CN112435706A - 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法 - Google Patents

一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112435706A
CN112435706A CN202011226061.1A CN202011226061A CN112435706A CN 112435706 A CN112435706 A CN 112435706A CN 202011226061 A CN202011226061 A CN 202011226061A CN 112435706 A CN112435706 A CN 112435706A
Authority
CN
China
Prior art keywords
application
erasing
frequency
storage space
nonvolatile memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011226061.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112435706B (zh
Inventor
蒋玉茜
王西国
董攀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd
Original Assignee
Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd filed Critical Beijing CEC Huada Electronic Design Co Ltd
Priority to CN202011226061.1A priority Critical patent/CN112435706B/zh
Publication of CN112435706A publication Critical patent/CN112435706A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112435706B publication Critical patent/CN112435706B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G11C16/3495Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56016Apparatus features
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。针对不同应用领域对非易失性存储器擦写寿命要求不同的情况,在芯片可靠性认证中加入应用级擦写寿命测试,尽可能多地覆盖应用场景,统计和分析应用场景中的应用文件和应用数据更新频次,模拟应用中的存储空间分配和擦写寿命频次,测试非易失性存储器应用级擦写寿命。本发明提出的应用级擦写寿命测试方法,有效地评价非易失性存储器的应用级可靠性水平。

Description

一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法
技术领域
本发明涉及一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。
背景技术
随着我国集成电路制造技术的不断发展,非易失性存储器应用领域越来越广泛,对大容量非易失性存储器的可靠性提出了更高挑战。传统的非易失性存储器擦写寿命测试方法通常是对所有存储空间写入物理数据全“0”或全“1”。不同应用领域的非易失性存储器可靠性技术指标要求不同,不同应用场景下应用文件的擦写频次不同,应用数据具有随机性,亟需建立适用于不同应用领域的非易失性存储器擦写寿命测试方法。
发明内容
针对上述非易失性存储器应用级擦写寿命测试问题,本发明提出一种非易失性存储器的应用级擦写寿命测试方法,解决了非易失性存储器在不同应用场景的擦写寿命评价问题。本发明测试方法的主要测试流程包括,收集和统计不同应用场景的应用数据,根据各应用文件的数据更新频次,建立非易失性存储器的应用级擦写寿命测试模型,模拟不同应用场景下的应用文件更新,针对不同存储空间进行不同频次的擦写测试,建立了非易失性存储器应用级擦写寿命测试和评价方法。
应用场景中各存储空间擦写频次不均匀,按照擦写频次由低到高划分为,程序区、低频次数据区、中频次数据区、高频次数据区。程序区在应用过程中很少擦写,低频次擦写数据区通常存放应用程序,擦写频次较低。中频次擦写数据区通常用来存放用户数据,擦写频次居中。高频擦写数据区通常用来备份用户使用数据,擦写频次较高。该方法在擦写测试时需要针对不同的存储空间进行不同频次的擦写,保证非易失性存储器中的各存储空间擦写强度与应用场景相符,能够覆盖全部存储空间,避免由于测试覆盖不足,而未发现潜在的可靠性问题。
本发明提出的非易失性存储器应用级擦写寿命测试方法包括:
在不同应用场景下使用终端设备,通过应用数据采集设备和数据采集软件收集应用数据,记录不同终端设备在不同应用场景下的非易失性存储器应用文件及数据更新,存储在测试日志中。
作为优选,为了确保非易失性存储器应用级可靠性测试方法有效,在尽可能多的应用场景下使用不同型号的终端设备收集尽可能多的应用数据,统计分析不同应用场景和不同终端设备下的应用数据,建立应用数据存储空间和应用数据擦写频次的模型。本专利发明的应用级擦写寿命评价方法,通过模拟非易失性存储器的应用数据擦写,保证测试方案与应用数据更新模型一致。
本发明公开的一种非易失性存储器的应用级擦写寿命评价方法,模拟应用场景,建立应用级擦写寿命模型,更贴近实际应用地考核非易失性存储器的可靠性水平。相比传统测试方法,发现更多应用环境中的非易失性存储器擦写寿命失效模式,该方法显著提高了应用级可靠性测试技术的实用性,同时保障了评价方法的有效性。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细描述
图1为非易失性存储器应用数据采集平台
图2为非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法
具体实施方式
本发明提出的非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法中,硬件环境需要终端设备、应用数据采集设备、上位机,如图1所示。通过应用数据采集软件记录不同终端在不同应用场景下的应用文件和应用数据,分析不同终端不同应用场景下各应用文件和应用数据更新频次,统计应用文件的存储空间、擦写频次等,建立应用级存储空间分配与擦写频次模型,制定应用级擦写寿命测试方案,完成非易失性存储器应用级擦写寿命评价。
如图2所示,具体方法如下:
1.搭建测试环境,在不同终端设备和应用场景下采集芯片应用数据,对应用文件、应用数据更新频次进行分析,统计各种应用文件占用的非易失性存储器存储空间及擦写频次。
2.依据每天不同应用场景的使用频次,对应用文件及应用数据更新频次进行加权,统计出工作寿命内的应用文件存储空间及擦写频次。
3.依据应用文件的擦写频次从低到高,归类统计出程序区、低频次、中频次、高频次擦写数据区的存储空间及其擦写频次。建立模拟实际应用的应用文件存储空间及擦写频次模型。
4.根据应用文件的存储空间及擦写频次模型,制定非易失性存储器应用级擦写寿命测试方案,按照应用级存储空间比例将存储空间划分为程序区、低频次、中频次、高频次擦写数据区,执行擦写操作的频次从低到高,并达到各存储空间的应用级擦写频次要求。
5.不同应用领域和应用场景对应用文件的存储空间和擦写寿命要求不同,补充各应用领域和应用场景的存储空间及擦写频次模型,对比测试结果与应用级擦写寿命要求,持续优化测试方案,完成非易失性存储器应用级擦写寿命评价。

Claims (1)

1.一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法,其特征在于,所述应用级擦写寿命评价方法,具体包括采集芯片在各种应用场景下的应用数据、统计和分析应用数据、建立模拟应用场景的存储空间分区与擦写频次模型、制定非易失性存储器的应用级擦写寿命测试方案,测试和评价非易失性存储器的应用级擦写寿命,包括以下步骤:
(1)在不同终端设备和应用场景下采集芯片应用数据,对应用文件、应用数据更新频次进行分析,统计各种应用文件占用的非易失性存储器存储空间及擦写频次;
(2)依据每天不同应用场景的使用频次,对应用文件及应用数据更新频次进行加权,统计出工作寿命内的应用文件存储空间及擦写频次;
(3)依据应用文件的擦写频次从低到高,归类统计出程序区、低频次、中频次、高频次擦写数据区的存储空间及其擦写频次,建立模拟实际应用的应用文件存储空间及擦写频次模型;
(4)根据应用文件的存储空间及擦写频次模型,制定非易失性存储器应用级擦写寿命测试方案,按照应用级存储空间比例将存储空间划分为程序区、低频次、中频次、高频次擦写数据区,执行擦写操作的频次从低到高,并达到各存储空间的应用级擦写频次要求;
(5)不同应用领域和应用场景对应用文件的存储空间和擦写寿命要求不同,补充各应用领域和应用场景的存储空间及擦写频次模型,对比测试结果与应用级擦写寿命要求,持续优化测试方案,完成非易失性存储器应用级擦写寿命评价。
CN202011226061.1A 2020-11-05 2020-11-05 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法 Active CN112435706B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011226061.1A CN112435706B (zh) 2020-11-05 2020-11-05 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011226061.1A CN112435706B (zh) 2020-11-05 2020-11-05 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112435706A true CN112435706A (zh) 2021-03-02
CN112435706B CN112435706B (zh) 2023-06-30

Family

ID=74694715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011226061.1A Active CN112435706B (zh) 2020-11-05 2020-11-05 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112435706B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113421605A (zh) * 2021-06-24 2021-09-21 广东电网有限责任公司计量中心 一种电能表存储器寿命测试方法及装置
CN116719682A (zh) * 2023-06-05 2023-09-08 珠海妙存科技有限公司 数据保持测试方法和系统、电子设备、存储介质
CN117009303A (zh) * 2023-07-06 2023-11-07 苏州领威电子科技有限公司 一种芯片视觉测试数据的存储方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101615156A (zh) * 2009-03-31 2009-12-30 杨敬东 可实时显示移动储存设备擦写寿命的系统
WO2016107442A1 (zh) * 2014-12-31 2016-07-07 华为技术有限公司 将数据写入固态硬盘的方法及固态硬盘
JP2016157227A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 株式会社Jvcケンウッド 不揮発性半導体記憶装置の評価システム、評価方法、及び評価プログラム
CN106033220A (zh) * 2015-03-17 2016-10-19 广州汽车集团股份有限公司 一种检测ECU Flash擦写状态的方法和系统
CN106293539A (zh) * 2016-08-18 2017-01-04 华为技术有限公司 一种闪存设备的访问方法、装置和系统
CN111312326A (zh) * 2020-03-09 2020-06-19 宁波三星医疗电气股份有限公司 闪存寿命测试方法、装置、电力采集终端及存储介质
CN111679792A (zh) * 2020-06-04 2020-09-18 四川九州电子科技股份有限公司 一种嵌入式设备NandFlash I/O数据监测系统及方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101615156A (zh) * 2009-03-31 2009-12-30 杨敬东 可实时显示移动储存设备擦写寿命的系统
WO2016107442A1 (zh) * 2014-12-31 2016-07-07 华为技术有限公司 将数据写入固态硬盘的方法及固态硬盘
JP2016157227A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 株式会社Jvcケンウッド 不揮発性半導体記憶装置の評価システム、評価方法、及び評価プログラム
CN106033220A (zh) * 2015-03-17 2016-10-19 广州汽车集团股份有限公司 一种检测ECU Flash擦写状态的方法和系统
CN106293539A (zh) * 2016-08-18 2017-01-04 华为技术有限公司 一种闪存设备的访问方法、装置和系统
CN111312326A (zh) * 2020-03-09 2020-06-19 宁波三星医疗电气股份有限公司 闪存寿命测试方法、装置、电力采集终端及存储介质
CN111679792A (zh) * 2020-06-04 2020-09-18 四川九州电子科技股份有限公司 一种嵌入式设备NandFlash I/O数据监测系统及方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
胡一飞;徐中伟;谢世环;: "NAND Flash上均匀损耗与掉电恢复在线测试", 单片机与嵌入式系统应用, no. 03 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113421605A (zh) * 2021-06-24 2021-09-21 广东电网有限责任公司计量中心 一种电能表存储器寿命测试方法及装置
CN113421605B (zh) * 2021-06-24 2023-08-25 广东电网有限责任公司计量中心 一种电能表存储器寿命测试方法及装置
CN116719682A (zh) * 2023-06-05 2023-09-08 珠海妙存科技有限公司 数据保持测试方法和系统、电子设备、存储介质
CN117009303A (zh) * 2023-07-06 2023-11-07 苏州领威电子科技有限公司 一种芯片视觉测试数据的存储方法
CN117009303B (zh) * 2023-07-06 2024-02-13 苏州领威电子科技有限公司 一种芯片视觉测试数据的存储方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112435706B (zh) 2023-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112435706B (zh) 一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法
CN105068936B (zh) 一种软件的稳定性的测试方法及装置
CN108682442A (zh) 一种不同封装闪存芯片在线测试和分类方法及测试系统
CN105893230A (zh) 一种检测硬盘iops性能的方法及装置
CN112817524A (zh) 基于动态神经网络的闪存可靠性等级在线预测方法和装置
CN107678972B (zh) 一种测试用例的评估方法及相关装置
CN105025141A (zh) 终端用电量测试方法及其装置
CN105469834A (zh) 嵌入式闪存的测试方法
CN107817954A (zh) 一种NAND Flash存储可靠性评估方法
CN107102928A (zh) 一种应用程序崩溃信息上报方法和装置
CN115831214B (zh) 基于固态硬盘写性能测试结果的初始化方式自动调整方法
CN108345752B (zh) 晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法
CN116230066A (zh) 一种实现质量等级划分的方法、计算机存储介质及终端
CN114283868A (zh) 闪存芯片的可靠性测试方法、装置、电子设备及存储介质
CN107515806A (zh) 一种sas信号参数在线调试的方法与装置
CN115171771A (zh) 一种固态硬盘测试方法、装置、设备及存储介质
CN108269606A (zh) 一种用于eMMC芯片存储参数测试的方法及系统
CN110764960B (zh) 一种固态硬盘固件测试方法
CN111540400A (zh) 一种写放大系数测试方法、装置及电子设备和存储介质
CN116185873A (zh) 存储组件测试方法和系统、存储介质及电子设备
CN115691649A (zh) Nand颗粒的处理方法、装置及存储产品
CN113421605B (zh) 一种电能表存储器寿命测试方法及装置
CN113890833B (zh) 网络覆盖预测方法、装置、设备及存储介质
CN114662284A (zh) 一种tws耳机测试装置及方法
CN103902421A (zh) 一种企业eda设计平台运行环境基础性能测试方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant