CN113355635A - 掩膜版框架、掩膜模组和蒸镀设备 - Google Patents

掩膜版框架、掩膜模组和蒸镀设备 Download PDF

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Abstract

本公开实施例提供一种掩膜版框架、掩膜模组和蒸镀设备,其中,该掩膜版框架包括第一框架本体,具有平行设置的第一平面和第二平面,以及沿第一框架本体的周向间隔设置的多个第一连接孔,其中,各第一连接孔贯穿第一平面和第二平面;第二框架本体,设置在第一框架本体的一侧,第二框架本体背离第一框架本体的平面形成用于固定掩膜版的固定平面;多个连接柱,各连接柱分别穿过各第一连接孔与第二框架本体可拆卸地连接。本公开实施例的技术方案可以有效提升掩膜版框架的平坦度。

Description

掩膜版框架、掩膜模组和蒸镀设备
技术领域
本公开涉及蒸镀工艺技术领域,尤其涉及一种掩膜版框架、掩膜模组和蒸镀设备。
背景技术
目前,掩膜版框架在运输或使用过程中容易发生翘曲,降低了其平坦度。
发明内容
本公开实施例提供一种掩膜版框架、掩膜模组和蒸镀设备,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
作为本公开实施例的一个方面,本公开实施例提供一种掩膜版框架,包括:
第一框架本体,具有平行设置的第一平面和第二平面,以及沿第一框架本体的周向间隔设置的多个第一连接孔,其中,各第一连接孔贯穿第一平面和第二平面;
第二框架本体,设置在第一框架本体的一侧,第二框架本体背离第一框架本体的平面形成用于固定掩膜版的固定平面;
多个连接柱,各连接柱分别穿过各第一连接孔与第二框架本体可拆卸地连接。
在一种实施方式中,连接柱用于套设垫片,以使垫片位于第一框架本体与第二框架本体之间。
在一种实施方式中,第一框架本体还包括沿第一框架本体的周向间隔设置的多个第一容纳孔,各第一容纳孔由第二平面向第一平面凹陷形成,各第一容纳孔分别与各第一连接孔同轴设置且连通,第一容纳孔用于在套设垫片时为连接柱邻近第一框架本体的一端提供容纳空间。
在一种实施方式中,掩膜版框架还包括:
螺母,螺母可拆卸地套设在连接柱邻近第一框架本体的一端,且容置在第一容纳孔中。
在一种实施方式中,第一容纳孔的孔径大于第一连接孔的孔径,第一容纳孔的凹陷深度大于螺母的厚度。
在一种实施方式中,掩膜版框架还包括:
紧固环,紧固环可拆卸地套设于连接柱邻近第一框架本体的一端,且位于螺母朝向第一框架本体的一侧。
在一种实施方式中,第一容纳孔的凹陷深度的范围为0.05mm-0.5mm,第一容纳孔的凹陷深度等于或大于垫片的厚度。
在一种实施方式中,连接柱的中部设置有预留区标识,预留区标识用于标识垫片的最大设置厚度。
在一种实施方式中,第二框架本体具有平行设置的第三平面、第四平面以及沿第二框架本体的周向间隔设置的多个第二连接孔,各第二连接孔由第四平面向第三平面凹陷形成;第二连接孔用于穿设连接柱,第二连接孔为螺纹孔。
在一种实施方式中,第一框架本体的宽度大于第二框架本体的宽度,第二框架本体在第一框架本体上的投影至少部分与第一框架本体的投影重合,且第一框架本体的投影围绕第一框架本体的投影。
在一种实施方式中,第一框架本体的相对侧分别设置有多个传送槽,传送槽用于供传送设备连接;和/或,
第二框架本体沿周向间隔设置有多个夹槽,夹槽用于配合夹爪夹持掩膜版。
作为本公开实施例的另一个方面,本公开实施例提供一种掩膜模组,包括:掩膜版、待蒸镀基板以及上述任一种实施方式中的掩膜版框架,掩膜版和待蒸镀基板依次设置在掩膜版框架的固定平面上。
作为本公开实施例的又一个方面,本公开实施例提供一种蒸镀设备,包括:掩膜载台以及上述任一种实施方式中的掩膜模组,掩膜模组设置在掩膜载台上。
在一种实施方式中,蒸镀设备还包括:摄像装置,位于掩膜模组背离掩膜载台的一侧;
摄像装置与掩膜模组之间的对位距离通过在第一框架本体与第二框架本体之间的设置垫片调节。
本公开实施例采用上述技术方案,第一框架本体与第二框架本体利用多个连接柱可拆卸地组合成掩膜版框架,并使第二框架本体背离第一框架本体的一侧形成掩膜版框架的固定平面。当固定平面的平坦度发生异常时,通过在第一框架本体与第二框架本体之间夹设或拆除垫片,能够调节固定平面的平坦度,有利于提升固定平面的整体平坦度,从而避免产生阴影效应或像素位置偏移现象,进而提高蒸镀良率、减少显示面板的混色风险。
上述概述仅仅是为了说明书的目的,并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外,通过参考附图和以下的详细描述,本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中,除非另外规定,否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解,这些附图仅描绘了根据本公开公开的一些实施方式,而不应将其视为是对本公开范围的限制。
图1示出相关技术的掩膜版、基板和掩膜版框架的布设示意图;
图2A示出根据本公开一实施例的掩膜版框架的俯视示意图;
图2B示出图2A的掩膜版框架中沿B-B线的剖面示意图;
图3A至图3D示出根据本公开一实施例的垫片设置流程示意图;
图4示出根据本公开一实施例的掩膜模组的结构示意图;
图5示出根据本公开一实施例的蒸镀设备的结构示意图。
具体实施方式
在下文中,仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此,附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
如图1所示,在用于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)的有机蒸镀镀膜技术中,通常将掩膜版110安装在掩膜版框架120的一侧,并在掩膜版110背离掩膜版框架120的一侧设置待蒸镀基板130,加热有机材料140使其高温挥发后以材料分子状态透过掩膜版110的开口111蒸镀到待蒸镀基板130上。但是,由于掩膜版框架120在运输或使用过程(包括张网、清洗、蒸镀或打磨)中,容易发生翘曲,降低了掩膜版框架120的平坦度,使得掩膜版110安装在掩膜版框架120上后也随之发生翘曲,导致掩膜版110与待蒸镀基板130之间形成空隙,从而在蒸镀过程中有机材料分子会在待蒸镀基板130的预设沉积区域A1之外进行沉积,使得实际沉积区域A2大于预设沉积区域A1,或者实际沉积区域A2与预设沉积区域A1之间存在偏差。这容易产生阴影效应或像素位置偏移现象,增加了显示面板的混色风险。
为解决上述技术问题,本公开提供了一种掩膜版框架,如图2A和图2B所示,该掩膜版框架200可以包括:第一框架本体210、第二框架本体220和多个连接柱230。
第一框架本体210具有平行设置的第一平面S1和第二平面S2,以及沿第一框架本体210的周向间隔设置的多个第一连接孔211,其中,各第一连接孔211贯穿第一平面S1和第二平面S2。
第二框架本体220设置在第一框架本体210的一侧,第二框架本体220背离第一框架本体210的平面形成用于固定掩膜版的固定平面。例如,第二框架本体220设置在第二平面S2所在侧,第一框架本体210对第二框架本体220进行支撑,第二框架本体220背离第一框架本体210的平面形成用于固定掩膜版的固定平面。
各连接柱230分别穿过各第一连接孔211与第二框架本体220可拆卸地连接。由于第一框架本体210与第二框架本体220可拆卸连接,使得在固定平面发生凹陷或高度不足时,可以在第一框架本体210与第二框架本体220之间设置垫片,以对固定平面的平坦度或高度进行调节。
示例性地,如图2A所示,当固定平面某一区域S31发生凹陷时,则在第一框架本体210与第二框架本体220之间夹设垫片,并使垫片位于区域S31在第一框架本体210的投影范围内,从而可以增加区域S31的高度,提升固定平面的平坦度。可以理解的,当固定平面的多个区域的平坦度发生异常时,则可以利用多个垫片分别对多个区域的平坦度进行调节。
上述方案,第一框架本体210与第二框架本体220利用多个连接柱230可拆卸地组合成掩膜版框架200,并使第二框架本体220背离第一框架本体210的一侧形成掩膜版框架200的固定平面。当固定平面的平坦度发生异常时,通过在第一框架本体210与第二框架本体220之间夹设或拆除垫片,能够调节固定平面的平坦度,有利于提升固定平面的整体平坦度,从而避免产生阴影效应或像素位置偏移现象,进而提高蒸镀良率、减少显示面板的混色风险。
再者,由于第一框架本体210和第二框架本体220可拆卸设置,一方面,在第一框架本体210或第二框架本体220无法使用时,可以单独更换第一框架本体210或第二框架本体220,降低了使用成本;另一方面,在固定平面的平坦度异常时,还便于分别对第一框架本体210和第二框架本体220进行打磨,并利用垫片增加整体厚度,使得打磨后的第一框架本体210和第二框架本体220能够重复使用,提高了掩膜版框架200的重复使用率,延长了使用寿命。
在一种实施方式中,如图2B所示,连接柱230用于套设垫片,以使垫片位于第一框架本体210与第二框架本体220之间。通过将垫片套设在连接柱230上,可以增加垫片设置的牢固性和稳定性。
在一种实施方式中,如图2B所示,第一框架本体210还包括沿第一框架本体210的周向间隔设置的多个第一容纳孔212,各第一容纳孔212由第二平面S2向第一平面S1凹陷形成,各第一容纳孔212分别与各第一连接孔211同轴设置且连通,第一容纳孔212用于在套设垫片时为连接柱230邻近第一框架本体210的一端提供容纳空间。
示例性地,如图2B所示,在连接柱230未套设垫片时,连接柱230邻近第一框架本体210的端面与第二平面S2齐平;请一并参考图3D,在连接柱230套设有垫片310时,连接柱230邻近第一框架本体210的端面位于第二平面S2与第一平面S1之间。这样,第一容纳孔212在连接柱230上套设垫片310时,能够为连接柱230邻近第一框架本体210的一端的位置调整提供容纳空间。
在一种实施方式中,如图2B所示,该掩膜版框架200还可以包括螺母240,该螺母240可拆卸地套设在连接柱230邻近第一框架本体210的一端,且容置在第一容纳孔212中。
示例性地,连接柱230邻近第一框架本体210的一端设置有螺纹,螺母240螺接在连接柱230邻近第一框架本体210的一端,能够对第一框架本体210和第二框架本体220起到紧固作用。此外,螺母240收容在第一容纳孔212中,防止因螺母240凸于第一平面S1而降低第一平面S1的平坦度。
在一种实施方式中,第一容纳孔212的孔径大于第一连接孔211的孔径,第一容纳孔212的凹陷深度D1大于螺母240的厚度D2,不仅可以保证在套设垫片时,第一容纳孔212能够为连接柱230邻近第一框架本体210的一端的位置调整提供足够的容纳空间,而且使得第一容纳孔212能够完全收容螺母240,防止螺母240凸于第一平面S1。
在一种实施方式中,如图2B所示,该掩膜版框架200还可以包括紧固环250,紧固环250可拆卸地套设于连接柱230邻近第一框架本体210的一端,且位于螺母240朝向第一框架本体210的一侧,可以防止螺母240沿连接柱230旋转移动而导致连接柱230发生松动,能够对连接柱230的端部起到紧固作用。示例性地,紧固环250可以是C形环等。
在一种实施方式中,第一连接孔211与第一容纳孔212之间设置有第二容纳孔(图中未标记出),第二容纳孔用于容纳紧固环250,第二容纳孔的孔径大于第一连接孔211的孔径且小于第一容纳孔212的孔径。示例性地,第二容纳孔的形状与紧固环250的形状适配,使得紧固环250容置在第二容纳孔中能够增大紧固环250与第一框架本体210之间的接触面积,提升紧固效果。
在一种实施方式中,如图2B和图3D所示,第一容纳孔212的凹陷深度D1的范围为0.05mm-0.5mm(包括端点值),第一容纳孔212的凹陷深度D1大于或等于310垫片的厚度。示例性地,垫片310的厚度可以为0.01mm、0.02mm、0.005mm、0.05mm等,垫片310的厚度可以根据实际需要进行选择和调整,本公开对此不作限制。
在一种实施方式中,如图2B所示,连接柱230的中部设置有预留区标识231,预留区标识231用于标识垫片的最大设置厚度。
示例性地,预留区标识231沿连接柱230的轴向设置,预留区标识231在连接柱230上所占长度与第一容纳孔212的凹陷深度D1适配,避免因设置垫片的厚度过大而导致连接柱230邻近第一框架本体210的一端陷入第一连接孔211中。
在一种实施方式中,第二框架本体220具有平行设置的第三平面S3、第四平面S4以及沿第二框架本体220的周向间隔设置的多个第二连接孔221,各第二连接孔221由第四平面S4向第三平面S3凹陷形成;第二连接孔221用于穿设连接柱230,第二连接孔221的孔径与第一连接孔211的孔径相等。优选地,第二连接孔221为螺纹孔,连接柱230邻近第二框架本体220的一端具有与第二连接孔221适配的螺纹231,连接柱230邻近第二框架本体220的一端穿设于第二连接孔221中,并与第一框架本体210螺接,可以使第一框架本体210与第二框架本体220紧密贴合,从而保证第一框架本体210和第二框架本体220在应力作用所产生的形变具有一致性。其中,第一框架本体210与第二框架本体220贴合组合成掩膜版框架200,第二框架本体220的第三平面S3形成掩膜版框架200的固定平面。
在一种实施方式中,如图2B所示,第一框架本体210的边框宽度D3大于第二框架本体220的边框宽度D4,第二框架本体220在第一框架本体210上的投影至少部分与第一框架本体210的投影重合,且第一框架本体210的投影围绕第一框架本体210的投影。
示例性地,第一框架本体210具有间隔设置第一斜面I1和第二斜面I2,第一斜面I1和第二斜面I2均位于第一平面S1与第二平面S2之间,第一斜面I1与第一平面S1和第二平面S2垂直,第二斜面I2与第一平面S1之间的夹角为钝角,第一平面S1的宽度小于第二平面S2的宽度。
第二框架本体220具有间隔设置的第三斜面I3和第四斜面I4,第三斜面I3和第四斜面I4均位于第三平面S3与第四平面S4之间,第三斜面I3与第三平面S3之间的夹角为钝角,第四斜面I4与第二斜面I2共面,第四平面S4的宽度小于第一平面S1的宽度。
优选地,连接柱230的直径小于第二框架本体220的边框宽度D3。
在一种实施方式中,如图2A所示,第一框架本体210的相对侧分别设置有多个传送槽260,传送槽260用于供传送设备连接;和/或,
第二框架本体220沿周向间隔设置有多个夹槽270,夹槽270用于配合夹爪夹持掩膜版。
示例性地,如图2A所示,第一框架本体210相对侧分别设置有两个传送槽260,其中一侧的各传送槽260分别与另一侧的各传送槽260正对设置,以便传送设备通过传送槽260进行连接和传送,可以提升传送的稳定性。
此外,位于第二框架本体220相对侧的夹槽270正对设置,也能够提升夹持掩膜版的稳定性。
图3A至图3D为根据本公开的一实施例的垫片的设置流程示意图。如图3A至图3B所示,当掩膜版框架的固定平面凹陷或固定平面的高度不能满足工艺需求时,则可以取下螺母240和紧固环250,旋转连接柱230使第二框架本体220朝向远离第一框架本体210的方向移动,在第一框架本体210与第二框架本体220之间形成间隙,使得连接柱230的中部露出,为垫片提供安装空间。
接着,如图3C所示,将垫片套设于连接柱230的中部,使其位于第一框架本体210与第二框架本体220之间,再旋转连接柱230并使第二框架本体220朝向靠近第一框架本体210的方向移动。
继而,如图3D所示,当连接柱230邻近第二框架本体220的一端穿设于第二连接孔中,与第二框架本体220充分螺接后,依次在连接柱230邻近第一框架本体210的一端套设紧固环250和螺母240,使得螺母240收容在第一容纳孔212中。这样就提升了固定平面的平坦度或增加了固定平面的高度。
图4为根据本公开的掩膜模组400的结构示意图。如图4所示,该掩膜模组400包括掩膜版410、待蒸镀基板420以及上述任一种实施方式的掩膜版框架200。
示例性地,掩膜版410具有图形区域和非图形区域(附图中未标记出),非图形区域围绕图形区域设置,图形区域设置有开口411。掩膜版410框架200所围成的区域形成镂空280。掩膜版410的非图形区域安装在掩膜版410框架200的固定平面上,使得图形区域在掩膜版410框架200上的投影位于镂空280的范围内,且图形区域的开口411与镂空280连通。待蒸镀基板420叠置在掩膜版410背离掩膜版410框架200的一侧。
上述方案,由于固定平面的平坦度可调,有利于提升固定平面的平坦度,从而可以避免掩膜版410发生翘曲或褶皱,使得掩膜版410与基板紧密贴合,减少或消除阴影效应或像素位置偏移现象,进而减少显示面板的混色风险。
图5为根据本公开的蒸镀设备500的结构示意图。如图5所示,该蒸镀设备500包括掩膜载台510以及上述任一种实施方式的掩膜模组400。
示例性地,掩膜载台510的外轮廓为柱状或台状,且掩膜载台510的中部设置有贯穿掩膜载台510上下表面的通孔511。掩膜版框架200设置在掩膜载台510上,以使开口411、镂空280、以及通孔511连通,以便位于掩膜载台510下方的有机材料530挥发透过开口411沉积在待蒸镀基板420上。
在一种实施方式中,请一并参考图2B,该蒸镀设备500还可以包括摄像装置520,该摄像装置520位于掩膜模组400背离掩膜载台510的一侧,用于对待蒸镀基板420与掩膜版进行对位。摄像装置520与掩膜模组400之间的对位距离可以通过在第一框架本体210与第二框架本体220之间设置垫片来进行调节,使得对位距离适于摄像装置520的识别距离,可以提升蒸镀设备500的对位精度。
上述实施例的掩膜版框架200、掩膜模组400和蒸镀设备500适用于主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diod,AMOLED)、被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix Organic Light Emitting Diod,PMOLED)、微米发光二极管(Micro Light Emitting Diod,Micro LED)、次毫米发光二极管(Mini Light EmittingDiod,Mini LED)以及量子点有机发光二极管(Quantum Dot Organic Light EmittingDiod,QD-OLED)等OLED显示面板的制备。
上述实施例的掩膜版框架200、掩膜模组400和蒸镀设备500的其他构成可以采用于本领域普通技术人员现在和未来知悉的各种技术方案,这里不再详细描述。
在本说明书的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本公开的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接,还可以是通信;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
在本公开中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
上文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本公开的不同结构。为了简化本公开的公开,上文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本公开。此外,本公开可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到其各种变化或替换,这些都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种掩膜版框架,其特征在于,包括:
第一框架本体,具有平行设置的第一平面和第二平面,以及沿所述第一框架本体的周向间隔设置的多个第一连接孔,其中,各所述第一连接孔贯穿所述第一平面和所述第二平面;
第二框架本体,设置在所述第一框架本体的一侧,所述第二框架本体背离所述第一框架本体的平面形成用于固定掩膜版的固定平面;
多个连接柱,各所述连接柱分别穿过各所述第一连接孔与所述第二框架本体可拆卸地连接。
2.根据权利要求1所述的掩膜版框架,其特征在于,所述连接柱用于套设垫片,以使所述垫片位于所述第一框架本体与所述第二框架本体之间。
3.根据权利要求2所述的掩膜版框架,其特征在于,所述第一框架本体还包括沿所述第一框架本体的周向间隔设置的多个第一容纳孔,各所述第一容纳孔由所述第二平面向所述第一平面凹陷形成,各所述第一容纳孔分别与各所述第一连接孔同轴设置且连通,所述第一容纳孔用于在套设所述垫片时为所述连接柱邻近所述第一框架本体的一端提供容纳空间。
4.根据权利要求3所述的掩膜版框架,其特征在于,还包括:
螺母,所述螺母可拆卸地套设在所述连接柱邻近所述第一框架本体的一端,且容置在所述第一容纳孔中。
5.根据权利要求4所述的掩膜版框架,其特征在于,所述第一容纳孔的孔径大于所述第一连接孔的孔径,所述第一容纳孔的凹陷深度大于所述螺母的厚度。
6.根据权利要求4所述的掩膜版框架,其特征在于,还包括:
紧固环,所述紧固环可拆卸地套设于所述连接柱邻近所述第一框架本体的一端,且位于所述螺母朝向所述第一框架本体的一侧。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的掩膜版框架,其特征在于,所述第一容纳孔的凹陷深度的范围为0.05mm-0.5mm,所述第一容纳孔的凹陷深度等于或大于所述垫片的厚度。
8.根据权利要求2所述的掩膜版框架,其特征在于,所述连接柱的中部设置有预留区标识,所述预留区标识用于标识所述垫片的最大设置厚度。
9.根据权利要求1所述的掩膜版框架,其特征在于,所述第二框架本体具有平行设置的第三平面、第四平面以及沿第二框架本体的周向间隔设置的多个第二连接孔,各所述第二连接孔由所述第四平面向所述第三平面凹陷形成;所述第二连接孔用于穿设所述连接柱,所述第二连接孔为螺纹孔。
10.根据权利要求1所述的掩膜版框架,其特征在于,所述第一框架本体的宽度大于所述第二框架本体的宽度,所述第二框架本体在所述第一框架本体上的投影至少部分与所述第一框架本体的投影重合,且所述第一框架本体的投影围绕所述第一框架本体的投影。
11.根据权利要求1所述的掩膜版框架,其特征在于,所述第一框架本体的相对侧分别设置有多个传送槽,所述传送槽用于供传送设备连接;和/或,
所述第二框架本体沿周向间隔设置有多个夹槽,所述夹槽用于配合夹爪夹持掩膜版。
12.一种掩膜模组,其特征在于,包括:掩膜版、待蒸镀基板以及权利要求1至11中任一项所述的掩膜版框架,所述掩膜版和所述待蒸镀基板依次设置在所述掩膜版框架的固定平面上。
13.一种蒸镀设备,其特征在于,包括:掩膜载台以及权利要求12所述的掩膜模组,所述掩膜模组设置在所述掩膜载台上。
14.根据权利要求13所述的蒸镀设备,其特征在于,还包括:
摄像装置,位于所述掩膜模组背离所述掩膜载台的一侧;
所述摄像装置与所述掩膜模组之间的对位距离通过在所述第一框架本体与所述第二框架本体之间的设置垫片调节。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001341278A (ja) * 2000-06-06 2001-12-11 Tokai Shoji Kk メタルマスクフレーム版及びその製作方法、製作用治具
CN106086782A (zh) * 2016-06-28 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及其安装方法、蒸镀装置
CN107354427A (zh) * 2017-09-06 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板载台和蒸镀系统
CN107699853A (zh) * 2017-09-26 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、掩膜版固定方法及其蒸镀方法
CN107723658A (zh) * 2017-11-23 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版框架和蒸镀系统
CN107978676A (zh) * 2017-11-30 2018-05-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸镀用掩膜组件
CN208127246U (zh) * 2018-05-23 2018-11-20 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板框架
CN110699638A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 云谷(固安)科技有限公司 掩膜版的张网设备和张网方法
CN111519139A (zh) * 2020-04-29 2020-08-11 Tcl华星光电技术有限公司 一种掩膜装置及掩膜装置与基板的贴合方法
CN112226731A (zh) * 2020-09-30 2021-01-15 昆山国显光电有限公司 掩膜板框架及蒸镀掩膜板组件

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001341278A (ja) * 2000-06-06 2001-12-11 Tokai Shoji Kk メタルマスクフレーム版及びその製作方法、製作用治具
CN106086782A (zh) * 2016-06-28 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及其安装方法、蒸镀装置
CN107354427A (zh) * 2017-09-06 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板载台和蒸镀系统
CN107699853A (zh) * 2017-09-26 2018-02-16 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、掩膜版固定方法及其蒸镀方法
CN107723658A (zh) * 2017-11-23 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版框架和蒸镀系统
CN107978676A (zh) * 2017-11-30 2018-05-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸镀用掩膜组件
CN208127246U (zh) * 2018-05-23 2018-11-20 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板框架
CN110699638A (zh) * 2019-11-28 2020-01-17 云谷(固安)科技有限公司 掩膜版的张网设备和张网方法
CN111519139A (zh) * 2020-04-29 2020-08-11 Tcl华星光电技术有限公司 一种掩膜装置及掩膜装置与基板的贴合方法
CN112226731A (zh) * 2020-09-30 2021-01-15 昆山国显光电有限公司 掩膜板框架及蒸镀掩膜板组件

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