CN113322430A - 掩膜结构及掩膜结构制作方法 - Google Patents

掩膜结构及掩膜结构制作方法 Download PDF

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CN113322430A CN202110589571.3A CN202110589571A CN113322430A CN 113322430 A CN113322430 A CN 113322430A CN 202110589571 A CN202110589571 A CN 202110589571A CN 113322430 A CN113322430 A CN 113322430A
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Abstract

本申请实施例提供的掩膜结构及掩膜结构制作方法,涉及显示技术领域。限定蒸镀区域的至少一个支撑件上设置靠近蒸镀区域且位于支撑件朝向掩膜版单元一面的第一减薄区,可以在磁性背板产生的磁力将掩膜结构吸附在基板上时,使位于蒸镀区域边缘位置处的网格区域褶皱可以在第一减薄区内延展,以减缓或避免在蒸镀区域边缘位置处因网格区域褶皱产生的贴合不良。在蒸镀时,显示面板的有效显示区边缘不会因贴合不良引起的阴影效应而出现有机发光材料混色,确保有效显示区边缘不会存在因有机发光材料混色引起的显示色差,提高使用掩膜结构制作得到的显示面板的显示质量。

Description

掩膜结构及掩膜结构制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种掩膜结构及掩膜结构制作方法。
背景技术
衡量显示面板的显示质量,除了显示分辨率、显示色彩饱和度等关键性指标之外,还包括显示色差这一指标。然而,显示面板在其有效显示区的边缘容易显示色差的问题,这会影响显示面板的显示质量。基于此,如何避免显示面板在其有效显示区边缘的显示色差是本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
为了克服上述技术背景中所提及的技术问题,本申请实施例提供一种掩膜结构及掩膜结构制作方法。
本申请的第一方面,提供一种掩膜结构,所述掩膜结构包括:
支撑框架,所述支撑框架包括支撑件,所述支撑件包括多个沿第一方向间隔排布的第一支撑件及多个沿第二方向间隔排布的第二支撑件,所述第一方向与所述第二方向相交,多个所述第一支撑件与多个所述第二支撑件限定出至少一个蒸镀区域;
至少一个掩膜版单元,所述至少一个掩膜版单元固定在所述支撑框架上,每个所述掩膜版单元包括至少一个网格区域,每个所述蒸镀区域对应一所述网格区域;
用于限定所述蒸镀区域的多个支撑件中的其中至少一个包括第一减薄区以及第一全厚区,所述第一减薄区设置于所述支撑件靠近所述蒸镀区域的边缘且位于所述支撑件朝向所述掩膜版单元的一侧,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一减薄区的厚度小于所述第一全厚区的厚度。
基于上述结构,通过在限定蒸镀区域的至少一个支撑件上设置靠近蒸镀区域且位于支撑件朝向掩膜版单元一面的第一减薄区,可以在磁性背板产生的磁力将掩膜结构吸附在基板上时,使位于蒸镀区域边缘位置处的网格区域褶皱可以在第一减薄区内延展,以减缓或避免在蒸镀区域边缘位置处因网格区域褶皱产生的贴合不良,其中,蒸镀区域对应基板中显示面板的有效显示区。在采用上述掩膜结构进行蒸镀时,基板在蒸镀区域边缘所对应的区域不会因贴合不良引起的阴影效应(shadow)而出现有机发光材料混色的现象,确保有效显示区边缘不会存在因有机发光材料混色引起的显示色差,提高制作显示面板的显示质量。
在本申请的一种可能实施例中,在所述蒸镀区域,所述第一支撑件或所述第二支撑件包括一遮挡区,所述遮挡区在平行于所述蒸镀区域的平面沿远离第一支撑件的方向延伸,或在平行于所述蒸镀区域的平面沿远离第二支撑件的方向延伸。
在本申请的一种可能实施例中,所述遮挡区还包括第二减薄区及第二全厚区,所述第二减薄区靠近所述蒸镀区域且位于所述遮挡区朝向所述掩膜版单元的一面,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第二减薄区的厚度小于所述第二全厚区的厚度。
在本申请的一种可能实施例中,所述第一支撑件在与所述第二支撑件交叠位置处设置有朝向所述第二支撑件的第一凹槽;和/或,
所述第二支撑件在与所述第一支撑件交叠位置处设置有朝向所述第一支撑件的第二凹槽。
在本申请的一种可能实施例中,在所述第一支撑件包括第一凹槽时,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一凹槽的深度为所述第一支撑件的厚度的1/3~1/2;
在所述第二支撑件包括第二凹槽时,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第二凹槽的深度为所述第二支撑件的厚度的1/3~1/2。
在本申请的一种可能实施例中,所述支撑框架还包括用于固定所述支撑件的主框架;
所述第一支撑件、所述第二支撑件及所述掩膜版单元依次与所述主框架固定,所述第二支撑件部分覆盖于所述第一支撑件之上,所述掩膜版单元沿所述第一方向部分覆盖于所述第二支撑件之上。
在本申请的一种可能实施例中,所述第一减薄区与所述第二减薄区在平行于所述蒸镀区域的平面且垂直于所述支撑件延伸方向的宽度为0.5~1mm;
在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一减薄区的厚度为所述第一全厚区的厚度的1/2~3/4,所述第二减薄区的厚度为所述第二全厚区的厚度的1/2~3/4;
优选的,在所述第一支撑件和所述第二支撑件均包括第一减薄区以及第一全厚区时,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一支撑件的第一全厚区的厚度与所述第二支撑件的第一全厚区的厚度相等,所述第一支撑件的第一减薄区的厚度与所述第二支撑件的第一减薄区的厚度相等。
在本申请的一种可能实施例中,所述掩膜版单元包括精密金属掩模条。
在本申请的一种可能实施例中,所述支撑件还包括用于支撑所述掩膜版单元的支撑面以及位于所述支撑面的第一限位部,所述掩膜版单元还包括设置在与所述支撑面接触的贴合面上的第二限位部,通过所述第一限位部与所述第二限位部的配合限制所述掩膜版单元在平行于所述蒸镀区域的平面相对于所述支撑件移动。
本申请的第二方面,还提供一种掩膜结构制作方法,所述方法包括:
提供多个支撑件;
对所述多个支撑件中的至少部分支撑件进行减薄处理,以在所述至少部分支撑件上形成经过减薄处理的第一减薄区以及未经过减薄处理的第一全厚区;
将所述多个支撑件进行固定,以得到限定出至少一个蒸镀区域的支撑框架,其中,用于限定所述蒸镀区域的多个支撑件中的其中至少一个包括所述第一减薄区以及所述第一全厚区,所述第一减薄区靠近所述蒸镀区域;
提供至少一个掩膜版单元,并将所述至少一个掩膜版单元固定在所述支撑框架上,其中,所述掩膜版单元朝向所述第一减薄区,所述掩膜版单元包括至少一个网格区域,每个所述网格区域分别与一所述蒸镀区域对应。
相对于现有技术,本申请实施例提供的掩膜结构及掩膜结构制作方法。限定蒸镀区域的至少一个支撑件上设置靠近蒸镀区域且位于支撑件朝向掩膜版单元一面的第一减薄区,可以在磁性背板产生的磁力将掩膜结构吸附在基板上时,使位于蒸镀区域边缘位置处的网格区域褶皱可以在第一减薄区内延展,以减缓或避免在蒸镀区域边缘位置处因网格区域褶皱产生的贴合不良,其中,蒸镀区域对应基板中显示面板的有效显示区。在采用上述掩膜结构进行蒸镀时,基板在蒸镀区域边缘所对应的区域不会因贴合不良引起的阴影效应(shadow)而出现有机发光材料混色,确保有效显示区边缘不会存在因有机发光材料混色引起的显示色差,提高使用掩膜结构制作得到的显示面板的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为蒸镀过程中掩膜结构、基板与磁性背板之间的位置关系图;
图2为本申请实施例提供的一种掩膜结构的示意图;
图3为本申请提供的网格区域在支撑件的第一减薄区位置处延展的示意图;
图4为本申请实施例提供的另一种掩膜结构的结构示意图;
图5为本申请提供的交叠位置处第一支撑件与第二支撑件的结构示意图;
图6为本申请提供的支撑件与掩膜版单元固定的结构示意图;
图7为本申请实施例提供的掩膜结构制作方法的流程示意图。
标号:
10-掩膜结构;110-支撑框架;111-支撑件;113-主框架;111a-第一减薄区;111b-第一全厚区;1111-第一支撑件;1112-第二支撑件;1113-支撑面;1113a-第一限位部;1102-遮挡区;1102a-第二减薄区;1102b-第二全厚区;11111-第一凹槽;11121-第二凹槽;120-掩膜版单元;121-网格区域;1201-贴合面;1201a-第二限位部;130-蒸镀区域;20-基板;30-磁性背板。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例中的不同特征之间可以相互结合。
针对背景技术中提及的技术问题,发明人通过研究后发现,造成上述技术问题的一种可能的原因是有效显示区边缘的各子像素的有机发光材料不纯所致(比如,红色子像素的有机发光层中混有绿色子像素的有机发光材料)。
请参照图1,发明人进一步研究发现,在蒸镀有机发光材料的过程中,在将基板20与掩膜结构10放入蒸镀机后,蒸镀机中的磁性背板30产生磁力吸附掩膜结构10并将掩膜结构10压紧在基板20上,基板20位于掩膜结构10与磁性背板30之间,掩膜结构中的掩膜版单元120在磁力作用下被压紧在基板20上。由于掩膜版单元120在张网时不可避免的存在张网不平的现象,在掩膜版单元120被压紧在基板20后,张网中不平的部分会向蒸镀区域的边缘移动,又由于掩膜结构10中的支撑框架110张紧程度较高,不平的部分在移动到支撑框架110位置处后,会在靠近支撑框架110位置处积累形成褶皱,导致靠近支撑框架110位置处的掩膜版单元120在蒸镀区域的边缘无法展开,进而使得褶皱位置处的掩膜版单元120与基板20之间的距离较大。如此,会影响磁性吸附下掩膜版单元120与基板20的贴合效果,进而在蒸镀时会产生较严重的阴影效应,使得在蒸镀区域的边缘位置处的相邻子像素的有机发光层材料出现混合而导致混色现象。
为了解决上述技术问题,发明人提供以下解决方案。
请参照图2,图2示出了本申请实施例提供的一种掩膜结构的示意图。如图2所示,掩膜结构10可以包括支撑框架110及至少一个掩膜版单元120,支撑框架110可以包括支撑件111。
在本申请实施例中,支撑件111可以包括多个沿第一方向(如图中的Y方向)间隔排布的第一支撑件1111,及多个沿第二方向(如图中的X方向)间隔排布的第二支撑件1112,第一方向和第二方向相交,进而通过第一支撑件1111和第二支撑件1112相交以限定出蒸镀区域130。作为一种较佳的实施方式,第一方向和第二方向可以相互垂直。
掩膜版单元120固定在支撑架构110上,掩膜版单元120可以包括至少一个网格区域121,每个网格区域121分别与一蒸镀区域130对应。可以理解的是,本申请实施例提供的掩膜结构10通常用于在一基板20上形成显示母板(或称显示大板),在显示母板制造完成后,再将该显示母板进行切割便可以得到多个显示面板,其中,掩膜结构10的一个蒸镀区域130可以对应制作一个显示面板的有效显示区,网格区域121中的一个网格可以对应有效显示区中的一个子像素开口。
本申请实施例中,用于限定蒸镀区域130的多个支撑件111中至少存在一个支撑件111(第一支撑件1111或第二支撑件1112)包括第一减薄区111a及第一全厚区111b,第一减薄区111a设置于支撑件111靠近蒸镀区域130的边缘且第一减薄区111a位于支撑件111朝向掩膜版单元120的一侧。在垂直于蒸镀区域130的方向上,第一减薄区111a的厚度小于第一全厚区111b的厚度。
基于上述提供的掩膜结构10,如图2和图3所示,可以在磁性背板20产生的磁力将掩膜结构10吸附在基板30上时,使位于蒸镀区域130边缘位置处的网格区域121产生的褶皱可以在第一减薄区111a内延展。相比于图1所示的现有技术,可以减缓或避免在蒸镀区域130边缘位置处因网格区域121产生的褶皱而导致的贴合不良。如此,在后续的蒸镀过程中,显示面板的有效显示区的边缘不会因贴合不良引起的阴影效应而出现有机发光材料混色,避免有效显示区边缘因有机发光材料混色而引起的显示不良,进而提高显示面板的显示质量。
在本申请实施例的一种较佳实施例中,在垂直于蒸镀区域130的方向上,第一减薄区111a的厚度可以沿靠近蒸镀区域130的方向依次降低,即第一减薄区111a在越靠近蒸镀区域130的位置具有越薄的厚度。如此设计,可以更好的使网格区域121产生的褶皱在第一减薄区111a中延展。
请参照图4,针对每一蒸镀区域130,第一支撑件1111或第二支撑件1112可以包括一遮挡区1102。在第一支撑件1111包括遮挡区1102时,遮挡区1102可以在平行于蒸镀区域130的平面沿远离第一支撑件1111的方向延伸。相应地,在第二支撑件1112包括遮挡区1102时,遮挡区1102可以在平行于蒸镀区域130的平面沿远离第二支撑件1112的方向延伸。遮挡区1102用于阻挡蒸镀材料蒸镀到对应的基板区域,以在蒸镀区域130所对应的基板上形成用于配置屏下器件(比如,摄像头,传感器等)的异形区域,在本申请实施例中,异形区域的形状可以包括刘海形状及水滴状等。
进一步地,本实施例中,如图2所示,支撑框架110还可以包括用于固定支撑件111的主框架113,第一支撑件1111、第二支撑件1112及掩膜版单元120分别与主框架113固定,具体地,第二支撑件1112部分覆盖于第一支撑件1111之上,掩膜版单元120沿第一方向部分覆盖于第二支撑件1112之上。示例性地,固定顺序可以是:首先,将多个第一支撑件1111沿第一方向等间距焊接在主框架113上;接着,将多个第二支撑件1112沿第二方向等间距焊接在主框架113上;最后,将至少一个掩膜版单元120沿第一方向焊接在主框架113上。在上述支撑框架110的结构中,第二支撑件1112对掩膜版单元120进行支撑,第一支撑件1111可以遮挡掩膜单元120在第一方向上的除网格区域121之外的其他区域,比如,在掩膜单元120为多个时,可以遮挡相邻两个掩膜版单元120之间在第一方向上的间隙。
发明人还发现,结合图4所示,在第一支撑件1111或第二支撑件1112包括遮挡区1102时,掩膜版单元120的网格区域121容易在靠近遮挡区1102的位置形成褶皱,从而使显示面板的有效显示区在靠近异形区域的位置出现显示色差。为解决上述问题,本实施例中,遮挡区1102可以包括第二减薄区1102a及第二全厚区1102b,第二减薄区1102a设置于遮挡区1102靠近蒸镀区域130的边缘且第二减薄区1102a位于遮挡区1102朝向掩膜版单元120的一侧,在垂直于蒸镀区域130的方向上,第二减薄区1102a的厚度小于第二全厚区1102b的厚度。
如此设计,可以使网格区域121在遮挡区1102边缘形成的褶皱在第二减薄区1102a内延展,达到减缓或避免在遮挡区1102边缘存在因网格区域1201褶皱而产生的贴合不良,在蒸镀时,基板30在遮挡区1102边缘所对应的区域不会因贴合不良而引起相邻子像素有机发光材料的混色。
在本申请实施例的一种较佳实施例中,在垂直于蒸镀区域130的方向上,第二减薄区1102a的厚度可以沿靠近蒸镀区域130的方向依次降低,即第二减薄区1102a在越靠近蒸镀区域130的位置具有越薄的厚度。如此设计,可以更好的使网格区域121产生的褶皱在第二减薄区1102a中延展。
此外,发明人还发现,在第一支撑件1111与第二支撑件1112交叠的位置处,在垂直于蒸镀区域130的方向上,第一支撑件1111与掩膜版单元120之间的间隙较大,这会使该位置处蒸镀产生的阴影效应比较明显,影响制作的显示面板的显示效果,为了解决上述技术问题,发明人还提供以下解决方案。
请参照图5,第一支撑件1111在与第二支撑件1112交叠位置处设置有朝向第二支撑件1112的第一凹槽11111。进一步地,第二支撑件1112在与第一支撑件1111交叠位置处设置有朝向第一支撑件1111的第二凹槽11121。在交叠位置处,第一凹槽11111与第二凹槽11121卡合。在其他实施例中,也可以选择性地只在第一支撑件1111设置第一凹槽11111,或者选择性地只在第二支撑件1112设置第二凹槽11121。
在第一支撑件1111包括第一凹槽11111时,在垂直于蒸镀区域130的方向上,第一凹槽11111的深度为第一支撑件1111的厚度的1/3~1/2。在第二支撑件1112包括第二凹槽11121时,在垂直于蒸镀区域130的方向上,第二凹槽11121的深度为第二支撑件的厚度的1/3~1/2。
在同时在第一支撑件1111设置第一凹槽11111并在第二支撑件1112设置第二凹槽11121时,其中,第一凹槽11111为第一支撑件1111厚度的1/2,第二凹槽11121为第二支撑件1112厚度的1/2。
基于上述结构设计,可以在垂直于蒸镀区域130的方向上降低第一支撑件11011与第二支撑件11012在交叠位置处的高度,如此可以减小第一支撑件1111与掩膜版单元120之间的间隙,削弱交叠的位置处蒸镀产生的阴影效应,提高制作得到的显示面板的显示效果。
在本申请实施例中,第一减薄区111a与第二减薄区1102a在平行于蒸镀区域130的平面且垂直于支撑件110延伸方向的宽度为0.5~1mm。在垂直于蒸镀区域130的方向上,第一减薄区111a的厚度为第一全厚区111b的厚度的1/2~3/4,第二减薄区1102a的厚度为第二全厚区1102b的厚度的1/2~3/4。作为一种较佳的实施方式,第一减薄区111a的厚度为第一全厚区111b的厚度的1/3,第二减薄区1102a的厚度为第二全厚区1102b的厚度的1/3。
在垂直于蒸镀区域130的方向上,第一支撑件1111和第二支撑件1112的厚度可以相同,在第一支撑件1111和第二支撑件1112均可以包括第一减薄区111a以及第一全厚区111b时,第一支撑件1111的第一全厚区111b的厚度与第二支撑件1112的第一全厚区111b的厚度可以相等,第一支撑件1111的第一减薄区111a的厚度与第二支撑件1112的第一减薄区111a的厚度相等。
在本申请实施例中,掩膜版单元120可以为精密金属掩膜版(Fine Metal Mask,FMM)。
发明人进一步还发现,在将基板20与掩膜结构10放入蒸镀机后,蒸镀机中的磁性背板30产生磁力在将掩膜结构10吸附并压紧在磁性背板30的过程中,掩膜版单元120可能会相对于支撑框架110在平行于蒸镀区域130的平面相对移动,如此会影响有机发光材料层蒸镀时的蒸镀位置精度。
为了解决上述技术问题,请参照图6,发明人还提供以下解决方案。
如图6,支撑件111还可以包括用于支撑掩膜版单元120的支撑面1113以及位于该支撑面上的第一限位部1113a,掩膜版单元120还包括设置在与支撑面1113接触的贴合面1201上的第二限位部1201a,通过第一限位部1113a与第二限位部1201a的配合限制掩膜版单元120在平行于蒸镀区域130的平面相对于支撑件111移动。具体地,第一限位部1113a与第二限位部1201a可以通过凹凸配合的方式实现限位固定,以限制掩膜版单元120与支撑件111之间的相对运动。
采用上述结构,可以在将基板20与掩膜结构10放入蒸镀机后,避免掩膜版单元120与支撑件111之间的发生相对运动,确保有机发光材料层在基板20上蒸镀的位置精度。
请参照图7,图7示出了本申请实施例提供的掩膜结构制作方法的流程示意图,如图所示,掩膜结构制作方法可以包括以下步骤。
步骤S101,提供多个支撑件。
步骤S102,对多个支撑件中的至少部分支撑件进行减薄处理。
在本步骤中,减薄处理的方式可以是刻蚀,可以通过刻蚀在支撑件111的延伸方向上形成经过减薄处理的第一减薄区111a以及未经过减薄处理的第一全厚区111b,在该步骤中,作为一种较佳的实施方式,可以对多个支撑件111中的每个支撑件均做减薄处理。
步骤S103,将多个支撑件进行固定,以得到限定出至少一个蒸镀区域的支撑框架。
在本申请实施例中,支撑件111可以包括第一支撑件1111及第二支撑件1112,该步骤得到支撑框架110的具体步骤可以如下。
首先,取一主框架(Frame)113。
接着,将多个第一支撑件1111沿第一方向等间距固定在主框架113上。
最后,将多个第二支撑件1112沿第二方向等间距固定在主框架113上得到支撑框架110。
其中,用于限定蒸镀区域的多个支撑件110中的其中至少一个包括第一减薄区111a以及第一全厚区111b,第一减薄区111a靠近蒸镀区域。在对第一支撑件1111及第二支撑件1112进行固定时,第一支撑件1111的第一减薄区111a和/或第二支撑件1112的第一减薄区111a具有相同的朝向。
在该支撑框架110中,第二支撑件1112用于支撑掩膜版单元120,第一支撑件1111用于遮挡掩膜单元120在第一方向上的除网格区域之外其他区域,比如,在遮挡掩膜单元120为多个时,可以遮挡相邻两个掩膜版单元120之间在第一方向上的间隙。
步骤S104,提供至少一个掩膜版单元,并将至少一个掩膜版单元固定在支撑框架上。
在该步骤中,掩膜版单元120朝向第一减薄区111a且沿第一方向固定在主框架113上,掩膜版单元120中的网格区域121与支撑框架110所限定的蒸镀区域130对应。
本申请实施例提供的掩膜结构及掩膜结构制作方法。限定蒸镀区域的至少一个支撑件上设置靠近蒸镀区域且位于支撑件朝向掩膜版单元一面的第一减薄区,可以在磁性背板产生的磁力将掩膜结构吸附在基板上时,使位于蒸镀区域边缘位置处的网格区域褶皱可以在第一减薄区内延展,以减缓或避免在蒸镀区域边缘位置处因网格区域褶皱产生的贴合不良。在蒸镀时,显示面板的有效显示区边缘不会因贴合不良引起的阴影效应而出现有机发光材料混色,确保有效显示区边缘不会存在因有机发光材料混色引起的显示色差,提高使用掩膜结构制作得到的显示面板的显示质量。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种掩膜结构,其特征在于,所述掩膜结构包括:
支撑框架,所述支撑框架包括支撑件,所述支撑件包括多个沿第一方向间隔排布的第一支撑件及多个沿第二方向间隔排布的第二支撑件,所述第一方向与所述第二方向相交,多个所述第一支撑件与多个所述第二支撑件限定出至少一个蒸镀区域;
至少一个掩膜版单元,所述至少一个掩膜版单元固定在所述支撑框架上,每个所述掩膜版单元包括至少一个网格区域,每个所述蒸镀区域对应一所述网格区域;
用于限定所述蒸镀区域的多个支撑件中的其中至少一个包括第一减薄区以及第一全厚区,所述第一减薄区设置于所述支撑件靠近所述蒸镀区域的边缘且位于所述支撑件朝向所述掩膜版单元的一侧,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一减薄区的厚度小于所述第一全厚区的厚度。
2.如权利要求1所述的掩膜结构,其特征在于,在所述蒸镀区域,所述第一支撑件或所述第二支撑件包括一遮挡区;
所述遮挡区在平行于所述蒸镀区域的平面沿远离第一支撑件的方向延伸,或,在平行于所述蒸镀区域的平面沿远离第二支撑件的方向延伸。
3.如权利要求2所述的掩膜结构,其特征在于,所述遮挡区还包括第二减薄区及第二全厚区,所述第二减薄区设置于所述遮挡区靠近所述蒸镀区域的边缘且所述第二减薄区位于所述遮挡区朝向所述掩膜版单元的一侧,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第二减薄区的厚度小于所述第二全厚区的厚度。
4.如权利要求2或3所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一支撑件在与所述第二支撑件交叠位置处设置有朝向所述第二支撑件的第一凹槽;和/或,
所述第二支撑件在与所述第一支撑件交叠位置处设置有朝向所述第一支撑件的第二凹槽。
5.如权利要求4所述的掩膜结构,其特征在于,在所述第一支撑件包括第一凹槽时,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一凹槽的深度为所述第一支撑件的厚度的1/3~1/2;
在所述第二支撑件包括第二凹槽时,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第二凹槽的深度为所述第二支撑件的厚度的1/3~1/2。
6.如权利要求2或3所述的掩膜结构,其特征在于,所述支撑框架还包括用于固定所述支撑件的主框架;
所述第一支撑件、所述第二支撑件及所述掩膜版单元依次与所述主框架固定,所述第二支撑件部分覆盖于所述第一支撑件之上,所述掩膜版单元沿所述第一方向部分覆盖于所述第二支撑件之上。
7.如权利要求3所述的掩膜结构,其特征在于,所述第一减薄区与所述第二减薄区在平行于所述蒸镀区域的平面且垂直于所述支撑件延伸方向的宽度为0.5~1mm;
在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一减薄区的厚度为所述第一全厚区的厚度的1/2~3/4,所述第二减薄区的厚度为所述第二全厚区的厚度的1/2~3/4;
优选的,在所述第一支撑件和所述第二支撑件均包括第一减薄区以及第一全厚区时,在垂直于所述蒸镀区域的方向上,所述第一支撑件的第一全厚区的厚度与所述第二支撑件的第一全厚区的厚度相等,所述第一支撑件的第一减薄区的厚度与所述第二支撑件的第一减薄区的厚度相等。
8.如权利要求1-3中任意一项所述的掩膜结构,其特征在于,所述掩膜版单元包括精密金属掩模条。
9.如权利要求1-3中任意一项所述的掩膜结构,其特征在于,所述支撑件还包括用于支撑所述掩膜版单元的支撑面以及位于所述支撑面的第一限位部,所述掩膜版单元还包括设置在与所述支撑面接触的贴合面上的第二限位部,通过所述第一限位部与所述第二限位部的配合限制所述掩膜版单元在平行于所述蒸镀区域的平面相对于所述支撑件移动。
10.一种掩膜结构制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供多个支撑件;
对所述多个支撑件中的至少部分支撑件进行减薄处理,以在所述至少部分支撑件上形成经过减薄处理的第一减薄区以及未经过减薄处理的第一全厚区;
将所述多个支撑件进行固定,以得到限定出至少一个蒸镀区域的支撑框架,其中,用于限定所述蒸镀区域的多个支撑件中的其中至少一个包括所述第一减薄区以及所述第一全厚区,所述第一减薄区靠近所述蒸镀区域;
提供至少一个掩膜版单元,并将所述至少一个掩膜版单元固定在所述支撑框架上,其中,所述掩膜版单元朝向所述第一减薄区,所述掩膜版单元包括至少一个网格区域,每个所述网格区域分别与一所述蒸镀区域对应。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115058685A (zh) * 2022-06-17 2022-09-16 京东方科技集团股份有限公司 掩模版组件及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206270648U (zh) * 2016-11-23 2017-06-20 信利(惠州)智能显示有限公司 掩膜支撑结构
CN108004504A (zh) * 2018-01-02 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板
CN109321880A (zh) * 2018-10-18 2019-02-12 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板
CN111676445A (zh) * 2020-06-22 2020-09-18 京东方科技集团股份有限公司 支撑掩膜版和掩膜版组件
CN112226731A (zh) * 2020-09-30 2021-01-15 昆山国显光电有限公司 掩膜板框架及蒸镀掩膜板组件

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206270648U (zh) * 2016-11-23 2017-06-20 信利(惠州)智能显示有限公司 掩膜支撑结构
CN108004504A (zh) * 2018-01-02 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板
CN109321880A (zh) * 2018-10-18 2019-02-12 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板
CN111676445A (zh) * 2020-06-22 2020-09-18 京东方科技集团股份有限公司 支撑掩膜版和掩膜版组件
CN112226731A (zh) * 2020-09-30 2021-01-15 昆山国显光电有限公司 掩膜板框架及蒸镀掩膜板组件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115058685A (zh) * 2022-06-17 2022-09-16 京东方科技集团股份有限公司 掩模版组件及其制造方法
CN115058685B (zh) * 2022-06-17 2023-11-14 京东方科技集团股份有限公司 掩模版组件及其制造方法

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