CN111833948A

CN111833948A - Nand闪存的擦写能力测试方法、装置、设备及介质

Info

Publication number: CN111833948A
Application number: CN202010686289.2A
Authority: CN
Inventors: 王敏; 张闯; 孙颉
Original assignee: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd
Current assignee: Inspur Beijing Electronic Information Industry Co Ltd
Priority date: 2020-07-16
Filing date: 2020-07-16
Publication date: 2020-10-27

Abstract

本申请公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，该方法包括：确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，块分组信息包括分组总数以及各分组的块总数；根据各分组的块总数分别确定各分组包含的块的编号；根据NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各分组确定一一对应的目标擦写次数；目标擦写次数大于块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；分别对各分组包含的块进行对应次数的擦写操作；分别生成与各目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。本申请对不同分组的块进行不同次数的擦写和错误率统计，不仅保障了结果正确率，并且可获取NAND闪存的擦写能力特性，全面客观地进行擦写能力评估。

Description

NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、设备及介质

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别涉及一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

NAND闪存即NAND Flash是一种非易失性存储器，目前已广泛应用于各种存储场合，占领了大量的消费市场。在应用过程中，理想的闪存存储器应该满足尺寸小、操作速度快、编程电压低、抗擦写能力强、保持时间久等特点。

NAND FLash由多个block即“块”构成，块用于存储数据，但是其每一次擦写操作都会减少自身的寿命。如果block在使用一段时间后，其保存电荷的能力将逐渐削弱，被不停地擦写所耗尽，block里面的数据就会开始出错，无法被可靠地继续使用。因此，在NANDFlash出厂前，对其进行详尽地损耗测试并给出NAND Flash的寿命值是非常有必要的。

相关技术中一般是针对NAND Flash中某个特定的块进行反复擦写操作，在擦写多次后进行耗损状态的评测以及错误率的计算。如此，一方面，该测试方法缺少其他擦写次数结果的有效对比；其次，由于仅针对一个块进行测试，因此其结果不具有代表性，无法排除在出厂的时候某些块本身性能较弱的情况。

鉴于此，提供一种解决上述技术问题的方案，已经是本领域技术人员所亟需关注的。

发明内容

本申请的目的在于提供一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，以便全面客观地对NAND闪存的擦写能力进行评估，保障测试结果的正确率。

为解决上述技术问题，第一方面，本申请公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法，包括：

确定所述NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，所述块分组信息包括分组总数以及各个分组的块总数；

根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号；

根据所述NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各个分组确定一一对应依次增大的的目标擦写次数；其中，目标擦写次数大于所述块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；

分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作；

分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

可选地，各个分组的块总数均为M；其中，M·N≤T，N为所述分组总数，T为所述NAND闪存中的块总数。

可选地，所述根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号，包括：

根据预设编号计算公式依次确定各个分组所包含的各个块的块编号，所述预设编号计算公式为：

a_ij＝a_i1+step·(j-1)；

其中，a_ij为第i分组中第j个块的编号；a_i1为第i分组中第1个块的编号；step为步长参数。

可选地，所述步长参数为：

可选地，所述分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数，包括：

分别为各个分组确定依次增大的目标擦写次数；其中，倒数第二个分组对应的目标擦写次数为所述块擦写承受阈值，倒数第一个分组对应的目标擦写次数大于所述块擦写承受阈值。

可选地，在所述分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作之前，还包括：

根据所述NAND闪存的温度承受范围确定测试温度；所述测试温度与所述温度承受范围的上限值的差值小于预设差值。

可选地，所述分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作，包括：

将各个分组的目标擦写次数的最大公约数确定为循环总次数；

将各个分组的目标擦写次数与所述循环总次数的商分别确定为各个分组在单次循环中的重复擦写次数；

在一个循环周期中分别对各个分组中的各个块进行对应重复次数的擦写操作；

判断是否达到所述循环总次数；

若否，则继续执行所述在一个循环周期中分别对各个分组中的各个块进行对应重复次数的擦写操作的步骤；

若是，则判定对各个分组的擦写操作完成。

第二方面，本申请还公开了一种NAND闪存的擦写能力测试装置，包括：

分组模块，用于确定所述NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，所述块分组信息包括分组总数以及各个分组的块总数；

确定模块，用于根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号，并根据所述NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数；其中，目标擦写次数大于所述块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；

测试模块，用于分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作；

生成模块，用于分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

可选地，所述确定模块具体用于：

a_ij＝a_i1+step·(j-1)；

可选地，所述步长参数为：

可选地，所述确定模块具体用于：

可选地，所述确定模块还用于：

可选地，所述测试模块具体用于：

将各个分组的目标擦写次数的最大公约数确定为循环总次数；将各个分组的目标擦写次数与所述循环总次数的商分别确定为各个分组在单次循环中的重复擦写次数；在一个循环周期中分别对各个分组中的各个块进行对应重复次数的擦写操作；判断是否达到所述循环总次数；若否，则继续执行所述在一个循环周期中分别对各个分组中的各个块进行对应重复次数的擦写操作的步骤；若是，则判定对各个分组的擦写操作完成。

第三方面，本申请还公开了一种电子设备，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序以实现如上所述的任一种NAND闪存的擦写能力测试方法的步骤。

第四方面，本申请还公开了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用以实现如上所述的任一种NAND闪存的擦写能力测试方法的步骤。

本申请所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法包括：确定所述NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，所述块分组信息包括分组总数以及各个分组的块总数；根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号；根据所述NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数；其中，目标擦写次数大于所述块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作；分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

可见，本申请通过对NAND闪存中不同的块进行分组，并对不同分组的块进行不同次数的擦写测试，可以对不同擦写次数后的错误率分别进行统计，获取其耗损状态，不仅保障了结果的正确率，并且可进而获取NAND闪存的擦写能力特性，有助于全面客观地对NAND闪存的擦写能力进行评估。本申请所提供的NAND闪存的擦写能力测试装置、电子设备及计算机可读存储介质同样具有上述有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明现有技术和本申请实施例中的技术方案，下面将对现有技术和本申请实施例描述中需要使用的附图作简要的介绍。当然，下面有关本申请实施例的附图描述的仅仅是本申请中的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图，所获得的其他附图也属于本申请的保护范围。

图1为本申请实施例公开的一种NAND闪存的擦写能力测试方法的流程图；

图2为本申请实施例公开的一种循环进行擦写操作的流程图；

图3为本申请实施例公开的一种NAND闪存的擦写能力测试装置的结构框图；

图4为本申请实施例公开的一种电子设备的结构框图。

具体实施方式

本申请的核心在于提供一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，以便全面客观地对NAND闪存的擦写能力进行评估，保障测试结果的正确率。

为了对本申请实施例中的技术方案进行更加清楚、完整地描述，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行介绍。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

相关技术中一般是针对NAND Flash中某个特定的块进行反复擦写操作，在擦写多次后进行耗损状态的评测以及错误率的计算。如此，一方面，该测试方法缺少其他擦写次数结果的有效对比；其次，由于仅针对一个块进行测试，因此其结果不具有代表性，无法排除在出厂的时候某些块本身性能较弱的情况。鉴于此，本申请提供了一种NAND闪存的擦写能力测试方案，可有效解决上述问题。

参见图1所示，本申请实施例公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法，主要包括：

S101：确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，块分组信息包括分组总数以及各个分组的块总数。

需要指出的是，本申请实施例具体对NAND闪存中的块进行了分组测试。待参加擦写能力测试的块被分成了若干组，每个组中包括一定数量的块。在进行擦写测试之前，需先确定好块分组信息，即，确定出共分为几组(分组总数)，以及每个分组中的块总数。

S102：根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号。

在NAND闪存中，各个块是具有一定编号的。在确定了各个分组的块总数之后，可继续为各个分组分配对应数量个块，确定本分组中各个块的编号。

其中需要补充说明的是，NAND闪存中的前面两个块，即block0和block1，一般会用来当做管理块，因此，在为各个分组分配块时，可避开这两个块。

S103：根据NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数；其中，目标擦写次数大于块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；。

其中，块擦写承受阈值是NAND闪存的一个产品参数，具体为生产厂家所提供的该NAND闪存最大可承受的擦写次数。

需要指出的是，本申请为NAND闪存中的块进行分组的目的，是为了对不同分组的块进行不同次数的擦写操作，以便统计获取NAND闪存在不同擦写次数下的性能衰减情况。由此，本申请为各个分组分别设置了目标擦写次数，且一一对应。即，一个分组对应一个目标擦写次数，各个分组的目标擦写次数均不相同。并且，至少有预设数量个分组对应的目标擦写次数是大于该NAND闪存的块擦写承受阈值的。

至于预设数量，本领域技术人员可根据实际应用需要而自行选择设置，例如，可设置为2个，即，至少有2个分组的目标擦写次数大于该NAND闪存的块擦写承受阈值。

还需要说明的是，本申请对步骤S102和S103的先后执行顺序并不进行限定，即，本领域技术人员也可以先执行步骤S103，然后再执行步骤S102。

S104：分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作。

具体地，在明确了各个分组的块编号、目标擦写次数之后，即可按照各个分组的目标擦写次数，分别对各个分组的块进行擦写操作。

S105：分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

对于一个分组而言，当该分组中的所有块均完成了目标擦写次数的擦写操作后，即可对这些块在完成了目标擦写次数后的错误率进行统计，以获取其损耗状态。进一步地，可以对同一分组中所有块的错误率情况进行平均计算处理，作为该型号NAND闪存在该目标擦写次数下的擦写能力测试结果。

当得到各个分组在各个目标擦写次数后的耗损情况结果后，可总结分析出该型号NAND闪存的擦写能力特性，有助于全面客观地对NAND闪存的擦写能力进行评估。甚至，可进一步生成其擦写能力特性曲线，以便基于该特性曲线预估出该NAND闪存在任意一个擦写次数后的错误率情况，进而根据使用要求设定对该NAND闪存的使用限制。

本申请实施例所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法包括：确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，块分组信息包括分组总数以及各个分组的块总数；根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号；分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数；分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作；分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

可见，本申请所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法，通过对NAND闪存中不同的块进行分组，并对不同分组的块进行不同次数的擦写测试，可以对不同擦写次数后的错误率分别进行统计，获取其耗损状态，不仅保障了结果的正确率，并且可进而获取NAND闪存的擦写能力特性，有助于全面客观地对NAND闪存的擦写能力进行评估。

作为一种具体实施例，本申请实施例所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法在上述内容的基础上，各个分组的块总数均为M；其中，M·N≤T，N为分组总数，T为NAND闪存中的块总数。

具体地，为了便于进行块分配，本实施例中每个分组中的块的总数相同。当然，本领域技术人员也可以为不同分组设置不同数量的块，本申请对此并不进行限定。

如此，进一步地，根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号，包括：

根据预设编号计算公式依次确定各个分组所包含的各个块的块编号，预设编号计算公式为：

a_ij＝a_i1+step·(j-1)；

即，本实施例中，每个分组中的M个块是以step为间隔而均匀分布在该NAND闪存中的。通过调节step的取值大小，可有效调整一个分组中的M个块在整个NAND闪存中的分布区域大小。

作为一种具体实施例，本申请实施例所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法在上述内容的基础上，步长参数为：

具体地，本实施例给出了step的一种具体取值方案。在本方案中，一方面，可确保step为奇数，如此可保障一个分组中的块编号奇数偶数的平衡性，以便应对出厂时奇数块与偶数块的抗擦写能力有所区别的情况。另一方面，基于T与M的商来设置步长参数，能够实现一个分组中的块在整个NAND闪存中的分布区域最大化，避免局部坏块对统计结果造成干扰，提高结果准确度。

作为一种具体实施例，本申请实施例所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法在上述内容的基础上，分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数，包括：

分别为各个分组确定依次增大的目标擦写次数；其中，倒数第二个分组对应的目标擦写次数为NAND闪存的块擦写承受阈值，倒数第一个分组对应的目标擦写次数大于块擦写承受阈值。

具体地，本实施例中，预设数量被具体设置为1个，即有1个分组对应的目标擦写次数大于块擦写承受阈值。具体地，各个分组的目标擦写次数不仅各不相同，而且随着分组的编号增大而依次增大，其中，该NAND闪存的块擦写承受阈值被设置为倒数第二分组的目标擦写次数；而最后一个分组的目标擦写次数被设置为大于该块擦写承受阈值的一个数值。

当然，本领域技术人员也可以将预设数量设置为其他值，例如，对于依次增大的各分组的目标擦写次数，将倒数第三分组或者倒数第四分组的目标擦写次数设置为块擦写承受阈值，本申请对此并不进行限定。

作为一种具体实施例，本申请实施例所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法在上述内容的基础上，在分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作之前，还包括：

根据NAND闪存的温度承受范围确定测试温度；测试温度与温度承受范围的上限值的差值小于预设差值。

具体地，硬件的相关测试一般不是在常温下进行的。在高温环境下进行NAND闪存块的擦写操作会加速NAND闪存的老化，可便于进行老化测试。由此，本实施例中，可以通过查看NAND闪存的活跃温度值的相关文档，确定NAND闪存的温度承受范围，从中设定一个进行擦写操作时的测试温度。例如，本实施例中，如果温度承受范围是A～B，则可在A～B的范围内选择一个接近B(与B的差值小于预设差值)的数值，作为实际的测试温度。其中，预设差值可取为如2℃等的较小值。

参见图2，图2为本申请实施例公开的一种循环进行擦写操作的流程图。

作为一种具体实施例，本申请实施例所提供的NAND闪存的擦写能力测试方法在上述内容的基础上，分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作，包括：

S201：将各个分组的目标擦写次数的最大公约数确定为循环总次数；将各个分组的目标擦写次数与循环总次数的商分别确定为各个分组在单次循环中的重复擦写次数。

S202：在一个循环周期中分别对各个分组中的各个块进行对应重复次数的擦写操作。

S203：判断是否达到循环总次数；若否，则进入S202；若是，则进入S204。

S204：判定对各个分组的擦写操作完成。

具体地，本实施例采用横向+纵向相结合的方式对各个分组的块进行擦写操作。所有分组均进行相同次数的循环周期，而不同的分组在一个循环周期中所重复进行的擦写次数不同。由此，当循环周期累计达到循环总次数后，各个分组几乎在较为接近的时间点附近完成各自的擦写任务。

下面进行举例说明。以某个型号的NAND闪存为例，已知其块总数为T＝2048，块擦写承受阈值为PE_max＝3000。则作为一个具体实施例，可具体设置5个分组(即N＝5)，每个分组的块总数为20(即M＝20)。

由此，根据2048/20＝102为偶数，则可令step＝102-1＝101。假设第一分组的第一个块的编号为2，则以step＝101为间隔，得到第一分组中各个块的编号依次是2，103，204，305，……，1921。其他分组类似。

进一步地，各个分组的目标擦写次数可分别设定为100次，300次，1000次，3000次，10000次，如表1所示。

表1

如此，取各个目标擦写次数的最大公约数100作为循环总次数，将各个目标擦写次数与100的商，即1、3、10、30、100分别作为各个分组在一个循环周期内的重复擦写次数。由此，在第一个循环周期，对第一分组的所有块只进行1次擦写，对第二分组的所有块均进行3次擦写，同理，对第三，四，五分组分别进行10次，30次，100次擦写。然后进入第二个循环周期，重复上述步骤，直至达到第100个循环周期后结束。

当然，除了上述横向+纵向的循环擦写操作方式以外，本领域技术人员还可以选择其他方式，本申请对此并不进行限定。

例如，还可以采用横向(组间依次擦写)的擦写操作方式：第一分组的各个块同时开始进行擦写操作；当第一分组的第一块完成后，第二分组的第一块依次进行擦写操作，在第二分组的第一块完成后，第三分组的第一块按次进行擦写操作，……，以此类推；类似地，在第一分组的第二块完成后，第二分组的第二块依次进行擦写操作，在第二分组的第二块完成后，第三分组的第二块按次进行擦写操作，……，以此类推。

再例如，还可以采用纵向(组内依次擦写)的擦写操作方式：各个分组的第一块同时开始进行擦写操作；当第一分组的第一块完成后，第一分组的第二块依次进行擦写操作，在第一分组的第二块完成后，第一分组的第三块按次进行擦写操作，……，以此类推。其他分组的情况与第一分组类似。

参见图3所示，本申请实施例公开了一种NAND闪存的擦写能力测试装置，主要包括：

分组模块301，用于确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，块分组信息包括分组总数以及各个分组的块总数；

确定模块302，用于根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号，并根据该NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数；其中，目标擦写次数大于该块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；

测试模块303，用于分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作；

生成模块304，用于分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

可见，本申请实施例所公开的NAND闪存的擦写能力测试装置，通过对NAND闪存中不同的块进行分组，并对不同分组的块进行不同次数的擦写测试，可以对不同擦写次数后的错误率分别进行统计，获取其耗损状态，不仅保障了结果的正确率，并且可进而获取NAND闪存的擦写能力特性，有助于全面客观地对NAND闪存的擦写能力进行评估。

关于上述NAND闪存的擦写能力测试装置的具体内容，可参考前述关于NAND闪存的擦写能力测试方法的详细介绍，这里就不再赘述。

作为一种具体实施例，本申请实施例所公开的NAND闪存的擦写能力测试装置在上述内容的基础上，可选地，各个分组的块总数均为M；其中，M·N≤T，N为分组总数，T为NAND闪存中的块总数。

作为一种具体实施例，本申请实施例所公开的NAND闪存的擦写能力测试装置在上述内容的基础上，确定模块302具体用于：

a_ij＝a_i1+step·(j-1)；

作为一种具体实施例，本申请实施例所公开的NAND闪存的擦写能力测试装置在上述内容的基础上，步长参数为：

作为一种具体实施例，本申请实施例所公开的NAND闪存的擦写能力测试装置在上述内容的基础上，确定模块302还用于：

作为一种具体实施例，本申请实施例所公开的NAND闪存的擦写能力测试装置在上述内容的基础上，测试模块303具体用于：

将各个分组的目标擦写次数的最大公约数确定为循环总次数；将各个分组的目标擦写次数与循环总次数的商分别确定为各个分组在单次循环中的重复擦写次数；在一个循环周期中分别对各个分组中的各个块进行对应重复次数的擦写操作；判断是否达到循环总次数；若否，则继续执行在一个循环周期中分别对各个分组中的各个块进行对应重复次数的擦写操作的步骤；若是，则判定对各个分组的擦写操作完成。

参见图4所示，本申请实施例公开了一种电子设备，包括：

存储器401，用于存储计算机程序；

处理器402，用于执行所述计算机程序以实现如上所述的任一种NAND闪存的擦写能力测试方法的步骤。

进一步地，本申请实施例还公开了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用以实现如上所述的任一种NAND闪存的擦写能力测试方法的步骤。

关于上述电子设备和计算机可读存储介质的具体内容，可参考前述关于NAND闪存的擦写能力测试方法的详细介绍，这里就不再赘述。

本申请中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的设备而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需说明的是，在本申请文件中，诸如“第一”和“第二”之类的关系术语，仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或者操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或者操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。此外，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本申请所提供的技术方案进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请的保护范围内。

Claims

1.一种NAND闪存的擦写能力测试方法，其特征在于，包括：

根据所述NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数；其中，目标擦写次数大于所述块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；

分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作；

分别生成与各个目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各个分组的块总数均为M；其中，M·N≤T，N为所述分组总数，T为所述NAND闪存中的块总数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据各个分组的块总数分别确定各个分组所包含的块的编号，包括：

a_ij＝a_i1+step·(j-1)；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步长参数为：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分别为各个分组确定一一对应的目标擦写次数，包括：

6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，在所述分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作之前，还包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述分别对各个分组所包含的块进行对应次数的擦写操作，包括：

判断是否达到所述循环总次数；

若是，则判定对各个分组的擦写操作完成。

8.一种NAND闪存的擦写能力测试装置，其特征在于，包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序以实现如权利要求1至7任一项所述的NAND闪存的擦写能力测试方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时用以实现如权利要求1至7任一项所述的NAND闪存的擦写能力测试方法的步骤。