CN113299848A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法，显示面板包括：衬底基板；发光器件，设在所述衬底基板上；封装层；高介电层，设在所述发光器件与所述封装层之间传感器组件，设在所述封装层上，所述传感器组件与所述发光器件之间通过所述高介电层和所述封装层隔开。本申请实施例采用发光器件和传感器组件之间通过高介电层和封装层隔开的方案，高介电层的较高容值会避免发光器件和传感器组件之间发生相互串扰的情况，保证发光器件和传感器组件的正常工作。

Description

一种显示面板及其制作方法

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术，是一种新兴的平板显示技术。由于具有宽视角，自发光，超快响应等优势，OLED技术在显示领域应用广阔。

在顶发射OLED的发光器件中，主要结构包括基板，设置于基板上的金属阳极，设置于金属阳极上的发光功能层，以及设置于发光功能层上的金属阴极。然而发光材料对水氧十分敏感，通常采用TFE(Thin Film Encapsulation)薄膜封装技术，对发光材料进行隔绝水氧处理。随着技术进步，为了降低成本，实现更小弯折半径，在TFE薄膜封装结构上制作Touch Sensor成为了一种被广泛采用的技术。

随着TFE结构的厚度减薄，Touch Sensor中的金属走线与设置于发光功能层上的金属阴极之间的容值下降，会在工作过程中引起相互串扰。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法，可以在保证TFE结构厚度较薄的情况下，避免传感器与金属阴极之间发生相互串扰。

本申请实施例提供一种显示面板，包括：

衬底基板；

发光器件，设在所述衬底基板上；

封装层；

高介电层，设在所述发光器件与所述封装层之间；

传感器组件，设在所述封装层上，所述传感器组件与所述发光器件之间通过所述高介电层和所述封装层隔开。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光器件自下至上依次包括：阳极层、像素层和阴极层，所述高介电层设在所述阴极层与所述封装层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述封装层包括：覆盖所述高介电层的无机封装层、沉积于所述无机封装层上的原子层；

所述高介电层设于所述阴极层与所述无机封装层之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，传感器组件包括：设在所述封装层上的传感器无机层、设在所述传感器无机层上的金属走线层。

可选的，在本申请的一些实施例中，高介电层为Al₂O₃膜层、ZrO₂膜层或HfO₂膜层中的一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述衬底基板包括：平坦层PDL，所述发光器件设在所述平坦层PDL内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述衬底基板包括：无机层，所述发光器件设在所述无机层内。

相应的，本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括如下步骤：

提供一衬底基板；

在所述基板上设置发光器件；

在发光组件上沉积高介电层；

在所述高介电层上设置封装层；

在所述封装层上设置传感器组件。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述基板上设置发光器件包括如下步骤：

在所述衬底基板上依次设置阳极层、像素层和阴极层；

在发光器件上沉积高介电层具体包括如下步骤：

在所述阴极层上沉积所述高介电层。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述高介电层上设置封装层具体包括如下步骤：

在发光器件的各像素开口进行第一无机封装层的沉积；

在所述第一无机封装层和所述高介电层上进行第二无机封装层的沉积；

在所述第二无机封装层上沉积原子层。

本申请实施例采用发光器件和传感器组件之间通过高介电层和封装层隔开的方案，高介电层的较高容值会避免发光器件和传感器组件之间发生相互串扰的情况，保证发光器件和传感器组件的正常工作。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例一提供的显示面板的结构示意图；

图2是本申请实施例二提供的显示面板的结构示意图；

附图标记说明：

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一、

本申请的第一实施例公开了一种显示面板，自下至上依次包括：衬底基板100、发光器件500、封装层300和传感器组件400，发光器件500和传感器组件400之间通过封装层300隔开，其中发光器件500和传感器组件400均通电工作，封装层300较薄的情况下，封装层300的容值较低，发光器件500和传感器组件400之间容易发生相互串扰，导致发光异常或传感器失效等情况发生。

有鉴于此，本实施例中的显示面板还包括：高介电层200，高介电层200设在封装层300和发光器件500之间，高介电层200具有较高的介电性，具有较高的容值。发光器件500和传感器组件400之间通过高介电层200和封装层300隔开，高介电层200的较高容值会避免发光器件500和传感器组件400之间发生相互串扰的情况，保证发光器件500和传感器组件400的正常工作。其中，高介电层200为Al2O3膜层、ZrO2膜层或HfO2膜层中的一种。本实施例中可采用PVD方法沉积一定厚度的Al₂O₃，形成Al₂O₃膜层。在其他实施例中，高介电层200也可以为ZrO2膜层或HfO2膜层，也可以为其中两种或三种材料混合制成，本实施例中不做具体限定。上述三种材料均具有较好的介电性，具有较高的容值，避免发光器件500和传感器组件400之间发生相互串扰的情况。本实施例中采用Al2O3膜层还可以进一步地节约成本。

其中发光器件500自下至上包括：阳极层530、像素层520和阴极层510，高介电层200直接沉积在阴极层510上，设在阴极层510与封装层300之间，高介电层200和封装层300共同形成TFE结构。其中高介电层200直接沉积在阴极层510上，与阴极层510之间不设置任何层面，尽量不增加TFE结构的厚度，使TFE结构仍保持较薄状态，具有更低成本、更小弯折半径的效果。高介电层200的设置使得TFE结构在保持较薄的状态时，避免发光器件500和传感器组件400之间发生相互串扰的情况，保证发光器件500和传感器组件400的正常工作。

进一步地，封装层300包括：覆盖高介电层200的无机封装层310、沉积于无机封装层310的原子层320，其中无机封装层310在制作时，首先在各像素开口进行第一无机封装层的沉积，第一无机封装层填补各像素开口的凹陷，第一无机封装层与高介电层200形成一平整的面，然后再第一无机封装层和高介电层200上进行第二无机封装层的沉积。第二无机封装层将高介电层200覆盖，提升封装效果。在完成第一无机封装层和第二无机封装层的设置后，采用原子层320沉积(ALD)方法，将无机封装层310表面的孔隙覆盖，形成完整的封装结构。因此高介电层200设置在阴极层510和无机封装层310之间。

在设置封装层300后，进行传感器组件400设置，本实施例中的传感器组件400为触控传感器(Touch Sensor)，当然，传感器组件400也可以为其他类型的传感器，本实施例中不做具体限定。原子层320沉积后，在原子层320上进行传感器组件400的工艺，具体地，本实施例中的传感器组件400包括：设在封装层300上的传感器无机层410、设在传感器无机层410上的金属走线层420，传感器无机层410内设置有传感器，传感器通过金属走线层420与外部连接。

其中，衬底基板100包括：基板110、设在基板110上的array控制层120、设在array控制层120上的平坦层PLN130、设在平坦层PLN130上的平坦层PDL140，发光器件500设在平坦层PDL140内，其中发光器件500的阳极和像素层520设在平坦层PDL140内，发光器件500的阴极设在平坦层上表面，平坦层也在对应的阴极出设置凹陷。

实施例二、

本申请的第二实施例涉及一种显示面板，大体与第一实施例中的显示面板相同，主要区别在于，本实施例中的衬底基板100包括：基板110、设在基板110上的array控制层120、设在array控制层120上的平坦层PLN130、设在平坦层PLN130上的无机层150，本实施例中将第一实施例中的平坦层PDL140由无机层150代替，无机层150设在平坦层PLN130上，发光器件500设在无机层150中，无机层150可以进一步加强像素层520侧面的水氧阻隔能力，保护发光器件500。

实施例三、

本申请的第三实施例公开了一种显示基板的制作方法，可以用于制作第一实施例或第二实施例中的显示基板，包括如下步骤：

提供一衬底基板；衬底基板包括：基板、设在基板上的array控制层、设在array控制层上的平坦层PLN、设在平坦层PLN上的平坦层PDL；其中平坦层可以由PDL由无机层代替。

在所述基板上设置发光器件；

在发光组件上沉积高介电层；高介电层为Al₂O₃膜层、ZrO₂膜层或HfO₂膜层中的一种。本实施例中可采用PVD方法沉积一定厚度的Al₂O₃，形成Al₂O₃膜层，直接沉积在阴极层上。

在所述高介电层上设置封装层；封装层包括：覆盖高介电层的无机封装层、沉积于无机封装层的原子层。

在所述封装层上设置传感器组件。

在所述基板上设置发光器件包括如下步骤：

在所述衬底基板上依次设置阳极层、像素层和阴极层；阳极层、像素层和阴极层自下至上设置。

在发光器件上沉积高介电层具体包括如下步骤：

在所述阴极层上沉积所述高介电层。

在所述高介电层上设置封装层具体包括如下步骤：

在发光器件的各像素开口进行第一无机封装层的沉积；在各像素开口进行第一无机封装层的沉积，第一无机封装层填补各像素开口的凹陷，第一无机封装层与高介电层形成一平整的面。

在所述第一无机封装层和所述高介电层上进行第二无机封装层的沉积；第二无机封装层将高介电层覆盖，提升封装效果。

在所述第二无机封装层上沉积原子层。原子层沉积(ALD)方法，可以将无机封装层表面的孔隙覆盖，形成完整的封装结构。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

衬底基板；

发光器件，设在所述衬底基板上；

封装层；

高介电层，设在所述发光器件与所述封装层之间；

传感器组件，设在所述封装层上，所述传感器组件与所述发光器件之间通过所述高介电层和所述封装层隔开。

2.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述发光器件自下至上依次包括：阳极层、像素层和阴极层，所述高介电层设在所述阴极层与所述封装层之间。

3.根据权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于，所述封装层包括：覆盖所述高介电层的无机封装层、沉积于所述无机封装层上的原子层；

所述高介电层设于所述阴极层与所述无机封装层之间。

4.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，传感器组件包括：设在所述封装层上的传感器无机层、设在所述传感器无机层上的金属走线层。

5.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，高介电层为Al₂O₃膜层、ZrO₂膜层或HfO₂膜层中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述衬底基板包括：平坦层PDL，所述发光器件设在所述平坦层PDL内。

7.根据权利要求1所述的一种显示面板，其特征在于，所述衬底基板包括：无机层，所述发光器件设在所述无机层内。

8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底基板；

在所述基板上设置发光器件；

在发光组件上沉积高介电层；

在所述高介电层上设置封装层；

在所述封装层上设置传感器组件。

9.根据权利要求8所述的一种显示面板的制作方法，其特征在于，在所述基板上设置发光器件包括如下步骤：

在所述衬底基板上依次设置阳极层、像素层和阴极层；

在发光器件上沉积高介电层具体包括如下步骤：

在所述阴极层上沉积所述高介电层。

10.根据权利要求8所述的一种显示面板的制作方法，其特征在于，在所述高介电层上设置封装层具体包括如下步骤：

在发光器件的各像素开口进行第一无机封装层的沉积；

在所述第一无机封装层和所述高介电层上进行第二无机封装层的沉积；

在所述第二无机封装层上沉积原子层。

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