CN113315424B - 一种v型内置式永磁同步电机齿槽转矩解析方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种V型内置式永磁同步电机齿槽转矩解析方法,通过将V型永磁体等效为沿径向以及切向分布的形式,进而将电机等效为仅具有径向和切向分布永磁体的两种结构,对两种结构的电机空载磁场分别进行计算,并将计算结果叠加可得到原始V型内置式电机的空载气隙磁密,进而可计算得到电机齿槽转矩。本发明能够快速准确计算出V型内置式永磁同步电机的齿槽转矩,便于此类电机的设计与优化。
Description
技术领域
本发明涉及永磁电机技术领域,具体涉及一种V型内置式永磁同步电机齿槽转矩解析方法。
背景技术
内置式永磁同步电机由于其高功率密度、宽调速范围等特点,在电动汽车、航空航天等领域应用广泛,其中V型内置式电机是较为常见的一种电机类型。但由于齿槽转矩的存在,会导致电机转矩脉动上升,进而影响电机性能,在电机设计时需考虑齿槽转矩的大小。目前对电机齿槽转矩计算主要采用的是有限元法,由于该方法耗时较长,不利于电机的设计与优化,因此如何快速准确计算V型内置电机的齿槽转矩在电机初始设计阶段具有重要意义。
发明内容
本发明提出一种V型内置式永磁同步电机齿槽转矩解析方法,以快速准确的得到V型内置式永磁同步电机的空载气隙磁密与齿槽转矩,提高电机设计及优化的效率。
技术方案:
一种V型内置式永磁同步电机齿槽转矩解析方法,首先,将V型永磁体等效为沿径向以及切向分布的形式,进而通过永磁体尺寸等效模型将电机等效为仅具有径向和切向分布永磁体的两种电机结构;然后,将这两种等效的电机结构分别进行简化,通过解析模型计算两种简化后电机结构无槽时的空载气隙磁密径向以及切向分布,并通过修正模型计算得到简化前两种电机结构的空载气隙磁密,将简化前两种电机结构的计算结果叠加得到原始V型内置式电机无槽时的空载气隙磁密径向以及切向分布;接着,通过保角映射的方法考虑定子开槽的影响,得到V型内置式永磁同步电机空载时的径向及切向气隙磁密;最后,根据空载时的径向及切向气隙磁密计算电机的齿槽转矩。
进一步的,永磁体尺寸等效模型为:
其中,R f为等效成沿切向分布的永磁体外半径;R m为等效成沿切向分布的永磁体内半径;l x为等效成沿径向分布的永磁体宽度;R r为转子铁心外半径;l m为原始V型永磁体的宽度;w b1为转子磁桥宽度;w b为转子磁桥与永磁体间的空气区域宽度;w b2为同极性永磁体间的空气区域宽度;α 1为等效成沿切向分布的永磁体跨度角;h m为原始V型永磁体厚度。
进一步的,具有径向分布永磁体电机结构的修正模型为:
其中,B r1为仅具有径向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密径向分布;B r1mod为仅具有径向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密径向分布;B θ1为仅具有径向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密切向分布;B θ1mod为仅具有径向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密切向分布;K mod1为仅具有径向分布永磁体结构时的波形幅值修正系数;θ i 为第i个永磁体的位置角;γ为转子磁桥饱和区域的跨度。
进一步的,在解析模型计算过程中,仅考虑转子磁桥的饱和,忽略定子铁心及转子除磁桥外铁心的饱和。
进一步的,具有切向分布永磁体电机结构的修正模型为:
其中,B r2为仅具有切向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密径向分布;B r2mod为仅具有切向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密径向分布;B θ2为仅具有切向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密切向分布;B θ2mod为仅具有切向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密切向分布;K mod2为仅具有切向分布永磁体结构时的波形幅值修正系数。
优点及效果:本发明能够快速准确计算V型内置式永磁电机的空载气隙磁密与齿槽转矩,提高电机设计及优化效率,并且该方法适用于任何极槽配合的V型内置式永磁电机。所提出方法计算时间约为有限元计算时间的1/7,计算结果与有限元间的误差在8%以内。
附图说明
图1为本发明方法涉及的V型内置式永磁同步电机的结构示意图;
图2为本发明中将V型永磁体等效为沿径向及切向分布后的结构示意图;
图3为将图2所示结构分解为仅具有径向分布永磁体的结构示意图;
图4为将图2所示结构分解为仅具有切向分布永磁体的结构示意图;
图5为将图3所示电机结构简化后的示意图;
图6为将图4所示电机结构简化后的示意图;
图7为V型内置式永磁同步电机齿槽转矩计算流程图;
图8为本发明方法计算的电机空载气隙磁密波形与有限元结果的对比;
图9为本发明方法计算的电机齿槽转矩与有限元结果的对比;
图中标注,1.定子铁心,2.转子铁心,3.永磁体,4.转子磁桥,5.气隙,6. 第一空气槽,7. 第二空气槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1-2所示,本发明所述电机包括定子铁心1、转子铁心2以及V型结构的永磁体3,永磁体3放置于转子铁心2内部,永磁体3与转子铁心2外表面之间存在转子磁桥4,定子铁心1与转子铁心2之间存在气隙5。
本发明提出一种V型内置式永磁电机齿槽转矩解析方法,可快速准确的得到V型内置式永磁电机的空载气隙磁密与齿槽转矩,包括以下步骤:
(1). 保证电机极弧系数与永磁体3厚度不变,将原始V型结构的永磁体3等效为沿径向以及切向分布的形式,永磁体3尺寸等效模型为:
其中,R f为等效成沿切向分布的永磁体外半径;R m为等效成沿切向分布的永磁体内半径;l x为等效成沿径向分布的永磁体宽度;R r为转子铁心外半径;l m为原始V型永磁体的宽度;w b1为转子磁桥宽度;w b为转子磁桥与永磁体间的空气区域宽度;w b2为同极性永磁体间的空气区域宽度;α 1为等效成沿切向分布的永磁体跨度角;h m为原始V型永磁体厚度。
(2). V型永磁体3等效后,忽略定子开槽的影响,可将等效后的电机分解为附图3和附图4所示的结构,将两种结构的空载气隙磁密计算结果叠加即可得到原始V型电机无槽时的空载气隙磁密。
(3). 为了便于计算附图3所示电机结构的空载气隙磁密,对该结构进行如下简化:将极性相同永磁体间径向长度为l x的铁心假设为永磁体,并将其与相邻的永磁体整合成跨度角为π/p-β+2α的整体,同时将整合的永磁体宽度延伸为l x+w b;将极性相同永磁体间径向长度为h m的铁心假设为空气,并将其与相邻的空气区域整合为第一空气槽6,第一空气槽6为电机等效为仅具有径向分布永磁体结构时的空气槽。其中,β为原始V型永磁体的跨度角;α为径向分布永磁体的跨度角。简化后的结构如附图5所示,此时的空载气隙磁密径向及切向分布可由解析模型进行计算。
(4). 通过如下仅具有径向分布永磁体结构时的第一修正模型对(3)中结果进行修正,得到简化前的空载气隙磁密:
其中,B r1为仅具有径向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密径向分布;B r1mod为仅具有径向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密径向分布;B θ1为仅具有径向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密切向分布;B θ1mod为仅具有径向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密切向分布;θ i 为第i个永磁体的位置角;γ为转子磁桥饱和区域的跨度;K mod1为仅具有径向分布永磁体结构时的波形幅值修正系数,可表示为
其中,φ g1为附图3所示结构中流入气隙的磁通;φ g1 ′ 为附图5所示结构中流入气隙的磁通。
(5). 为了便于计算附图4所示电机结构的空载气隙磁密,对该结构进行如下简化:将转子磁桥假设为空气,将其与相邻的空气区域整合为第二空气槽7,第二空气槽7为电机等效为仅具有切向分布永磁体结构时的空气槽,并将第二空气槽7的跨度角变为转子磁桥饱和区域的跨度角γ;同时将永磁体跨度角延伸为(α+α 1+γ)/2。简化后的结构如附图6所示,此时的空载气隙磁密径向及切向分布可由解析模型进行计算。
(6). 通过如下仅具有切向分布永磁体结构时的第二修正模型对(5)中结果进行修正,得到简化前的空载气隙磁密:
其中,B r2为仅具有切向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密径向分布;B r2mod为仅具有切向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密径向分布;B θ2为仅具有切向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密切向分布;B θ2mod为仅具有切向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密切向分布;K mod2为仅具有切向分布永磁体结构时的波形幅值修正系数,可表示为
其中,φ g2为附图4所示结构中流入气隙的磁通;φ g2 ′ 为附图6所示结构中流入气隙的磁通。
(7).将步骤(4)与步骤(6)计算的结果叠加,可得到原始V型内置式电机无槽时的空载气隙磁密径向以及切向分布,应用保角映射方法考虑定子开槽,得到V型内置式永磁同步电机空载时的径向及切向气隙磁密,进而得到电机的齿槽转矩。
利用本发明方法,对附图1所示的8极48槽V型内置式永磁同步电机的空载气隙磁密和齿槽转矩进行了计算。
本发明方法计算的电机空载径向气隙磁密波形以及切向气隙磁密波形与有限元结果对比情况如附图8所示。其中有限元计算的径向气隙磁密幅值为0.7T,本发明方法计算的径向气隙磁密幅值为0.69T;有限元计算的切向气隙磁密幅值为0.15T,本发明方法计算的切向气隙磁密幅值为0.13T;有限元计算的径向气隙磁密波形畸变率为23.4%,本发明方法计算的径向气隙磁密波形畸变率为21.4%。可以看出,本发明方法计算的气隙磁密波形与有限元计算的气隙磁密波形吻合良好。
本发明方法计算的电机齿槽转矩波形与有限元结果对比如附图9所示。其中有限元计算的齿槽转矩幅值为697mN·m,本发明方法计算的齿槽转矩幅值为749mN·m。可以看出,本发明方法计算的齿槽转矩波形与有限元计算的波形有着相同的变化趋势,本发明方法计算的齿槽转矩幅值略大于有限元的计算结果。应用有限元计算附图1所示的V型内置电机齿槽转矩所需时间为124秒,而本发明方法所需的计算时间为18秒。通过对比两种方法的计算精度与计算时间可知,本发明方法计算出的齿槽转矩幅值与有限元间的误差在8%以内,满足工程需要,计算时间仅为有限元计算时间的1/7。本发明能够快速准确计算V型内置式永磁电机的空载气隙磁密与齿槽转矩,提高电机设计及优化效率,并且该方法适用于任何极槽配合的V型内置式永磁电机。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述,但并非对本发明保护范围的限制,所属领域技术人员应该明白,在本发明的技术方案的基础上,本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。
Claims (3)
1.一种V型内置式永磁同步电机齿槽转矩解析方法,其特征在于:首先,将V型永磁体(3)等效为沿径向以及切向分布的形式,进而通过永磁体(3)尺寸等效模型将电机等效为仅具有径向和切向分布永磁体的两种电机结构;然后,将这两种等效的电机结构分别进行简化,通过解析模型计算两种简化后电机结构无槽时的空载气隙磁密径向以及切向分布,并通过第一修正模型和第二修正模型计算得到简化前两种电机结构的空载气隙磁密,将简化前两种电机结构的计算结果叠加得到原始V型内置式电机无槽时的空载气隙磁密径向以及切向分布;接着,通过保角映射的方法考虑定子开槽的影响,得到V型内置式永磁同步电机空载时的径向及切向气隙磁密;最后,根据空载时的径向及切向气隙磁密计算电机的齿槽转矩;
所述第一修正模型为:
其中,Br1为仅具有径向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密径向分布;Br1mod为仅具有径向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密径向分布;Bθ1为仅具有径向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密切向分布;Bθ1mod为仅具有径向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密切向分布;Kmod1为仅具有径向分布永磁体结构时的波形幅值修正系数;θi为第i个永磁体的位置角;γ为转子磁桥饱和区域的跨度;θ为永磁体周向分布位置角;α为径向分布永磁体的跨度角;α1为等效成沿切向分布的永磁体跨度角;
所述第二修正模型为:
Br2mod=Br2Kmod2
Bθ2mod=Bθ2Kmod2
其中,Br2为仅具有切向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密径向分布;Br2mod为仅具有切向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密径向分布;Bθ2为仅具有切向分布永磁体结构时,简化结构的空载气隙磁密切向分布;Bθ2mod为仅具有切向分布永磁体结构时,修正后的空载气隙磁密切向分布;Kmod2为仅具有切向分布永磁体结构时的波形幅值修正系数。
3.根据权利要求1所述的一种V型内置式永磁同步电机齿槽转矩解析方法,其特征在于,在解析模型计算过程中,仅考虑转子磁桥的饱和,忽略定子铁心及转子除磁桥外铁心的饱和。
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