CN113345876A - 笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法 - Google Patents
笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113345876A CN113345876A CN202110057490.9A CN202110057490A CN113345876A CN 113345876 A CN113345876 A CN 113345876A CN 202110057490 A CN202110057490 A CN 202110057490A CN 113345876 A CN113345876 A CN 113345876A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- module
- package substrate
- integrated circuit
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims abstract description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 143
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 229920006336 epoxy molding compound Polymers 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49517—Additional leads
- H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
- H01M10/425—Structural combination with electronic components, e.g. electronic circuits integrated to the outside of the casing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
- H01M10/425—Structural combination with electronic components, e.g. electronic circuits integrated to the outside of the casing
- H01M10/4264—Structural combination with electronic components, e.g. electronic circuits integrated to the outside of the casing with capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
- H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
- H02J7/0031—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using battery or load disconnect circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
- H01M10/425—Structural combination with electronic components, e.g. electronic circuits integrated to the outside of the casing
- H01M2010/4271—Battery management systems including electronic circuits, e.g. control of current or voltage to keep battery in healthy state, cell balancing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M2220/00—Batteries for particular applications
- H01M2220/30—Batteries in portable systems, e.g. mobile phone, laptop
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10166—Transistor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Battery Mounting, Suspending (AREA)
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
根据本发明的一观点的笔记本电脑电池保护电路封装件,包括:封装基板;电量计集成电路模块,其安装在所述封装基板上;保护集成电路模块,其安装所述封装基板上;充电/放电晶体管模块,其安装所述封装基板上;以及模塑部,其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。
Description
技术领域
本发明涉及电池控制装置,更具体地,涉及一种笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法。
背景技术
通常在手机、PDA、智能手表(smart watch)、笔记本电脑等电子装置中会使用电池。锂离子电池作为移动终端中最为广泛应用的电池,发生过充电、过电流时会产生热量,如果持续发热导致温度上升,则不仅性能劣化,还存在爆炸的危险。因此,为了防止这种性能劣化,需要用电池保护电路来控制电池工作。
对于笔记本电脑而言,通过在印刷电路板(printed circuit board,PCB)上安装用于感知并阻断电池的过充电、过放电及过电流的保护集成电路、电量计集成电路、熔丝场效应晶体管等来构成电池控制电路。
因此,对于现有技术而言,为了控制电池,需要分别对多个集成电路进行封装并安装到印刷电路板上,这将导致电池控制电路的尺寸增加,并制约笔记本电脑的小型化及轻量化,而且发热方面也存在效率性问题。进一步地,还会制约为增加电池单元容量的空间。
【在先技术文献】
【专利文献】
(专利文献1)1、韩国公开专利公报第10-2009-0117315号(2009年11月12日)
(专利文献2)2、韩国公开专利公报号10-2015-0035266(2015年4月6日)
发明内容
【技术问题】
本发明是为了解决如上所述的技术问题而提出的,其目的在于提供一种可实现小型化且具有设计余量的同时又能够实现高效电池管理的笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法。但是该技术问题仅为示例,并非用于限定本发明的范围。
【技术方案】
根据本发明的一观点的笔记本电脑电池保护电路封装件,包括:封装基板;电量计集成电路(FGIC)模块,其安装在所述封装基板上;保护集成电路模块,其安装所述封装基板上;充电/放电晶体管模块,其安装所述封装基板上;以及模塑部,其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,所述封装基板可包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架,所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述裸片安装部上,所述模塑部露出所述输入/输出端子部的至少一部分。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,所述电量计集成电路模块可包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆,所述保护集成电路模块可包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆,所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,所述充电/放电晶体管模块可包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆,所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,所述第三晶圆可直接安装在所述封装基板上,所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,还可包括安装在所述封装基板上的熔丝晶体管,所述模塑部还封装有所述熔丝晶体管,所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆,所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,还可包括安装在所述封装基板上的二极管模块,所述模塑部还封装有所述二极管模块,所述二极管模块可包括形成有至少一个二极管的第五晶圆,所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,还可包括安装在所述封装基板上的至少一个无源元件,所述模塑部还可封装所述无源元件。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件,还可包括连接在所述封装基板的一侧且从所述模塑部露出的连接器。
根据本发明的另一观点,可提供一种笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,包括:在封装基板上安装电量计集成电路模块的步骤;在所述封装基板上安装保护集成电路模块的步骤;在所述封装基板上安装充电/放电晶体管模块的步骤;以及在所述封装基板上形成模塑部以使所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体的步骤。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,所述封装基板可包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架,所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述裸片安装部上,在所述模塑部的形成骤中,所述输入/输出端子部的至少一部分从所述模塑部露出。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,所述电量计集成电路模块可包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆,所述保护集成电路模块包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆,在所述电量计集成电路模块的安装步骤和所述保护集成电路模块的安装步骤中,所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,所述充电/放电晶体管模块可包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆,在所述充电/放电晶体管模块的安装步骤中,所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,所述第三晶圆可直接安装在所述封装基板上,所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,还可包括在所述封装基板上安装熔丝晶体管的步骤,在所述模塑部的形成步骤中,所述模塑部还封装所述熔丝晶体管,所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆,在所述熔丝晶体管的安装步骤中,所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,还可包括在所述封装基板上安装二极管模块的步骤,所述模塑部还封装有所述二极管模块,所述二极管模块包括形成有至少一个二极管的第五晶圆,在所述二极管模块的安装步骤中,所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
根据所述笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,还可包括在所述封装基板上安装至少一个无源元件的步骤,所述模塑部还封装所述无源元件。
【有益效果】
根据如上所述本发明的一些实施例,能够提供一种可实现小型化且能够确保设计余量的笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法。当然这些效果并不会限制本发明的范围。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的电池保护电路封装件的概略剖面图。
图2是根据本发明另一实施例的电池保护电路封装件的概略剖面图。
图3是根据本发明又一实施例的电池保护电路封装件的概略立体图。
图4是根据本发明又一实施例的电池保护电路封装件的概略俯视图。
图5是根据本发明一实施例的电池保护电路封装件的制造方法的概略流程图。
具体实施方式
下面,参照附图对本发明多个优选实施例进行详细说明。
本发明的实施例是为了向本技术领域的技术人员更完整地进行说明而提供的,下述实施例可变形为各种形式,而本发明的范围不受限于这些实施例。相反,这些实施例能够更加充实且完整地公开本发明,向本技术领域的技术人员完整地传递本发明的思想。此外,为了便于说明和准确地进行说明,附图中各个层的厚度或尺寸将被放大表示。
在通篇说明书中,如膜、区域或者基板等一构成要素被描述为与其它构成要素具有“在…之上”、“连接”、“层叠”或者“耦合”的关系时,可以解释为所述一构成要素直接与其它构成要素具有“在…之上”、“连接”、“层叠”或者“耦合”关系,或者它们之间夹设有其它构成要素。与此相反,当一构成要素被描述为与其它构成要素具有“直接在…之上”、“直接连接”、“直接层叠”或者“直接耦合”的关系时,应解释为它们之间不存在其它构成要素。相同的附图标记表示相同的要素。如本说明书中所使用,术语“和/或”表示包括所列举的项目中的某一个以及至少一个的所有组合。
在本说明书中,第一、第二等术语用来说明各种构件、部件、区域、层和/或部分,然而显而易见的是,这些构件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限定。这些术语只是用于将一个构件、部件、区域、层或者部分与其它区域、层或者部分进行区分。因此,上述的第一构件、部件、区域、层或者部分在不脱离本发明思想的情况下可表示第二构件、部件、区域、层或者部分。
此外,如“上的”或者“上侧的”以及“下的”或者“下侧的”等相对术语,如图所示,是为了描述某些要素相对于其它要素的关系而使用。可以理解为,用于表示相对关系的术语所要表达的是除了附图中所描述的方向之外还包括元件的其它方向。例如,附图中如果元件翻转(turn over),被描述为存在于其它要素的上面的要素将会具有存在于所述其它要素的下面的方向。因此,基于附图的具体方向,举例的术语“上的”可以包括“上的”以及“下的”方向。如果元件朝向另一方向(朝向另一方向旋转90度),则本说明书中所采用的相对说明可根据此处的说明进行解释。
本说明书中所使用的术语只是用来说明具体的实施例,并非旨在限定本发明。如本说明书中所使用,除非文章中明确指出其它情况,否则单数表述可以包括复数表述。此外,本说明书所使用的“包括(comprise)”和/或“包括的(comprising)”具体用于表示存在所描述的形状、数字、步骤、动作、构件、要素和/或其组合,并非用于排除存在或增加一个以上的其它形状、数字、步骤、动作、构件、要素和/或其组合。
下面,参照概略示出本发明优选实施例的附图,对本发明的实施例进行说明。附图中,例如可以根据制造技术和/或公差(tolerance)来预测所示出的形状变化。因此,本发明的实施例不应解释为局限于本说明书中所示出的范围内的具体形状,例如,应该包括制造过程产生的形状变化。
图1是根据本发明一实施例的电池保护电路封装件100的概略剖面图。
参照图1,电池保护电路封装件100可包括封装基板110(package substrate)、电量计集成电路模块120(fuel gauge IC module)、保护集成电路模块130(protection ICmodule)、充电/放电晶体管模块140(charge/discharge transistor module)及模塑部170。
封装基板110作为用于安装多个部件且在其上面形成用于连接多个部件的布线的基板,例如可包括印刷电路板(printed circuit board,PCB)或者引线框架(lead frame)。
印刷电路基板(printed circuit board,PCB)为刚性(rigid)基板结构且可以包括中心结构上形成有电路图案的结构。进一步地,为了将安装在上部的部件电连接到下部,印刷电路基板可包括贯通内部的通孔电极(via electrode)。另外,印刷电路基板还可包括对通孔电极进行再分布(redistribution)的布线图案及与该布线图案连接的外部端子部。
引线框架不同于印刷电路基板,可通过图案化引线框架本身来形成电路布线和输入/输出端子部。进一步地,由于引线框架能够起到散热板的作用,因此从散热层面考虑比较有利。
电量计集成电路模块120可安装在封装基板110上。例如,电量计集成电路模块120可作为一个部件或者多个部件安装在封装基板110上。例如,电量计集成电路模块120可利用表面安装技术(surface mounting technology,SMT)安装在封装基板110上。
电量计集成电路模块120可向系统提供电池的充电状态数据、可用容量、剩余容量、寿命、放电时间、充电/放电次数、寿命预测、电池电阻等数据。进一步地,电量计集成电路模块120还可包括电池保护电路。电池保护电路能够在电池的过充电、过放电、过电流等情况保护电池。
保护集成电路模块130可安装在封装基板110上。例如,保护集成电路模块130可作为一个部件或者多个部件安装在封装基板110上。例如,保护集成电路模块130可利用表面安装技术安装在封装基板110上。
保护集成电路模块130可在电池的过充电、过放电、过电流、过电压等情况下保护电池。在一些实施例中,电量计集成电路模块120包括电池保护电路时,保护集成电路模块130也可作为二次保护电路操作。
充电/放电晶体管模块140可安装在封装基板110上。例如,充电/放电晶体管模块140可作为一个部件或者多个部件安装在封装基板110上。充电/放电晶体管模块140可利用表面安装技术安装在封装基板110上。
例如,电量计集成电路模块120或者保护集成电路模块130可通过监控电池的电压来控制充电/放电晶体管模块140的开/关操作从而控制充电或者放电工作。更具体地,电量计集成电路模块120或者保护集成电路模块130如果在电池放电时感测到过电流或者过放电状态,或者在电池充电时感测到过电流或者过充电状态,则可关闭充电/放电晶体管模块14。
模塑部170可形成在封装基板110上用以封装电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130及充电/放电晶体管模块140。例如,模塑部170可以是将电量计集成电路模块12、保护集成模块130及充电/放电晶体管模块140同时封装为一体的单一结构体。
模塑部170可露出封装基板110的外部端子部。例如,模塑部170可露出印刷电路基板的外部端子部或者引线框架的输入/输出端子部的至少一部分。
例如,模塑部170可由环氧模塑料(epoxy molding compound,EMC)形成。
根据上述实施例,通过将现有被分别封装的电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130及充电/放电晶体管模块140形成一个电池保护电路封装件100,可简化结构且减少接口以实现小型化的同时又能够提高产品的空间利用率,从而可提高设计余量。
图2是根据本发明另一实施例的电池保护电路封装件100a的概略剖面图。根据该实施例的电池保护电路封装件100a是在图1的电池保护电路封装件100基础上增加了部分构件的情况,因此可参照图1的说明,并省略两个实施例中重复说明部分。
参照图2,电池保护电路封装件100a除了电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140之外还可以包括熔丝晶体管模块150和/或二极管模块160。
熔丝晶体管模块150可安装在封装基板110上。熔丝晶体管模块150是用于控制熔丝的模块,所述熔丝用于控制笔记本电脑等的电池。熔丝可包含在电池保护电路封装件100a中,但也可以布置于电池保护电路封装件100a的外部。
二极管模块160可安装在封装基板110上。二极管模块160可利用整流元件。
模塑部170可形成在封装基板110上用于覆盖电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140、熔丝晶体管模块150及二极管模块160。例如,模塑部170可以是将电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140、熔丝晶体管模块150及二极管模块160覆盖为一体的单一结构体。
图3是根据本发明又一实施例的电池保护电路封装件100b的概略立体图。根据该实施例的电池保护电路封装件100b是在图1和图2的电池保护电路封装件100、100a基础上将部分构件具体化或者变形所得到的情况,因此可参照图1和图2的说明,并省略这些实施例中重复说明部分。
参照图3,电池保护电路封装件100b可利用引线框架110a作为封装基板110,且可包括保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140及熔丝晶体管模块150。
例如,引线框架110a可包括裸片安装部104和输入/输出端子部102。裸片安装部104的上面可安装多个部件。例如,引线框架110a的裸片安装部104上可安装保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140及熔丝晶体管模块150中的至少一个或者全部。
进一步地,裸片安装部104根据其上面安装的部件数量也可分为一个或者多个区块。例如,裸片安装部104的一部分上可安装充电/放电晶体管模块140,裸片安装部104的另一部分上可安装熔丝晶体管模块150。保护集成电路模块130可安装在充电/放电晶体管模块140上。
更具体地,保护集成电路模块130可包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆132a。更具体地,第二晶圆132a可指在半导体晶圆上利用半导体集成电路工艺形成保护集成电路元件的结构。
第二晶圆132a能够以晶圆级(wafer level)安装到封装基板110,例如引线框架110a上。其中,以晶圆级安装可指对第二晶圆132a不进行封装而在晶圆状态下安装到引线框架110a上。
充电/放电晶体管模块140可包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆142a。更具体地,第三晶圆142a可指在半导体晶圆上利用半导体集成电路工艺形成充电/放电场效应晶体管的结构。
第三晶圆142a能够以晶圆级(wafer level)安装到封装基板110,例如引线框架110a上。其中,以晶圆级安装是指对第三晶圆142a不进行封装而在晶圆状态下安装到引线框架110a上。
进一步地,第三晶圆142a可直接安装在封装基板110例如引线框架110a上,第二晶圆132a可安装在第三晶圆142a上。其中,第三晶圆142a直接安装在引线框架110a上是指两者之间不夹设其他晶圆或者结构物,但可以夹设有安装工艺中所需的焊锡或者粘合剂等。
如上所述,第三晶圆142a和第二晶圆132a以叠层结构安装在引线框架110a上,从而可减小引线框架110a的尺寸,例如脚印(foot print)。
熔丝晶体管模块150可包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆152a。更具体地,第四晶圆152a可指在半导体晶圆上利用半导体集成电路工艺形成熔丝场效应晶体管的结构。
第四晶圆152a能够以晶圆级(wafer level)安装到封装基板110,例如引线框架110a上。其中,以晶圆级安装可指对第四晶圆152a不进行封装而在晶圆状态下安装到引线框架110a上。
第二晶圆至第四晶圆132a、142及152a可包括输入/输出焊盘,这种输入/输出焊盘可利用适当的连接手段例如线焊(wire bonding)或者球焊(ball bonding)进行相互连接或者间接地与引线框架110a连接。
模塑部170可形成在引线框架110a上用以覆盖第二晶圆至第四晶圆132a、142及152a且露出输入/输出端子部102的至少一部分。
电池保护电路封装件100b可不包括无源元件。这种情况下,电池保护电路封装件100b在产品中使用时应该与具有无源元件的其他结构连接。例如,电池保护电路封装件100b可安装在具有无源元件160的其他的主板上。
这种电池保护电路封装件100b可应用于无源元件的结构可进行各种变形的产品中。这种情况下,电池保护电路封装件100b提供共同的集成电路,而可变形的无源元件的结构可与产品匹配地形成于主板上。
另外,在该实施例的变形示例中,电池保护电路封装件100a还可包括电量计集成电路模块120。
根据该实施例的电池保护电路封装件100b,通过将保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140及熔丝晶体管模块150作为一个封装件安装在一个引线框架110a上,可减小其尺寸。进一步地,通过将第二晶圆至第四晶圆132a、142及152a以晶圆级安装成部分叠层的结构,从而可进一步减小其尺寸。
图4是根据本发明又一实施例的电池保护电路封装件100c的概略俯视图。根据该实施例的电池保护电路封装件100c是在上述电池保护电路封装件100、100a及100b的基础上通过具体化、附加或者变形部分构件而获得的,因此可参照图1至图3的说明内容,并省略这些实施例中重复说明部分。
参照图4,电池保护电路封装件100c利用引线框架110a作为封装基板110,而且可包括安装在引线框架110a上的电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140、熔丝晶体管模块150及二极管模块160。
电量计集成电路模块120可包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆122a。更具体地,第一晶圆122a可以指在半导体晶圆上利用半导体集成电路工艺形成电量计集成电路元件的结构。
第一晶圆122a能够以晶圆级(wafer level)安装到封装基板110,例如引线框架110a上。其中,以晶圆级安装是指对第一晶圆122a不进行封装而在晶圆状态下安装到引线框架110a上。
如图3中所述,保护集成电路模块130可包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆132a,充电/放电晶体管模块140可包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆142a,熔丝晶体管模块150可包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆152a。如上所述,第二晶圆至第四晶圆132a、142及152a也能够以晶圆级安装到引线框架110a上。
进一步地,二极管模块160可包括形成有至少一个二极管的第五晶圆162a。更具体地,第五晶圆162a可以指在半导体晶圆上利用半导体集成电路工艺形成二极管的结构。
第五晶圆162a能够以晶圆级(wafer level)安装到封装基板110,例如引线框架110a上。其中,以晶圆级安装是指对第五晶圆162a不进行封装而在晶圆状态下安装到引线框架110a上。
进一步地,在封装基板110例如引线框架110a上还可以安装至少一个无源元件175,例如电阻器(resistor)、电容器(capacitor)和/或感应器(inductor)等。
模塑部170可形成在引线框架110a上用于封装第一晶圆至第五晶圆122a、132a、142a、152a及162a和无源元件175。例如,模塑部170可以是将第一晶圆至第五晶圆122a、132a、142a、152a及162a和无源元件175封装为一体的单一结构体。
进一步地,连接器180可连接在封装基板110例如引线框架110a的一侧。连接器180从模塑部170露出且用于电连接电池保护电路封装件100c与外部产品或者主板。
根据电池保护电路封装件100c,通过将电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140、熔丝晶体管模块150及二极管模块160作为一个封装件安装在一个引线框架110a上,从而可减小其尺寸。进一步地,通过将第一晶圆至第五晶圆122a、132a、142a、152a及162a在引线框架110a上以晶圆级安装成部分叠层的结构,从而可进一步减小其尺寸。
上述电池保护电路封装件100、100a、100b及100c可应用于小型化产品例如笔记本电脑,当应用于笔记本电脑时,可有助于减小笔记本电脑的尺寸,增加电池的容量。这种情况下,电池保护电路封装件100、100a、100b及100c也可称为笔记本电脑电池保护电路封装件。
图5是根据本发明一实施例的电池保护电路封装件的制造方法的概略流程图。
参照图1至图5,首先,可准备加工好的封装基板110例如引线框架110a以形成所需的电路结构。
接着,在封装基板110例如引线框架110a上可执行电量计集成电路模块120的安装步骤S10、保护集成电路模块130的安装步骤S20、充电/放电晶体管模块140的安装步骤S30。而且,在封装基板110例如引线框架110a上还可执行熔丝晶体管模块150的安装、二极管模块160的安装步骤。
在这些安装步骤中,安装顺序可任意变更。只是,以叠层结构进行安装时,可先安装下部结构后再安装上部结构。
例如,对于图3和图4的情况,首先将第三晶圆142a安装在引线框架110a上,然后再将第二晶圆132a安装在第三晶圆142a上。在封装基板110例如引线框架110a上直接安装的第一晶圆122a、第三晶圆142a、第四晶圆152a及第五晶圆162a其安装顺序可任意选择。
可选地,对于图4的情况,无源元件175可安装在引线框架110a上。在第一晶圆至第五晶圆122a、132a、142a、152a及162a的安装之前或之后,可将无源元件175安装到引线框架110a上。
上述安装可利用各种工艺,例如可利用表面安装技术(surface mountingtechnology,SMT)。
第一晶圆至第五晶圆122a、132a、142a、142a及152a能够以晶圆级安装在封装基板110例如引线框架110a上。更具体地,第一晶圆至第五晶圆122a、132a、142a、142a及152a和无源元件175的安装结构可进一步参照图3和图4的说明。
可选地,如图4所示,还可附加在封装基板110例如引线框架110a的一侧对连接器180进行连接的步骤。
然后,还可接着执行在封装基板110例如引线框架110a上形成模塑部170用以封装上述安装结构的步骤S40。模塑部170可露出引线框架110a的输入/输出端子部102的至少一部分及连接器180。
例如,对于图1的情况,可形成单一的模塑部170,从而将电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130及充电/放电晶体管模块140模塑成一体。
作为另一示例,对于图2的情况,可形成单一的模塑部170,从而将电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140、熔丝晶体管模块150及二极管模块160模塑成一体。
作为又一示例,对于图4的情况,可形成单一的模塑部170,从而将电量计集成电路模块120、保护集成电路模块130、充电/放电晶体管模块140、熔丝晶体管模块150、二极管模块160及无源元件175模塑成一体。
本发明参照附图所示的实施例进行了说明,但是这只是示例性的,本技术领域具有一般知识的技术人员可以理解,基于此可进行各种变形并实施等同的其他实施例。因此,本发明的真正的技术保护范围应根据附上的权利要求书的技术思想而决定。
【附图标记的说明】
100,100a、100b、100c:电池保护电路封装件
110:封装基板
110a:引线框架
120:电量计集成电路模块
130:保护集成电路模块
140:充电/放电晶体管模块
150:熔丝晶体管
160:二极管模块
170:模塑部
175:无源元件
Claims (17)
1.一种笔记本电脑电池保护电路封装件,包括:
封装基板;
电量计集成电路模块,其安装在所述封装基板上;
保护集成电路模块,其安装所述封装基板上;
充电/放电晶体管模块,其安装所述封装基板上;以及
模塑部,其形成于所述封装基板上用于将所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体。
2.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,所述封装基板包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架,所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述模具安装部上,所述模塑部露出所述输入/输出端子部的至少一部分。
3.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,所述电量计集成电路模块包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆,所述保护集成电路模块包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆,所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装在所述封装基板上。
4.如权利要求3所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,所述充电/放电晶体管模块包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆,所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
5.如权利要求4所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,所述第三晶圆直接安装在所述封装基板上,所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。
6.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,还包括安装在所述封装基板上的熔丝晶体管,所述模塑部还封装有所述熔丝晶体管,所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆,所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
7.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,还包括安装在所述封装基板上的二极管模块,所述模塑部还封装有所述二极管模块,所述二极管模块包括形成有至少一个二极管的第五晶圆,所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
8.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,还包括安装在所述封装基板上的至少一个无源元件,所述模塑部还封装有所述无源元件。
9.如权利要求1所述的笔记本电脑电池保护电路封装件,其中,还包括连接在所述封装基板的一侧且从所述模塑部露出的连接器。
10.一种笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,包括:
在封装基板上安装电量计集成电路模块的步骤;
在所述封装基板上安装保护集成电路模块的步骤;
在所述封装基板上安装充电/放电晶体管模块的步骤;以及
在所述封装基板上形成模塑部以使所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块封装为一体的步骤。
11.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,其中,所述封装基板包括具有裸片安装部和输入/输出端子部的引线框架,所述电量计集成电路模块、所述保护集成电路模块及所述充电/放电晶体管模块安装在所述引线框架的所述裸片安装部上,在所述模塑部的形成骤中,所述输入/输出端子部的至少一部分从所述模塑部露出。
12.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,其中,所述电量计集成电路模块包括形成有电量计集成电路元件的第一晶圆,所述保护集成电路模块包括形成有保护集成电路元件的第二晶圆,在所述电量计集成电路模块的安装步骤和所述保护集成电路模块的安装步骤中,所述第一晶圆和所述第二晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
13.如权利要求12所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,其中,所述充电/放电晶体管模块包括形成有至少一个充电/放电场效应晶体管的第三晶圆,在所述充电/放电晶体管模块的安装步骤中,所述第三晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
14.如权利要求13所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,其中,所述第三晶圆直接安装在所述封装基板上,所述第二晶圆安装在所述第三晶圆上。
15.如权利要求11所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,其中,还包括在所述封装基板上安装熔丝晶体管的步骤,在所述模塑部的形成步骤中,所述模塑部还封装所述熔丝晶体管,所述熔丝晶体管包括形成有至少一个熔丝场效应晶体管的第四晶圆,在所述熔丝晶体管的安装步骤中,所述第四晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
16.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,其中,还包括在所述封装基板上安装二极管模块的步骤,所述模塑部还封装有所述二极管模块,所述二极管模块包括形成有至少一个二极管的第五晶圆,在所述二极管模块的安装步骤中,所述第五晶圆以晶圆级安装到所述封装基板上。
17.如权利要求10所述的笔记本电脑电池保护电路封装件的制造方法,其中,还包括在所述封装基板上安装至少一个无源元件的步骤,所述模塑部还封装有所述无源元件。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200019899A KR20210105213A (ko) | 2020-02-18 | 2020-02-18 | 노트북 배터리 보호회로 패키지 및 그 제조 방법 |
KR10-2020-0019899 | 2020-02-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113345876A true CN113345876A (zh) | 2021-09-03 |
Family
ID=77273277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110057490.9A Pending CN113345876A (zh) | 2020-02-18 | 2021-01-15 | 笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210257283A1 (zh) |
KR (1) | KR20210105213A (zh) |
CN (1) | CN113345876A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090280398A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Battery pack |
CN102082128A (zh) * | 2009-11-04 | 2011-06-01 | 新科金朋有限公司 | 半导体封装和半导体管芯安装到tsv衬底相对侧的方法 |
CN105098132A (zh) * | 2014-05-15 | 2015-11-25 | (株)Itm半导体 | 电池保护电路组件 |
CN105264691A (zh) * | 2013-04-17 | 2016-01-20 | Itm半导体有限公司 | 电池保护电路模块封装 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101562881B1 (ko) | 2013-09-27 | 2015-10-23 | 주식회사 엘지화학 | 배터리 팩 관리 장치와 이를 포함하는 배터리 팩 및 노트북 |
-
2020
- 2020-02-18 KR KR1020200019899A patent/KR20210105213A/ko not_active IP Right Cessation
-
2021
- 2021-01-15 CN CN202110057490.9A patent/CN113345876A/zh active Pending
- 2021-02-18 US US17/178,364 patent/US20210257283A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090280398A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Battery pack |
CN102082128A (zh) * | 2009-11-04 | 2011-06-01 | 新科金朋有限公司 | 半导体封装和半导体管芯安装到tsv衬底相对侧的方法 |
CN105264691A (zh) * | 2013-04-17 | 2016-01-20 | Itm半导体有限公司 | 电池保护电路模块封装 |
CN105098132A (zh) * | 2014-05-15 | 2015-11-25 | (株)Itm半导体 | 电池保护电路组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210257283A1 (en) | 2021-08-19 |
KR20210105213A (ko) | 2021-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101450221B1 (ko) | 배터리 보호회로 모듈 패키지 | |
US7692405B2 (en) | Single unit protection circuit module and battery pack using the same | |
KR101595498B1 (ko) | 폴리머 배터리 셀 및 이를 포함하는 전자장치 | |
US10263238B2 (en) | Battery protection circuit module package, battery pack and electronic device including same | |
US8966749B2 (en) | Manufacturing method for protection circuit module of secondary battery | |
KR101070840B1 (ko) | 배터리 보호회로의 패키징구조 | |
US9028987B2 (en) | Semiconductor device for protecting battery cell, protection circuit module and battery pack having the same | |
KR101474741B1 (ko) | 배터리 팩 및 그 제조방법 | |
KR101434224B1 (ko) | 배터리 보호회로 및 배터리 보호회로 모듈 패키지 | |
CN113659185B (zh) | 电池保护电路封装件的制造方法 | |
KR20160025310A (ko) | 배터리 보호회로 패키지 | |
CN112218444B (zh) | 电池保护电路封装件及其制造方法 | |
US11605959B2 (en) | Battery control system-in-package and method of fabricating the same | |
KR101288059B1 (ko) | 배터리 보호회로의 패키지 모듈 | |
KR101479307B1 (ko) | 배터리 보호회로 모듈 패키지 및 이를 포함하는 배터리 팩 | |
KR100441287B1 (ko) | 충전전지의 보호회로 모듈 및 그 제조방법 | |
CN113345876A (zh) | 笔记本电脑电池保护电路封装件及其制造方法 | |
KR101487958B1 (ko) | 배터리 보호회로 모듈 패키지 및 그 제조방법 | |
KR101479306B1 (ko) | 배터리 보호회로 모듈 패키지 및 배터리 보호회로 모듈 패키지 어셈블리 | |
CN113749295A (zh) | 电子烟的控制电路模块封装件 | |
JP2002141506A (ja) | 双方向スイッチの実装構造と双方向スイッチを備える保護回路 | |
KR101582952B1 (ko) | 배터리 보호회로 패키지 및 배터리 팩 | |
KR101558271B1 (ko) | 배터리 보호회로 모듈 패키지 및 그 제조방법 | |
KR20220116694A (ko) | 방열성이 우수한 배터리 보호회로 패키지 | |
KR20150010857A (ko) | 배터리 보호회로 모듈 패키지를 장착할 수 있는 홀더, 상기 홀더의 제조방법 및 상기 홀더를 이용한 배터리팩의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |