CN113365433B - Pcba板表面派瑞林膜层的除去方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法。上述PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法包括如下步骤：提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区；在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应；对派瑞林膜层进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，控制蚀刻过程中的含氟气体与氧气的流量比为(0.3～0.5):1，射频功率为450W～1000W。上述派瑞林膜层的蚀刻方法，通过提高射频功率，同时调整CF4与O2之间的流量比，在不需要偏压电源和电感的条件下实现了派瑞林膜层的快速蚀刻，同时降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及蚀刻领域，特别是涉及一种PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法。
背景技术
派瑞林是六十年代中期开发的一种新型涂层材料，是一种对二甲苯的聚合物。通过CVD(化学气相沉积)方法能够产生厚度均匀、致密无针孔、透明的聚对二甲苯膜层(派瑞林膜层)，该膜层能够覆盖所有表面，包括最小的角落或裂缝、尖锐的边缘或表面波纹。这些特性将聚对二甲苯定位为理想的保护涂层，用于航空航天、医疗和微电子机械系统(MEMS)等领域中。但在CVD制备聚对二甲苯膜层时，有时需要进行部分遮蔽，比如需要焊接的地方覆盖聚对二甲苯膜层后导通性会变差，因此需要保护起来。如何保证焊接位无膜层？通常用法为点胶，即在需要焊接焊盘的位置上点UV胶，待镀膜结束后再将UV胶拆掉，但拆掉UV胶前需要将UV胶周围派润林膜层用激光或刀片划一道口子，避免在拆UV胶时将其周围膜层带起，此方法复杂，且有损伤PCBA板的风险。还有一种方法就是用激光将焊接焊盘上的派瑞林膜层打掉，但激光设备昂贵，除膜成本高。
发明内容
基于此，有必要提供一种方法简单、成本低且蚀刻速率较高的PCBA板表面的派瑞林膜层的除去方法。
一种PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，包括如下步骤：
提供PCBA板，所述PCBA板表面设有派瑞林膜层，所述派瑞林膜层具有预设的待除去区；
在所述PCBA板上罩设遮蔽罩，所述遮蔽罩设有通孔，所述通孔的位置与所述待除去区的位置相对应；
对所述派瑞林膜层进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不使用偏压电源和电感，控制蚀刻过程中的含氟气体与氧气的流量比为(0.3～0.5):1，射频功率为450W～1000W。
在其中一个实施例中，所述含氟气体选自CF4、SF6、C4F8、C3F6及C2F4中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述蚀刻过程中的惰性气体与氧气的流量比为≤0.3:1。
在其中一个实施例中，所述惰性气体选自Ar、He、Kr及Ne中的至少一种。
在其中一个实施例中，蚀刻过程中的氧气流量为250sccm～450sccm。
在其中一个实施例中，所述派瑞林膜层为派瑞林C型膜层、派瑞林D型膜层、派瑞林N型膜层、派瑞林HT型膜层或派瑞林F型膜层。
在其中一个实施例中，所述对派瑞林膜层进行等离子蚀刻的步骤中，在平板式PECVD系统中进行。
在其中一个实施例中，所述派瑞林膜层的蚀刻速率为100nm/min～200nm/min。
在其中一个实施例中，所述蚀刻过程中的工作压力为20Pa～45Pa。
在其中一个实施例中，所述遮蔽罩的材质为有机材料。
上述PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，先在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩上设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置对应，在遮蔽罩的保护下，其他区域的派瑞林膜层不会被刻蚀，而通孔对应的待除去区的派瑞林膜层被刻蚀，方法简单，且蚀刻后的外观较好，不会有毛刺等瑕疵。通过控制蚀刻过程中的含氟气体与氧气的流量比为(0.3～0.5):1，射频功率为450W～1000W，提高了等离子体密度，使得在不需要偏压电源和电感的条件下即可实现对派瑞林膜层的快速蚀刻，蚀刻速率可达200nm/min，同时成本低。且上述方法不会对其他区域的派瑞林膜层进行破坏，方法简单。因此，上述PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法简单，能够在提高蚀刻速率的同时降低生产成本。
附图说明
图1为圆筒型ICP-PECVD系统的一种结构示意图；
图2为平面型ICP-PECVD系统的一种结构示意图；
图3为平板式PECVD系统的一种结构示意图；
图4为PCBA板表面派瑞林膜层的除去过程中的示意图；
图5为平板式PECVD系统的工作原理示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将结合具体实施方式对本发明进行更全面的描述。具体实施方式中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体地实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
等离子蚀刻是一种通过气体在电场中启辉形成等离子体，等离子体与膜层发生化学反应生成气态物质而去除膜层的方法，成本相对较低，且对待镀膜工件的影响较小。
传统的对派瑞林膜层进行等离子蚀刻的方案中，通常需要在ICP-PECVD(Inductive Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition电感耦合等离子增强化学气相沉积)系统中完成。请同时参阅图1和图2，目前流行的两种不同RF射频感应耦合等离子体装置，一种是圆筒型(如图1所示)，即射频耦合天线螺旋缠绕在柱形放电管(通常是绝缘石英管)周围；另一种是平面型(如图2所示)，即射频耦合天线同心螺旋放置在放电管的顶部。射频能量通过天线耦合到放电管中，产生高密度均匀的ICP等离子体。ICP等离子体产生原理是通过匹配网络将13.56MHz射频功率加到螺旋线圈天线上产生射频磁通，射频磁通在真空圆筒形容器内部轴向感生射频电场，真空容器中的电子被感生电场加速，被电场加速的电子与气体分子剧烈频繁碰撞，使气体分子被激发、电离及离解而形成ICP等离子体。
但ICP-PECVD系统中一般需要偏压电源和射频电源两套电源以及电感等硬件，导致设备整体成本较高。且高密度的等离子体在蚀刻过程中容易发热，需要专有冷却设备，增加了设备成本。
而平板式PECVD系统无需偏压电源和电感等，设备结构简单，成本低，如图3所示，平板式PECVD系统的工作原理如下：通过高频交流电源提供高频振荡电子，增加电子和气体分子的碰撞几率，从而增大气体解离的效能，提高反应离子的浓度，提高成膜速度。然而平板式PECVD系统对派瑞林膜层的蚀刻速率较低，难以应用在派瑞林膜层的蚀刻中。因此，在本实施方式中，旨在无需偏压电源和电感的条件下，对派瑞林膜层进行蚀刻，并提高蚀刻速率。
具体地，一实施方式的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，包括如下步骤：
提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区；
在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应；
在不添加偏压电源和电感的条件下，对派瑞林膜层进行等离子蚀刻，控制蚀刻过程中的含氟气体与氧气的流量比为(0.3～0.5):1，射频功率为450W～1000W。
具体地，遮蔽罩的材质为有机材料。在其中一个实施例中，遮蔽罩的材质为特氟龙、TPU、ABS、丁氰等耐氧化材料。由于PCBA板上可能存在电源，为避免短路，在本实施方式中，采用有机材料为遮蔽罩。
请参阅图4，PCBA板110上设置有一层派瑞林膜层120，派瑞林膜层120的待除去区覆盖在PCBA板110上的凸起上。例如，派瑞林膜层120的待除去区覆盖PCBA板110上的焊盘上。利用遮蔽罩130遮蔽其他需要保护的区域，而在对应凸起处设置通孔，从而通过等离子蚀刻除去裸露出的派瑞林膜层120。
在另一个实施例中，派瑞林膜层120的待除去区覆盖在PCBA板110的凹槽上。由于凹槽位置封盖比较厚，加工成陷进去的构造会影响底部蚀刻面积，注塑加工也不方便，因此，还需要在凹槽的侧壁设置遮蔽箔140。例如，遮蔽箔140为延展性较好的金属箔，如铝箔、锡箔等，也可以是塑性材质，如特氟龙等。
在图4中，遮蔽罩130包括上遮蔽罩132和下遮蔽罩134。在使用时，将上遮蔽罩132和下遮蔽罩134合扣，实现对PCBA板110的遮蔽，操作简单。在蚀刻结束后，打开上遮蔽罩132和下遮蔽罩134即可。
具体地，含氟气体与氧气的流量比为(0.3～0.4):1或(0.4～0.5):1。在其中一个实施例中，含氟气体与氧气的流量比为0.3:1、0.35:1、0.4:1、0.45:1或0.5:1。含氟气体与氧气之间的流量比在上述范围内，能够有效提升氧浓度，进而提高蚀刻速率。含氟气体与氧气之间的流量比过大，氧浓度相对较低；含氟气体与氧气之间的流量比过小，氟原子反应后留下活性基团少，降低蚀刻速率。
在其中一个实施例中，含氟气体选自CF4、SF6、C4F8、C3F6及C2F4中的至少一种。例如，含氟气体为CF4、SF6、C4F8、C3F6或C2F4，或者，含氟气体为CF4、SF6、C4F8、C3F6及C2F4中任意的两种、三种、四种或五种的混合物，当含氟气体为混合物时，各物质之间的比例没有特别限定，可以为任意比例。含氟气体作为工作气体能够与派瑞林膜层反应，而实现派瑞林膜层的蚀刻。
具体地，氧气流量为250sccm～450sccm。
具体地，惰性气体与氧气的流量比为(0～0.3):1。例如，惰性气体与氧气的流量比为(0～0.1):1、(0.1～0.2):1或(0.2～0.3):1。在其中一个实施例中，惰性气体与氧气的流量比为0.05:1、0.1:1、0.15:1、0.2:1、0.25:1或0.3:1。惰性气体与氧气的流量比过高，会在派瑞林膜层表面产生一种难以蚀刻的膜层而影响蚀刻速率。优选地，在蚀刻过程中不添加惰性气体。
在其中一个实施例中，惰性气体选自Ar、He、Kr及Ne中的至少一种。例如，惰性气体为氩气。在传统的ICP-PECVD系统中由于ICP可以产生高密度等离子体，直接离化O2和CF4，而无需惰性气体。在本实施方式中，加入一定量的惰性气体能够提高等离子体密度，进一步提高蚀刻速率。
蚀刻过程中的射频功率为450W～1000W。传统的ICP-PECVD系统中，射频功率通常为300W，而在本实施方式中，通过增加蚀刻过程中的射频功率，能够提高等离子体密度，进而提高蚀刻速率。射频功率太高，等离子浓度增加，轰击作用增强，工件表面温度升高，同时也会损伤PCBA表面。
进一步地，蚀刻过程中的工作压力为20Pa～45Pa。
进一步地，采用上述派瑞林膜层的蚀刻方法，蚀刻速率为100nm/min～200nm/min。
具体地，派瑞林膜层为派瑞林C型膜层、派瑞林D型膜层、派瑞林N型膜层、派瑞林HT型膜层及派瑞林F型膜层中的一种。采用上述蚀刻方法能够对各种类型的派瑞林膜层蚀刻，且提高蚀刻速率。
具体地，对派瑞林膜层进行等离子蚀刻的步骤中，在平板式PECVD系统中进行。
具体地，采用平板式PECVD系统进行等离子刻蚀的示意图如图5所示。待蚀刻工件位于下电极板，上电极板和下电极板与射频电源连接，在蚀刻中，利用离子或原子与待蚀刻工件的化学反应进行蚀刻。采用平板式PECVD系统结构简单，成本低。
ICP-PECVD系统较平板式PECVD系统结构复杂，制造成本高。但PECVD系统中等离子体密度不如ICP-PECVD系统高，直接导致派瑞林蚀刻效率低。在本实施方式中，通过调整蚀刻过程中的工艺参数，实现在平板PECVD系统中派瑞林膜层的蚀刻，蚀刻速率可达200nm/min，从而可以降低设备成本，提高设备的利用率。虽然在本实施方式中，增大了射频功率，含氟气体与氧气的流量比，但相较于昂贵的ICP-PECVD系统所用的设备，仍可以降低成本。
另外，在本实施方式中，通过调整工艺参数，提高了等离子体密度，但等离子体密度较ICP-PECVD系统中的等离子体密度低，温度升高较低，无需采用专门的冷却设备，进一步降低了生产成本。
另外，PECVD系统中采用大功率射频电源，气体在板上分布均匀。因此，在PECVD系统中可以实现大面积(如640mm×340mm)的派瑞林膜层的蚀刻。
进一步地，在对派瑞林膜层进行等离子蚀刻的步骤之前，还包括在PECVD系统中沉积派瑞林膜层的步骤。通过PECVD系统沉积派瑞林膜层，然后调整工艺参数，对部分派瑞林膜层进行蚀刻，提高了设备的利用率，降低了生产成本。在PECVD系统中沉积派瑞林膜层是将派瑞林单体在气态条件下发生气相化学反应，在固态基体表面直接生成固态物质，进而在基体表面形成膜层。派瑞林膜层的制备过程通常分为三步：单体的汽化、裂解、在基材表面附着沉积，具体的沉积过程中的工艺参数可以为本领域常用的工艺参数，在此不再赘述。
上述PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法至少具有以下优点：
(1)上述PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，先在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩上设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置对应，在遮蔽罩的保护下，其他区域的派瑞林膜层不会被刻蚀，而通孔对应的待除去区的派瑞林膜层被刻蚀，方法简单，且蚀刻后的膜层外观较好，不会有毛刺等瑕疵，而通过激光或人工切割膜层方法复杂且会造成外观问题，膜层去掉后边缘会有毛刺。通过控制蚀刻过程中的含氟气体与氧气的流量比为(0.3～0.5):1，射频功率为450W～1000W，惰性气体与氧气的流量比为(0～0.3):1，提高了等离子体密度，使得在不需要偏压电源和电感的条件下实现了对派瑞林膜层的快速蚀刻，蚀刻速率可达200nm/min，同时降低了成本，为PCBA表面派瑞林膜层的除去方法提供了一种新的思路。
(2)上述PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法能够在平板式PECVD系统中进行，降低设备成本，提高设备的利用率。同时，PECVD系统中采用大功率射频电源，气体在板上分布均匀。因此，在PECVD系统中可以实现大面积(如640mm×340mm)的派瑞林膜层的蚀刻。
以下为具体实施例部分：
实施例1
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在遮蔽罩的保护作用下，仅有通孔对应位置处的派瑞林膜层被蚀刻。在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体CF4的流量为25sccm，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为30Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为91nm/min。
实施例2
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为TPU，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体CF4的流量为40sccm，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为32Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为81nm/min。
实施例3
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体SF6的流量为63sccm，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为33Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为98nm/min。
实施例4
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为丁氰，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体SF6的流量为75sccm，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为34Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为100nm/min。
实施例5
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为丁氰，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体C4F8的流量为100sccm，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为38Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为108nm/min。
实施例6
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林C型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为10μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体C4F8的流量为125sccm，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为40Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为103nm/min。
实施例7
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为ABS，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体C3F6的流量为150sccm，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为42Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为98nm/min。
实施例8
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体C3F6的流量为0sccm，氩气的流量为200sccm，射频功率为450W，工作压力为31Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为66nm/min。
实施例9
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体C2F4的流量为0，氩气的流量为0，射频功率为450W，工作压力为28Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为67nm/min。
实施例10
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林F型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为5μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体C2F4的流量为0，氩气的流量为50sccm，射频功率为450W，工作压力为29Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为60nm/min。
实施例11
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体CF4的流量为100sccm，氩气的流量为25sccm，射频功率为450W，工作压力为38Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为82nm/min。
实施例12
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体CF4的流量为100sccm，氩气的流量为75sccm，射频功率为450W，工作压力为39Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为70nm/min。
实施例13
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体CF4的流量为100sccm，氩气的流量为0sccm，射频功率为1000W，工作压力为38Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为215nm/min。
实施例14
本实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法具体如下：
(1)提供PCBA板，PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，派瑞林膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林膜层的厚度为8μm。
(2)在PCBA板上罩设遮蔽罩，遮蔽罩的材质为特氟龙，遮蔽罩设有通孔，通孔的位置与待除去区的位置相对应。
(3)在平板式PECVD系统中对上述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体CF4的流量为100sccm，氩气的流量为25sccm，射频功率为1000W，工作压力为38Pa。
为了确定蚀刻速率，使用表面轮廓仪(Alpha-step 500，KLA-Tencor)测量派瑞林膜层的蚀刻深度，由单位时间内的蚀刻深度得到蚀刻速率。本实施例的派瑞林膜层的蚀刻速率为180nm/min。
以上实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去过程中的各工艺参数具体如下表1所示：
表1实施例的PCBA板表面派瑞林膜层的除去过程中的工艺参数
从上述表1中可以看出，通过调整射频功率、含氟气体与氧气的流量比、惰性气体与氧气的流量比等参数，使得在不需要偏压电源和电感的条件下，采用平板式PECVD系统，能够大幅提高派瑞林膜层的蚀刻速率，降低成本。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (9)
1.一种PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供PCBA板，所述PCBA板表面设有派瑞林膜层，所述派瑞林膜层具有预设的待除去区；
在所述PCBA板上罩设遮蔽罩，所述遮蔽罩设有通孔，所述通孔的位置与所述待除去区的位置相对应；
对所述派瑞林膜层进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不使用偏压电源和电感，控制蚀刻过程中的含氟气体与氧气的流量比为(0.35~0.5):1，射频功率为1000W；
对所述派瑞林膜层进行等离子蚀刻的步骤中，在平板式PECVD系统中进行；蚀刻过程中不含有惰性气体；蚀刻过程中的氧气流量为250sccm~450sccm，工作压力为20Pa~45Pa；
所述派瑞林膜层的待除去区覆盖在所述PCBA板的凹槽上，在所述凹槽的侧壁设有遮蔽箔。
2.根据权利要求1所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，所述含氟气体选自CF4、SF6、C4F8、C3F6及C2F4中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，所述遮蔽箔为金属箔或特氟龙。
4.根据权利要求1所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供PCBA板，所述PCBA板表面设有派瑞林N型膜层，所述派瑞林N型膜层具有预设的待除去区，待除去区的派瑞林N型膜层的厚度为8μm；
在所述PCBA板上罩设遮蔽罩，所述遮蔽罩设有通孔，所述通孔的位置与所述待除去区的位置相对应；
在平板式PECVD系统中对所述PCBA板进行等离子蚀刻，在蚀刻过程中，不添加偏压电源和电感，氧气流量为250sccm，含氟气体CF4的流量为100sccm，氩气的流量为0sccm，射频功率为1000W，工作压力为38Pa。
5.根据权利要求1所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，所述派瑞林膜层为派瑞林C型膜层、派瑞林D型膜层、派瑞林N型膜层、派瑞林HT型膜层或派瑞林F型膜层。
6.根据权利要求1~5任一项所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，所述遮蔽罩的材质为特氟龙、TPU、ABS或丁氰。
7.根据权利要求1~5任一项所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，所述派瑞林膜层的蚀刻速率为100nm/min~200nm/min。
8.根据权利要求1所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，蚀刻过程中的含氟气体与氧气的流量比为0.4:1。
9.根据权利要求1所述的PCBA板表面派瑞林膜层的除去方法，其特征在于，所述遮蔽罩的材质为有机材料。
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