CN113437238A - 一种显示基板、显示装置及制作方法 - Google Patents

一种显示基板、显示装置及制作方法 Download PDF

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CN113437238A CN202110704370.3A CN202110704370A CN113437238A CN 113437238 A CN113437238 A CN 113437238A CN 202110704370 A CN202110704370 A CN 202110704370A CN 113437238 A CN113437238 A CN 113437238A
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Abstract

本申请的一个实施例公开了一种显示基板、显示装置及制作方法,显示基板包括衬底,依次层叠设置在衬底上的驱动电路层、发光器件层和封装层,显示基板包括阵列排布的像素单元,每个像素单元的发光器件层包括发光器件,每个像素单元的驱动电路层包括驱动发光器件的驱动电路部、以及与驱动电路部并置的光补偿部,驱动电路部,包括薄膜晶体管;光补偿部,包括至少两个与薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,至少两个光补偿膜层形成第一凹面镜结构,包括凹面开口区,其在衬底上的正投影与发光器件的发光开口区在衬底上的正投影重合。本实施例能够解决现有技术中存在的色偏和串色问题。

Description

一种显示基板、显示装置及制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板、显示装置及制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示装置由于具有全固态结构、自发光、响应速度快、亮度高、全视角、可柔性显示等一系列优点,因而成为目前极具竞争力和良好发展前景的一类显示装置。
然而,OLED顶发射结构中存在颜色偏移的现象、以及串色问题,严重影响视觉效果。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种显示基板、显示装置及制作方法。
第一方面,本申请提供一种显示基板,该基板包括衬底,依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层、发光器件层和封装层,所述显示基板包括阵列排布的像素单元,每个像素单元的发光器件层包括发光器件,所述发光器件包括阳极、像素界定层、设置在由所述像素界定层限定的发光开口区中的发光材料、以及阴极,其特征在于,每个像素单元的驱动电路层包括驱动所述发光器件的驱动电路部、以及与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中
所述驱动电路部,包括薄膜晶体管;
所述光补偿部,包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
在一个具体实施例中,所述薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底上的遮光金属、栅极、源极和漏级;
所述光补偿部包括与所述遮光金属同层设置的第一金属膜层、与所述栅极同层设置的第二金属膜层、以及与所述源极和漏级同层设置的第三金属膜层,其中:
所述第一金属膜层包括第一开口区,所述第一开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第一子结构;
所述第二金属膜层包括贯通其的第二开口区,所述第二开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第二子结构;
所述第三金属膜层包括贯通其的第三开口区,所述第三开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第二开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第三子结构;
所述第一开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积,所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第三开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第三开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
在一个具体实施例中,所述光补偿部包括依次层叠设置在所述衬底上的所述第一金属膜层、覆盖所述第一金属膜层和露出衬底的第一缓冲层、设置在所述第一缓冲层上的所述第二金属膜层、覆盖所述第二金属膜层和露出第一缓冲层的第一层间绝缘层、设置在所述第一层间绝缘层上的所述第三金属膜层、覆盖所述第三金属膜层和露出第一层间绝缘层的第一无机层、以及覆盖所述第一无机层的第一平坦化层。
在一个具体实施例中,所述薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底上的栅极、以及源极和漏级;
所述光补偿部包括与所述栅极同层设置的第四金属膜层、以及与所述源极和漏级同层设置的第五金属膜层,其中:
所述第四金属膜层包括第四开口区,所述第四开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第四子结构;
所述第五金属膜层包括贯通其的第五开口区,所述第五开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第四开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第五子结构;
所述第四开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第五开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第五开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
在一个具体实施例中,所述光补偿部包括依次层叠设置在所述衬底上的第二缓冲层、设置在所述第二缓冲层上的所述第四金属膜层、覆盖所述第四金属膜层和露出第二缓冲层的第二层间绝缘层、设置在所述第二层间绝缘层上的所述第五金属膜层、覆盖所述第五金属膜层和露出第二层间绝缘层的第二无机层、以及覆盖所述第二无机层的第二平坦化层。
在一个具体实施例中,所述第一凹面镜结构的曲率半径与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例关系。
在一个具体实施例中,所述发光器件相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成第二凹面镜结构,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
第二方面,本申请提供一种显示装置,包括如第一方面所述的显示基板。
第三方面,本申请提供一种制作如第一方面所述的显示基板的方法,所述显示基板包括阵列排布的像素单元,每个像素单元包括发光器件,所述发光器件包括阳极、像素界定层、设置在由所述像素界定层限定的发光开口区中的发光材料、以及阴极,该方法包括:
在衬底上形成驱动电路层,包括形成每个像素单元的驱动电路部和与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中,所述驱动电路部包括驱动所述发光器件的薄膜晶体管,所述光补偿部包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区;
在所述驱动电路层上形成发光器件层,包括形成每个像素单元的发光器件,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合;
在所述发光器件层上形成封装层。
在一个具体实施例中,所述在衬底上形成驱动电路层进一步包括:
在所述衬底上形成同层设置的所述驱动电路部的遮光金属和所述光补偿部的第一金属膜层,所述第一金属膜层包括第一开口区,所述第一开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第一子结构;
在所述遮光金属、第一金属膜层和露出的衬底上形成第一缓冲层;
在所述第一缓冲层上形成同层设置的所述驱动电路部的栅极和所述光补偿部的第二金属膜层,所述第二金属膜层包括贯通其的第二开口区,所述第二开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第二子结构;
在所述栅极、第二金属膜层和露出的第一缓冲层上形成第一层间绝缘层;
在所述第一层间绝缘层上形成同层设置的所述驱动电路部的源极和漏级、以及所述光补偿部的第三金属膜层,所述第三金属膜层包括贯通其的第三开口区,所述第三开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第二开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第三子结构;
在所述源极和漏级、第三金属膜层和露出的第一层间绝缘上形成第一无机层;
在所述第一无机层上形成第一平坦化层;
其中,所述第一开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积,所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第三开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第三开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合;
或者
在所述衬底上形成第二缓冲层;
在所述第二缓冲层上形成同层设置的所述驱动电路部的栅极和所述光补偿部的第四金属膜层,所述第四金属膜层包括第四开口区,所述第四开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第四子结构;
在所述栅极、第四金属膜层和露出的第二缓冲层上形成第二层间绝缘层;
在所述第二层间绝缘层上形成同层设置的所述驱动电路部的源极和漏级、以及所述光补偿部的第五金属膜层,所述第五金属膜层包括贯通其的第五开口区,所述第五开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第四开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第五子结构;
在所述源极和漏级、第五金属膜层和露出的第二层间绝缘上形成第二无机层;
在所述第二无机层上形成第二平坦化层;
其中,所述第四开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第五开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第五开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
在一个具体实施例中,所述在衬底上形成驱动电路层还包括:图案化所述第一凹面镜结构以形成与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例关系的曲率半径。
在一个具体实施例中,所述在所述驱动电路层上形成发光器件层进一步包括:在所述驱动电路层上相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成具有第二凹面镜结构的发光器件层,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
本申请的有益效果如下:
本申请针对目前现有的问题,制定一种显示基板,显示装置及制作方法,通过在驱动电路层上设置与驱动电路部并置的具有凹面镜结构的光补偿部,将发光器件出射的且射入光补偿部的光线被凹面镜结构汇聚以形成聚光效应,能够降低光线散射损失、减少因像素界定层吸光特性引起的光线损失,有效提高显示基板的发光效率,从而弥补了现有技术中存在的问题,能够改善现有技术中存在的色偏和串色问题,具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出本申请的一个实施例显示基板的结构示意图;
图2示出根据本申请的一个实施例的第一凹面镜结构的示意图;
图3示出本申请的一个实施例显示基板的结构示意图;
图4示出根据本申请的一个实施例的显示基板的制作流程图;
图5a-5g示出根据本申请的一个实施例的显示基板的驱动电路层的制作示意图;
图6示出根据本申请的一个实施例的显示基板的结构示意图;
图7示出本申请的又一个实施例显示基板的结构示意图;
图8示出根据本申请的又一个实施例的第一凹面镜结构的示意图;
图9示出本申请的一个实施例显示基板的结构示意图;
图10a-10f示出根据本申请的又一个实施例的显示基板的驱动电路层的制作示意图;
图11示出根据本申请的又一个实施例的显示基板的结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本申请,下面结合优选实施例和附图对本申请做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本申请的保护范围。
需要说明的是,本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上,也可以表示一层间接形成或设置在另一层上,即两层之间还存在其它的层。在本文中,除非另有说明,所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成,并且,这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中,除非另有说明,表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
当前,显示装置正以日益多样化和新颖的形式出现在显示市场和大众的日常生活中,例如,正在向超高分辨率发展的液晶显示(LCD)装置、目前广泛用于手机、平板电脑Pad等便携设备的中小尺寸有机发光显示(OLED)装置、以及日趋成熟的用于电视TV的大尺寸OLED显示装置。与此同时,随着信息社会的发展,新颖的显示技术如透明显示装置等获得了良好的用户体验,具有广阔的市场前景。其中,顶发射结构具有发光面积大,亮度高,功耗低的特点;。然而,对于大尺寸OLED显示器的顶发射结构来说,容易存在色点偏移和串色的问题,从而严重影响视觉效果。
为此,本申请的一个实施例提供了一种显示基板,该显示基板包括:
衬底,依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层、发光器件层和封装层,所述显示基板包括阵列排布的像素单元,每个像素单元的发光器件层包括发光器件,所述发光器件包括阳极、像素界定层、设置在由所述像素界定层限定的发光开口区中的发光材料、以及阴极,其特征在于,每个像素单元的驱动电路层包括驱动所述发光器件的驱动电路部、以及与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中
所述驱动电路部,包括薄膜晶体管;
所述光补偿部,包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
本实施例中,通过在驱动电路层上设置与驱动电路部并置的具有凹面镜结构的光补偿部,将发光器件出射的且射入光补偿部的光线被凹面镜结构汇聚以形成聚光效应,能够降低光线散射损失、减少因像素界定层吸光特性引起的光线损失,有效提高显示基板的发光效率,从而弥补了现有技术中存在的问题,能够改善现有技术中存在的色偏和串色问题,具有广泛的应用前景。
在一个具体的实施例中,如图1所示,每个像素单元的驱动电路层包括驱动所述发光器件的驱动电路部20、以及与所述驱动电路部并置的光补偿部30,其中,驱动电路部20包括薄膜晶体管,具体的,包括层叠设置在所述衬底10上的遮光金属200、栅极202、源极和漏极204;所述光补偿部30包括与所述遮光金属200同层设置的第一金属膜层300、与所述栅极同层设置的第二金属膜层302、以及与所述源极和漏极204同层设置的第三金属膜层304。
其中,如图2所示,所述第一金属膜层300包括第一开口区k1,所述第一开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第一子结构。具体的,在制作第一金属膜层300的图案化工艺时,形成第一凹面镜结构的底部区域,即形成凹面镜的凹面底部结构。
所述第二金属膜层302包括贯通其的第二开口区k2,所述第二开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第二子结构。具体的,在制作第二金属膜层302的图案化工艺时,形成第一凹面镜结构的中间区域,即形成凹面镜的中间区域的镜壁。
所述第三金属膜层304包括贯通其的第三开口区k3,所述第三开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第二开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第三子结构。具体的,在制作第三金属膜层304的图案化工艺时,形成第一凹面镜结构的顶部区域,即形成凹面镜的顶部区域的镜壁。
在本实施例中,参见图2,所述第一开口区k1在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第二开口区k2在所述衬底上正投影的投影面积,所述第二开口区k2在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第三开口区k3在所述衬底上正投影的投影面积;换句话说,第一开口区k1、第二开口区k2和第三开口区k3为同轴开口区。同时,所述第三开口区k3在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合,即最大范围地汇聚发光器件出射的光线。
在一个具体示例中,如图3所示,所述光补偿部30包括依次层叠设置在所述衬底10上的所述第一金属膜层300、覆盖所述第一金属膜层300和露出衬底10的第一缓冲层301、设置在所述第一缓冲层上的栅绝缘层303、设置在所述栅绝缘层303上的第二金属膜层302、覆盖所述第二金属膜层和露出所述栅绝缘层303的第一层间绝缘层305、设置在所述第一层间绝缘层上的所述第三金属膜层304、覆盖所述第三金属膜层304和露出第一层间绝缘层305的第一无机层306、以及覆盖所述第一无机层的第一平坦化层307。
下面以制作该实施例的显示基板为例进行说明,具体的制作过程如图4所示,包括:
S10、在衬底上形成驱动电路层,包括形成每个像素单元的驱动电路部和与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中,所述驱动电路部包括驱动所述发光器件的薄膜晶体管,所述光补偿部包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区。
在一个具体实施例中,如图5a-5g所示,所述在衬底10上形成驱动电路层进一步包括:
如图5a所示,在所述衬底10上形成同层设置的所述驱动电路部的遮光金属200和所述光补偿部的第一金属膜层,所述第一金属膜层包括第一开口区,所述第一开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第一子结构。
在本实施例中,通过图案化的工艺在形成驱动电路部的遮光金属的同时形成所述光补偿部的第一金属膜层,所述第一金属膜层包括3001和3002,所述第一金属膜层的第一开口区为第一凹面镜结构的底部区域,即形成凹面镜的凹面底部结构。
如图5b所示,在所述遮光金属200、第一金属膜层和露出的衬底10上形成第一缓冲层301。
在本实施例中,形成覆盖所述遮光金属200、第一金属膜层和露出的衬底10上的第一缓冲层301。
如图5c所示,在所述第一缓冲层301上形成有源区206,在所述有源区206和露出的第一缓冲层301上形成栅绝缘层303。
在本实施例中,通过图案化的工艺在第一缓冲层301上形成有源区206,进一步形成覆盖所述有源区206和露出的第一缓冲层301上形成栅绝缘层303。
如图5d所示,在所述栅绝缘层303上形成同层设置的所述驱动电路部的栅极202和所述光补偿部的第二金属膜层,所述第二金属膜层包括贯通其的第二开口区,所述第二开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第二子结构。
在本实施例中,通过图案化的工艺在形成驱动电路部的栅极202的同时形成所述光补偿部的第二金属膜层,所述第二金属膜层包括3021和3022,所述第二金属膜层的第二开口区为第一凹面镜结构的中间区域,即形成凹面镜的中间区域的镜壁。
如图5e所示,在所述栅极202、第二金属膜层和露出的栅绝缘层303上形成第一层间绝缘层305。
在本实施例中,形成覆盖所述栅极202、第二金属膜层和露出的栅绝缘层303上的第一层间绝缘层305。
如图5f所示,在所述第一层间绝缘层305上形成同层设置的所述驱动电路部的源极和漏极204、以及所述光补偿部的第三金属膜层,所述第三金属膜层包括贯通其的第三开口区,所述第三开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第三子结构。
在本实施例中,通过图案化的工艺在形成驱动电路部的源极和漏极的同时形成所述光补偿部的第三金属膜层,所述第三金属膜层包括3041和3042,所述第三金属膜层的第三开口区为第一凹面镜结构的顶部区域,即形成凹面镜的顶部区域的镜壁。
如图5g所示,在所述源极和漏极204、第三金属膜层和露出的第一层间绝缘层305上形成第一无机层306;在所述第一无机层上形成第一平坦化层307。
在本实施例中,首先形成覆盖所述源极和漏极、第三金属膜层和露出的第一层间绝缘上的第一无机层;然后形成覆盖第一无机层的第一平坦化层,该第一平坦化层采用resin树脂,由于resin具有平坦化跟随性,即平坦后的形貌仍然类似下层图案的形貌,同时resin树脂能够进一步对该形貌进行修饰,使得光补偿部更加圆润,从而避免因光补偿部的各金属膜层的形貌、落差导致发光器件的阳极或阴极出现断裂等问题。
在本实施例中,所述第一开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积,所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第三开口区在所述衬底上正投影的投影面积,即第一开口区、第二开口区和第三开口区为同轴开口区。
S20、在所述驱动电路层上形成发光器件层,包括形成每个像素单元的发光器件,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
在本实施例中,所述第三开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合,即最大范围地汇聚发光器件出射的光线。
具体的,发光器件层的制作方法还包括阳极图形化、像素界定层PDL制作、发光材料层制作和阴极制作等步骤,如图6所示,显示基板还包括阳极40和像素界定层50,像素界定层50限定出发光开口区。所述第一凹面镜的曲率半径与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例关系。
在一个具体示例中,假设发光开口区的边长分别为a,b,其中,a≤b。曲率半径与发光开口区边长满足r≥b/2,且发光开口区边缘距离第一凹面镜结构的球面最低点s的距离h小于等于r,以满足最大发光面积,其中,如图6所示,h为发光开口区边缘到球面最低点s的距离,即从发光开口区边缘位置到凹面镜结构的介质层上阳极层的距离,所述介质层包括第一缓冲层301、栅绝缘层303、第一层间绝缘层305、第一无机层306和第一平坦化层307。
为进一步提高第一凹面镜结构的聚光性能,根据所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积确定第一凹面镜结构的最佳曲率半径。
当第一凹面镜的曲率半径不符合最佳曲率半径时,在一个可选的实施例中,所述在衬底上形成驱动电路层还包括:图案化所述第一凹面镜结构以形成与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例关系的曲率半径具体的,可以通过对图1中第一凹面镜结构进行再次刻蚀,具体的,对第一凹面镜结构内的第一缓冲层、栅绝缘层、第一层间绝缘层、第一无机层和第一平坦化层进行刻蚀,从而达到最佳曲率半径。
S30、在所述发光器件层上形成封装层。
至此,完成显示基板的制作。
考虑到由于第一平坦化层的resin树脂具有平坦化跟随性,平坦后的形貌仍然类似下层图案的形貌,在一个可选的实施例中,所述发光器件相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成第二凹面镜结构,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
在本实施例中,由于第二凹面镜结构基于第一凹面镜结构形成,并且发光器件包括多个膜层,因此发光器件形成的第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
值得说明的是,考虑到封装层的制作过程,本领域技术人员应当理解,在制作封装层之前还包括形成在所述发光器件层和封装层之间的第三平坦化层,以平坦化所述发光器件的第二凹面镜结构,从而便于制作封装层。
在具体的制作方法中,所述在所述驱动电路层上形成发光器件层进一步包括:在所述驱动电路层上相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成具有第二凹面镜结构的发光器件层,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
本实施例通过在驱动电路层上设置与驱动电路部并置的具有凹面镜结构的光补偿部,将发光器件出射的且射入光补偿部的光线被凹面镜结构汇聚以形成聚光效应,能够降低光线散射损失、减少因像素界定层吸光特性引起的光线损失,有效提高显示基板的发光效率,从而弥补了现有技术中存在的问题,能够改善现有技术中存在的色偏和串色问题,具有广泛的应用前景。
在一个可选的实施例中,如图7所示,薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底上的栅极202、以及源极和漏极204。所述光补偿部包括与所述栅极同层设置的第四金属膜层302、以及与所述源极和漏极同层设置的第五金属膜层305。
其中,如图8所示,所述第四金属膜层包括第四开口区k4,所述第四开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第四子结构。具体的,在制作第四金属膜层302的图案化工艺时,形成第一凹面镜结构的底部区域,即形成凹面镜的凹面底部结构。
所述第五金属膜层包括贯通其的第五开口区k5,所述第五开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第四开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第五子结构。具体的,在制作第五金属膜层304的图案化工艺时,形成第一凹面镜结构的顶部区域,即形成凹面镜的顶部区域的镜壁。
在本实施例中,参见图8,所述第四开口区k4在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第五开口区k5在所述衬底上正投影的投影面积,换句话说,第四开口区k4和第五开口区k5为同轴开口区。同时,所述第五开口区k5在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合,即最大范围地汇聚发光器件出射的光线。
在一个具体示例中,如图9所示,所述光补偿部30包括依次层叠设置在所述衬底10上的第二缓冲层301、设置在所述第二缓冲层上的栅绝缘层303、设置在所述栅绝缘层303上的第四金属膜层302、覆盖所述第四金属膜层和露出所述栅绝缘层303的第二层间绝缘层305、设置在所述第二层间绝缘层上的所述第五金属膜层304、覆盖所述第五金属膜层304和露出第二层间绝缘层305的第二无机层306、以及覆盖所述第二无机层的第二平坦化层307。
下面以制作该实施例的下面以制作该实施例的显示基板为例进行说明,具体的制作过程如图4所示,包括:
S10、在衬底上形成驱动电路层,包括形成每个像素单元的驱动电路部和与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中,所述驱动电路部包括驱动所述发光器件的薄膜晶体管,所述光补偿部包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区。
在一个具体实施例中,如图10a-10f所示,所述在衬底10上形成驱动电路层进一步包括:
如图10a所示,在所述衬底10上形成第二缓冲层301。在本实施例中,形成覆盖所述衬底10的第二缓冲层301。
如图10b所示,在所述第二缓冲层301上形成有源区206,在所述有源区206和露出的第二缓冲层301上形成栅绝缘层303。
在本实施例中,通过图案化的工艺在第二缓冲层301上形成有源区206,进一步形成覆盖所述有源区206和露出的第二缓冲层301上形成栅绝缘层303。
如图10c所示,在所述栅绝缘层303上形成同层设置的所述驱动电路部的栅极204和所述光补偿部的第四金属膜层,所述第四金属膜层包括贯通其的第四开口区,所述第四开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第四开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第四子结构。
在本实施例中,通过图案化的工艺在形成驱动电路部的栅极204的同时形成所述光补偿部的第二金属膜层,所述第二金属膜层包括3021和3022,所述第二金属膜层的第二开口区为第一凹面镜结构的中间区域,即形成凹面镜的底部区域的镜壁。
如图10d所示,在所述栅极202、第四金属膜层和露出的栅绝缘层303上形成第二层间绝缘层305。
在本实施例中,形成覆盖所述栅极202、第四金属膜层和露出的栅绝缘层303上的第二层间绝缘层305。
如图10e所示,在所述第二层间绝缘层305上形成同层设置的所述驱动电路部的源极和漏极204、以及所述光补偿部的第五金属膜层,所述第五金属膜层包括贯通其的第五开口区,所述第五开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第五子结构。
在本实施例中,通过图案化的工艺在形成驱动电路部的源极和漏极204的同时形成所述光补偿部的第五金属膜层,所述第五金属膜层包括3041和3042,所述第五金属膜层的第五开口区为第一凹面镜结构的顶部区域,即形成凹面镜的顶部区域的镜壁。
如图10f所示,在所述源极和漏极204、第五金属膜层和露出的第二层间绝缘层305上形成第二无机层306;在所述第二无机层上形成第二平坦化层307。
在本实施例中,首先形成覆盖所述源极和漏极、第五金属膜层和露出的第二层间绝缘上的第二无机层;然后形成覆盖第二无机层的第二平坦化层,该第二平坦化层采用resin树脂,由于resin具有平坦化跟随性,即平坦后的形貌仍然类似下层图案的形貌,同时resin树脂能够进一步对该形貌进行修饰,使得光补偿部更加圆润,从而避免因光补偿部的各金属膜层的形貌、落差导致发光器件的阳极或阴极出现断裂等问题。
在本实施例中,所述第四开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第五开口区在所述衬底上正投影的投影面积,即第四开口区和第五开口区为同轴开口区。
S20、在所述驱动电路层上形成发光器件层,包括形成每个像素单元的发光器件,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
在本实施例中,所述第五开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合,即最大范围地汇聚发光器件出射的光线。
具体的,发光器件层的制作方法还包括阳极图形化、像素界定层PDL制作、发光材料层制作和阴极制作等步骤,如图11所示,显示基板还包括阳极40和像素界定层50,像素界定层50限定出发光开口区。所述第一凹面镜的曲率半径与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例关系。
在一个具体示例中,假设发光开口区的边长分别为a,b,其中,a≤b。曲率半径与发光开口区边长满足r≥b/2,且发光开口区边缘距离第一凹面镜结构的球面最低点s的距离h小于等于r,以满足最大发光面积,其中,如图11所示,h为发光开口区边缘到球面最低点s的距离,即从发光开口区边缘位置到凹面镜结构的介质层上阳极层的距离,所述介质层包括第二层间绝缘层305、第二无机层306和第二平坦化层307。
为进一步提高第一凹面镜结构的聚光性能,根据所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积确定第一凹面镜结构的最佳曲率半径。
当第一凹面镜的曲率半径不符合最佳曲率半径时,在一个可选的实施例中,所述在衬底上形成驱动电路层还包括:图案化所述第一凹面镜结构以形成与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例关系的曲率半径具体的,可以通过对图1中第一凹面镜结构进行再次刻蚀,具体的,对第一凹面镜结构内的第二层间绝缘层、第二无机层和第二平坦化层进行刻蚀,从而达到最佳曲率半径。
S30、在所述发光器件层上形成封装层。
至此,完成显示基板的制作。
考虑到由于第二平坦化层的resin树脂具有平坦化跟随性,平坦后的形貌仍然类似下层图案的形貌,在一个可选的实施例中,所述发光器件相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成第二凹面镜结构,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
在本实施例中,由于第二凹面镜结构基于第一凹面镜结构形成,并且发光器件包括多个膜层,因此发光器件形成的第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
值得说明的是,考虑到封装层的制作过程,本领域技术人员应当理解,在制作封装层之前还包括形成在所述发光器件层和封装层之间的第三平坦化层,以平坦化所述发光器件的第二凹面镜结构,从而便于制作封装层。
在具体的制作方法中,所述在所述驱动电路层上形成发光器件层进一步包括:在所述驱动电路层上相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成具有第二凹面镜结构的发光器件层,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
需要说明的是,本实施例的显示基板的驱动电路层可以包括遮光金属层,也可以不包括遮光金属层,本申请对此不作具体限定,本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的凹面镜结构,以能够实现对发光器件出射的光的汇聚为设计准则,在此不再赘述。
本实施例通过在驱动电路层上设置与驱动电路部并置的具有凹面镜结构的光补偿部,将发光器件出射的且射入光补偿部的光线被凹面镜结构汇聚以形成聚光效应,能够降低光线散射损失、减少因像素界定层吸光特性引起的光线损失,有效提高显示基板的发光效率从而弥补了现有技术中存在的问题,能够改善现有技术中存在的色偏和串色问题,具有广泛的应用前景。
基于上述显示基板,本申请的一个实施例还提供一种制作上述显示基板的制作方法,如图4所示,包括:
S10、在衬底上形成驱动电路层,包括形成每个像素单元的驱动电路部和与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中,所述驱动电路部包括驱动所述发光器件的薄膜晶体管,所述光补偿部包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区;
S20、在所述驱动电路层上形成发光器件层,包括形成每个像素单元的发光器件,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合;
S30、在所述发光器件层上形成封装层。
本实施例通过在驱动电路层上设置与驱动电路部并置的具有凹面镜结构的光补偿部,将发光器件出射的且射入光补偿部的光线被凹面镜结构汇聚以形成聚光效应,能够降低光线散射损失、减少因像素界定层吸光特性引起的光线损失,有效提高显示基板的发光效率从而弥补了现有技术中存在的问题,能够改善现有技术中存在的色偏和串色问题,具有广泛的应用前景。
由于本申请实施例提供的制作方法与上述实施例提供的显示基板相对应,因此在前实施方式也适用于本实施例提供的制作方法,在本实施例中不再详细描述。
本申请的另一个实施例提供了一种显示装置,包括上述显示基板,并且所述显示装置为电致发光二极管显示装置。所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例通过在驱动电路层上设置与驱动电路部并置的具有凹面镜结构的光补偿部,将发光器件出射的且射入光补偿部的光线被凹面镜结构汇聚以形成聚光效应,能够降低光线散射损失、减少因像素界定层吸光特性引起的光线损失,有效提高显示基板的发光效率从而弥补了现有技术中存在的问题,能够改善现有技术中存在的色偏和串色问题,具有广泛的应用前景。
显然,本申请的上述实施例仅仅是为清楚地说明本申请所作的举例,而并非是对本申请的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本申请的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请的保护范围之列。

Claims (12)

1.一种显示基板,包括衬底,依次层叠设置在所述衬底上的驱动电路层、发光器件层和封装层,所述显示基板包括阵列排布的像素单元,每个像素单元的发光器件层包括发光器件,所述发光器件包括阳极、像素界定层、设置在由所述像素界定层限定的发光开口区中的发光材料、以及阴极,其特征在于,每个像素单元的驱动电路层包括驱动所述发光器件的驱动电路部、以及与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中
所述驱动电路部,包括薄膜晶体管;
所述光补偿部,包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底上的遮光金属、栅极、源极和漏级;
所述光补偿部包括与所述遮光金属同层设置的第一金属膜层、与所述栅极同层设置的第二金属膜层、以及与所述源极和漏级同层设置的第三金属膜层,其中:
所述第一金属膜层包括第一开口区,所述第一开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第一子结构;
所述第二金属膜层包括贯通其的第二开口区,所述第二开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第二子结构;
所述第三金属膜层包括贯通其的第三开口区,所述第三开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第二开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第三子结构;
所述第一开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积,所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第三开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第三开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述光补偿部包括依次层叠设置在所述衬底上的所述第一金属膜层、覆盖所述第一金属膜层和露出衬底的第一缓冲层、设置在所述第一缓冲层上的所述第二金属膜层、覆盖所述第二金属膜层和露出第一缓冲层的第一层间绝缘层、设置在所述第一层间绝缘层上的所述第三金属膜层、覆盖所述第三金属膜层和露出第一层间绝缘层的第一无机层、以及覆盖所述第一无机层的第一平坦化层。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底上的栅极、以及源极和漏级;
所述光补偿部包括与所述栅极同层设置的第四金属膜层、以及与所述源极和漏级同层设置的第五金属膜层,其中:
所述第四金属膜层包括第四开口区,所述第四开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第四子结构;
所述第五金属膜层包括贯通其的第五开口区,所述第五开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第四开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第五子结构;
所述第四开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第五开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第五开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述光补偿部包括依次层叠设置在所述衬底上的第二缓冲层、设置在所述第二缓冲层上的所述第四金属膜层、覆盖所述第四金属膜层和露出第二缓冲层的第二层间绝缘层、设置在所述第二层间绝缘层上的所述第五金属膜层、覆盖所述第五金属膜层和露出第二层间绝缘层的第二无机层、以及覆盖所述第二无机层的第二平坦化层。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述第一凹面镜结构的曲率半径与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例关系。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成第二凹面镜结构,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的显示基板。
9.一种制作如权利要求1-7中任一项所述的显示基板的制作方法,所述显示基板包括阵列排布的像素单元,每个像素单元包括发光器件,所述发光器件包括阳极、像素界定层、设置在由所述像素界定层限定的发光开口区中的发光材料、以及阴极,其特征在于,包括:
在衬底上形成驱动电路层,包括形成每个像素单元的驱动电路部和与所述驱动电路部并置的光补偿部,其中,所述驱动电路部包括驱动所述发光器件的薄膜晶体管,所述光补偿部包括至少两个与所述薄膜晶体管的金属膜层同层设置的光补偿膜层,所述至少两个光补偿膜层相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成第一凹面镜结构,所述第一凹面镜结构包括凹面开口区;
在所述驱动电路层上形成发光器件层,包括形成每个像素单元的发光器件,所述凹面开口区在所述衬底上的正投影与所述发光器件的发光开口区在所述衬底上的正投影重合;
在所述发光器件层上形成封装层。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,
所述在衬底上形成驱动电路层进一步包括:
在所述衬底上形成同层设置的所述驱动电路部的遮光金属和所述光补偿部的第一金属膜层,所述第一金属膜层包括第一开口区,所述第一开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第一子结构;
在所述遮光金属、第一金属膜层和露出的衬底上形成第一缓冲层;
在所述第一缓冲层上形成同层设置的所述驱动电路部的栅极和所述光补偿部的第二金属膜层,所述第二金属膜层包括贯通其的第二开口区,所述第二开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第一开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第二子结构;
在所述栅极、第二金属膜层和露出的第一缓冲层上形成第一层间绝缘层;
在所述第一层间绝缘层上形成同层设置的所述驱动电路部的源极和漏级、以及所述光补偿部的第三金属膜层,所述第三金属膜层包括贯通其的第三开口区,所述第三开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第二开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第三子结构;
在所述源极和漏级、第三金属膜层和露出的第一层间绝缘上形成第一无机层;
在所述第一无机层上形成第一平坦化层;
其中,所述第一开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积,所述第二开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第三开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第三开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合;
或者
在所述衬底上形成第二缓冲层;
在所述第二缓冲层上形成同层设置的所述驱动电路部的栅极和所述光补偿部的第四金属膜层,所述第四金属膜层包括第四开口区,所述第四开口区相对于所述发光器件在靠近所述衬底的一侧形成凹面镜并作为所述第一凹面镜结构的第四子结构;
在所述栅极、第四金属膜层和露出的第二缓冲层上形成第二层间绝缘层;
在所述第二层间绝缘层上形成同层设置的所述驱动电路部的源极和漏级、以及所述光补偿部的第五金属膜层,所述第五金属膜层包括贯通其的第五开口区,所述第五开口区在所述衬底上的正投影覆盖所述第四开口区在所述衬底上的正投影并作为所述第一凹面镜结构的第五子结构;
在所述源极和漏级、第五金属膜层和露出的第二层间绝缘上形成第二无机层;
在所述第二无机层上形成第二平坦化层;
其中,所述第四开口区在所述衬底上正投影的投影面积小于所述第五开口区在所述衬底上正投影的投影面积,并且所述第五开口区在所述衬底上的正投影与所述发光开口区在所述衬底上的正投影重合。
11.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底上形成驱动电路层还包括:图案化所述第一凹面镜结构以形成与所述发光开口区在所述衬底上的正投影的投影面积成正比例的曲率半径。
12.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述在所述驱动电路层上形成发光器件层进一步包括:在所述驱动电路层上相对于所述封装层在靠近所述衬底的一侧形成具有第二凹面镜结构的发光器件层,所述第二凹面镜结构的曲率半径小于等于所述第一凹面镜结构的曲率半径。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229283A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法
JP2005062400A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置およびその製造方法
US20100327297A1 (en) * 2009-06-24 2010-12-30 Panasonic Corporation Organic el display panel
CN103022079A (zh) * 2012-12-12 2013-04-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置
US20170263896A1 (en) * 2014-09-18 2017-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent device and method for producing organic electroluminescent device
CN108029178A (zh) * 2015-09-10 2018-05-11 夏普株式会社 有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置
US20180212198A1 (en) * 2015-09-08 2018-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device and illumination device
CN109935726A (zh) * 2019-03-19 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、其制造方法及显示装置
CN109962174A (zh) * 2017-12-22 2019-07-02 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN112103398A (zh) * 2020-09-18 2020-12-18 福建华佳彩有限公司 一种显示面板

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003229283A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法
JP2005062400A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 平面表示装置およびその製造方法
US20100327297A1 (en) * 2009-06-24 2010-12-30 Panasonic Corporation Organic el display panel
CN103022079A (zh) * 2012-12-12 2013-04-03 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、有机发光二极管显示装置
US20170263896A1 (en) * 2014-09-18 2017-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent device and method for producing organic electroluminescent device
US20180212198A1 (en) * 2015-09-08 2018-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence device and illumination device
CN108029178A (zh) * 2015-09-10 2018-05-11 夏普株式会社 有机电致发光装置、有机电致发光装置的制造方法、照明装置和显示装置
CN109962174A (zh) * 2017-12-22 2019-07-02 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN109935726A (zh) * 2019-03-19 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、其制造方法及显示装置
CN112103398A (zh) * 2020-09-18 2020-12-18 福建华佳彩有限公司 一种显示面板

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