CN113295093A - 一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法 - Google Patents

一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113295093A
CN113295093A CN202110677014.7A CN202110677014A CN113295093A CN 113295093 A CN113295093 A CN 113295093A CN 202110677014 A CN202110677014 A CN 202110677014A CN 113295093 A CN113295093 A CN 113295093A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
points
length
stretching
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110677014.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113295093B (zh
Inventor
钱超
杨柯
牛恩众
余强根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Gaoguang Semiconductor Materials Co ltd
Original Assignee
Changzhou Gaoguang Semiconductor Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Gaoguang Semiconductor Materials Co ltd filed Critical Changzhou Gaoguang Semiconductor Materials Co ltd
Priority to CN202110677014.7A priority Critical patent/CN113295093B/zh
Publication of CN113295093A publication Critical patent/CN113295093A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113295093B publication Critical patent/CN113295093B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,本发明方法在拉伸前的掩膜版上设置激光标记点,通过实际点与理论点之间的距离来检测是否合格,可以在掩膜版用于蒸镀之前对掩膜版张网精确度进行检测,防止掩膜版投入使用后才发现张网不合格导致的蒸镀材料以及设备使用的能源浪费,而且本发明方法操作简单,检测效率高。

Description

一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法
技术领域
本发明属于掩膜版技术领域,尤其是涉及一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)显示是一种应用在平板显示领域的新技术,因其具有包括广视角、广色域、高对比度、低功耗等优点,近年来发展迅速并已成功量产。
在生产OLED显示屏的过程中,多层金属材料、无机材料或有机材料需采用蒸镀的方式逐层沉积到玻璃基板上。在蒸镀制程中,金属掩膜版被用来遮挡待蒸镀的玻璃基板以形成特定图案,金属掩膜版可以分为普通金属掩膜版(Common Metal Mask,缩写:CMM)和高精度的精细金属掩膜版(Fine Metal Mask,缩写:FMM),分别用于不同膜层的沉积。在蒸镀前,需要使用张网设备将网格状的CMM或多张条状的FMM对位并焊接到金属掩膜版框架上,这种工艺被称为张网工艺。在张网过程中,为了保证各发光层能够被蒸镀在玻璃基板正确的位置上,张网过程中需要对CMM或FMM的每个端部施加一定的拉力并使得其上的每一个标记点都对位到需求的精度规格内,然后将其焊接到掩膜框架上。
然而金属掩膜版的本身材质制作不均匀和张网机张网拉力不均匀因素都会导致掩膜版上的内部特定图案发生畸变或者相对位置发生变化,也就会导致蒸镀不良率大大提升,所以在将掩膜版用于蒸镀之前需要对张网后的掩膜版进行精度检测。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题,提供一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,包括以下步骤:
S1:在精密掩膜版的两侧长边中点对称焊接有校准点;
S2:以两个校准点的中点为原点建立直角坐标系,将掩膜版分割成四个象限块;
S3:在四个象限块内选取四个激光标记点a,b,c,d;
S4:计算激光标记点a,b,c,d的拉伸后理论点A1,B1,C1,D1;
S5:检测并获取四个激光标记点a,b,c,d在拉伸后的掩膜版实际位置点A2,B2,C2,D2坐标;
S6:设定误差阈值μ,分别计算实际位置点A2,B2,C2,D2与对应的理论点A1,B1,C1,D1的绝对距离L;
S7:所有点的绝对距离L都小于误差阈值μ时,则为合格。
进一步的,所述S4具体包括:记录掩膜版1拉伸前的长边长度E1和拉伸后的长边长度E2,计算长边长度E1与长边长度E2的比例系数
Figure BDA0003121092360000021
记录掩膜版1拉伸前的宽边长度F1和拉伸后的宽边长度F2,计算宽边长度F1与宽边长度F2的比例系数β,设激光标记点a坐标为(x,y),则拉伸后理论点A1的坐标则为
Figure BDA0003121092360000022
Figure BDA0003121092360000023
进一步的,所述步骤S1中焊接的校准点在检测完毕后需要切除。
进一步的,所述激光标记点a,b,c,d依次两两关于坐标轴对称,设置对称主要是为了反映拉力不均匀区域以及起到对比的作用。
进一步的,所述误差阈值μ为30μm。
与现有的技术相比具有以下有益效果:
本发明方法在拉伸前的掩膜版上设置激光标记点,通过实际点与理论点之间的距离来检测是否合格,可以在掩膜版用于蒸镀之前对掩膜版张网精确度进行检测,防止掩膜版投入使用后才发现张网不合格导致的蒸镀材料以及设备使用的能源浪费,而且本发明方法操作简单,检测效率高。
附图说明
图1是本发明掩膜版结构示意图;
图2是本发明掩膜版拉伸点位演示图。
图中,1-掩膜版,2-夹持部位,3-校准点。
具体实施方式
以下实施例仅处于说明性目的,而不是想要限制本发明的范围。
实施例
如图1-2所示,一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,包括以下步骤:
S1:在精密掩膜版的两侧长边中点对称焊接有校准点3;
S2:以两个校准点3的中点为原点建立直角坐标系,将掩膜版1分割成四个象限块;
S3:在四个象限块内选取四个激光标记点a,b,c,d;
S4:记录掩膜版1拉伸前的长边长度E1和拉伸后的长边长度E2,计算长边长度E1与长边长度E2的比例系数
Figure BDA0003121092360000031
记录掩膜版1拉伸前的宽边长度F1和拉伸后的宽边长度F2,计算宽边长度F1与宽边长度F2的比例系数β,设激光标记点a坐标为(x,y),则拉伸后理论点A1的坐标则为
Figure BDA0003121092360000032
以此计算出其他点的理论坐标;
S5:检测并获取四个激光标记点a,b,c,d在拉伸后的掩膜版1实际位置点A2,B2,C2,D2坐标;
S6:设定误差阈值μ,分别计算实际位置点A2,B2,C2,D2与对应的理论点A1,B1,C1,D1的绝对距离L;
S7:所有点的绝对距离L都小于误差阈值μ时,则为合格,误差阈值μ是根据掩膜版在蒸镀时的良率以及生产经验来设定的参数,不同尺寸的掩膜版对应设定的误差阈值μ也不同,作为本实施例的误差阈值μ设定为30μm。
检测完毕后,将所述步骤S1中焊接的校准点3切除。
本发明方法在拉伸前的掩膜版上设置激光标记点,通过实际点与理论点之间的距离来检测是否合格,可以在掩膜版用于蒸镀之前对掩膜版张网精确度进行检测,防止掩膜版投入使用后才发现张网不合格导致的蒸镀材料以及设备使用的能源浪费,而且本发明方法操作简单,检测效率高。
本发明可以以其他的具体形式实现,而不脱离其精神和本质特征。因此,当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的,本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义,并且,落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。并且,在不同实施例中出现的不同技术特征可以进第一组合,以取得有益效果。本领域技术人员在研究附图、说明书及权利要求书的基础上,应能理解并实现所揭示的实施例的其他变化的实施例。

Claims (5)

1.一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在精密掩膜版的两侧长边中点对称焊接有校准点(3);
S2:以两个校准点(3)的中点为原点建立直角坐标系,将掩膜版(1)分割成四个象限块;
S3:在四个象限块内选取四个激光标记点a,b,c,d;
S4:计算激光标记点a,b,c,d的拉伸后理论点A1,B1,C1,D1
S5:检测并获取四个激光标记点a,b,c,d在拉伸后的掩膜版(1)实际位置点A2,B2,C2,D2坐标;
S6:设定误差阈值μ,分别计算实际位置点A2,B2,C2,D2与对应的理论点A1,B1,C1,D1的绝对距离L;
S7:所有点的绝对距离L都小于误差阈值μ时,则为合格。
2.根据权利要求1所述的一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,其特征在于,所述S4具体包括:记录掩膜版1拉伸前的长边长度E1和拉伸后的长边长度E2,计算长边长度E1与长边长度E2的比例系数
Figure FDA0003121092350000011
记录掩膜版1拉伸前的宽边长度F1和拉伸后的宽边长度F2,计算宽边长度F1与宽边长度F2的比例系数β,设激光标记点a坐标为(x,y),则拉伸后理论点A1的坐标则为
Figure FDA0003121092350000012
3.根据权利要求1所述的一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,其特征在于:所述步骤S1中焊接的校准点(3)在检测完毕后需要切除。
4.根据权利要求1所述的一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,其特征在于:所述激光标记点a,b,c,d依次两两关于坐标轴对称。
5.根据权利要求1所述的一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法,其特征在于:所述误差阈值μ为30μm。
CN202110677014.7A 2021-06-18 2021-06-18 一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法 Active CN113295093B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110677014.7A CN113295093B (zh) 2021-06-18 2021-06-18 一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110677014.7A CN113295093B (zh) 2021-06-18 2021-06-18 一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113295093A true CN113295093A (zh) 2021-08-24
CN113295093B CN113295093B (zh) 2023-06-09

Family

ID=77328727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110677014.7A Active CN113295093B (zh) 2021-06-18 2021-06-18 一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113295093B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08192337A (ja) * 1995-01-10 1996-07-30 Hitachi Ltd 位置合わせ方法
US6376849B1 (en) * 1998-08-31 2002-04-23 Nikon Corporation Charged particle beam exposure apparatus mask and charged particle beam exposure apparatus
JP2009014919A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ずれ量検出装置および描画装置
CN101502917A (zh) * 2009-01-22 2009-08-12 华中科技大学 一种挠性印刷电路板的紫外激光切割的定位与变形校正方法
CN102922601A (zh) * 2012-10-10 2013-02-13 中铁十二局集团第三工程有限公司 一种桥梁预应力张拉控制及反馈方法
CN105091772A (zh) * 2015-05-26 2015-11-25 广东工业大学 平面物体二维变形量的测量方法
CN109085038A (zh) * 2018-09-07 2018-12-25 天津中德应用技术大学 一种金属拉伸试样的标距标定方法
CN111077668A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 江苏华工激光科技有限公司 一种大幅面激光扫描系统的校正方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08192337A (ja) * 1995-01-10 1996-07-30 Hitachi Ltd 位置合わせ方法
US6376849B1 (en) * 1998-08-31 2002-04-23 Nikon Corporation Charged particle beam exposure apparatus mask and charged particle beam exposure apparatus
JP2009014919A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ずれ量検出装置および描画装置
CN101502917A (zh) * 2009-01-22 2009-08-12 华中科技大学 一种挠性印刷电路板的紫外激光切割的定位与变形校正方法
CN102922601A (zh) * 2012-10-10 2013-02-13 中铁十二局集团第三工程有限公司 一种桥梁预应力张拉控制及反馈方法
CN105091772A (zh) * 2015-05-26 2015-11-25 广东工业大学 平面物体二维变形量的测量方法
CN109085038A (zh) * 2018-09-07 2018-12-25 天津中德应用技术大学 一种金属拉伸试样的标距标定方法
CN111077668A (zh) * 2019-12-31 2020-04-28 江苏华工激光科技有限公司 一种大幅面激光扫描系统的校正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113295093B (zh) 2023-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11739412B2 (en) Deposition mask and production method of deposition mask
CN104532183A (zh) 高精度掩膜板的制作方法
WO2020098645A9 (zh) 掩膜板及其制造方法
CN103160775B (zh) 蒸镀掩膜板对位系统
CN103966546B (zh) 一种金属掩膜板
CN204714884U (zh) 调整蒸镀偏位的装置
KR20210112420A (ko) 금속판, 금속판의 제조 방법, 및 금속판을 사용해서 증착 마스크를 제조하는 방법
CN205556762U (zh) 掩膜板、母板、掩膜板制造设备和显示基板蒸镀系统
JP6217197B2 (ja) 蒸着マスク、樹脂層付き金属マスク、および有機半導体素子の製造方法
CN111834244B (zh) 显示面板母板及制备方法
CN102593377A (zh) 对准主玻璃件及其制造方法和拉紧气相沉积掩膜的方法
US20150040826A1 (en) Method for manufacturing metal mask
WO2020063237A1 (zh) 用于调整膜材蒸镀位置的方法和装置
CN104317158A (zh) 一种掩膜板、掩膜板组、彩膜基板及显示装置
CN109402558A (zh) 精细金属掩膜版张网的对位控制方法
CN112458402A (zh) 一种金属掩膜版的张网控制方法
CN104593721A (zh) 一种蒸镀用精密金属掩膜板的张网方法及其获得的掩膜板
KR102269904B1 (ko) Oled 증착용 대면적 오픈 메탈 마스크의 제조 방법
CN113295093A (zh) 一种精密金属掩膜版张网拉伸精确度检测方法
KR20230048353A (ko) 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
CN113602018A (zh) 一种柔性电子喷印制膜漏打印缺陷在线补偿方法及系统
JP2007040839A (ja) 周期性パターンのピッチ検査方法
US20230250527A1 (en) Method for inspecting mask, method for manufacturing mask, apparatus for inspecting mask, storage medium, and mask
CN103713471B (zh) 一种关键尺寸测试的校正装置和方法
WO2023226187A1 (zh) 掩膜板及其制作方法、掩膜组件及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant