CN113327933A - 显示模组及其制作方法 - Google Patents

显示模组及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113327933A
CN113327933A CN202110550090.1A CN202110550090A CN113327933A CN 113327933 A CN113327933 A CN 113327933A CN 202110550090 A CN202110550090 A CN 202110550090A CN 113327933 A CN113327933 A CN 113327933A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
display module
encapsulation layer
pin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110550090.1A
Other languages
English (en)
Inventor
胡道兵
徐洪远
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202110550090.1A priority Critical patent/CN113327933A/zh
Publication of CN113327933A publication Critical patent/CN113327933A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes

Abstract

本申请公开了一种显示模组及其制作方法，该显示模组包括：基板，基板上设有至少一开关元件和至少一发光元件；绑定层，包括位于基板与开关元件之间的第一引脚；第一封装层，设置于基板上且至少位于开关元件周侧，第一封装层、开关元件和基板形成一密封腔密封第一引脚；本发明通过设置第一封装层将第一引脚全部包裹起来，使得在RA中，特别是进行具有高温高湿测试条件的测试项目时，水汽不容易聚集在开关元件与绑定层的第一引脚处，从而达到保护开关元件不受水汽侵蚀的目的，保证发光元件的正常显示。

Description

显示模组及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示模组及其制作方法。
背景技术
目前，次毫米发光二极管(mini LED)为电流驱动，对驱动薄膜晶体管(TFT，ThinFilm Transistor)的稳定性要求非常高；非晶硅-薄膜晶体管(a-Si TFT，a-Si Thin FilmTransistor)、铟镓锌氧化物-薄膜晶体管(IGZO TFT，indium gallium zinc oxide ThinFilm Transistor)或者低温多晶硅-薄膜晶体管(LTPS TFT，Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor)等在可靠性测试(RA，Reliability Analysis)条件下均会有一定程度的阈值电压(Vth)飘移，导致LED元件的亮度出现衰减。
金氧半导体场效应晶体管(MOS，Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)有着极其稳定的电性能，在RA极端条件下Vth几乎不变，可以很好满足Mini-LED的驱动要求。但由于MOS管的焊盘一直是暴露在空气当中，在RA特别是高温高湿等高湿项目时，水汽会聚集在MOS管下面的焊盘间隙处，积累到一定程度后会导致MOS管短路，造成分区内LED元件常亮，形成异常亮点。
发明内容
为了解决上述问题：提供一种显示模组及其制作方法，以解决开关元件受水汽侵蚀的技术问题。
本发明提供一种显示模组，包括：
基板，所述基板上设有至少一开关元件和至少一发光元件；
绑定层，包括位于所述基板与所述开关元件之间的第一引脚；
第一封装层，设置于所述基板上且至少位于所述开关元件周侧，所述第一封装层、开关元件和所述基板形成一密封腔密封所述第一引脚。
在本发明的一实施例中，所述第一封装层设置于所述基板和所述开关元件上且覆盖所述开关元件。
在本发明的一实施例中，所述第一封装层与所述发光元件呈间隔设置于所述基板上。
在本发明的一实施例中，所述第一封装层设置在以所述开关元件为中心，半径在2.5mm的区域范围内。
在本发明的一实施例中，所述基板上还设有至少一个薄膜晶体管元件；所述显示模组还包括第二封装层；所述第二封装层设置于所述薄膜晶体管元件和所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管元件。
在本发明的一实施例中，所述开关元件为金氧半导体场效应晶体管，所述发光元件为发光二极管。
在本发明的一实施例中，所述显示模组还包括第三封装层，所述第三封装层的材料为透明材料，所述第三封装层设置于所述基板和所述发光元件上且覆盖所述发光元件，所述第三封装层远离所述发光元件的一侧呈弧面结构。
本发明还提供一种显示模组的制作方法，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成绑定层，所述绑定层包括至少一个第一引脚；
在所述第一引脚上连接开关元件，在所述绑定层上连接至少一发光元件；
在所述基板上形成至少位于所述开关元件周侧的第一封装层，所述第一封装层、所述开关元件和所述基板形成一密封腔密封所述第一引脚。
在本发明的一实施例中，所述制作方法还包括步骤：在所述基板上形成至少一个薄膜晶体管元件，在所述基板和所述薄膜晶体管元件上形成第二封装层，所述第二封装层覆盖所述薄膜晶体管元件。
在本发明的一实施例中，所述第一封装层通过印刷或喷墨打印方式制作形成。
有益效果：本发明通过在完成开关元件转移到基板上后，通过设置一层第一封装层，将开关元件周侧、开关元件与绑定层连接的第一引脚全部包裹起来；使得在RA中，特别是进行具有高温高湿测试条件的测试项目时，水汽不容易聚集在开关元件与绑定层的第一引脚处，从而达到保护开关元件不受水汽侵蚀的目的，保证发光元件的正常显示。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供一种显示模组未包覆封装层在高湿状态下的截面图；
图2是本发明实施例提供一种显示模组的截面图；
图3是本发明实施例提供的另一种显示模组的截面图；
图4是本发明实施例提供的TFT元件被包覆的显示模组的截面图；
图5是本发明实施例提供的LED元件被包覆的显示模组的截面图；
图6是本发明实施例提供一种显示模组包覆封装层在高湿状态下的截面图；
图7是本发明实施例提供一种显示模组的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。
在现有技术中，如图1所示，现有的MOS管3因绑定层一直是暴露在空气当中，在进行RA，特别是高温高湿等高湿项目时，水汽会聚集在MOS管3下面的第一引脚201(焊盘)间隙处，积累到一定程度后会导致MOS管3短路，造成分区内LED元件4常亮，形成异常亮点的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
本申请实施例提供了一种显示模组。以下进行详细说明。
本发明提供一种显示模组，如图2所示，包括：
基板1，所述基板1上设有至少一开关元件和至少一发光元件；
绑定层，包括位于所述基板1与所述开关元件之间的第一引脚201；
第一封装层301a，设置于所述基板1上且至少位于所述开关元件周侧，所述第一封装层301a、开关元件和所述基板1形成一密封腔密封所述第一引脚201。
具体地，所述绑定层可以为焊盘，所述绑定层还包括位于所述基板1与所述发光元件之间的第二引脚202；所述第一引脚连接基板和开关元件，第二引脚连接基板和发光元件；所述开关元件可以为MOS管3，所述发光元件可以为LED元件4。
具体地，第一封装层301a可以为环氧树脂，该环氧树脂能够在温度50-70℃范围，相对湿度80-95的条件下具有良好的隔水氧效果。
具体地，所述第一封装层301a的材质可以为密度较大的无机材料；因而可以避免水氧通过微小的缝隙入侵，所述无机材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，所述第一封装层301a的材料能够耐100℃以上的高温，且能够在温度50-70℃范围，相对湿度80-95的条件下具有良好的隔水氧效果。
具体地，所述第一封装层301a的材质还可以为防水氧效果好、密度高的石墨烯纳米材料，所述第一封装层301a的材料能够耐100℃以上的高温，且能够在温度50-70℃范围，相对湿度80-95的条件下具有良好的隔水氧效果。
具体地，所述基板1可以为刚性基板也可以为柔性基板，刚性基板的材质可以为玻璃；柔性基板的材质可以为聚酰亚胺或聚酯薄膜。
具体地，所述第一封装层301a的厚度在100um以内。
具体地，所述MOS管3可以为N型MOS管或P型MOS管中的一种。
具体地，所述第一封装层301a与所述发光元件呈间隔设置于所述基板1上。
具体地，所述第一封装层301a设置在以所述开关元件为中心，半径在2.5mm的区域范围内，能够降低第一封装层301a对发光元件的发光效率的影响。
具体地，所述第一封装层301a通过印刷或喷墨打印方式制作形成。
值得注意的是，所述基板1以及所述基板1上的至少一开关元件和至少一发光元件既可以是所述显示模组中背光模组的相关结构，也可以是所述显示模组中阵列基板的相关结构，在此不以为限。
在本实施例中，在完成开关元件转移到基板1上后，通过设置一层第一封装层301a，将开关元件周侧、开关元件与绑定层连接的第一引脚201全部包裹起来；第一封装层301a采用隔水氧的材质，使得测试时，水汽5被挡在所述第一封装层301a外，水汽5不容易聚集在开关元件与绑定层的连接接缝处，从而达到保护开关元件不受水汽侵蚀的目的，保证发光元件的正常显示。
在另一实施例中，如图3所示，所述第一封装层301a设置于所述基板1和所述开关元件上且覆盖所述开关元件。
具体地，所述开关元件可以为MOS管3。
通过采用第一封装层301a将所述MOS管3完全覆盖住，能够减少第一封装层301a的接缝，进一步起到隔水氧的效果；如图6所示，所述第一封装层301a和所述基板1形成一密封腔，密封所述MOS管3和所述第一引脚201，以防止在进行高温高湿测试时，水汽5聚集在所述MOS管3下面的所述第一引脚201处，导致所述MOS管3短路，造成分区内所述LED元件4常亮，形成异常亮点，同时，直接将所述MOS管3包覆在所述第一封装层301a内，使得所述第一封装层301a的喷涂工艺更方便,隔水氧效果更好。
在另一实施例中，如图4所示，所述基板上还设有至少一个TFT元件6；所述显示模组还包括第二封装层301b；所述第二封装层301b设置于所述TFT元件6和所述基板1上且覆盖所述TFT元件6。
具体地，所述第一封装层301a和所述第二封装层301b均不包覆所述LED元件4和所述第二引脚202。
具体地，所述第一封装层301a的材料和所述第二封装层301b的材料可以相同，对所述TFT元件6和所述MOS管3进行封装能够有效的保证各个元件的正常运行，有效提高元件的信赖性，同时简化产品的制备步骤、降低生产成本。
在本技术方案中，所述二封装层301b和基板1形成一密封腔，密封所述TFT元件6，以防止在进行高温高湿测试时，水氧侵蚀所述TFT元件6。
在另一实施例中，如图5所示，所述显示模组还包括第三封装层301c，所述第三封装层301c的材料为透明材料，所述第三封装层301c设置于所述基板1和所述发光元件上且覆盖所述发光元件，所述第三封装层301c远离所述发光元件的一侧呈弧面结构。
具体地，所述发光元件为LED元件4。
具体地，所述第一封装层301a、所述第二封装层301b和所述第三封装层301c的材料可以相同，且均为透明且隔水氧的材料，采用同一种材料进行制备第一封装层301a、第二封装层301b和第三封装层301c可以缩减工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。
具体地，所述第一封装层301a和所述第二封装层301b与所述第三封装层301c的材料可以不同，所述第一封装层301a和所述第二封装层301b为隔水氧的材料，对其透明度不做限制，但第三封装层301c的材料须为透明且隔水氧的材料。
具体地，所述第三封装层为301c的材料为透明且隔水氧的材料；所述第三封装层301c的材料可以为环烯烃聚合物(COP，Cyclo Olefin Polymer)。
通过在所述LED元件4上喷涂环烯烃聚合物，能够在不影响所述LED元件4的发光效率的同时，起到对所述第二引脚202的保护作用，防止水汽5在所述第二引脚202处聚集，发生短路问题；其次，将所述第三封装层301c远离所述发光元件4的一侧呈弧面结构，使得所述LED元件4发出的光能够通过第三封装层301c的弧面发生折射，使得所述LED元件4的发射光发散更广，扩大所述LED元件4发射光的散射范围，有利于改善显示装置的显示效果。
本发明还提供一种显示模组的制作方法，如图7所示，包括以下步骤：
S1、提供一基板1；
S2、在所述基板1上形成绑定层；
S3、在所述绑定层上形成至少一MOS管3和至少一LED元件4，所述绑定层包括形成于所述基板1与所述MOS管3之间的第一引脚201；所述绑定层包括形成于所述基板1与所述LED元件4之间的第二引脚202；
S4、在所述基板1上形成位于所述MOS管3上方、包覆整个MOS管3以及所述第一引脚201的第一封装层301a，所述第一封装层301a和所述基板1形成一密封腔密封所述MOS管3和所述第一引脚201，所述第一封装层301a不包覆所述LED元件4和所述第二引脚202。
具体地，所述第一封装层可以通过印刷或喷墨打印方式制作形成。
通过上述制备步骤得到的显示模组，能够在RA特别是高温高湿等高湿项目时，防止水汽聚集在MOS管下面的焊盘间隙处，降低MOS管短路风险，防止分区内LED元件常亮，形成异常亮点。
在另一实施例中，所述制作方法还包括步骤：在所述基板1上形成至少一个TFT元件6，在所述基板1和所述TFT元件6上形成第二封装层301b，所述第二封装层301b覆盖所述TFT元件6。
具体地，所述第一封装层301a和第二封装层301b可以通过印刷或喷墨打印方式制作形成。
上述步骤既可以位于步骤S4之后，也可以位于步骤S2之后，以能够得到本申请的产品为基准，具体顺序不做限定。
可以理解的是，在本实施例中，可以在形成开关元件、发光元件时，同时形成TFT元件6；在形成第一封装层301a的同时，形成第二封装层301b，此时第一封装层301a和第二封装层301b的材料可以相同。
在另一实施例中，所述制作方法还包括步骤：在所述基板1和所述发光元件上形成第三封装层301c，所述第三封装层301c覆盖所述发光元件。所述第三封装层301c的材料为透明材料。
具体地，所述第一封装层301a、第二封装层301b和第三封装层301c可以通过印刷或喷墨打印方式制作形成。
具体地，所述第三封装层为301c的材料为透明且隔水氧的材料；所述第三封装层301c的材料可以为环烯烃聚合物(COP，Cyclo Olefin Polymer)。
可以理解的是，在本实施例中，可以在形成第一封装层301a、第二封装层301b后，形成第三封装层301c，此时第一封装层301a、第二封装层301b、第三封装层301c的材料可以不同；也可以同时形成第一封装层301a、第二封装层301b和第三封装层301c，此时第一封装层301a、第二封装层301b和第三封装层301c的材料相同，均为透明且隔水氧的材料。
本发明主要通过在完成开关元件转移到基板1上后，通过设置一层第一封装层301a，将开关元件周侧、开关元件与绑定层连接的第一引脚201全部包裹起来；使得在RA中，特别是进行具有高温高湿测试条件的测试项目时，水汽5不容易聚集在开关元件与绑定层的第一引脚处201，从而达到保护开关元件不受水汽5侵蚀的目的，保证发光元件的正常显示。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
上对本发明实施例所提供的一种显示模组进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示模组，其特征在于，包括：
基板，所述基板上设有至少一开关元件和至少一发光元件；
绑定层，包括位于所述基板与所述开关元件之间的第一引脚；
第一封装层，设置于所述基板上且至少位于所述开关元件周侧，所述第一封装层、所述开关元件和所述基板形成一密封腔密封所述第一引脚。
2.如权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第一封装层设置于所述基板和所述开关元件上且覆盖所述开关元件。
3.如权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第一封装层与所述发光元件呈间隔设置于所述基板上。
4.如权利要求3所述的显示模组，其特征在于，所述第一封装层设置在以所述开关元件为中心，半径在2.5mm的区域范围内。
5.如权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述基板上还设有至少一个薄膜晶体管元件；所述显示模组还包括第二封装层；所述第二封装层设置于所述薄膜晶体管元件和所述基板上且覆盖所述薄膜晶体管元件。
6.如权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述开关元件为金氧半导体场效应晶体管，所述发光元件为发光二极管。
7.如权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括第三封装层，所述第三封装层的材料为透明材料，所述第三封装层设置于所述基板和所述发光元件上且覆盖所述发光元件，所述第三封装层远离所述发光元件的一侧呈弧面结构。
8.一种显示模组的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成绑定层，所述绑定层包括至少一个第一引脚；
在所述第一引脚上连接开关元件，在所述绑定层上连接至少一发光元件；
在所述基板上形成至少位于所述开关元件周侧的第一封装层，所述第一封装层、所述开关元件和所述基板形成一密封腔密封所述第一引脚。
9.如权利要求8所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括步骤：在所述基板上形成至少一个薄膜晶体管元件，在所述基板和所述薄膜晶体管元件上形成第二封装层，所述第二封装层覆盖所述薄膜晶体管元件。
10.如权利要求8所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述第一封装层通过印刷或喷墨打印方式制作形成。
CN202110550090.1A 2021-05-20 2021-05-20 显示模组及其制作方法 Pending CN113327933A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110550090.1A CN113327933A (zh) 2021-05-20 2021-05-20 显示模组及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110550090.1A CN113327933A (zh) 2021-05-20 2021-05-20 显示模组及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113327933A true CN113327933A (zh) 2021-08-31

Family

ID=77416056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110550090.1A Pending CN113327933A (zh) 2021-05-20 2021-05-20 显示模组及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113327933A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109950233A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 武汉华星光电技术有限公司 一种led封装结构及封装方法
CN110189642A (zh) * 2018-02-22 2019-08-30 和鑫光电股份有限公司 显示装置
CN110707078A (zh) * 2019-09-12 2020-01-17 武汉华星光电技术有限公司 一种背光模组及其制备方法、显示装置
CN111915997A (zh) * 2020-08-19 2020-11-10 深圳市奥拓电子股份有限公司 一种具有触摸功能的cob显示模组及led显示屏
CN111968566A (zh) * 2020-08-27 2020-11-20 上海天马微电子有限公司 发光面板及其驱动方法、制作方法、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110189642A (zh) * 2018-02-22 2019-08-30 和鑫光电股份有限公司 显示装置
CN109950233A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 武汉华星光电技术有限公司 一种led封装结构及封装方法
CN110707078A (zh) * 2019-09-12 2020-01-17 武汉华星光电技术有限公司 一种背光模组及其制备方法、显示装置
CN111915997A (zh) * 2020-08-19 2020-11-10 深圳市奥拓电子股份有限公司 一种具有触摸功能的cob显示模组及led显示屏
CN111968566A (zh) * 2020-08-27 2020-11-20 上海天马微电子有限公司 发光面板及其驱动方法、制作方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104851902B (zh) 有机发光显示装置
US9997589B2 (en) Display device
CN108962947B (zh) 一种柔性显示面板和显示装置
US9865666B2 (en) Organic electroluminescence display device
US6849922B2 (en) Organic electro-luminescent display device and method of fabricating the same
CN102104100B (zh) 发光器件
US7692372B2 (en) Display device
CN101419978B (zh) 有机发光显示器
CN208848933U (zh) 显示面板以及显示装置
KR20050049999A (ko) 유기전계발광표시장치
CN110148592A (zh) 一种显示面板、包含其的显示装置
CN111710691A (zh) 柔性Micro-LED显示面板及其制作方法
CN116234404A (zh) 柔性衬底以及柔性有机发光二极管器件
US8723769B2 (en) Organic light-emitting display device
KR20120115838A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20140064553A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109686856B (zh) Oled器件及其制作方法
US10600858B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20070170510A1 (en) Electrostatic discharge protection circuit and diode thereof
CN110391222A (zh) 显示面板和电子设备
KR20150019951A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN112992999A (zh) 显示母板及显示面板
CN113327933A (zh) 显示模组及其制作方法
KR20070010422A (ko) 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100635497B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210831

RJ01 Rejection of invention patent application after publication