CN219146069U - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括：衬底基板、第一像素界定层、反射电极层、第一结构层以及第二像素界定层；第一像素界定层包括第一开口区域以及围绕第一开口区域的第一挡墙；反射电极层包括底表面和侧表面；第一结构层包括覆盖底表面的导体区域和至少部分覆盖侧表面的非导体区域；第二像素界定层设置于第一像素界定层远离衬底基板的一侧。本申请提供的显示面板和显示装置，第二像素界定层可不再设置于第一开口区域内，能够使有效发光区的范围更大，实现提高显示面板亮度的功能。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

与液晶显示器LCD相比，OLED显示产品具有全固态结构、低能耗、低成本、自发光、宽视角、响应速度快以及可柔性显示等优点，广泛应用于显示领域，能够代表极具竞争力和发展前景的下一代显示技术。

但是随着人们对显示产品的要求越来越高，市场需要亮度更高的OLED产品。目前常规的mobile OLED器件的亮度只有500至600nit，而高端的OLED器件亮度已经可以提到高1000nit以上，因此如何兼顾OLED器件的成本和高亮度成为亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本申请的目的在于提出一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的显示面板和显示装置。

基于上述目的，本申请第一方面提供了显示面板，包括：包括：衬底基板，设置于所述衬底基板第一侧的第一像素界定层、设置于所述衬底基板第一侧且覆盖至少部分的所述第一像素界定层的反射电极层，设置于所述反射电极层远离所述衬底基板一侧的第一结构层，以及设置于第一像素界定层远离所述衬底基板一侧的第二像素界定层；

所述第一像素界定层包括第一开口区域以及围绕所述第一开口区域的第一挡墙；所述反射电极层包括位于所述第一开口区域内的底表面和覆盖所述第一挡墙第一侧壁的侧表面；所述第一结构层包括覆盖所述反射电极层底表面的导体区域和至少部分覆盖所述反射电极层侧表面的非导体区域。

基于同一发明构思，本申请第二方面还提供了显示装置，包括如第一方面所述的显示面板。

从上面所述可以看出，本申请提供的显示面板及其制备方法和显示装置，在反射电极层上设置第一结构层，第一结构层的非导体区域能够替代现有第二像素界定层覆盖反射电极层的侧表面，以防止反射电极层侧表面对应的区域引起显示面板的微腔腔长变化，同时避免发生短路。第一结构层的导体区域能够使反射电极层与发光层之间形成有效的电性连接，不会对发光层的正常工作造成不良影响。同时，由于第一结构层的非导体区域能够替代现有第二像素界定层，因此本申请中的第二像素界定层可不再设置于第一开口区域内，能够使本申请中有效发光区的范围更大，实现提高显示面板亮度的功能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中的双层像素界定层结构的显示面板示意图；

图2为本申请实施例的显示面板的示意图；

图3为本申请实施例的显示面板的第二像素界定层、衬底基板以及两者之间的结构层的俯视向示意图；

图4a至图4f为本申请实施例的显示面板的制备过程的示意图；

图5为本申请实施例的显示面板的其他功能结构层的示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。

应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。

同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，绝不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。

需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

对于提高OLED产品的亮度，相关技术中具有多种方式，例如：提高电致发光(ElectroLuminescent，简称EL)层的本身亮度；提高薄膜封装(Thin-Film Encapsulation，简称TFE)层的透过率；在电致发光层上制作彩膜(CF on EL，简称COE)并采用白色有机电致发光二极管(White Organic Light Emitting Diode，简称WOLED)；采用微透镜(Micro-Lens)阵列或者采用双层像素界定层等其他方式实现。其中，采用双层像素界定层的方式由于工艺简单已成为较为常用的增加OLED产品亮度的实现方案之一。

如图1所示，相关技术中的双层像素界定层结构是通过在第一像素界定层2的第一挡墙201侧壁增设反射电极层3(通常为反射阳极层)以实现提高OLED产品出光亮度。但是，设置于第一挡墙201的第一侧壁2011的反射电极层3也会造成一些问题，例如设置于反射电极层3上的发光层6在镀膜制程中其覆盖第一侧壁2011的区域材料厚度较薄，当第一侧壁2011上增加反射电极层3后可能会造成微腔的腔长变化进而引起器件色坐标变化；同时也由于覆盖第一侧壁2011以及第一挡墙201尖角处的发光层6材料厚度较薄，容易使得反射电极层3直接与发光层6另一侧的电极(通常为阴极)直接接触引起短路。为了避免上述问题，相关技术中的会采用不导电的现有第二像素界定层11对反射电极层3上的上述位置进行覆盖，即通过第二像素界定层5对覆盖第一挡墙201的第一侧壁201以及尖角位置的反射电极层3和发光层6进行隔断。

但申请人通过研究发现，上述现有第二像素界定层11的设置方式虽然能够解决腔长变化和阴阳极短路的问题，但是为了覆盖设置于第一侧壁2011上的反射电极层3，现有第二像素界定层11需有部分设置于第一像素界定层2的第一开口区域202(图1中的虚线框内)内，且现有第二像素界定层11多采用分辨率较低的树脂(Resin)材料制成，其在制程中可能产生堆叠(Overlay)，这就使得位于第一开口区域202侧壁的现有第二像素界定层11由于材料层厚度较大，即现有第二像素界定层11的现有第二开口区域1101(图1中的点划线框内)远小于第一开口区域202。而由于现有第二像素界定层11的隔断作用，只有在现有第二开口区域1101内才会形成有效的发光区(即反射电极层3与发光层6接触的区域)，因此发光区范围会受到一定的限制。

综上，在相关技术的双层像素界定层显示面板中，虽然能够通过设置于第一侧壁2011的反射电极层3的反射作用增加亮度，但由于设置现有第二像素界定层11而使得发光区范围受到限制，因此通过该结构增加亮度的效果也较为有限。

有鉴于此，如图2和图3，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：衬底基板1，设置于所述衬底基板1第一侧101的第一像素界定层2、设置于所述衬底基板1第一侧101且覆盖至少部分的所述第一像素界定层2的反射电极层3，设置于所述反射电极层3远离所述衬底基板1一侧的第一结构层4，以及设置于第一像素界定层2远离所述衬底基板1一侧的第二像素界定层5；所述第一像素界定层2包括第一开口区域202以及围绕所述第一开口区域202的第一挡墙201；所述反射电极层3包括位于所述第一开口区域202内的底表面301和覆盖所述第一挡墙201第一侧壁2011的侧表面302；所述第一结构层4包括覆盖所述反射电极层3底表面301的导体区域401和至少部分覆盖所述反射电极层3侧表面302的非导体区域402。

反射电极层3可作为阳极层或阴极层，下述以反射电极层3作为阳极层为例进行示例性说明。

第一结构层4为设置在反射电极层3的完整结构层，通过现有工艺或满足一定触发条件，可将第一结构层4的部分区域导体化或非导体化，示例性的，第一结构层4为可由金属氧化物半导体制成的结构层，如为透明半导体IGZO制成的结构层，其可通过注入离子(Doping，或称掺杂)等方式使其预设区域导体化，而其他区域仍保持非导体化。其中，第一结构层4的非导体区域402可替代现有第二像素界定层11覆盖反射电极层3的侧表面302，同样能够实现对覆盖第一挡墙201第一侧壁2011的反射电极层3和发光层6的隔断作用。同时，由于第一结构层4的材料可为金属氧化物半导体，第一结构层4的厚度相比于相关技术中由树脂制成的现有第二像素界定层11的厚度较薄，因此，覆盖反射电极层3侧表面302的第一结构层4虽然也位于第一开口区域202内，但对发光区域的影响较小，即本实施例的显示面板的发光区域的范围比前述相关技术中双层像素界定层显示面板的发光区域的范围大，有助于提升本实施例的显示面板的亮度。

在本实施例中，由于可能发生堆叠且分辨率较低的第二像素界定层5仅位于第一像素界定层2远离衬底基板1的一侧，不再侵占第一开口区域202内部空间，因此对于第一开口区域202内的发光区也不再形成范围限制。

本实施例提供的显示面板，在反射电极层3上设置第一结构层4，第一结构层4的非导体区域402能够替代现有第二像素界定层115覆盖反射电极层3的侧表面302，以防止反射电极层3侧表面302对应的区域引起显示面板的微腔腔长变化，同时避免发生短路。第一结构层4的导体区域401能够使反射电极层3与发光层6之间形成有效的电性连接，不会对发光层6的正常工作造成不良影响。同时，由于第一结构层4的非导体区域402能够替代现有第二像素界定层11，因此本实施例的显示面板中的第二像素界定层5可不再设置于第一开口区域202内，能够使本实施例的显示面板中有效发光区的范围更大，实现提高显示面板亮度的功能。

示例性的，当第一结构层4为由IGZO形成的结构层时，由于IGZO的分辨率和透光率均高于树脂，因此相较于相关技术中采用树脂制成的现有第二像素界定层11，在本实施例的显示面板中光穿过第一结构层4的耗损小于光穿过现有第二像素界定层11的耗损，有助于提升本实施例的显示面板亮度。

在本实施例中，反射电极层3是通过第一结构层4的导体区域401与发光层6进行电性连接，但是仅保证电性连接有可能不能使发光层6实现较好的发光性能，因此，一些实施例中，所述第一结构层4的导体区域401的功函数与设置于反射电极层3远离所述衬底基板1一侧的发光层6的功函数相匹配。

功函数又称功函、逸出功，在固体物理中是指把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。为了进一步保证显示面板中发光层6具有较好的发光性能，需要根据设计调节第一结构层4的导体区域401的功函数，以使其与发光层6的功函数相匹配，示例性的，所述第一结构层4的导体区域401的功函数大于或等于所述发光层6的功函数，有助于提高本实施例的显示面板的亮度。需要说明的是，当导体区域401的功函数大于发光层6的功函数时，两者也较为接近。

在本实施例中，第一结构层4可采用沉积工艺制成，即第一结构层4在初始形成时为一完整覆盖反射电极层3的结构层。虽然第一结构层4的非导体区域402主要用于对反射电极层3侧表面302和尖角位置进行覆盖隔断，但是为了降低工艺难度和生产成本，除了对覆盖反射电极层3底表面301的区域进行导体化处理外，其余的第一结构层4均保持连续的非导体状态，如图2，一些实施例中，所述第一结构层4的非导体区域402还至少部分覆盖位于所述第一挡墙201顶部的所述反射电极层3的顶表面303。对于设置于反射电极层3的顶表面303的第一结构层4，由于其为非导体，对其他结构层不会造成较大影响，因此可将该部分的第一结构层4进行保留，不必再增加图案化工艺进行去除。

为了进一步降低第二像素界定层5对本实施例的显示面板的亮度影响，如图2和图3所示，一些实施例中，所述第二像素界定层5设置于所述第一挡墙201远离所述衬底基板1的顶部，且所述第二像素界定层5在所述衬底基板1的正投影位于所述第一挡墙201在所述衬底基板1的正投影的内部。即第二像素界定层5仅位于第一挡墙201的顶部范围以内，第二挡墙501的任意部分均不会伸入第一开口区域202，不会对发光区域发出的光造成遮挡，有助于提升本实施例的显示面板的亮度。

如图2所示，一些实施例中，所述第二像素界定层5包括第二挡墙501，所述第二挡墙501设置于所述第一结构层4远离所述衬底基板1的一侧。第二挡墙501设置于第一挡墙201顶部的第一结构层4上，第二挡墙501所围绕的区域形成第二开口区域502。在本实施例的显示面板制程中，先形成第一结构层4，再形成第二像素界定层5，由于设置在第一挡墙201顶部的第一结构层4为连续的，因此第二挡墙501可直接设置于该第一结构层4上，以简化形成本实施例的显示面板的制作工艺。

同时，由于第二挡墙501设置在第一结构层4的非导体区域402，因此第二挡墙501既可采用有机材料，如树脂制成；也可采用无机材料，如SiO/SiN制成。由于现有第二像素界定层11通常采用树脂制成，因此采用有机材料制成第二挡墙501从工艺方面实现较为简单。

而一些实施例中，所述第二像素界定层5为无机材料层。这是因为在每个第二开口区域502内都会设置空穴注入层7(HIL)和空穴传输层8(HTL)，而第二像素界定层5为无机材料层，那么第二挡墙501即为采用无机材料制成，该第二挡墙501能够对相邻的第二开口区域502形成隔断，以使每个第二开口区域502内的空穴注入层7和空穴传输层8均为断续结构，防止由于两者连续而引起的横向电流串扰。

为了使第二挡墙501对空穴注入层和空穴传输层的阻断作用更加可靠，需要限定第二挡墙501的高度与两者的总厚度之间的关系。如图2，一些实施例中，所述第二像素界定层5还包括所述第二挡墙501围绕形成的第二开口区域502，所述第二挡墙501沿垂直于所述第一挡墙201顶部的第一方向(如图2中的Z方向)的高度a等于或大于层叠设置在所述第二开口区域502内的空穴注入层7和空穴传输层8沿所述第一方向的厚度之和b。当第二挡墙501的高度a不低于第二开口区域502内的空穴注入层7和空穴传输层8的厚度和b时，空穴注入层7和空穴传输层8两者中任一者均不会越过第二挡墙501，即第二挡墙501可对两者形成完全隔断，能够更加可靠的防止两者引起的横向电流串扰。

虽然第二挡墙501的高度越高其阻断作用越可靠，但是高度过高的第二挡墙501也会对其上方功能结构层的形成尤其是采用蒸镀工艺形成的功能结构层，以及整面电极电阻造成不良影响。由此，一些实施例中，所述第二挡墙501的高度为a，所述空穴注入层7和所述空穴传输层8的厚度之和为b，a与b的差值为0至50埃

将第二挡墙501的高度限定在与空穴注入层7和空穴传输层8的厚度之和相等或高于50埃以下的范围，既可保证第二挡墙501对空穴注入层7和空穴传输层8的阻断作用，又能够避免第二挡墙501对其上方其他结构层所造成不良影响。

为了避免第二挡墙501出现尖角而引起尖角漏电情况，如图2，一些实施例中，所述第二挡墙501的坡度角c大于等于80°。当第二挡墙501的坡度角大于80°时第二挡墙501的侧壁坡度较陡，第二挡墙501沿厚度方向的截面形成接近矩形的形状，避免形成尖角。

对于上述各个实施例的显示面板，其制备方法示例性的如下：

首先，在设置有第一像素界定层的衬底基板的第一侧形成反射电极层。

先采用现有工艺在衬底基板1的第一侧101形成包括第一挡墙201和第一开口区域202的第一像素界定层2，如图4a。

而后采用沉积工艺(Dep)和图案化工艺形成覆盖第一像素界定层2，且在相邻两个第一开口区域202之间断开的反射电极层3，如图4b。示例性的，当反射电极层3为反射阳极层时，其可为ITO/Ag层或者Ti/Al层。

之后，在反射电极层远离所述衬底基板的一侧形成半导体结构层。

示例性的，为了形成第一结构层4可先通过沉积工艺在反射电极层3上形成一层完整的半导体结构层14，该半导体结构层14可为透明半导体IGZO层，如图4c。

形成半导体结构层14后，通过图案化工艺在所述半导体结构层形成待掺杂图形，所述待掺杂图形覆盖所述反射电极层的底表面。

示例性的，在已形成的半导体结构层14上涂覆光刻胶(PR胶)，形成光刻胶层，并通过预先设计制作的掩膜版对光刻胶层进行曝光显影等图案化工序，以在光刻胶层形成贯通至半导体结构层14的待掺杂图形，以使覆盖反射电极层3的底表面301的半导体结构层14外露。

通过掺杂工艺(Doping)使所述待掺杂图形内的所述半导体结构层形成导体区域；所述半导体结构层除待掺杂图形内的其他区域为非导体区域，以形成第一结构层。

通过掺杂工艺向待掺杂图形内的半导体结构层14注入P离子或B离子等离子，以使覆盖反射电极层3的底表面301的半导体结构层14导体化成为第一结构层4的导体区域401，如图4d。对于掺杂工艺的工艺参数，需根据显示面板的功函数要求进行调节以保证掺杂后形成的导体区域401与发光层6的功函数相匹配。之后，可将光刻胶层去除，半导体结构层14的其他区域不做处理，仍保持原非导体的特性，成为第一结构层4的非导体区域402，至此第一结构层4形成。

需要说明的是，本实施例之所以通过将第一结构层4部分导体化而实现反射电极层3与发光层6的电性连接，是由于该方式能够最大程度的扩大反射电极层3与发光层6的有效连接面积。而采用其他方式，例如通过刻蚀将覆盖反射电极层3的底表面301的第一结构层4去除，虽然也能够实现反射电极层3与发光层6电性连接，但是受限于相关技术的刻蚀工艺，通过刻蚀所形成的区域尺寸精度要远小于掺杂所形成的区域尺寸精度，因此为了保证第一结构层4能够完整覆盖反射电极层3的侧表面302，就需要缩小刻蚀区域，因此反射电极层3与发光层6的有效连接面积也就随之缩小。

最后，在所述第一像素界定层的第一挡墙顶部形成第二像素界定层。

示例性的，第二像素界定层5的第二挡墙501是通过电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，简称ICP)刻蚀工艺等干法刻蚀工艺形成，该工艺可保证第二挡墙501的侧壁几乎垂直于第一挡墙201的顶部表面，即能够保证第二挡墙501的坡度角c大于80°，如图4e。

在上述步骤完成后，可通过蒸镀等其他工艺在上述结构的基础上形成空穴注入层7、空穴传输层8、发光层6(EML，包括蒸镀红色子像素的发光层R-MEL或蒸镀绿色子像素的发光层G-MEL或蒸镀蓝色子像素的发光层B-MEL)、电子传输层12(ETL)、电子注入层13(EIL)和阴极层9(如MgAg层或IZO层)等功能层以及封装层(Encap)10等，如图2和图4f。

示例性的，显示面板的功能层和相对应的厚度如图5所示。

基于同一个发明构思，结合上述各个实施例的显示面板的描述，本实施例提供一种显示装置，该显示装置具有上述各个实施例的显示面板相应的技术效果，在此不再赘述。

一种显示装置，包括上述各个实施例所述的显示面板。

需要说明的是，上述对本申请的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。

本申请中各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似的部分相互参见即可。

本申请的描述是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本申请限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显然的。选择和描述实施例是为了更好说明本申请的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本申请从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

尽管已经结合了本申请的具体实施例对本申请进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。

本申请实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板第一侧的第一像素界定层、设置于所述衬底基板第一侧且覆盖至少部分的所述第一像素界定层的反射电极层，设置于所述反射电极层远离所述衬底基板一侧的第一结构层，以及设置于第一像素界定层远离所述衬底基板一侧的第二像素界定层；

所述第一像素界定层包括第一开口区域以及围绕所述第一开口区域的第一挡墙；所述反射电极层包括位于所述第一开口区域内的底表面和覆盖所述第一挡墙第一侧壁的侧表面；所述第一结构层包括覆盖所述反射电极层底表面的导体区域和至少部分覆盖所述反射电极层侧表面的非导体区域。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一结构层的导体区域的功函数与设置于所述反射电极层远离所述衬底基板一侧的发光层的功函数相匹配。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一结构层的导体区域的功函数大于或等于所述发光层的功函数。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一结构层的非导体区域还覆盖位于所述第一挡墙顶部的所述反射电极层的顶表面。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素界定层设置于所述第一挡墙远离所述衬底基板的顶部，且所述第二像素界定层在所述衬底基板的正投影位于所述第一挡墙在所述衬底基板的正投影的内部。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素界定层为无机材料层。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素界定层包括第二挡墙，所述第二挡墙设置于所述第一结构层远离所述衬底基板的一侧。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二像素界定层还包括所述第二挡墙围绕形成的第二开口区域，所述第二挡墙沿垂直于所述第一挡墙顶部的第一方向的高度等于或大于层叠设置在所述第二开口区域内的空穴注入层和空穴传输层沿所述第一方向的厚度之和。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二挡墙的高度为a，所述空穴注入层和所述空穴传输层的厚度之和为b，a与b的差值为0至50埃。

10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二挡墙的坡度角大于等于80°。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的显示面板。

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