CN113299850A - 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置,显示面板,包括:基板,以及依次设置于所述基板上的发光器件和封装层结构;所述显示面板被划分为:屏下装置区和非屏下装置区,所述屏下装置区的发光器件和封装层结构之间设有形变层,所述形变层用于在第一预定条件下发生形变,并在第二预定条件下复原;所述屏下装置区的封装层结构的厚度小于所述非屏下装置区的封装层结构的厚度。通过屏下装置区中形变层的设置,可以在制作封装层结构时,通过形变层的形变使封装层结构变薄,使屏下装置区的封装层结构厚度小于非屏下装置区的封装层结构厚度,满足屏下装置的透光需求。
Description
技术领域
本申请涉及显示装置领域,具体涉及一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置。
背景技术
全面屏手机凭借其超高的屏占比和极好的用户体验感,成为时下最热门的技术之一。为满足面板全面屏技术兼容屏下装置(如摄像头等)的需求,需要将如摄像头等装置放置在面板的下方,这些屛下装置对应的面板区域称为屛下装置区,并且要求屛下装置区同时满足显示和透光的需求。然后现有的屏幕各层均为整面制作在全面屏显示面板上,屏幕各层的厚度各处均相同,无法满足屛下装置区的透光需求。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置,可以满足屏下装置区的透光需求。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:基板,以及依次设置于所述基板上的发光器件和封装层结构;所述显示面板被划分为:屏下装置区和非屏下装置区,所述屏下装置区的发光器件和封装层结构之间设有形变层,所述形变层用于在第一预定条件下发生形变,并在第二预定条件下复原;所述屏下装置区的封装层结构的厚度小于所述非屏下装置区的封装层结构的厚度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形变层由膨胀材料制成;所述第一预定条件为第一预定波长的光照条件,所述第二预定条件为第二预定波长的光照条件。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形变层为偶氮苯基聚合物形变层,所述第一预定波长的光照条件包括紫外光,所述第二预定波长的光照条件包括绿光。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形变层具有厚度方向及与所述厚度方向垂直的长度方向;形变层由伸缩材料制成,用于在第一预定条件下沿长度方向伸长,并在第二预定条件下回缩。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形变层光致伸缩形变层,所述第一预定条件为第三预定波长的光照条件,所述第二预定条件为第四预定波长的光照条件。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述形变层为磁致伸缩形变层,所述第一预定条件为第一预定磁场,所述第二预定条件为第二预定磁场。
可选的,在本申请的一些实施例中,封装层结构包括多个层叠的封装层,至少一个所述封装层在所述屏下装置区的厚度小于其在所述非屏下装置区的厚度。
相应的,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板上方形成发光器件;
将显示面板区分为屏下装置区和非屏下装置区;其中,所述屏下装置区对应下方包括安装硬件的区域;
在屏下装置区的发光器件上方形成形变层;
通过第一预定条件使所述形变层发生形变;
制作部分封装层结构;
通过第二预定条件使所述形变层回复;
继续制作所述封装层结构。
可选的,在本申请的一些实施例中,制作部分封装层结构的步骤具体包括:
制作第一无机层,发生形变的形变层会阻断所述第一无机层的连续性。
继续制作所述封装层的步骤具体包括:
继续制作第一无机层;
制作第二有机层和第三无机层。
相应的,本申请实施例还提供一种显示面装置,包括上述显示面板。
本申请实施例通过屏下装置区中形变层的设置,可以在制作封装层结构时,通过形变层的形变使封装层结构变薄,使屏下装置区的封装层结构厚度小于非屏下装置区的封装层结构厚度,满足屏下装置的透光需求。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的俯视图;
图2是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的显示面板制作阳极层和像素层的结构示意图;
图4是本申请实施例提供的显示面板制作形变层的结构示意图;
图5是本申请实施例提供的显示面板制作有机层和阴极层的结构示意图;
图6是本申请实施例提供的显示面板的形变层膨胀的结构示意图;
图7是本申请实施例提供的显示面板中,在膨胀的形变层上制作第一无机层的结构图;
图8是本申请实施例提供的偶氮苯基聚合物的结构式;
图9是本申请第二实施例提供的形变层伸长的结构示意图;
图10是本申请第二实施例提供的显示面板中,在伸长的形变层上制作第一无机层的结构图;
图11是本申请实施例提供的形变层回复后的结构示意图;
附图标记说明:
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一、
本申请的第一实施例公开了一种显示面板,主要是针对全面屏和无边框的显示面板,当然也可以应用到普通有边框或者窄边框的显示面板中。只要是需要在显示面板上设置开孔的显示面板结构,均可以采用本发明中的结构,下面对显示面板的具体结构进行详细的说明。
如图1所示,显示面板被划分为屏下装置区15和非屏下装置区16,屏下装置区15对应下方包括安装硬件的区域,硬件结构包括下列结构中的一种或多种:前置摄像头、起始键、听筒或扬声器,硬件结构的具体安装方式,在此不做限定,在实际制作显示面板的过程中,根据显示面板需要制作什么产品,确定对应需要在哪些位置设置硬件结构,以及需要切割的安装孔的尺寸大小和形状。在切割安装孔时,根据需要安装的硬件结构决定切割的安装孔的形状,针对不同的硬件结构,可以设置不同形状的安装孔,可选地,安装孔在平行于衬底基板1方向上的截面形状为下列形状中的一种或多种:圆形、椭圆形、矩形、梯形、菱形或正方形。
其中如图1和图2所示,显示面板包括:基板1、以及依次设置于所述基板1上的发光器件和封装层结构。在屏下装置区15的发光器件和封装层结构之间设置有形变层4。另外,屏下装置区15的封装层结构的厚度小于非屏下装置区16的封装层结构的厚度,也可以认为封装层结构在屏下装置区15的厚度小于其在非屏下装置区16的厚度。屏下装置区15的封装层结构的厚度更薄,透光性更佳,可以满足屏下装置区15的透光需求。在制作显示面板时,可以通过控制形变层4的形变,来降低屏下装置区15部分的封装层结构的厚度。
在具体实施时,本发明主要适用于全面屏和无边框的显示面板,针对OLED显示面板,一般发光器件包括设置在基板1上的薄膜晶体管结构、阳极层2、像素层3、阴极层6。另外基板1上还具有一些其它的膜层,例如,平坦化层、钝化层等,在此不做限定。薄膜晶体管层层叠设于衬底基板1一侧表面,用于控制像素区域发光。具体地,薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管。每个薄膜晶体管包括形成于衬底基板1上的栅电极、覆设于栅电极上的栅极绝缘层、形成于栅极绝缘层上的有源层、以及形成于有源层上的源电极与漏电极。可以理解,上述薄膜晶体管以底栅型为例进行说明,本发明在此不作限定,在其他一些实施例中,薄膜晶体管可以为顶栅型。
本实施例中,图3-图7为屏下装置区15的在加工过程中的结构示意图,形变层4设置在阴极层6之上,形变层4可以在以预定条件下形变,并在第二预定条件下复原,在进行封装层结构的加工时,形变的形变层4会使封装层结构不连续成膜,并使位于形变层4上的封装层结构的厚度变薄,使其小于非屏下装置区16的封装层结构的厚度。其中一个实施例中,如图6和图7所示,形变层4由膨胀材料制成,可以在第一预定条件下膨胀,并在第二预定条件下复原。形变层4由光致膨胀材料制成,所述第一预定条件为第一预定波长的光照条件,所述第二预定条件为第二预定波长的光照条件。具体地,形变层4可以为偶氮苯基聚合物形变层,其结构式如图8所示,偶氮苯基聚合物具有以下特性:在特定波长范围的光照射下可以由反式变成顺式、并发生体积膨胀,也可以在特定波长范围的光照射下由顺式再变成反式,体积复原。本实施例中的形变层4在第一预定波长的光照条件下发生膨胀,并在第二预定波长的光照条件下恢复原状。其中第一预定波长的光照条件可以包括紫外光,第二与定波长的光照条件可以包括绿光。在其他实施例中,形变层4可以为其他光致膨胀材料,第一预定波长的光照条件和第二与定波长的光照条件也可以包括其他色光,本实施例中不做具体限定。
在制作封装层结构之前,采用第一预定波长的光照条件照射形变层4,使形变层4膨胀,膨胀使形变层4的厚度和长度均增加,凸出于阴极层6,在进行封装层结构的制作时,由于形变层4高度较高,因此位于形变层4上的封装层结构厚度较薄,在完成制作后,对形变层4进行第二预设波长的光照,使形变层4回复原本状态,封装层结构也随形变层4下降。在形变层4膨胀时,相邻的膨胀层之间的间隙较小,难以进行封装层结构的制作。在形变层4回复后,继续进行封装层结构的制作,填补未覆盖封装层结构的部分。其中形变层4膨胀不仅可以在制作封装层结构之前,也可以在封装层结构制作过程的开始或中间或结尾时膨胀,使封装层结构的膜厚变薄。
在具体实施时,上述封装层结构可以不做限定。如图2所示,封装层结构可以设置为三叠层结构,即包括第一无机层7,第二有机层8和第三无机层9。当然,也可以设置为多层叠层结构。其中,封装层中的无机层可以采用氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化铝材料;封装中的有机层5可以采用亚克力、环氧树脂、硅的有机化合物材料。封装层结构设置于阴极层6背离阵列基板1的一侧。容易理解的是,由于有机发光材料对水汽和氧气等外部环境十分敏感,如果将显示面板中的有机发光材料层暴露在有水汽或氧气的环境中,会造成显示面板的性能急剧下降或者完全损坏。封装层能够为有机发光单元阻挡空气及水汽,从而保证显示面板的可靠性。
本实施例中以封装层结构包括多个层叠的封装层,如图2所示,包括第一无机层7,第二有机层8和第三无机层9为例做说明,不做具体限定。在进行封装层结构制作时,依次进行第一无机层7、第二有机层8和第三无机层9的制作。其中至少一个封装层在屏下装置区15的厚度小于其在非屏下装置区16的厚度,即屏下装置区15的封装层结构与非屏下装置区16的封装层结构相比,其中的一个或多个封装层的厚度较薄。在制作封装层结构时,可以选择在第一无机层7、第二有机层8和第三无机层9的制作的过程前对形变层4施加第一预定波长的光照条件,使其中的任意一个封装层在屏下装置区15的厚度更薄。具体的制作方式和变薄的封装层选择可以根据实际需求选择。
本实施例中的显示面板,通过屏下装置区15中形变层4的设置,可以在制作封装层结构时,通过形变层4的形变使封装层结构变薄,使屏下装置区15的封装层结构厚度小于非屏下装置区16的封装层结构厚度,满足屏下装置的透光需求。
实施例二、
本申请的第二实施例公开了一种显示面板,大体实施方式与第一实施例中的显示面板相同,主要区别在于,第一实施例中的形变层4的形变方式为膨胀,而本实施例中,形变层4的形变方式为伸缩。
如图9和图10所示,其中形变层4具有厚度方向以及长度反向,长度方向垂直与厚度方向;形变层4由伸缩材料制成,可以在第一预定条件下沿长度方向伸长,并在第二预定条件下回缩。其中形变层4可以为光致伸缩形变层4,所述第一预定条件为第三预定波长的光照条件,所述第二预定条件为第四预定波长的光照条件。
另外值得注意的是,本实施例中的形变层4在制作封装层结构的过程中进行膨胀,在其中一个封装层设置在形变层4上时,形变层4可在第一预定条件下伸长,来阻断封装层的连续成膜,使该封装层的厚度变薄,小于该封装层在非屏下装置区16的厚度。
其中形变层4可以为偶氮苯基聚合物形变层,在特定光照条件下伸缩,偶氮苯基聚合物容易发生膨胀,可以在形变层4顶部和底部限位,避免其在厚度方向上膨胀,呈现伸长的效果。第三预定波长的光照条件可以与第一预定波长的光照条件相同,也可以区别于第一预定波长的光照条件。第四预定波长的光照条件可以与第二预定波长的光照条件相同,也可以区别于第二预定波长的光照条件。
形变层4还可以为磁致伸缩形变层,由磁致伸缩材料制成磁致伸缩材料为金属磁致伸缩材料或铁氧体磁致伸缩材料,饱和磁通密度高,磁致伸缩系数大,目前成熟应用的比如Ni-Zn-Co铁氧体磁致伸缩材料,体积可发生超过40%的变化磁致伸缩是指在交变磁场的作用下,物体产生与交变磁场频率相同的机械振动通过交变磁场的强度和频率变化可以改变磁致伸缩材料的伸缩振动频率和幅度。第一预定条件为第一预定磁场,第二预定条件为第二预定磁场。
本实施例中的显示面板,形变层4可以伸缩形变,可以在制作封装层结构时,通过形变层4的形变使封装层结构变薄,使屏下装置区15的封装层结构厚度小于非屏下装置区16的封装层结构厚度,满足屏下装置的透光需求。
实施例三、
本申请的第三实施例公开了一种显示面板的制作方法,可以适用于第一实施例或第二实施例中的显示面板,如图1至图11所示,包括如下步骤:
提供一基板1;
在所述基板1上方形成发光器件;发光器件包括:阳极层2、像素层3、有机层5和阴极层6。
将显示面板区分为屏下装置区15和非屏下装置区16;其中,所述屏下装置区15对应下方包括安装硬件的区域;
在屏下装置区15的发光器件上方形成形变层4;形变层4可以为偶氮苯基聚合物形变层,在特定波长范围的光照射下可以由反式变成顺式、并发生体积膨胀,也可以在特定波长范围的光照射下由顺式再变成反式,体积复原。形变层4也可以为光致伸缩材料或磁致伸缩材料,在特定的光照或磁场下发生伸缩。如图3至图5所示,制作发光器件和形变层4时,可以先进行阳极层2和像素层3的制作,然后在像素层3上制作形变层4,然后在相邻像素层3之间的间隙制作有机层5和阴极层6。也可以先完成发光器件的制作,再进行形变层4的制作。
通过第一预定条件使所述形变层4发生形变;如图6和图7所示,形变层4为偶氮苯基聚合物形变层时,第一预定条件为第一预定波长的光照条件,具体包括紫外光。紫外光和照射形变层4会使形变层4发生膨胀。如图9和图10所示,形变层4由磁致伸缩材料制成时,如Ni-Zn-Co铁氧体磁致伸缩材料,第一预定条件为第一预定磁场,形变层4在该磁场下会伸长。
制作部分封装层结构,封装层结构包括:第一无机层7、第二有机层8和第三无机层9,三者依次进行制作;具体地,步骤:通过第一预定条件使所述形变层4发生形变,可以位于封装层结构制作开始时、或制作过程中、或制作结束时。在封装层结构制作的过程任何位置进行形变层4的膨胀或伸长都可以使封装层结构变薄。
通过第二预定条件使所述形变层4回复;如图11所示,形变层4在第二预定条件下回复原状,形变层4为偶氮苯基聚合物形变层时,第二预定条件为第二预定波长的光照条件,具体可以为绿光。形变层4由磁致伸缩材料制成时,如Ni-Zn-Co铁氧体磁致伸缩材料,第二预定条件为第二预定磁场,形变层4在该磁场下会回复,使封装层结构回到初始位置。
继续制作所述封装层结构。
制作部分封装层结构的步骤具体包括:
继续制作第一无机层7;在形变层4膨胀或凸起时,相邻的形变层4之间的间隙较小或没有间隙,难以完成第一无机层7的制作,在形变层4回复后,继续进行第一无机层7的制作,填补未覆盖封装层结构的部分。
制作第二有机层8和第三无机层9。第二有机层8和第三无机层9的制作方式可以与第一无机层7相同,也可以直接制作,不对形变层4施加第一预定条件。第一无机层7、第二有机层8和第三无机层9中,可以根据工作人员的选择来控制其中任意一个或多个变薄,降低封装层结构的厚度,满足屏下装置区15的透光需求。最终显示面板的截面图如图2所示,图中未示出形变层4上方的第二有机层8和第三无机层9,实际第二有机层8和第三无机层9也形成于第一无机层7上方。
实施例四、
本申请的第四实施例公开了一种显示装置,显示装置包括如第一实施例或第二实施例中的显示面板。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板,包括:基板,以及依次设置于所述基板上的发光器件和封装层结构;所述显示面板被划分为:屏下装置区和非屏下装置区,其特征在于,所述屏下装置区的发光器件和封装层结构之间设有形变层,所述形变层用于在第一预定条件下发生形变,并在第二预定条件下复原;所述屏下装置区的封装层结构的厚度小于所述非屏下装置区的封装层结构的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述形变层由膨胀材料制成;所述第一预定条件为第一预定波长的光照条件,所述第二预定条件为第二预定波长的光照条件。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述形变层为偶氮苯基聚合物形变层,所述第一预定波长的光照条件包括紫外光,所述第二预定波长的光照条件包括绿光。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述形变层具有厚度方向及与所述厚度方向垂直的长度方向;形变层由伸缩材料制成,用于在第一预定条件下沿长度方向伸长,并在第二预定条件下回缩。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述形变层光致伸缩形变层,所述第一预定条件为第三预定波长的光照条件,所述第二预定条件为第四预定波长的光照条件。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述形变层为磁致伸缩形变层,所述第一预定条件为第一预定磁场,所述第二预定条件为第二预定磁场。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,封装层结构包括多个层叠的封装层,至少一个所述封装层在所述屏下装置区的厚度小于其在所述非屏下装置区的厚度。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一基板;
在所述基板上方形成发光器件;
将显示面板区分为屏下装置区和非屏下装置区;其中,所述屏下装置区对应下方包括安装硬件的区域;
在屏下装置区的发光器件上方形成形变层;
通过第一预定条件使所述形变层发生形变;
制作部分封装层结构;
通过第二预定条件使所述形变层回复;
继续制作所述封装层结构。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,制作部分封装层结构的步骤具体包括:
制作第一无机层,发生形变的形变层会阻断所述第一无机层的连续性;
继续制作所述封装层的步骤具体包括:
继续制作第一无机层;
制作第二有机层和第三无机层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至7中任一项所述的显示面板。
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