CN113421605A - 一种电能表存储器寿命测试方法及装置 - Google Patents

一种电能表存储器寿命测试方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113421605A
CN113421605A CN202110707758.9A CN202110707758A CN113421605A CN 113421605 A CN113421605 A CN 113421605A CN 202110707758 A CN202110707758 A CN 202110707758A CN 113421605 A CN113421605 A CN 113421605A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data
memory
test
erasing
function verification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110707758.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113421605B (zh
Inventor
赵闻
张捷
钱斌
招景明
肖勇
李嘉杰
罗鸿轩
宋鹏
李倩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China South Power Grid International Co ltd
Measurement Center of Guangdong Power Grid Co Ltd
Original Assignee
China South Power Grid International Co ltd
Measurement Center of Guangdong Power Grid Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China South Power Grid International Co ltd, Measurement Center of Guangdong Power Grid Co Ltd filed Critical China South Power Grid International Co ltd
Priority to CN202110707758.9A priority Critical patent/CN113421605B/zh
Publication of CN113421605A publication Critical patent/CN113421605A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113421605B publication Critical patent/CN113421605B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/12005—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising voltage or current generators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电能表存储器寿命测试方法及装置，用于解决如何检测电能表存储器的寿命的技术问题。其中，方法包括：对存储器执行电特性测试，判断存储器与探针卡是否接触良好；若是，对存储器执行初始化测试，确定存储器的数据保持能力测试数据；对存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；根据数据保持能力测试数据、擦写测试数据和循环测试数据，确定存储器的寿命。

Description

一种电能表存储器寿命测试方法及装置
技术领域
本发明涉及存储器测试技术领域，尤其涉及一种电能表存储器寿命测试方法及装置。
背景技术
电能表的存储器(EEPROM，NOR-FLASH)一般都有寿命限制，EEPROM是100万次擦写寿命，NOR-FLASH是10万次擦写寿命。电能表生产完后到公司或者用户处，用户无法评估存储器的使用是否能够满足整个生命周期的要求，随着对电能表使用寿命的要求，厂家设计的电表存储器使用寿命现在能不能满足实际需求，需要进行评测。
对于FLASH存储器测试，可以有以下几种方式：
嵌入式微处理器访问：用嵌入式微处理器实现对FLASH存储器的测试，微处理器主要承担FLASH存储器测试矢量的生成以及地址的控制的任务。具有不需要额外电路，不会对芯片产生破坏的优点，缺点是这种测试方法要求FLASH存储器内部必须有嵌入式微处理器。
内建自测试：在FLASH存储器芯片内部实现测试功能，通过在芯片设计期间安置数据生成模块、地址生成模块和算法序列模块来完成。具有自动工具生成和实际工作速度测试的优点，缺点是需要FLASH存储器内部的开销，会影响FLASH存储器性能。
发明内容
本发明提供了一种电能表存储器寿命测试方法及装置，用于解决如何检测电能表存储器的寿命的技术问题。
本发明提供了一种电能表存储器寿命测试方法，所述存储器与预设测试机的探针卡接触；所述方法包括：
对所述存储器执行电特性测试，判断所述存储器与所述探针卡是否接触良好；
若是，对所述存储器执行初始化测试，确定所述存储器的数据保持能力测试数据；
对所述存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；
在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；
根据所述数据保持能力测试数据、所述擦写测试数据和所述循环测试数据，确定所述存储器的寿命。
可选地，所述存储器具有多个存储单元；所述对所述存储器执行初始化测试，确定所述存储器的数据保持能力测试数据的步骤，包括：
按照多个预设外接读电压分别对所述存储器的每个所述存储单元进行读取确认，确定每个所述存储单元在不同的外接读电压下的数据状态；
将数据状态发生反转的存储单元确定为失效存储单元，并记录失效读电压；
统计所述失效存储单元和对应的失效读电压，得到所述存储器的数据保持能力测试数据。
可选地，所述对所述存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据的步骤，包括：
在所述存储器中写入预设长度的第一数据；
若写入不成功，则判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
若写入成功，则在所述存储器中读取预设长度的第二数据；
若读取不成功，则判断读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
若读取成功，则判定所述第一数据与所述第二数据是否一致；
若一致，则判定读写成功，返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
若不一致，则返回在所述存储器中读取预设长度的第二数据的步骤；
统计所述第一数据与所述第二数据的连续不一致次数；
当所述连续不一致次数达到预设次数阈值时，获取所述连续不一致次数中每次读取的第二数据的长度；
当每次读取的第二数据的长度一致时，判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
当每次读取的第二数据的长度不一致时，则判定读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
统计所有读取错误和写入错误，得到擦写测试数据。
可选地，所述在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据的步骤，包括：
当累次擦写次数小于第一预设阈值时，按照第一执行间隔执行功能校验测试，得到第一功能校验数据；
当累计擦写次数大于或等于所述第一预设阈值，且小于第二预设阈值时，按照第二执行间隔执行所述功能校验测试，得到第二功能校验数据；
当累计擦写次数大于或等于所述第二预设阈值时，按照所述第一执行间隔执行所述功能校验测试，得到第三功能校验数据；
当累计擦写次数等于预设数值时，执行编程窗口测试，得到编程窗口测试数据；
在每次得到所述编程窗口测试数据后，执行擦除速度测试，得到擦除速度测试数据；
在每次得到所述擦除速度测试数据后，执行所述功能校验测试，得到第四功能校验数据；
采用所述第一功能校验数据、所述第二功能校验数据、所述第三功能校验数据、第四功能校验数据、所述编程窗口测试数据和所述擦除速度测试数据生成循环测试数据。
本发明还提供了一种电能表存储器寿命测试装置，所述存储器与预设测试机的探针卡接触；所述装置包括：
电特性测试执行模块，用于对所述存储器执行电特性测试，判断所述存储器与所述探针卡是否接触良好；
初始化测试执行模块，用于若是，对所述存储器执行初始化测试，确定所述存储器的数据保持能力测试数据；
循环擦写模块，用于对所述存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；
循环测试数据获取模块，用于在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；
寿命确定模块，用于根据所述数据保持能力测试数据、所述擦写测试数据和所述循环测试数据，确定所述存储器的寿命。
可选地，所述初始化测试执行模块，包括：
数据状态确定子模块，用于按照多个预设外接读电压分别对所述存储器的每个所述存储单元进行读取确认，确定每个所述存储单元在不同的外接读电压下的数据状态；
失效确定子模块，用于将数据状态发生反转的存储单元确定为失效存储单元，并记录失效读电压；
数据保持能力测试数据获取子模块，用于统计所述失效存储单元和对应的失效读电压，得到所述存储器的数据保持能力测试数据。
可选地，所述循环擦写模块，包括：
第一数据写入子模块，用于在所述存储器中写入预设长度的第一数据；
第一返回子模块，用于若写入不成功，则判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第二数据读取子模块，用于若写入成功，则在所述存储器中读取预设长度的第二数据；
第二返回子模块，用于若读取不成功，则判断读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
一致判定子模块，用于若读取成功，则判定所述第一数据与所述第二数据是否一致；
第三返回子模块，用于若一致，则判定读写成功，返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第四返回子模块，用于若不一致，则返回在所述存储器中读取预设长度的第二数据的步骤；
连续不一致次数统计子模块，用于统计所述第一数据与所述第二数据的连续不一致次数；
长度读取子模块，用于当所述连续不一致次数达到预设次数阈值时，获取所述连续不一致次数中每次读取的第二数据的长度；
第五返回子模块，用于当每次读取的第二数据的长度一致时，判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第六返回子模块，用于当每次读取的第二数据的长度不一致时，则判定读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
擦写测试数据获取子模块，用于统计所有读取错误和写入错误，得到擦写测试数据。
可选地，所述循环测试数据获取模块，包括：
第一功能校验数据获取子模块，用于当累次擦写次数小于第一预设阈值时，按照第一执行间隔执行功能校验测试，得到第一功能校验数据；
第二功能校验数据获取子模块，用于当累计擦写次数大于或等于所述第一预设阈值，且小于第二预设阈值时，按照第二执行间隔执行所述功能校验测试，得到第二功能校验数据；
第三功能校验数据获取子模块，用于当累计擦写次数大于或等于所述第二预设阈值时，按照所述第一执行间隔执行所述功能校验测试，得到第三功能校验数据；
编程窗口测试数据获取子模块，用于当累计擦写次数等于预设数值时，执行编程窗口测试，得到编程窗口测试数据；
擦除速度测试数据获取子模块，用于在每次得到所述编程窗口测试数据后，执行擦除速度测试，得到擦除速度测试数据；
第四功能校验数据子模块，用于在每次得到所述擦除速度测试数据后，执行所述功能校验测试，得到第四功能校验数据；
循环测试数据生成子模块，用于采用所述第一功能校验数据、所述第二功能校验数据、所述第三功能校验数据、第四功能校验数据、所述编程窗口测试数据和所述擦除速度测试数据生成循环测试数据。
本发明还提供了一种电子设备，所述设备包括处理器以及存储器：
所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；
所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行如上任一项所述的电能表存储器寿命测试方法。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质用于存储程序代码，所述程序代码用于执行如上任一项所述的电能表存储器寿命测试方法。
从以上技术方案可以看出，本发明具有以下优点：本发明通过对存储器执行电特性测试，判断存储器与探针卡是否接触良好；若是，对存储器执行初始化测试，确定存储器的数据保持能力测试数据；对存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；根据数据保持能力测试数据、擦写测试数据和循环测试数据，确定存储器的寿命。从而实现对电能表存储器的寿命检测。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的一种电能表存储器寿命测试方法的步骤流程图；
图2为本发明实施例提供的一种电能表存储器寿命测试装置的结构框图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种电能表存储器寿命测试方法及装置，用于解决如何检测电能表存储器的寿命的技术问题。
为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1为本发明实施例提供的一种电能表存储器寿命测试方法的步骤流程图。
本发明提供的一种电能表存储器寿命测试方法，具体可以包括以下步骤：
步骤101，对存储器执行电特性测试，判断存储器与探针卡是否接触良好；
电能表内部数据根据重要级别分为A、B、C、D四类数据，A、B、C类数据应保存于非易失性存储器，应有校验码用于数据正确性检测；且A、B类数据在非易失性存储器中应有备份，具备纠错功能。掉电时应将RAM中需保存的数据保存到非易失性存储器中(A类：计量相关数据；B类：结算、冻结、费控相关参数；C类：通讯参数、事件记录、负荷记录相关参数；D类：其他数据)。
电能表电源掉电后，电能表存储的所有数据保存时间至少为15年。因此要对不同应用场景下的电能表存储器的寿命做好相应的评估，以使电能表可满足实际使用需求。
在本发明实施例中，可以通过测试机来检测存储器寿命，测试机包括计时单元，可以根据存储器数据手册在计时单元内设定额定寿命上限。同时还可以设定至少两倍额定寿命上限的极限寿命上限。
测试机可在单位周期内对存储器通信总线进行监视，解析对存储器的擦写频率。
需要说明的是，在采用测试机对存储器进行寿命测试之前，需要对存储器执行电特性测试，以判断存储器与探针卡是否接触良好；目的是使测试机的探针卡与存储器在寿命测试过程中始终保持接触良好。如出现失效则需要重新连接芯片或选取其它测试单元。
在实际应用中，将测试机的探针接入存储器内可以进行存储器的寿命特性评估，其中寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。
步骤102，若是，对存储器执行初始化测试，确定存储器的数据保持能力测试数据；
在完成电特性测试确定探针卡和存储器接触良好后，可以对存储器执行初始化测试，初始化测试包括对存储器进行初次编程窗口测试，编程窗口测试用于数据保持能力评估，以得到存储器的数据保持能力测试数据。
在一个示例中，存储器具有多个存储单元；对存储器执行初始化测试，确定存储器的数据保持能力测试数据的步骤，可以包括：
S21，按照多个预设外接读电压分别对存储器的每个存储单元进行读取确认，确定每个存储单元在不同的外接读电压下的数据状态；
S22，将数据状态发生反转的存储单元确定为失效存储单元，并记录失效读电压；
S23，统计失效存储单元和对应的失效读电压，得到存储器的数据保持能力测试数据。
在具体实现中，以存储器直接控制方式对存储器的每个存储单元写入数据、以及利用外加读电压的方式对每个存储单元进行读取确认，外加读电压在某个范围内逐级加压，每隔一定电压值进行一次读取确认，如果某一存储单元的数据状态发生反转，则该存储单元定义为失效，从而确定失效存储单元机器对应的失效读电压。从而得到存储器的数据保持能力测试数据。
在一个示例中，非易失性存储器以FLASH应用最为广泛，以P型FLASH为例，P型Flash编程窗口测试分析包括如下步骤：对Flash执行全地址写“0”操作；外加读电压，读电压从0.3V逐级升至6.6V，每隔0.1V对已写入数据进行一次读取确认；如果地址中有存储单元内的数据状态发生反转，由“0”变为“1”，则该存储单元定义为失效。根据Flash特性，随着施加读电压的增加，存储单元失效数量也会随之增加。通过判断存储单元失效数量与电压变化的关系，可分析出存储单元的数据保持能力。
步骤103，对存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；
在本发明实施例中，对存储器的擦写能力评估可以通过以下步骤实现：
S301，在存储器中写入预设长度的第一数据；
S302，若写入不成功，则判定写入错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
S303，若写入成功，则在存储器中读取预设长度的第二数据；
S304，若读取不成功，则判断读取错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
S305，若读取成功，则判定第一数据与第二数据是否一致；
S306，若一致，则判定读写成功，返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
S307，若不一致，则返回在存储器中读取预设长度的第二数据的步骤；
S308，统计第一数据与第二数据的连续不一致次数；
S309，当连续不一致次数达到预设次数阈值时，获取连续不一致次数中每次读取的第二数据的长度；
S310，当每次读取的第二数据的长度一致时，判定写入错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
S311，当每次读取的第二数据的长度不一致时，则判定读取错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
S312，统计所有读取错误和写入错误，得到擦写测试数据。
在一个示例中，可以在极限寿命上限的测试次数加一次测试次数的测试总次数完成后，读取读写错误次数，并判定读写错误次数是否超过测试总次数的60％，如超过，则判定存储器失效，达到最大擦写寿命；如未超过，则判定存储器未失效。
执行擦写循环，首先进行全片擦除，再用多字节写入的方式进行全地址写入操作，每完成一次全片擦除和全片写入记为一次完整的擦写，重复上述擦写流程，并自动记录擦写次数。
步骤104，在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；
在本发明实施例中，步骤104可以包括以下子步骤：
S41，当累次擦写次数小于第一预设阈值时，按照第一执行间隔执行功能校验测试，得到第一功能校验数据；
S42，当累计擦写次数大于或等于第一预设阈值，且小于第二预设阈值时，按照第二执行间隔执行功能校验测试，得到第二功能校验数据；
S43，当累计擦写次数大于或等于第二预设阈值时，按照第三执行间隔执行功能校验测试，得到第三功能校验数据；
S44，当累计擦写次数等于预设数值时，执行编程窗口测试，得到编程窗口测试数据；
S45，在每次得到编程窗口测试数据后，执行擦除速度测试，得到擦除速度测试数据；
S46，在每次得到擦除速度测试数据后，执行功能校验测试，得到第四功能校验数据；
S47，采用第一功能校验数据、第二功能校验数据、第三功能校验数据、第四功能校验数据、编程窗口测试数据和擦除速度测试数据生成循环测试数据。
在一个示例中，第一预设阈值可以为1万，第一执行间隔可以为100次，第二预设阈值可以为10万，第二执行间隔可以1000次。
当累次擦写次数小于1万时，每记录100次擦写，执行一次功能校验测试，以验证测试过程中FLASH功能是否正常，如出现失效，自动记录失效信息。当擦写次数大于1万，小于10万时，每记录1000次擦写，执行一次功能校验测试；当擦写次数大于10万时，每记录100次擦写，执行一次功能校验测试。当累计擦写次数达到1万、10万、20万、30万、40万时，执行编程窗口测试，自动记录测试信息，之后执行擦除速度测试，自动记录测试信息。最后再执行功能校验测试，如校验通过，则认为测试通过，否则认为失效。
在实际应用中，P型Flash擦除速度测试分析是在固定时间1ms内，外加高压给擦除操作供电，电压从6V逐级升至11V，每隔0.1V执行一次擦除操作，并对全部地址进行一次读取确认，如果地址中有存储单元内的数据没有发生反转，则该存储单元定义为失效。通过判断存储单元失效数量与电压变化的关系，可分析出存储单元擦除电子的能力。
步骤105，根据数据保持能力测试数据、擦写测试数据和循环测试数据，确定存储器的寿命。
在本发明实施例中，可以根据数据保持能力测试数据、擦写测试数据和循环测试数据确定存储器的寿命。
进一步地，在本发明实施例中，可以在不同应用场景下，对单元周期内电能表对存储器的擦写频次进行分析，统计不同应用场景下，单元周期内电能表对存储器擦写频次；然后依据每天不同应用场景的使用频次，对擦写频次进行加权，统计出电能表对存储器实际工作寿命内的擦写频次。通过电能表对存储器实际工作寿命内的擦写频次与存储器的极限寿命上限进行比较，判断电能表的存储器是否满足实际工作需要。
通过模拟电能表实际应用场景，对不同应用场景下的电能表擦写寿命建立建立相关模型，更加贴合实际，可针对不同应用场景下的电能表是否符合实际使用标准得出相应的结论，有效提高电能表的存储器的检测效率。
本发明实施例通过对存储器执行电特性测试，判断存储器与探针卡是否接触良好；若是，对存储器执行初始化测试，确定存储器的数据保持能力测试数据；对存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；根据数据保持能力测试数据、擦写测试数据和循环测试数据，确定存储器的寿命。从而实现对电能表存储器的寿命检测。
请参阅图2，图2为办发明实施例提供的一种电能表出存储器寿命测试装置的结构框图。
本发明实施例提供了一种电能表存储器寿命测试装置，存储器与预设测试机的探针卡接触；装置包括：
电特性测试执行模块201，用于对存储器执行电特性测试，判断存储器与探针卡是否接触良好；
初始化测试执行模块202，用于若是，对存储器执行初始化测试，确定存储器的数据保持能力测试数据；
循环擦写模块203，用于对存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；
循环测试数据获取模块204，用于在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；
寿命确定模块205，用于根据数据保持能力测试数据、擦写测试数据和循环测试数据，确定存储器的寿命。
在本发明实施例中，初始化测试执行模块202，包括：
数据状态确定子模块，用于按照多个预设外接读电压分别对存储器的每个存储单元进行读取确认，确定每个存储单元在不同的外接读电压下的数据状态；
失效确定子模块，用于将数据状态发生反转的存储单元确定为失效存储单元，并记录失效读电压；
数据保持能力测试数据获取子模块，用于统计失效存储单元和对应的失效读电压，得到存储器的数据保持能力测试数据。
在本发明实施例中，循环擦写模块203，包括：
第一数据写入子模块，用于在存储器中写入预设长度的第一数据；
第一返回子模块，用于若写入不成功，则判定写入错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第二数据读取子模块，用于若写入成功，则在存储器中读取预设长度的第二数据；
第二返回子模块，用于若读取不成功，则判断读取错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
一致判定子模块，用于若读取成功，则判定第一数据与第二数据是否一致；
第三返回子模块，用于若一致，则判定读写成功，返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第四返回子模块，用于若不一致，则返回在存储器中读取预设长度的第二数据的步骤；
连续不一致次数统计子模块，用于统计第一数据与第二数据的连续不一致次数；
长度读取子模块，用于当连续不一致次数达到预设次数阈值时，获取连续不一致次数中每次读取的第二数据的长度；
第五返回子模块，用于当每次读取的第二数据的长度一致时，判定写入错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第六返回子模块，用于当每次读取的第二数据的长度不一致时，则判定读取错误，并返回在存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
擦写测试数据获取子模块，用于统计所有读取错误和写入错误，得到擦写测试数据。
在本发明实施例中，循环测试数据获取模块204，包括：
第一功能校验数据获取子模块，用于当累次擦写次数小于第一预设阈值时，按照第一执行间隔执行功能校验测试，得到第一功能校验数据；
第二功能校验数据获取子模块，用于当累计擦写次数大于或等于第一预设阈值，且小于第二预设阈值时，按照第二执行间隔执行功能校验测试，得到第二功能校验数据；
第三功能校验数据获取子模块，用于当累计擦写次数大于或等于第二预设阈值时，按照第一执行间隔执行功能校验测试，得到第三功能校验数据；
编程窗口测试数据获取子模块，用于当累计擦写次数等于预设数值时，执行编程窗口测试，得到编程窗口测试数据；
擦除速度测试数据获取子模块，用于在每次得到编程窗口测试数据后，执行擦除速度测试，得到擦除速度测试数据；
第四功能校验数据子模块，用于在每次得到擦除速度测试数据后，执行功能校验测试，得到第四功能校验数据；
循环测试数据生成子模块，用于采用第一功能校验数据、第二功能校验数据、第三功能校验数据、第四功能校验数据、编程窗口测试数据和擦除速度测试数据生成循环测试数据。
本发明实施例还提供了一种电子设备，设备包括处理器以及存储器：
存储器用于存储程序代码，并将程序代码传输给处理器；
处理器用于根据程序代码中的指令执行本发明任一实施例的电能表存储器寿命测试方法。
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其特征在于，计算机可读存储介质用于存储程序代码，程序代码用于执行本发明任一实施例的电能表存储器寿命测试方法。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种电能表存储器寿命测试方法，其特征在于，所述存储器与预设测试机的探针卡接触；所述方法包括：
对所述存储器执行电特性测试，判断所述存储器与所述探针卡是否接触良好；
若是，对所述存储器执行初始化测试，确定所述存储器的数据保持能力测试数据；
对所述存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；
在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；
根据所述数据保持能力测试数据、所述擦写测试数据和所述循环测试数据，确定所述存储器的寿命。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器具有多个存储单元；所述对所述存储器执行初始化测试，确定所述存储器的数据保持能力测试数据的步骤，包括：
按照多个预设外接读电压分别对所述存储器的每个所述存储单元进行读取确认，确定每个所述存储单元在不同的外接读电压下的数据状态；
将数据状态发生反转的存储单元确定为失效存储单元，并记录失效读电压；
统计所述失效存储单元和对应的失效读电压，得到所述存储器的数据保持能力测试数据。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据的步骤，包括：
在所述存储器中写入预设长度的第一数据；
若写入不成功，则判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
若写入成功，则在所述存储器中读取预设长度的第二数据；
若读取不成功，则判断读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
若读取成功，则判定所述第一数据与所述第二数据是否一致；
若一致，则判定读写成功，返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
若不一致，则返回在所述存储器中读取预设长度的第二数据的步骤；
统计所述第一数据与所述第二数据的连续不一致次数；
当所述连续不一致次数达到预设次数阈值时，获取所述连续不一致次数中每次读取的第二数据的长度；
当每次读取的第二数据的长度一致时，判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
当每次读取的第二数据的长度不一致时，则判定读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
统计所有读取错误和写入错误，得到擦写测试数据。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据的步骤，包括：
当累次擦写次数小于第一预设阈值时，按照第一执行间隔执行功能校验测试，得到第一功能校验数据；
当累计擦写次数大于或等于所述第一预设阈值，且小于第二预设阈值时，按照第二执行间隔执行所述功能校验测试，得到第二功能校验数据；
当累计擦写次数大于或等于所述第二预设阈值时，按照所述第一执行间隔执行所述功能校验测试，得到第三功能校验数据；
当累计擦写次数等于预设数值时，执行编程窗口测试，得到编程窗口测试数据；
在每次得到所述编程窗口测试数据后，执行擦除速度测试，得到擦除速度测试数据；
在每次得到所述擦除速度测试数据后，执行所述功能校验测试，得到第四功能校验数据；
采用所述第一功能校验数据、所述第二功能校验数据、所述第三功能校验数据、第四功能校验数据、所述编程窗口测试数据和所述擦除速度测试数据生成循环测试数据。
5.一种电能表存储器寿命测试装置，其特征在于，所述存储器与预设测试机的探针卡接触；所述装置包括：
电特性测试执行模块，用于对所述存储器执行电特性测试，判断所述存储器与所述探针卡是否接触良好；
初始化测试执行模块，用于若是，对所述存储器执行初始化测试，确定所述存储器的数据保持能力测试数据；
循环擦写模块，用于对所述存储器进行循环擦写，得到擦写测试数据；
循环测试数据获取模块，用于在循环擦写过程中执行功能校验测试、擦写速度测试和编程窗口测试，获取循环测试数据；
寿命确定模块，用于根据所述数据保持能力测试数据、所述擦写测试数据和所述循环测试数据，确定所述存储器的寿命。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述初始化测试执行模块，包括：
数据状态确定子模块，用于按照多个预设外接读电压分别对所述存储器的每个所述存储单元进行读取确认，确定每个所述存储单元在不同的外接读电压下的数据状态；
失效确定子模块，用于将数据状态发生反转的存储单元确定为失效存储单元，并记录失效读电压；
数据保持能力测试数据获取子模块，用于统计所述失效存储单元和对应的失效读电压，得到所述存储器的数据保持能力测试数据。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述循环擦写模块，包括：
第一数据写入子模块，用于在所述存储器中写入预设长度的第一数据；
第一返回子模块，用于若写入不成功，则判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第二数据读取子模块，用于若写入成功，则在所述存储器中读取预设长度的第二数据；
第二返回子模块，用于若读取不成功，则判断读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
一致判定子模块，用于若读取成功，则判定所述第一数据与所述第二数据是否一致；
第三返回子模块，用于若一致，则判定读写成功，返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第四返回子模块，用于若不一致，则返回在所述存储器中读取预设长度的第二数据的步骤；
连续不一致次数统计子模块，用于统计所述第一数据与所述第二数据的连续不一致次数；
长度读取子模块，用于当所述连续不一致次数达到预设次数阈值时，获取所述连续不一致次数中每次读取的第二数据的长度；
第五返回子模块，用于当每次读取的第二数据的长度一致时，判定写入错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
第六返回子模块，用于当每次读取的第二数据的长度不一致时，则判定读取错误，并返回在所述存储器中写入预设长度的第一数据的步骤；
擦写测试数据获取子模块，用于统计所有读取错误和写入错误，得到擦写测试数据。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述循环测试数据获取模块，包括：
第一功能校验数据获取子模块，用于当累次擦写次数小于第一预设阈值时，按照第一执行间隔执行功能校验测试，得到第一功能校验数据；
第二功能校验数据获取子模块，用于当累计擦写次数大于或等于所述第一预设阈值，且小于第二预设阈值时，按照第二执行间隔执行所述功能校验测试，得到第二功能校验数据；
第三功能校验数据获取子模块，用于当累计擦写次数大于或等于所述第二预设阈值时，按照所述第一执行间隔执行所述功能校验测试，得到第三功能校验数据；
编程窗口测试数据获取子模块，用于当累计擦写次数等于预设数值时，执行编程窗口测试，得到编程窗口测试数据；
擦除速度测试数据获取子模块，用于在每次得到所述编程窗口测试数据后，执行擦除速度测试，得到擦除速度测试数据；
第四功能校验数据子模块，用于在每次得到所述擦除速度测试数据后，执行所述功能校验测试，得到第四功能校验数据；
循环测试数据生成子模块，用于采用所述第一功能校验数据、所述第二功能校验数据、所述第三功能校验数据、第四功能校验数据、所述编程窗口测试数据和所述擦除速度测试数据生成循环测试数据。
9.一种电子设备，其特征在于，所述设备包括处理器以及存储器：
所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；
所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行权利要求1-4任一项所述的电能表存储器寿命测试方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质用于存储程序代码，所述程序代码用于执行权利要求1-4任一项所述的电能表存储器寿命测试方法。
CN202110707758.9A 2021-06-24 2021-06-24 一种电能表存储器寿命测试方法及装置 Active CN113421605B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110707758.9A CN113421605B (zh) 2021-06-24 2021-06-24 一种电能表存储器寿命测试方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110707758.9A CN113421605B (zh) 2021-06-24 2021-06-24 一种电能表存储器寿命测试方法及装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113421605A true CN113421605A (zh) 2021-09-21
CN113421605B CN113421605B (zh) 2023-08-25

Family

ID=77716568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110707758.9A Active CN113421605B (zh) 2021-06-24 2021-06-24 一种电能表存储器寿命测试方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113421605B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114005481A (zh) * 2021-09-24 2022-02-01 苏州浪潮智能科技有限公司 闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130044546A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Micron Technology, Inc. Determining system lifetime characteristics
US20150178150A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Netapp, Inc. Techniques for Assessing Pass/Fail Status of Non-Volatile Memory
CN108345752A (zh) * 2018-02-24 2018-07-31 北京智芯微电子科技有限公司 晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法
CN111833948A (zh) * 2020-07-16 2020-10-27 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 Nand闪存的擦写能力测试方法、装置、设备及介质
CN112435706A (zh) * 2020-11-05 2021-03-02 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130044546A1 (en) * 2011-08-16 2013-02-21 Micron Technology, Inc. Determining system lifetime characteristics
US20150178150A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Netapp, Inc. Techniques for Assessing Pass/Fail Status of Non-Volatile Memory
CN108345752A (zh) * 2018-02-24 2018-07-31 北京智芯微电子科技有限公司 晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法
CN111833948A (zh) * 2020-07-16 2020-10-27 浪潮(北京)电子信息产业有限公司 Nand闪存的擦写能力测试方法、装置、设备及介质
CN112435706A (zh) * 2020-11-05 2021-03-02 北京中电华大电子设计有限责任公司 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114005481A (zh) * 2021-09-24 2022-02-01 苏州浪潮智能科技有限公司 闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质
CN114005481B (zh) * 2021-09-24 2024-01-12 苏州浪潮智能科技有限公司 闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN113421605B (zh) 2023-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103219041B (zh) 用于模拟存储单元的增强编程和擦除方案
US8806106B2 (en) Estimating wear of non-volatile, solid state memory
CN113257332B (zh) 一种闪存的有效性预测方法、装置及存储介质
CN103187102B (zh) 半导体存储器测试方法和半导体存储器
US11221933B2 (en) Holdup self-tests for power loss operations on memory systems
CN108694989A (zh) 存储设备及其坏块指派方法
CN105469834A (zh) 嵌入式闪存的测试方法
CN110618892A (zh) 一种固态硬盘的bug定位方法、装置、电子设备及介质
CN113094222A (zh) 固态硬盘磨损均衡时的异常掉电测试方法及装置
CN108345752B (zh) 晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法
CN113049939A (zh) 一种芯片老化自测试方法及系统
CN113421605B (zh) 一种电能表存储器寿命测试方法及装置
CN114283868A (zh) 闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质
CN116434813A (zh) 闪存检测方法、电子设备和存储介质
CN112908391B (zh) 一种基于数学模型的闪存分类方法及装置
CN114005481A (zh) 闪存的擦写能力测试方法、装置、计算机设备和存储介质
CN116434816A (zh) 芯片内置Flash存储器自检方法、装置和计算机设备
CN104067348B (zh) 用于模拟存储器单元的编程及擦除方案
CN110473585B (zh) 一种擦失效存储单元的替换方法、装置、设备及存储介质
CN111782145B (zh) 应答式或非型闪存数字验证方法、系统、存储介质和终端
CN107305790B (zh) 一种非挥发性存储器的自测试方法和装置
CN107305789B (zh) 一种非挥发性存储器的自测试方法和装置
CN110716833B (zh) 用于测量ssd单次进入ps4状态时所造成的nand flash写入量的方法
CN113409839A (zh) 存储单元门限电压读取方法、装置、电子设备及存储介质
CN105785104A (zh) 移动终端测试电流确定方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant