CN113285690B - 一种带宽180度移相器电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种带宽180度移相器电路设计，所述移相器电路包括单端转差分电路，差分转单端电路，以及连接在单端转差分电路和差分转单端电路之间的开关电路。单端转差分电路将单端信号差分为相位相差180度的两路信号输出到开关电路，控制各开关通路的通/断以输出相位相差180度的两路信号到差分转单端电路的输入端，合成为单端信号输出。本发明中单端转差分电路和差分转单端电路可以采用相同或不同的电路设计结构；开关电路中的开关可采用场效应晶体管，三极管，或者PIN二极管等多种实现方式。本发明方案所提供的移相器电路能够实现大带宽且移相精度高，电路的移相性能随温度、工艺变化影响较小，同时电路的负载效应小等技术效果。

Description

一种带宽180度移相器电路

技术领域

本发明内容涉及通信技术领域，尤其涉及一种可实现带宽180度移相器电路的设计应用。

背景技术

移相电路作为一种通用的信号相位控制电路广泛应用于移动通信，相控阵雷达系统等多个领域，对雷达的相控阵天线、方向可控的通信链路等的相位进行控制。对于射频及微波系统而言，移相电路在相控阵列中为射频信号提供可控相位差的功能电路。

图1是现有技术中移相器的一种典型应用示例。射频或微波信号经天线传输到移相器设备，其相控阵芯片通过控制阵列中各个辐射单元的馈电相位来改变方向图形状，以实现在指定方向上接收/发射信号，达到波束扫描的目的。其中，对波束扫描起主要作用的是包含相控阵列的移相器单元。

公开号为CN103281047B，发明名称为“无源片上180度带宽移相器”的专利文献中公开了一种180度带宽移相器电路设计方案。该方案中巴伦电路的两个输出端相位差180度，采用宽带匹配型单刀双掷开关在巴伦电路的两个输出端口之间切换来实现180度带宽移相。单端巴伦电路直接实现180度移相输出，该移相电路设计结构以及开关电路设计结构其移相精度会有一定影响，同时移相电路的负载效应会进一步影响移相器电路性能。

公开号为CN109687839A，发明名称为“有源无源混合型微波移相器”的专利文献公开了一种移相器设计方案，其移相器电路中同时包括无源移相部分和有源移相部分，通过数字控制部分对无源移相部分和有源移相部分电路进行控制，实现无源移相部分对输入微波信号进行小位移相后输出，有源移相部分再对无源移相部分输出的微波信号进行大位移相后输出的方案。该专利方案中实现大位移相过程同时包括无源移相部分和有源移相部分。对于要求带宽大且移相精度高，移相性能随工艺和温度变化影响小的应用场景，需要更具创新，线性度高，性能优异且灵活电路结构设计的移相电路方案以满足要求。

发明内容

本发明基于上述问题和目的，提出一种创新的带宽180度移相器电路设计方案，所述移相器电路包括：

单端转差分电路，其包括一个输入端和两个输出端，该电路实现将输入端的单端信号转换为幅值相同（理想情形下）、相位差180度的两路差分信号输出；

差分转单端电路，其包括两个输入端和一个输出端，该电路实现将幅值相同（理想情形下）、相位差180度的两路输入端差分信号合成为一路单端信号输出；

开关电路，该开关电路设置连接在单端转差分电路和差分转单端电路之间，分别连接到单端转差分电路的输出端以及差分转单端电路的输入端。其包含四路开关通路，通过控制各开关通路的通/断状态实现输出180度相位差的信号到差分转单端电路的两个输入端；

可选的，单端转差分电路和差分转单端电路的电路设计相同，采用双向互易结构设置，便于实现电路连接；此种电路实现方案可采用无源电路设计；

可选的，单端转差分电路和差分转单端电路的电路设计不同，此种电路实现方案可分别采用有源电路设计或者无源电路设计；

进一步地，开关电路包含四路开关通路，分别为单端转差分电路的第一输出端和差分转单端电路的第一输入端通过单刀单掷开关连接形成第一开关通路；单端转差分电路的第一输出端和差分转单端电路的第二输入端通过单刀单掷开关连接形成第二开关通路；单端转差分电路的第二输出端和差分转单端电路的第一输入端通过单刀单掷开关连接形成第三开关通路；单端转差分电路的第二输出端和差分转单端电路的第二输入端通过单刀单掷开关连接形成第四开关通路；

当第一开关通路和第四开关通路导通时，第二开关通路和第三开关通路关断；当第一开关通路和第四开关通路关断时，第二开关通路和第三开关通路导通；

第一开关通路和第四开关通路导通时与第二开关通路和第三开关通路导通时输出的信号相位相差180度；

可选的，开关电路中的单刀单掷开关可采用场效应晶体管、三极管，或者PIN二极管的设计形式，其工艺设计可根据应用需求采用Bulk CMOS、GaAs，GaN，SiGe，BiCMOS，SOI中的任一工艺实现。

本发明所提出的带宽180度移相器电路，采用灵活设计方式的单端转差分电路和差分转单端电路以及开关电路结构，实现180度带宽的移相器功能且能满足移相精度高的要求。同时移相器电路设计结构利于改善电路移相性能，使得移相电路随温度及工艺变化影响较小，提高电路的线性度，满足不通应用需求。同时，本发明技术方案提供的移相器电路具有负载小的有益效果，其电路的负载变化对移相电路的影响非常小，进一步提升移相器电路的性能。

附图说明

图1 是现有技术中一种移相器的典型应用场景示意图；

图2 是本发明给出的带宽180度移相器电路的结构图；

图3A和图3B 是本发明给出的移相器电路中开关电路的各通路实现过程示意图；

图4A、4B、4C和4D 是本发明给出的开关电路设计多种实施例电路图；

图5A和5B 是本发明给出的开关电路设计另一种实施例示意图；

图6A和6B 是单端转差分电路和差分转单端电路结构示意图；

图7A和7B 是单端转差分电路和差分转单端电路采用无源设计的多种实施例电路结构图；以及

图8A和8B 是单端转差分电路和差分转单端电路采用有源设计的多种实施例电路结构图。

具体实施方式

为使本发明的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合本发明所提供的多个附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。本领域技术人员可以理解的是，此处所记载的实施例是本发明能够实现的实施例中的一部分，并非穷尽全部实施例。其他多个可实现本发明技术方案的应用实施例也属于本发明所保护的内容范围内。在本专利说明书中“一个实例”，“一个实施例”或者“一个应用例”指的是结合实例中描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实例中。因此，贯穿本说明书在不同位置中出现短语“在一个实例中”，“在一个实施例中”或“在一个应用例中”未必都是指同一个实例。此外，在一个或多个实例中，特定特征、结构或特性可以任何合适方式组合。

图2是本发明所给出的带宽180度移相器电路的电路结构图，如图2中所示，移相器包括单端转差分电路，开关电路和差分转单端电路。单端转差分电路包括一个输入端和两个输出端，射频信号从输入端输入，经过单端转差分电路输出相位差180度，理想情形下，幅值相同且为输入信号1/2的两路信号。在移相器电路具体设计中，采用不同的单端转差分电路时，其输出的信号幅值会小于，或者等于或者大于1/2输入信号幅值。开关电路的两路输入分别连接到单端差分电路的两路输出，开关电路包括四个通路，每个通路中都设置有单刀单掷开关SPST（single pole single throw）。开关电路的两路输出分别连接到差分转单端电路的两个输入端。开关电路通过切换控制开关状态输出的两路信号经差分转单端电路后合成为一路信号输出。输出信号与输入信号相位差180度。

以下结合图3A和图3B对本发明给出的移相器电路的移相实现过程进行详细的说明：

如图3A中信号流向所示，射频信号输入到单端转差分电路后，经单端转差分电路进行信号处理，理想情形下输出幅值为射频输入信号的1/2幅值，且相位差180度的两路输出信号。移相器电路在具体设计中采用不同的单端转差分电路时，其输出的信号幅值会小于，或者等于或者大于1/2输入信号幅值。SPST开关P1和P4闭合，P2和P3断开，通路①和④导通。输出信号一路从单端转差分电路的第一输出端经通路①传输到差分转单端的第一输入端；另一路相位差180度的输出信号从单端转差分电路的第二输出端经通路④传输到差分转单端电路的第二输入端。两路信号经差分转单端电路进行信号合成处理后输出单端射频信号。假设从单端转差分电路的第一输出端输出信号为0度相位，则经通路①传输到差分转单端电路的第一输入端信号为0度相位；根据本发明的移相器工作原理，从单端转差分电路第二输出端输出信号为180度相位，经通路④传输到差分转单端电路第二输入端信号为180度相位。

如图3B中信号流向所示，射频信号输入到单端转差分电路后，经单端转差分电路进行信号处理，理想情形下输出幅值相同为射频输入信号1/2幅值，且相位差180度的两路输出信号。SPST开关P1和P4断开，P2和P3闭合，通路②和③导通。输出信号一路从单端转差分电路的第一输出端经通路②传输到差分转单端的第二输入端；另一路相位差180度的输出信号从单端转差分电路的第二输出端经通路③传输到差分转单端电路的第一输入端。两路信号经差分转单端电路进行信号合成处理后输出单端射频信号。假设从单端转差分电路的第一输出端输出信号为0度相位，则经通路②传输到差分转单端电路的第二输入端信号为0度相位；根据本发明移相器的工作原理，从单端转差分电路第二输出端输出信号为180度相位，经通路③传输到差分转单端电路第一输入端信号为180度相位。

由上述开关电路两种工作状态下信号流向理解，图3A中流向差分转单端电路的两路信号的相位与图3B中流向差分转单端电路的两路信号的相位相差180度。经差分转单端电路对信号进行合成处理后，分别输出相位相差180度的输出信号，实现移相器180度的移相功能。此种移相器开关电路结构设计灵活，电路寄生调幅小，同时可以满足大带宽和相移精度高的要求。

本发明提供的移相器的开关电路设计中，单刀单掷开关SPST可根据应用采用多种设计形式。图4A至4D中给出了SPST开关几种可行的电路设计。

如图4A所示，图3中描述的单刀单掷开关SPST包括n个晶体管M1-Mn，其中，n可以是大于等于1的整数。其中，第一晶体管M1的第三电极作为SPST开关的一个端口，第一晶体管M1的第一电极与第二晶体管M2的第三电极相连，第二晶体管M2的第一电极与第三晶体管M3（未示出）的第三电极相连，以此类推，第n晶体管Mn的第一电极作为SPST的另一个端口，n个晶体管M1-Mn的第二电极相连作为SPST的控制端口。

如图4B所示，图3中描述的单刀单掷开关SPST包括n个晶体管M1-Mn以及n个电阻R1-Rn，其中，n可以是大于等于1的整数。

其中，第一晶体管M1的第三电极作为SPST开关的一个端口，第一晶体管M1的第一电极与第二晶体管M2的第三电极相连，第二晶体管M2的第一电极与第三晶体管M3（未示出）的第三电极相连，以此类推，第n晶体管Mn的第一电极作为SPST的另一个端口。

其中，n个电阻R1-Rn的第一端相连作为SPST的控制端口，第一电阻R1的第二端与第一晶体管M1的第二电极相连，第二电阻R2的第二端与第二晶体管M2的第二电极相连，以此类推，第n电阻Rn的第二端与第n晶体管Mn的第二电极相连。

如图4C所示，图3中描述的单刀单掷开关SPST包括n个晶体管M1-Mn以及两个电阻组，第一电阻组包括n个电阻R11-R1n，第二电阻组包括n个电阻R21-R2n，其中，n可以是大于等于1的整数。

其中，第一晶体管M1的第三电极作为SPST开关的一个端口，第一晶体管M1的第一电极与第二晶体管M2的第三电极相连，第二晶体管M2的第一电极与第三晶体管M3（未示出）的第三电极相连，以此类推，第n晶体管Mn的第一电极作为SPST的另一个端口。

其中，第一电阻组中的第一电阻R11的第二端与第一晶体管M1的第二电极相连，第一电阻组中的第二电阻R12的第二端与第二晶体管M2的第二电极相连，以此类推，第一电阻组中的第n电阻R1n的第二端与第n晶体管Mn的第二电极相连。

其中，第二电阻组中的第一电阻R21的第一端与第一电阻组中的第一电阻R11的第一端相连，第二电阻组中的第一电阻R21的第二端与第一电阻组中的第二电阻R12的第一端相连，第二电阻组中的第二电阻R22（未示出）的第一端与第一电阻组中的第二电阻R12的第一端相连，第二电阻组中的第二电阻R22的第二端与第一电阻组中的第三电阻R13（未示出）的第一端相连，以此类推，第二电阻组中的第n电阻R2n的第一端与第一电阻组中的第n电阻R1n的第一端相连，第二电阻组中的第n电阻R2n的第二端作为SPST的控制端口。

如图4D所示，图3中描述的单刀单掷开关SPST包括n个晶体管M1-Mn以及n个电阻R1-Rn，其中，n可以是大于等于1的整数。

其中，第一晶体管M1的第三电极作为SPST开关的一个端口，第一晶体管M1的第一电极与第二晶体管M2的第三电极相连，第二晶体管M2的第一电极与第三晶体管M3（未示出）的第三电极相连，以此类推，第n晶体管Mn的第一电极作为SPST的另一个端口。

其中，第一电阻R1的第一端与第一晶体管M1的第二电极相连，第一电阻R1的第二端与第二晶体管M2的第二电极相连，第二电阻R2（未示出）的第一端与第二晶体管M2的第二电极相连，第二电阻R2的第二端与第三晶体管M3（未示出）的第二电极相连，以此类推，第n电阻Rn的第一端与第n晶体管Mn的第二电极相连，第n电阻Rn的第二端作为SPST的控制端口。

上述所列出的多种开关电路设计方式，都能够使得开关电路的线性度得到提升，提高开关电路的耐受功率，从而有效提升移相器的性能。

本专利方案给出的实施例电路可采用多种工艺设计，例如Bulk CMOS（基体互补式金属氧化），GaAs（砷化镓工艺），GaN（氮化镓工艺），SiGe（硅锗工艺），BiCMOS（混合CMOS工艺），SOI（硅技术工艺）等多种加工工艺。如果采用Bulk CMOS工艺设计，场效应晶体管堆叠个数可以不大于2个，以避免电路中信号压缩影响其线性度。如果采用GaAs，GaN，SOI等相应工艺设计时，场效应晶体管堆叠个数可采用一个或者多个堆叠的实现方式，以进一步提升开关电路的线性度，同时能够降低负载变化对移相性能的影响度。

图5A和5B为本发明移相器开关电路的另一种设计实现方式。如图中所示，采用PIN二极管（PIN diode）作为开关实现导通控制的开关电路。图5A中电路给出的是正向偏置控制的实现过程。如图中所示，正向偏置导通PIN二极管开关电路包括PIN二极管，第一射频扼流圈（RF choke）和第二射频扼流圈。PIN二极管的正极与第一射频扼流圈的第一端和射频微波电路的第一射频端相连，PIN二极管的负极与第二射频扼流圈的第一端和射频微波电路的第二射频端相连，第一射频扼流圈的第二端与射频微波电路的偏置端相连，第二射频扼流圈的第二端与射频微波电路的接地端相连。偏置控制信号经第一射频扼流圈控制PIN二极管的正极实现正向导通，射频输入信号RF1经过PIN二极管输出RF2。第一射频扼流圈RFchoke连接至PIN二极管正极输入端以阻断射频输入信号RF1流入偏置控制信号电路，同时第二射频扼流圈连接至微波电路的接地端避免输出的射频信号衰减。在5A中给出的实施例中，当PIN二极管正向偏置时，该射频微波电路等效于在第一射频端和第二射频端之间连接有导通状态电阻（Ron），如图5A中右边图示。

图5B中给出了采用反向偏置控制的PIN二极管开关电路的另一种实现方式。与图5A中不同的是，PIN二极管通过反向偏置信号控制器导通以实现开关功能。本实施例的电路设计和连接方式和图5A中相同，除采用反向偏置信号控制PIN二极管导通，其他实现过程不再重复赘述。在本实施例中，当PIN二极管反向偏置时，该射频微波电路等效于在第一射频端和第二射频端之间连接有断开状态电容（Coff），如图5B中右边图示。

上述内容给出了开关电路的多种应用实施例，在其他实施例中，开关电路中的开关可设计为不同。例如，在一个实施例中，通路如图3A和图3B中所示，通路①和④中的开关设计相同，通路②和③中的开关设计相同；在另外一个实施例中，通路①和④中开关与通路②和③中开关可以采用不同尺寸大小设计；在其他多种实施例中，也可以四个通路中开关设计都不同，以满足多种不同应用情形。本发明实施例中，开关电路中开关的设计，不限于上述给出的场效应晶体管、PIN二极管等多种情形，还可以根据应用采用三极管，或者其他能实现开关功能的器件。

移相器电路的性能主要取决于前端的单端转差分电路和后端的差分转单端电路。图6A和6B给出本发明移相器电路中单端转差分电路和差分转单端电路基本结构示意图。如图中所示，单端转差分电路包括输入端①和两个输出端②和③，差分转单端电路包括两个输入端①和②以及输出端③。图6A单端转差分电路中，信号从①端输入，在输出端②和③等分成两个有180度相位差的差分信号，理想情形下输出端②和③的信号幅值相等且为输入端①的信号幅值的1/2，其相位相差180度。在具体应用设计中，如果采用无源电路设计，因为电路有插入损耗，单端转差分电路的输出信号一般会小于输入信号1/2幅值。如果采用有源电路设计，其输出信号可以小于，或者等于或者大于输入信号1/2幅值。图6B中的差分转单端电路输入端②和③信号是相位差180度的两个差分信号，经差分转单端电路处理合成至①端输出单端信号。理想情形下输出端①的单端信号幅值是输入端②和③信号幅值的2倍。同理，在采用无源电路设计，因为电路中有插入损耗，差分转单端电路的输出信号一般会小于输入信号幅值的2倍。如果采用有源电路设计，其输出信号可以小于，或者等于或者大于输入信号幅值的2倍。

上述图6A中的单端转差分电路和图6B中的差分转单端电路在具体应用设计中，可以采用相同的电路或者不同的电路设计。如果在实际移相器电路应用中采用相同的电路设计时，单端转差分电路和差分转单端电路可以设计成双向互易的同样的电路结构。此种相同电路设计结构适用于无源电路的应用。在其他多种实施例应用中，单端转差分电路和差分转单端电路还可以设计采用不同的无源电路。当单端转差分电路和差分转单端电路为有源电路设计时，可以采用不同的电路设计结构。以下结合无源电路和有源电路两种设计方式对本发明给出的单端转差分电路和差分转单端电路进一步说明：

图7A和图7B给出了采用巴伦电路（平衡不平衡转换器）的无源电路的两种应用实施例情形。图7A为常用的LC巴伦电路，当信号从①端输入，从②和③输出端输出时，为单端转差分电路；当信号从②和③输入，从①端输出时，为差分转单端电路。LC巴伦电路的具体工作原理不再赘述。图7B为巴伦电路的另一种应用实施例层叠式巴伦电路结构示意图。层叠式巴伦电路的初级线圈和次级线圈分别置于两个不同的金属层中，与输入信号相连的初级线圈可选择对称互绕结构，与差分信号相连的次级线圈可以是对称互绕结构，或者是交错互绕结构。由于两种结构设计走线不同，交错互绕结构相较于对称互绕结构其对称性更好，电路插入损耗性能更优。层叠式巴伦电路相较于LC巴伦电路其电路设计具有更紧密的耦合，可实现更小的芯片设计面积。如图7B中所示，当信号从①端输入，从②和③输出端输出时，为单端转差分电路；当信号从②和③输入，从①端输出时，为差分转单端电路。采用上述两种应用实施例的无源电路，可以设置为双向互易的电路形式，以利于简化电路设计。

当采用无源电路设计时，可以为不同的电路设计结构。例如，单端转差分电路可以分别采用LC巴伦或者层叠式巴伦，差分转单端电路可以分别采用层叠式巴伦或者LC巴伦等实现方式。无源电路设计不限于上述给出的实施例情形，无源电路还可以采用Machand巴伦电路，变压器巴伦电路等多种可实施方案。本专利所提供的移相器电路实施例不对上述无源电路构成限制。

无源电路设计随温度和工艺变化影响小，移相电路抗噪抗干扰性能好，寄生调幅小，移相精度高，能满足多场景或设备的应用需求。

图8A和8B给出了有源电路设计的两种情形。图8A是一种单端转差分电路的有源电路设计，信号从①端输入，从②和③输出两路差分信号，其具体的电路实现过程不再赘述。图8B是一种差分转单端电路的有源电路设计，信号从②和③端输入，从①端输出合成的单端信号。图8A和图8B给出了两种应用实施例中有源电路的电路连接结构，其具体的有源电路实现过程不再赘述。本实施例给出的两个电路仅为有源电路设计应用实施的一种设计参考，并非对本发明给出的有源电路设计造成限制。

作为本发明移相电路的其他应用实施例，单端转差分电路和差分转单端电路可以分别设计为无源电路和有源电路实现方式。在具体应用实施例中，移相器电路可以采用单端转差分电路为无源电路设计，差分转单端电路为有源电路设计的电路结构实现方式；或者，采用单端转差分电路为有源电路设计，差分转单端电路为无源电路设计的实现方式。进一步利用无源电路提高电路的线性度和相移精度，同时利用有源电路进一步改善电路设计结构，提高增益，降低损耗，满足移相器电路多应用需求。上述两种实施例方案中，无源电路和有源电路其采用的具体电路设计结构不对本实施例方案构成限制，可以根据应用场景定义设计不同方案以满足多应用需求。

采用本发明方案的180度移相器电路，可根据具体设计应用在电路实现工艺及封装等多个加工过程灵活设计以满足多种应用需求，例如可以采用Bulk CMOS，BiCMOS,GaAs，GaN，SiGe ，SOI等多种工艺形式，其电路设计随温度和工艺变化的影响很小，进一步提升移相器电路的性能。在后端的加工过程中，可以将移相器电路设计为一个集成芯片，或者移相器电路功能单元，例如单端转差分电路，开关电路，差分转单端电路各自单独形成一个芯片，以满足不同应用需求。本发明方案不对所提供的移相器电路的后端具体封装形式给出限定，可以裸片的形态，或者根据应用多种加工封装形式均在本发明移相器电路的可实施范围内。

本发明给出的各个实施例及附图，是为了说明的目的，在不背离本发明更广泛的主旨和范围下，不同形式的等效修改是可行的。根据上述详细的说明可对本发明实施例进行修改，其修改视为落入本发明所保护的范围内。用于权利要求中的术语不应解释为限定于本发明具体实施内容和权利要求部分中所揭露的具体实施例。相反地，权利要求中完整确定的内容应理解为根据权利要求解释确立的范围。本发明的说明书和附图应被看作是解释性的，而不是约束性的。

Claims (13)

1.一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述移相器电路包括：

单端转差分电路，包括一个输入端和两个输出端，实现将输入端单端信号转换为两路相位差180度的差分信号输出；

差分转单端电路，包括两个输入端和一个输出端，实现将相位差180度的两路输入信号合成为一路单端信号输出；

开关电路，设置连接在所述单端转差分电路和所述差分转单端电路之间，包含四路开关通路，通过控制各开关通路的通/断状态输出180度相位差的信号；

其中，所述单端转差分电路和所述差分转单端电路为相同或不同；所述单端转差分电路和所述差分转单端电路相同时，为双向互易结构设置；

所述开关电路包括四路开关通路，第一通路连接所述单端转差分电路的第一输出端和所述差分转单端电路的第一输入端；第二通路连接所述单端转差分电路的第一输出端和所述差分转单端电路的第二输入端；第三通路连接所述单端转差分电路的第二输出端和所述差分转单端电路的第一输入端；第四通路连接所述单端转差分电路的第二输出端和所述差分转单端电路的第二输入端；

所述第一通路和第四通路导通时，所述第二通路和所述第三通路关断；所述第一通路和第四通路关断时，所述第二通路和所述第三通路导通；

所述第一通路和第四通路导通时输出的信号与所述第二通路和所述第三通路导通时输出相位相差180度的信号。

2.根据权利要求1所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单端转差分电路和所述差分转单端电路为无源电路时，设计为相同或者不同。

3.根据权利要求1所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单端转差分电路和所述差分转单端电路为有源电路时，设计为不同。

4.根据权利要求1所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单端转差分电路和所述差分转单端电路不同时，所述单端转差分电路为无源电路，所述差分转单端电路为有源电路；或者所述单端转差分电路为有源电路，所述差分转单端电路为无源电路。

5.根据权利要求2所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述无源电路可为LC巴伦电路，或层叠式巴伦电路，或Machand巴伦电路，或变压器巴伦电路。

6.根据权利要求1所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述第一通路、第二通路、第三通路、第四通路分别设置有单刀单掷开关。

7.根据权利要求6所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单刀单掷开关相同或者不同。

8.根据权利要求7所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单刀单掷开关可设计采用场效应晶体管、三极管，或者PIN二极管。

9.根据权利要求7所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单刀单掷开关可采用Bulk CMOS，GaAs，GaN，SiGe，BiCMOS，SOI中任一工艺设计。

10.根据权利要求7所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单刀单掷开关采用PIN二极管时，采用正向偏置控制方式或者反向偏置控制方式。

11.根据权利要求9所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单刀单掷开关采用Bulk CMOS工艺设计时，其所包含开关数量不大于2。

12.根据权利要求9所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述单刀单掷开关采用GaAs、GaN，SOI工艺设计时，其所包含开关数量为一个或者多个堆叠。

13.根据权利要求1所述的一种带宽180度移相器电路，其特征在于，所述移相器电路可为多种设计实现方式，可单片集成，或者所述移相器电路的各部分功能电路单独成片。

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