间隔距离L2、第三间隔距离L3以及第四间隔距离L4各不相同。可变更地，仅需保证第一间隔距离L1、第二间隔距离L2、第三间隔距离L3以及第四间隔距离L4不完全相同即可。
针对多个测试发光单元111测试以获得测试发光单元111的测试电阻Rtotal。具体地，通过外部检测模组的检测电极分别连接测试发光单元111对应的两个显露在外的两个焊接电极1101，通过外部检测模组的电流或者电压检测电路即可获得测试发光单元111的测试电阻Rtotal，可以理解，本实施例中，测试发光单元111的测试电阻Rtotal对应一个磊晶结构1111的电阻Rled和两个接触电阻R。
请参阅图5，本申请另一实施例中显示面板30的平面结构示意图。本实施例中，显示面板30与图1所示的显示面板10的结构基本相同，区别仅在于显示面板30的测试区域110包括一个测试发光单元111。
具体地，请参阅图6和图7，图6为图5所示测试发光单元的俯视图，图7为图5所示测试发光单元沿着VI-VI线的剖面结构示意图。
如图5所示，测试区域110包括一个测试发光单元111，可以理解的，如图6-图7所示，所述一个测试发光单元111包括多个子磊晶结构1113以及多个测试电极1112。其中，一个磊晶结构1113对应一个电极对111P，一个电极对111P包括两个测试电极1112，两个测试电极1112之间具有一间隔距离L。其中，至少两个子磊晶结构1113对应的电极对111P中两个测试电极1112的间隔距离L不同。
本实施例中，一个所述子磊晶结构1113对应两个测试电极1112以及两个焊接电极1101，也即是测试电极1112的数量与焊接电极1101的数量相同且位置相互对应。每个子磊晶结构1113对应的两个焊接电极1101显露于子磊晶结构1113之外。本实施例中，两个焊接电极1101位于子磊晶结构1113的同一侧，当然，可变更地，在本申请其他实施例中，两个焊接电极1101可以分别设置于子磊晶结构1113相对两侧或者相邻两侧。
每个测试发光单元111中，子磊晶结构1113为矩形结构，其中，每个子磊晶结构1113的宽度为W，其中，连接子磊晶结构1113的两个测试电极1112间隔的间隔距离为L。对应地，在每个测试发光单元111中，一个子磊晶结构1113的测试电阻Rtotal对应一个子磊晶结构1113的电阻Rled和与子磊晶结构1113对应的两个接触电阻R。
可以理解，子磊晶结构1113的电阻Rled为两个测试电极1112之间的间隔距离乘以子磊晶结构1113的片电阻Rs与宽度W的比值，也即是子磊晶结构1113的电阻Rled可以表示为Rs/W*L。其中，为了便于简化子磊晶结构1113的表达方式，Rs/W可以采用K来代替，其中，K可以定义为磊晶结构的电阻系数，其中，K为未知数。
本实施例中，如图6与图7所示，测试发光单元111包括四个测试发光单元，四个测试发光单元为依次排列设置的第一测试发光单元111-a、第二测试发光单元111-b、第三测试发光单元111-c以及第四测试发光单元111-d。
第一测试发光单元111-a中对应包括第一子磊晶结构1113-a与两个间隔第一间隔距离LA的测试电极对111P；第二测试发光单元111-b中对应包括第二子磊晶结构1113-b与两个间隔第二间隔距离LB的测试电极对111P；第三测试发光单元111-c中对应包括第三子磊晶结构1113-c与两个间隔第三间隔距离LC的测试电极对111P；第四测试发光单元111-d中对应包括第四子磊晶结构1113-d与两个间隔第四间隔距离LD的测试电极对111P。
其中，第一间隔距离LA、第二间隔距离LB、第三间隔距离LC以及第四间隔距离LD各不相同。可变更地，仅需保证第一间隔距离LA、第二间隔距离LB、第三间隔距离LC以及第四间隔距离LD不完全相同即可。
其中，针对一个测试发光单元111的测试电阻Rtotal进行测试时，具体地可通过外部检测模组的检测电极分别连接测试发光单元111的两个显露在外的两个焊接电极1101，通过外部检测模组的电流或者电压检测电路即可获得一个子磊晶结构1113对应的测试电阻Rtotal，可以理解，该测试电阻Rtotal包括一个子磊晶结构1113的电阻和一个电极对111P中两个测试电极1112对应的两个接触电阻R。
请参阅图8，其为本申请实施例显示面板的检测方法流程示意图，也即是通过图1-图7所述的测试发光单元111检测键合金属层20引入的接触电阻R的检测方法的流程示意图，现在结合图1-图8具体说明键合金属层20引入的接触电阻R的检测方法的步骤。
如图7所示，显示面板的检测方法包括步骤：
步骤S11、提供图1所示的显示面板10或者图5所示的显示面板30，其中，如图1或者图5所示，所述显示面板10、30包括显示区域101与围绕所述显示区域101设置的非显示区域100，所述非显示区域100设置有测试区域110。
步骤S12、在测设区域110设置至少一个测试发光单元111，所述测试发光单元111包括磊晶结构1111以及设置在所述磊晶结构1111一侧的多个测试电极1112，各个所述测试电极1112通过键合金属层20与所述测设区域110的焊接电极1101连接。
具体地，如图3-图4所示，所述测设区域110内设置N个所述测试发光单元111；或者，如图6-图7所示，在所述测试区域110内设置一个所述测试发光单元111，其中，测试发光单元111的具体结构可以参阅图3-图7的文字描述，本实施例不再赘述。
步骤S13、获取多个所述测试发光单元111的测试电阻Rtotal，以及与各个所述测试电阻Rtotal对应的两个测试电极间隔的间隔距离。
具体地，通过针对外部检测模组连接每个测试发光单元111中的两个焊接电极1101，即可获得每个测试发光单元111的测试电阻Rtotal。每一个测试发光单元111中两个测试电极1112的间隔距离L可以通过在设置过程中预先获得，当然，两个测试电极1112的间隔距离L也可以通过长度检测工具直接量测而获得。
对应图3-图4所示的测设区域110内设置N个所述测试发光单元111的情况，可以针对第一测试发光单元111-a、第二测试发光单元111-b中两个焊接电极1101分别进行检测，即可确定第一测试发光单元111-a的第一测试电阻Rtotal1、第二测试发光单元111-b的第二测试电阻Rtotal2。同时，第一测试发光单元111-a、第二测试发光单元111-b中两个测试电极1112间隔第一间隔距离L1、第二间隔距离L2进行检测，从而获得该两个测试发光单元111-a、111-b中两个测试电极间隔的间隔距离L1、L2。
当然，也可以选择针对第三测试发光单元111-c、第四测试发光单元111-d作为检测对象，对其测试电阻Rtotal以及两个测试电极1112的间隔距离L进行检测，也即是仅需在多个测试发光单元111中选择至少两个测试发光单元111进行检测即可，并不以前述举例的第一测试发光单元111-a以及第二测试发光单元111-b为限。
对应图6-图7所示的测设区域110内设置一个所述测试发光单元111的情况，可以针对第一测试发光单元111-a、第二测试发光单元111-b中两个焊接电极1101分别进行检测，即可确定第一测试发光单元111-a的第一测试电阻RtotalA、第二测试发光单元111-b的第二测试电阻RtotalB。同时，针对第一测试发光单元111-a、第二测试发光单元111-b中两个测试电极1112间隔第一间隔距离LA、第二间隔距离LB进行检测，从而获得该两个测试发光单元111中子磊晶结构1113-a、1111-b对应的两个测试电极间隔的间隔距离。
当然，也可以选择针对第三测试发光单元111-c、第四测试发光单元111-d作为检测对象，对其测试电阻Rtotal以及两个测试电极1112的间隔距离L进行检测，也即是仅需在多个测试发光单元111中选择至少两个测试发光单元111进行检测即可，并不以前述举例的第一测试发光单元111-a以及第二测试发光单元111-b为限。
步骤S14、根据所述测试电阻Rtotal以及与之对应的间隔距离，获得所述测试发光单元111的接触电阻R。
对应图3-图4所示的测设区域110内设置N个所述测试发光单元111的情况，根据所述测试电阻Rtotal以及与之对应的所述磊晶结构1111的两个测试电极1112之间的间隔距离，获得所述测试发光单元的接触电阻R包括：
获得第一测试发光单元111-a对应的第一测试电阻Rtotal1，其中，第一测试电阻Rtotal1可以表示为：Rtotal1＝K*L1+2*R (1)。
获得第二测试发光单元111-b对应的第二测试电阻Rtotal2，其中，第二测试电阻Rtotal2可以表示为：Rtotal2＝K*L2+2*R (2)。
K*L1为第一测试发光单元111-a的磊晶结构1111的电阻，K*L2为第二测试发光单元111-b的磊晶结构1111的电阻。
L1为所述第一测试发光单元111-a中两个相邻的所述测试电极1112之间的第一间隔距离；L2为所述第二测试发光单元111-b中两个相邻的所述测试电极1112之间的第二间隔距离，L1不同于L2。
本实施例中，第一测试电阻Rtotal1、第二测试电阻Rtotal2、第一间隔距离L1以及第二间隔距离L2均可以通过检测而获得，由于K与R均为未知数，通过等式(1)-(2)的等式换算即可计算获得K与R。
例如，将等式(1)与等式(2)相减，获得K＝(Rtotal2-Rtotal1)/(L2-L1)，将K带入等式(1)，得到接触电阻R满足等式：
R＝(Rtotal1-K*L1)/2。
将K带入R的等式中，即可得到：
R＝(Rtotal1-(Rtotal2-Rtotal1)/(L2-L1)*L1)/2。
可见，通过两个测试发光单元111的测试电阻以及两个测试电极1112的间隔距离的检测即可获得测试发光单元111的接触电阻R。
可变更地，将K带入等式(2)，得到接触电阻R满足等式：
R＝(Rtotal2-K*L2)/2。
将K带入R的等式中，即可得到：
R＝(Rtotal2-(Rtotal2-Rtotal1)/(L2-L1)*L2)/2。
对应图6-图7所示的测设区域110内设置一个所述测试发光单元111的情况，所述根据所述测试电阻Rtotal以及与之对应的所述磊晶结构1111的电阻，获得所述测试发光单元的接触电阻R包括：
获得第一测试发光单元对应的第一测试电阻RtotalA；获得第二测试发光单元对应的第二测试电阻RtotalB。本实施例中，所述第一测试发光单元为第i测试电极、第i+1测试电极以及第i测试电极与第i+1测试电极之间的子磊晶结构1113构成的测试发光单元。所述第二测试发光单元为第j测试电极、第j+1测试电极以及第j测试电极与第j测试电极之间的子磊晶结构1113构成的测试发光单元；1≤i≤M，1≤j≤M，且i与j为不相同的整数。
在本实施例中，i为1，j为2时，第一测试发光单元111-a为第一测试电极、第二测试电极以及第一测试电极与第二测试电极之间的第一子磊晶结构1113-a构成的测试发光单元。第二测试发光单元111-b为第二测试电极、第三测试电极以及第二测试电极与第三测试电极之间的第二子磊晶结构1113-b构成的测试发光单元。当然，i、j可以依据需求进行取值，仅需保证二者不同即可，并不以此举例为限。
针对第一测试发光单元111-a、第二测试发光单元111-b中两个测试电极1112间隔第一间隔距离LA、第二间隔距离LB进行检测，从而获得该两个测试发光单元111中子磊晶结构1113-a、1111-b对应的两个测试电极间隔的间隔距离。
本实施例中，第一测试电阻RtotalA与第二测试电阻RtotalB可以分别表示为：
RtotalA＝K*LA+2*R (3)；
RtotalB＝K*LB+2*R (4)。
K*LA为第一测试发光单元111-a的子磊晶结构1113-a的电阻，K*LB为第二测试发光单元111-b的子磊晶结构1113-b的电阻。
LA为所述第一测试发光单元111-a中两个相邻的所述测试电极1112构成的电极对111P之间的第一间隔距离；LB为所述第二测试发光单元111-b中两个相邻的所述测试电极1112构成的电极对111P之间的第二间隔距离，LA不同于LB。
本实施例中，第一测试电阻RtotalA、第二测试电阻RtotalB、第一间隔距离LA以及第二间隔距离LB均可以通过检测而获得，由于K与R均为未知数，通过等式(3)-(4)的等式换算即可计算获得K与R。
例如，将等式(3)与等式(4)相减，获得K＝(RtotalB-RtotalA)/(LB-LA)，将K带入等式(3)，得到接触电阻R满足等式：
R＝(RtotalA-K*LA)/2。
将K带入R的等式中，即可得到：
R＝(RtotalA-(RtotalB-RtotalA)/(LB-LA)*LA)/2。
可见，通过两个测试发光单元111的测试电阻Rtotal以及两个测试电极1112的间隔距离L的检测即可获得测试发光单元111的接触电阻R。
可变更地，将K带入等式(4)，得到接触电阻R满足等式：
R＝(RtotalB-K*LB)/2。
将K带入R的等式中，即可得到：
R＝(RtotalB-(RtotalB-RtotalA)/(LB-LA)*LB)/2。
综上可知，本申请中通过针对测试发光单元111中键合金属层20接触的电阻的检测，也即是通过测量测试电极1112之间的距离与测试电阻Rtotal计算出接触电阻R，从而能够准确、方便以及快速地根据接触电阻R判断键合金属层20是否对于整个显示面板10中像素单元是否造成影响，同时，当显示面板10生产时，通过监测接触电阻R，从而判断显示面板10中键合金属层20是否连接正常，例如是否能够准确判断出键合金属20是否有缺料、溢料的问题。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种显示面板的检测方法，其特征在于，包括：
提供一显示面板，所述显示面板包括显示区域与围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述非显示区域设置有测试区域；
在所述测设区域设置至少一个测试发光单元，所述测试发光单元包括磊晶结构以及设置在所述磊晶结构的一侧的多个测试电极，各个所述测试电极通过键合金属层与所述测设区域的焊接电极连接；
获取多个所述测试发光单元的测试电阻，以及与各个所述测试电阻对应的两个所述测试电极之间的间隔距离；
根据所述测试电阻以及与之对应的所述间隔距离，获得所述测试发光单元的接触电阻。
2.根据权利要求1所述的显示面板的检测方法，其特征在于，
所述测试发光单元的接触电阻为所述键合金属层与所述测试电极接触产生的第一接触电阻、所述键合金属层的电阻以及所述键合金属层与所述焊接电极接触产生的第二接触电阻之和；
所述测试发光单元的测试电阻包括两倍的所述接触电阻与所述磊晶结构的电阻之和。
3.根据权利要求2所述的显示面板的检测方法，其特征在于，
所述测试区域内设置N个所述测试发光单元，所述N大于1；
每一个所述测试发光单元包括两个所述测试电极，且两个所述测试电极之间包括一间隔距离；
在N个所述测试发光单元中，至少两个所述测试发光单元中的所述间隔距离不同。
4.根据权利要求3所述的显示面板的检测方法，其特征在于，所述测试发光单元的接触电阻R满足以下条件：
R＝(Rtotal1-K*L1)/2，其中，K＝(Rtotal2-Rtotal1)/(L2-L1)；
Rtotal1为第一测试发光单元对应的第一测试电阻；Rtotal2第二测试发光单元对应的第二测试电阻；所述K为所述磊晶结构的电阻系数；
L1为所述第一测试发光单元中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离；
L2为所述第二测试发光单元中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离，所述L1与所述L2不相同。
5.根据权利要求2所述的显示面板的检测方法，其特征在于，
在所述测试区域内设置一个所述测试发光单元，其中，所述测试发光单元包括多个子磊晶结构，一个所述子磊晶结构对应一个电极对，所述电极对包括两个所述测试电极，两个所述测试电极之间具有一间隔距离；
至少两个所述子磊晶结构的电极对对应的间隔距离不同。
6.根据权利要求5所述的显示面板的检测方法，其特征在于，
在所述测试发光单元中，一个所述子磊晶结构的所述测试电阻对应一个所述子磊晶结构的电阻和与所述子磊晶结构对应的两个所述接触电阻。
7.根据权利要求6所述的显示面板的检测方法，其特征在于，
所述子磊晶结构对应的接触电阻R满足以下条件：
R＝(RtotalA-K*LA)/2，其中，K＝(RtotalB-RtotalA)/(LA-LB)；
RtotalA为第一子磊晶结构对应的第一测试电阻；RtotalB为第二子磊晶结构对应的第二测试电阻；所述K为所述磊晶结构的电阻系数；
LA为所述第一子磊晶结构中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离；LB为所述第二子磊晶结构中两个相邻的所述测试电极之间的间隔距离，所述LA与所述LB不相同。
8.一种显示面板，其特征在于，
所述显示面板包括显示区域与围绕所述显示区域设置的非显示区域，所述非显示区域设置有测试区域；
所述测设区域设置有至少一个测试发光单元，所述测试发光单元包括磊晶结构以及设置在所述磊晶结构一侧的多个测试电极，各个所述测试电极通过键合金属层与所述测设区域的焊接电极连接；
其中，通过检测多个所述测试发光单元的测试电阻以及与各个所述测试电阻对应的两个测试电极之间的间隔距离，获得所述测试发光单元的接触电阻。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
所述测试发光单元的接触电阻为所述键合金属层与所述测试电极接触产生的第一接触电阻、所述键合金属层的电阻以及所述键合金属层与所述焊接电极接触产生的第二接触电阻之和；
所述测试发光单元的测试电阻为两倍的所述接触电阻与所述磊晶结构的电阻之和。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，
所述测试区域内设置有N个所述测试发光单元，所述N大于1；
每一个所述测试发光单元包括两个所述测试电极，且两个所述测试电极之间包括一间隔距离；
在N个所述测试发光单元中，至少两个所述测试发光单元中的所述间隔距离不同。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，
在所述测试区域内设置一个所述测试发光单元，其中，所述测试发光单元包括多个子磊晶结构，一个所述子磊晶结构对应的电极对，所述电极对包括两个所述测试电极，两个所述测试电极之间具有一间隔距离；
至少两个所述子磊晶结构的电极对对应的间隔距离不同；
在所述测试发光单元中，一个所述子磊晶结构的所述测试电阻对应一个所述子磊晶结构的电阻和与所述子磊晶结构对应的两个所述接触电阻。
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