CN113284808A - 一种半导体结构的制备方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 149
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 108
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 230000007306 turnover Effects 0.000 claims description 22
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N oxosilicon;silicon Chemical compound [Si].[Si]=O RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66681—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本发明涉及半导体元件制备领域，具体公开了一种半导体结构的制备方法，首先在衬底上形成介质层，在介质层上形成阻反射层，在阻反射层上形成A光刻胶层，并对A光刻胶层进行曝光显影，在阻反射层的作用下，栅极结构处介质层的弧形部位不会反射光，避免了图形化的光刻胶层产生缺陷甚至被剥离的问题，然后刻蚀开口，去除阻反射层，最后形成硅化物层；本发明采用了加工装置去除阻反射层，加工装置包括固定轴、夹持机构、装载托盘和调节机构，夹持机构用于夹持装载托盘，装载托盘内装载有元件，调节机构用于调节夹持机构间歇依次进出溶解池、冲洗池和烘干机构，实现将元件上阻反射层进行溶解、冲洗和烘干，实现了自动化加工。
Description
技术领域
本发明涉及半导体元件制备领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法。
背景技术
目前，高压晶体管广泛应用于各种工业电子设备及消费电子设备的集成高压电源管理电路，或存储器读写电路中，通常高压晶体管的输入电压较高(5V～600V)，因此，当高压晶体管作为功率晶体管被应用时，其应该具有较高的击穿电压(breakdown voltage)以提高工作稳定性，为实现较高的击穿电压，需要一个较长的漂移区(drift area，形成在栅极和源极或栅极和漏极之间)来承受高压，漂移区上面不能够形成金属硅化物。高压晶体管需要在源极、漏极和栅极上形成硅化物层，以降低接触电阻，为实现这种器件结构，需要采用光阻来定义出漂移区，则光阻的一侧会落在栅极侧墙上，在曝光的时候容易有散射光被侧墙反射造成光阻底部曝光，形成光阻剥落，会造成高压晶体管良率低的问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构的制备方法，该半导体结构为高压晶体管，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：
S1：提供衬底，衬底中形成有源区和漏区，在源区和漏区之间再形成栅极结构，栅极结构与源区、漏区之间均具有漂移区，在衬底上形成介质层，介质层覆盖栅极结构并延伸覆盖衬底；
S2：在介质层上形成阻反射层；
S3：在阻反射层上形成A光刻胶层，并对A光刻胶层进行曝光显影形成图形化的B光刻胶层，B光刻胶层中形成若干开口，开口暴露栅极结构、源区及漏区上的阻反射层；
S4：以B光刻胶层为掩膜，刻蚀开口暴露的阻反射层及介质层，以暴露栅极结构、源区及漏区，然后去除B光刻胶层；
S5：去除阻反射层；
S6：最后在栅极结构、源区及漏区的衬底上形成硅化物层，硅化物层与栅极结构、源区及漏区接触。
优选的：在S2中，采用气相沉积的方法在介质层上形成阻反射层。
优选的：S5中，采用化学溶解的方法去除阻反射层。
优选的：介质层为氧化硅，或者为氧化硅-氮化硅，或者为氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合结构层中的一种。
优选的：形成介质层的方法是化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积中的一种。
一种半导体结构制备用加工装置，包括固定轴、夹持机构和装载托盘，固定轴立状布置，夹持机构围绕固定轴呈圆周阵列分布，夹持机构用于夹持装载托盘，装载托盘内装载有元件，固定轴旁侧设置有加工工位，加工工位数量与夹持机构数量一致且位置对应，固定轴上装有调节机构，调节机构用于调节夹持机构间歇依次进出各工位。
通过上述技术方案：能够实现调节夹持机构间歇依次进出各工位，在间歇时，将装载托盘装载到夹持机构或从夹持机构上卸载下来，以及能够在工位上对装载托盘上的元件进行加工处理。
优选的：加工工位设置有四个，其中三个相邻的加工工位上依次布置有用于溶解元件上阻反射层的溶解池、用于清洗元件上溶解液的冲洗池以及用于将元件上水分烘干的烘干机构，另一工位记为装卸工位。
通过上述技术方案：能够在装卸工位上将装载有元件的装载托盘上安装到夹持机构上，布置有溶解池、冲洗池和烘干机构的三个工位，依次记为溶解工位、冲洗工位和烘干工位，在溶解工位上，溶解池对元件上的阻反射层进行溶解处理，在冲洗工位上，冲洗池对元件上的溶解液进行冲洗处理，在烘干工位上，烘干机构将元件烘干，再到装卸工位上，将装载托盘取下。
优选的：调节机构包括间歇转动机构、翻转机构和升降机构，间歇转动机构包括转动架，转动架转动安装在固定轴上，转动架连接间歇转动组件，间歇转动组件用于驱使转动架围绕固定轴间歇转动，夹持机构和升降机构一一对应设置，夹持机构布置在升降机构上，升降机构安装在转动架上，升降机构用于驱使夹持机构和装载托盘升降，使得装载托盘能够进出溶解池和冲洗池，翻转机构安装在转动架上，翻转机构连接升降机构，翻转机构用于调节升降机构、夹持机构和装载托盘同步翻转，使得装载托盘能够面朝下进入到溶解池和冲洗池中。
通过上述技术方案：能够实现在夹持机构转入到溶解工位的过程中，将装载托盘翻转，使装载托盘面朝下，并调节夹持机构、装载托盘下降，使装载托盘进入到溶解池中，装载托盘上元件和池内溶解液接触，实现溶解阻反射层，溶解处理完成之后，调节夹持机构上升，使得装载托盘脱离溶解池，然后在转入到冲洗工位，再调节夹持机构下降，使得装载托盘进入到冲洗池中，进行冲洗处理，冲洗完毕之后，再次上升，转入到烘干工位，对装载托盘上元件进行烘干处理。
优选的：间歇转动组件由槽轮机构组成，槽轮机构包括相互配合的槽轮和主动拨盘，槽轮转动安装在固定轴上，槽轮上槽道的数量和加工工位的数量一致，槽轮和转动架固定连接。
通过上述技术方案：实现间歇转动的目的，转动稳定可靠。
优选的：夹持机构包括两夹持臂，两夹持臂水平布置，两夹持臂相对侧面开设有夹槽，夹槽槽向和夹持臂臂长方向一致，装载托盘两侧边缘布置在夹槽内，两夹持臂一端安装在支撑臂上，支撑臂水平布置，支撑臂和夹持臂呈垂直状分布，两夹持臂沿着支撑臂的长度方向和支撑臂构成滑动导向配合，支撑臂两端装有弹性组件，弹性组件用于对夹持臂施加相互靠近方向的弹力。
通过上述技术方案：实现了装载托盘的夹持功能，装卸方便，便于装载和取下装载托盘，操作简单便捷。
优选的：升降机构包括滑座，滑座上开设有滑槽，滑槽槽向和滑座长度方向一致，滑槽内装有装配在一起的螺杆和螺母滑块，螺杆杆长方向和滑槽槽向一致，螺母滑块和滑槽沿着其槽向构成滑动导向配合，螺杆一端转动安装在滑座端部，螺杆另一端伸出滑座连接伺服电机，螺母滑块和支撑臂固定连接。
通过上述技术方案：实现驱使夹持机构和装载托盘升降的功能。
优选的：翻转机构包括翻转组件和维持组件，翻转组件包括转轴、齿轮和弧形齿盘，转轴水平布置，转轴一端固定安装在滑座上，转轴轴身装配在轴承座内，轴承座固定安装在转动架上，齿轮安装在转轴远离滑座的一端，弧形齿盘水平布置且和齿轮对应布置，弧形齿盘固定安装，夹持机构从装卸工位中转到溶解工位的过程中，齿轮和弧形齿盘啮合，齿轮带动转轴转动180°，使得装载托盘翻转，呈面朝下的状态，维持组件用于维持装载托盘从溶解工位到冲洗池工位再到烘干工位均呈面朝下的状态，夹持机构从烘干工位转动到装卸工位的过程中，齿轮和弧形齿盘啮合，齿轮带动转轴转动180°，使得夹持机构带动装载托盘回复到面朝上的状态，便于拆装装载托盘。
通过上述技术方案：实现驱使夹持机构和装载托盘翻转及维持的功能。
优选的：维持组件包括弧形滑轨和滑块，弧形滑轨水平布置，弧形滑轨下表面为平面，弧形滑轨布置在转轴上方，滑块固定安装在转轴上，滑块上表面为平面，滑块和弧形滑轨构成滑动配合，齿轮脱离弧形齿盘之后，滑块从弧形滑轨一端进入弧形滑轨，滑块上表面和弧形滑轨下表面贴合，使得转轴不会转动。
通过上述技术方案：能够实现维持装载托盘呈面朝下的状态。
优选的：溶解池内装有溶解阻反射层的溶解液，溶解池底部装有将溶解液循环上排并搅动的波轮机构。
通过上述技术方案：实现溶解元件表面阻反射层的目的，溶解快速。
优选的：冲洗池内装有对装载托盘中元件表面冲洗的冲洗喷头组，冲洗喷头组由沿着装载托盘宽度方向排布的各喷头组成，冲洗喷头组连接驱动组件，驱动组件驱使冲洗喷头组沿着装载托盘长度方向往复移动。
通过上述技术方案：实现了冲洗溶解液的目的，冲洗速度快，效果好。
优选的：烘干机构包括各面朝上的烘干风机，烘干风机风口处装有用于加热空气的加热组件。
通过上述技术方案：实现了热风烘干元件表面水分的目的。
本发明的技术效果和优点：以往在对介质层上的光刻胶层曝光显影处理时，栅极结构侧壁上的介质层为弧形，该弧形介质层会反射光线，导致栅极结构两侧的图形化的光刻胶层产生缺陷甚至被剥离，通过刻蚀去除未被图形化的光刻胶层覆盖的介质层，由于图形化的光刻胶层有缺陷或被剥离，导致介质层被去除的区域非常多，甚至在栅极结构与源区之间的介质层全部都被去掉，接着形成硅化物层时，栅极结构与源区之间均会形成硅化物层，即在漂移区上也形成了硅化物层，硅化物层使栅极结构与源区之间的距离被拉近，当在源区的硅化物层上施加高压时，例如施加30V的电压，栅极结构特别容易被击穿，导致器件损坏。
本发明提出的半导体结构的制备方法首先在衬底上形成介质层，在介质层上形成阻反射层，然后在阻反射层上形成A光刻胶层，并对A光刻胶层进行曝光显影，在阻反射层的作用下，栅极结构处介质层的弧形部位不会反射光，避免了图形化的光刻胶层产生缺陷甚至被剥离的问题，使得在刻蚀去除未被图形化的光刻胶层覆盖的介质层时，刻蚀准确，刻蚀之后，再将阻反射层去除，最后在栅极结构、源区及漏区的衬底上形成硅化物层，显著提升了良品率。
本发明提出的加工装置，能够实现将元件上的阻反射层进行自动化去除处理，结构稳定可靠，运行稳定，去除效果好，自动化程度高，满足了加工要求。
附图说明
图1为本发明提出的一种半导体结构的制备方法的流程示意图。
图2为本发明提出的一种半导体结构的制备方法中S1中的衬底及其上介质层的局部示意图。
图3为本发明提出的一种半导体结构的制备方法中S2中的衬底、介质层及阻反射层的局部示意图。
图4为本发明提出的一种半导体结构的制备方法中S3中的A光刻胶的局部示意图。
图5为本发明提出的一种半导体结构的制备方法中S3中的B光刻胶及开口的局部示意图。
图6为本发明提出的一种半导体结构的制备方法中S4中的刻蚀之后的局部示意图。
图7为本发明提出的一种半导体结构的制备方法中S6中的形成硅化物层的局部示意图。
图8为本发明提出的一种半导体结构的制备用加工装置的俯视结构示意图。
图9为本发明提出的一种半导体结构的制备用加工装置中翻转机构及升降机构的局部结构示意图。
图10为本发明提出的一种半导体结构的制备用加工装置中升降机构和夹持机构的结构示意图。
图11为本发明提出的一种半导体结构的制备用加工装置中槽轮机构的结构示意图。
附图标记说明：1、衬底；11、源区；12、栅极结构；13、漏区；2、介质层；3、阻反射层；4、A光刻胶层；5、B光刻胶层；51、开口；6、硅化物层；100、装载托盘；200、夹持机构；210、夹持臂；220、支撑臂；300、升降机构；310、滑座；320、螺母滑块；330、螺杆；400、固定轴；500、翻转组件；510、转轴；520、轴承座；530、齿轮；540、弧形齿盘；600、维持组件；610、滑块；620、弧形滑轨；700、间歇转动机构；710、槽轮；720、主动拨盘；730、转动架；800、溶解池；900、冲洗池；1000、烘干机构。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。本发明的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
实施例1
在本实施例中提出了一种半导体结构的制备方法，该半导体结构为高压晶体管，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：
S1：参考图2，提供衬底1，衬底1中形成有源区11和漏区13，源区11和漏区13之间再形成的栅极结构12，栅极结构12与源区11、漏区13之间具有漂移区，在衬底1上形成介质层2，介质层2覆盖栅极结构12、源区11、漏区13和漂移区；
S2：参考图3，采用气相沉积的方法在介质层2上形成阻反射层3；
S3：参考图4和图5，在阻反射层3上形成A光刻胶层4，并对A光刻胶层4进行曝光显影形成图形化的B光刻胶层5，B光刻胶层5中形成若干开口51，开口51暴露栅极结构12、源区11及漏区13上的阻反射层3；
S4：参考图6，以B光刻胶层5为掩膜，刻蚀开口51暴露的阻反射层3及介质层2，以暴露栅极结构12、源区11及漏区13，然后去除B光刻胶层5；
S5：采用化学溶解的方法去除阻反射层3；
S6：参考图7，最后在栅极结构12、源区11及漏区13的衬底1上形成硅化物层6，硅化物层6与栅极结构12、源区11及漏区13接触。
介质层2为氧化硅，或者为氧化硅-氮化硅，或者为氧化硅-氮化硅-氧化硅的复合结构层中的一种。
形成介质层2的方法是化学气相沉积、物理气相沉积或原子层沉积中的一种。
实施例2
参考图8，在本实施例中提出了一种半导体结构制备用加工装置，包括固定轴400、夹持机构200和装载托盘100，固定轴400立状布置，夹持机构200围绕固定轴400呈圆周阵列分布，夹持机构200用于夹持装载托盘100，装载托盘100内装载有元件，固定轴400旁侧设置有加工工位，加工工位数量与夹持机构200数量一致且位置对应，固定轴400上装有调节机构，调节机构用于调节夹持机构200间歇依次进出各工位。通过上述设置，能够实现调节夹持机构200间歇依次进出各工位，在间歇时，将装载托盘100装载到夹持机构200或从夹持机构200上卸载下来，以及能够在工位上对装载托盘100上的元件进行加工处理，需要注意的是，元件在装载托盘100中呈待加工面朝上的平躺状分布。
参考图8，加工工位设置有四个，其中三个相邻的加工工位上依次布置有用于溶解元件上阻反射层的溶解池800、用于清洗元件上溶解液的冲洗池900以及用于将元件上水分烘干的烘干机构1000，另一工位记为装卸工位。
通过上述设置，能够在装卸工位上将装载有元件的装载托盘100上安装到夹持机构200上，布置有溶解池800、冲洗池900和烘干机构1000的三个工位，依次记为溶解工位、冲洗工位和烘干工位，在溶解工位上，溶解池800对元件上的阻反射层进行溶解处理，在冲洗工位上，冲洗池900对元件上的溶解液进行冲洗处理，在烘干工位上，烘干机构1000将元件烘干，再到装卸工位上，将装载托盘100取下。
参考图8，调节机构包括间歇转动机构700、翻转机构和升降机构300，间歇转动机构700包括转动架730，转动架730转动安装在固定轴400上，转动架730连接间歇转动组件，间歇转动组件用于驱使转动架730围绕固定轴400间歇转动，夹持机构200和升降机构300一一对应设置，夹持机构200布置在升降机构300上，升降机构300安装在转动架730上，升降机构300用于驱使夹持机构200和装载托盘100升降，使得装载托盘100能够进出溶解池800和冲洗池900，翻转机构安装在转动架730上，翻转机构连接升降机构300，翻转机构用于调节升降机构300、夹持机构200和装载托盘100同步翻转，使得装载托盘100能够面朝下进入到溶解池800和冲洗池900中。
通过上述设置，间歇转动机构700带动转动架730间歇转动，转动架730带动升降机构300间歇转动；首先转动架730带动升降机构300、夹持机构200和装载托盘100转入到溶解工位的过程中，翻转机构将装载托盘100翻转，使装载托盘100面朝下，升降机构300调节夹持机构200、装载托盘100下降，使装载托盘100进入到溶解池800中，装载托盘100上元件和池内溶解液接触，实现溶解阻反射层，溶解处理完成之后，调节夹持机构200、装载托盘100上升，使得装载托盘100脱离溶解池800；然后转动架730带动升降机构300、夹持机构200和装载托盘100再转入到冲洗工位，升降机构300调节夹持机构200下降，使得装载托盘100进入到冲洗池900中，冲洗池900对装载托盘100内的元件进行冲洗处理，将元件上的溶解液冲洗干净，冲洗完毕之后，升降机构300再次调节夹持机构200上升；然后转动架730带动升降机构300、夹持机构200和装载托盘100再转入到烘干工位，装载托盘100位于烘干机构1000上方，烘干机构1000对装载托盘100上元件进行烘干处理，将元件上水分烘干。
参考图9，间歇转动组件由槽轮机构组成，槽轮机构包括相互配合的槽轮710和主动拨盘720，槽轮710转动安装在固定轴400上，槽轮710上槽道的数量和加工工位的数量一致，槽轮710和转动架730固定连接；主动拨盘720由电机和变速箱驱动，主动拨盘720转动，当主动拨盘720上的圆柱销转入到槽轮710上的槽道中时，带动槽轮710转动，槽轮710带动转动架730同步转动，当主动拨盘720上的圆柱销转出槽轮710上的槽道中时，槽轮710停歇，同时转动架730停歇，实现带动转动架730间歇转动的目的。
参考图8和图10，夹持机构200包括两夹持臂210，两夹持臂210水平布置，两夹持臂210相对侧面开设有夹槽，夹槽槽向和夹持臂210臂长方向一致，装载托盘100两侧边缘布置在夹槽内，两夹持臂210一端安装在支撑臂220上，支撑臂220水平布置，支撑臂220和夹持臂210呈垂直状分布，两夹持臂210沿着支撑臂220的长度方向和支撑臂220构成滑动导向配合，支撑臂220两端装有弹性组件，弹性组件用于对夹持臂210施加相互靠近方向的弹力；实现了装载托盘100的夹持功能，装卸方便，便于装载和取下装载托盘100，操作简单便捷。
参考图9和图10，升降机构300包括滑座310，滑座310上开设有滑槽，滑槽槽向和滑座310长度方向一致，滑槽内装有装配在一起的螺杆330和螺母滑块320，螺杆330杆长方向和滑槽槽向一致，螺母滑块320和滑槽沿着其槽向构成滑动导向配合，螺杆330一端转动安装在滑座310端部，螺杆330另一端伸出滑座310连接伺服电机，螺母滑块320和支撑臂220固定连接；伺服电机带动螺杆330转动，螺杆330带动螺母滑块320在滑槽内滑动，螺母滑块320带动夹持机构200同步移动，实现驱使夹持机构200升降的目的，实现驱使装载托盘100和夹持机构200同步升降的功能。
参考图8和图9，翻转机构包括翻转组件500和维持组件600，翻转组件500包括转轴510、齿轮530和弧形齿盘540，转轴510水平布置，转轴510一端固定安装在滑座310上，转轴510轴身装配在轴承座520内，轴承座520固定安装在转动架730上，齿轮530安装在转轴510远离滑座310的一端，弧形齿盘540水平布置且和齿轮530对应布置，弧形齿盘540固定安装，夹持机构200从装卸工位中转到溶解工位的过程中，齿轮530和弧形齿盘540啮合，齿轮530带动转轴510转动180°，使得装载托盘100翻转，呈面朝下的状态，维持组件600用于维持装载托盘100从溶解工位到冲洗工位再到烘干工位均呈面朝下的状态，夹持机构200从烘干工位转动到装卸工位的过程中，齿轮530和弧形齿盘540啮合，齿轮530带动转轴510转动180°，使得夹持机构200带动装载托盘100回复到面朝上的状态，便于拆装装载托盘100；通过上述设置，实现驱使夹持机构200和装载托盘100翻转及维持的功能。
参考图8和图9，维持组件600包括弧形滑轨620和滑块610，弧形滑轨620水平布置，弧形滑轨620下表面为平面，弧形滑轨620布置在转轴510上方，滑块610固定安装在转轴510上，滑块610上表面为平面，滑块610和弧形滑轨620构成滑动配合，齿轮530脱离弧形齿盘540之后，滑块610从弧形滑轨620一端进入弧形滑轨620，滑块610上表面和弧形滑轨620下表面贴合，使得转轴510不会转动；通过上述设置能够实现维持装载托盘100呈面朝下的状态。
溶解池800内装有溶解阻反射层的溶解液，溶解池800底部装有将溶解液循环上排并搅动的波轮机构；实现溶解元件表面阻反射层的目的，溶解快速。
冲洗池900内装有对装载托盘100中元件表面冲洗的冲洗喷头组，冲洗喷头组由沿着装载托盘100宽度方向排布的各喷头组成，冲洗喷头组连接驱动组件，驱动组件驱使冲洗喷头组沿着装载托盘100长度方向往复移动；通过上述设置实现了冲洗元件上残留溶解液的目的，冲洗速度快，效果好。
烘干机构1000包括各面朝上的烘干风机，烘干风机风口处装有用于加热空气的加热组件；通过上述设置实现了使用热风快速烘干元件表面水分的目的。
本实施中提出的加工装置在使用时，首先将装载有待加工元件的装载托盘100装夹到夹持臂210内，拉开两夹持臂210，装载托盘100一侧边沿先插进一夹持臂210的夹槽内，装载托盘100另一侧的边沿再插进另一夹持臂210的夹槽内，松开两夹持臂210，在弹性组件的回复弹力作用下，两夹持臂210相互靠近将装载托盘100夹紧；
然后主动拨盘720由电机和变速箱驱动，主动拨盘720转动，当主动拨盘720上的圆柱销转入到槽轮710上的槽道中时，带动槽轮710转动，槽轮710带动转动架730转动，转动架730带动转轴510围绕固定轴400转动，转动前往下一工位，转轴510在围绕固定轴400转动的过程中，其上齿轮530和弧形齿盘540啮合，驱使转轴510围绕其自身轴线自转，转轴510带动滑座310转动，滑座310带动夹持机构200和装载托盘100转动，在转动到溶解池800上方时，主动拨盘720上的圆柱销脱离槽轮710上的槽道，转动架730停转，转轴510停转，此时夹持机构200和装载托盘100翻转了180°，装载托盘100面朝下，此时齿轮530脱离了弧形齿盘540，滑块610也翻转180°，其表面朝上贴合弧形滑轨620下表面，二者滑动配合，使得转轴510不会转动；
然后伺服电机启动，驱动螺杆330转动，螺杆330驱使螺母滑块320下降，螺母滑块320驱使夹持机构200下降，装载托盘100进入到溶解池800中，浸入到溶解液中，伺服电机停止，对装载托盘100上元件表面的阻发射层进行溶解处理，溶解池800内的波轮机构将溶解液上排搅动，提升溶解速度和效率；
溶解处理完成之后，伺服电机再次转动，驱动螺杆330反转，螺杆330驱使螺母滑块320上升，螺母滑块320驱使夹持机构200上升，使得装载托盘100上升脱离溶解池800，主动拨盘720上的圆柱销再次进入到槽轮710上的槽道内，带动槽轮710再次转动，转动架730同步转动，升降机构300和夹持机构200同步运动，将装载托盘100转移到冲洗池900上方，同理调节装载托盘100下架到冲洗池900中，驱动组件驱使冲洗喷头组沿着装载托盘100长度方向往复移动，冲洗喷头喷水，实现对装载托盘100上的元件进行冲洗，将溶解液冲洗干净，调节装载托盘100上脱离冲洗池900；
然后同理再调节装载托盘100转入到烘干机构1000上方，烘干风机出风，加热组件加热空气，热风将装载托盘100上元件上的水分烘干；
最后在调节装载托盘100转回到装卸工位上，需要注意的是，在此过程中，滑块610脱离弧形滑轨620，齿轮530再次和弧形齿盘540啮合，带动转轴510转动，实现调节装载托盘100翻转，使得回复到面朝上的初始状态，然后将装载托盘100取下即可，再装入下一待加工的装载托盘100，重复上述步骤，即可实现连续化加工处理。
以往在对介质层上的光刻胶层曝光显影处理时，栅极结构侧壁上的介质层为弧形，该弧形介质层会反射光线，导致栅极结构两侧的图形化的光刻胶层产生缺陷甚至被剥离，通过刻蚀去除未被图形化的光刻胶层覆盖的介质层，由于图形化的光刻胶层有缺陷或被剥离，导致介质层被去除的区域非常多，甚至在栅极结构与源区之间的介质层全部都被去掉，接着形成硅化物层时，栅极结构与源区之间均会形成硅化物层，即在漂移区上也形成了硅化物层，硅化物层使栅极结构与源区之间的距离被拉近，当在源区的硅化物层上施加高压时，例如施加30V的电压，栅极结构特别容易被击穿，导致器件损坏。
本发明提出的半导体结构的制备方法首先在衬底上形成介质层，在介质层上形成阻反射层，然后在阻反射层上形成A光刻胶层，并对A光刻胶层进行曝光显影，在阻反射层的作用下，栅极结构处介质层的弧形部位不会反射光，避免了图形化的光刻胶层产生缺陷甚至被剥离的问题，使得在刻蚀去除未被图形化的光刻胶层覆盖的介质层时，刻蚀准确，刻蚀之后，再将阻反射层去除，最后在栅极结构、源区及漏区的衬底上形成硅化物层，显著提升了良品率。
本发明提出的加工装置，能够实现将元件上的阻反射层进行自动化去除处理，结构稳定可靠，运行稳定，去除效果好，效率高，自动化程度高，满足了加工要求。
显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。本发明中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。
Claims (4)
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，该半导体结构为高压晶体管，该半导体结构的制备方法包括如下步骤：
S1：提供衬底（1），衬底（1）中形成有源区（11）和漏区（13），源区（11）和漏区（13）之间再形成栅极结构（12），栅极结构（12）与源区（11）、漏区（13）之间均具有漂移区，在衬底（1）上形成介质层（2），介质层（2）覆盖栅极结构（12）、源区（11）、漏区（13）和漂移区；
S2：在介质层（2）上形成阻反射层（3）；
S3：在阻反射层（3）上形成A光刻胶层（4），并对A光刻胶层（4）进行曝光显影形成图形化的B光刻胶层（5），B光刻胶层（5）中形成若干开口（51），开口（51）暴露栅极结构（12）、源区（11）及漏区（13）上的阻反射层（3）；
S4：以B光刻胶层（5）为掩膜，刻蚀开口（51）暴露的阻反射层（3）及介质层（2），以暴露栅极结构（12）、源区（11）及漏区（13），然后去除B光刻胶层（5）；
S5：去除阻反射层（3）；
S6：最后在栅极结构（12）、源区（11）及漏区（13）的衬底（1）上形成硅化物层（6），硅化物层（6）与栅极结构（12）、源区（11）及漏区（13）接触。
在S5中，采用加工装置去除阻反射层（3），所述加工装置包括固定轴（400）、夹持机构（200）和装载托盘（100），固定轴（400）立状布置，夹持机构（200）围绕固定轴（400）呈圆周阵列分布，夹持机构（200）用于夹持装载托盘（100），装载托盘（100）内装载有元件，固定轴（400）旁侧设置有加工工位，加工工位数量与夹持机构（200）数量一致且位置对应，固定轴（400）上装有调节机构，调节机构用于调节夹持机构（200）间歇依次进出各工位；
所述加工工位设置有四个，其中三个相邻的加工工位上依次布置有用于溶解元件上阻反射层的溶解池（800）、用于清洗元件上溶解液的冲洗池（900）以及用于将元件上水分烘干的烘干机构（1000），另一工位记为装卸工位。
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，调节机构包括间歇转动机构（700）、翻转机构和升降机构（300），间歇转动机构（700）包括转动架（730），转动架（730）转动安装在固定轴（400）上，转动架（730）连接间歇转动组件，间歇转动组件用于驱使转动架（730）围绕固定轴（400）间歇转动，夹持机构（200）和升降机构（300）一一对应设置，夹持机构（200）布置在升降机构（300）上，升降机构（300）安装在转动架（730）上，升降机构（300）用于驱使夹持机构（200）和装载托盘（100）升降，使得装载托盘（100）能够进出溶解池（800）和冲洗池（900），翻转机构安装在转动架（730）上，翻转机构连接升降机构（300），翻转机构用于调节升降机构（300）、夹持机构（200）和装载托盘（100）同步翻转，使得装载托盘（100）能够面朝下进入到溶解池（800）和冲洗池（900）中。
3.根据权利要求2所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，间歇转动组件由槽轮机构组成，槽轮机构包括相互配合的槽轮（710）和主动拨盘（720），槽轮（710）转动安装在固定轴（400）上，槽轮（710）上槽道的数量和加工工位的数量一致，槽轮（710）和转动架（730）固定连接。
4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制备方法，其特征在于，夹持机构（200）包括两夹持臂（210），两夹持臂（210）水平布置，两夹持臂（210）相对侧面开设有夹槽，夹槽槽向和夹持臂（210）臂长方向一致，装载托盘（100）两侧边缘布置在夹槽内，两夹持臂（210）一端安装在支撑臂（220）上，支撑臂（220）水平布置，支撑臂（220）和夹持臂（210）呈垂直状分布，两夹持臂（210）沿着支撑臂（220）的长度方向和支撑臂（220）构成滑动导向配合，支撑臂（220）两端装有弹性组件，弹性组件用于对夹持臂（210）施加相互靠近方向的弹力。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110827756.3A CN113284808B (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种半导体结构的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CN202110827756.3A CN113284808B (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种半导体结构的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113284808A true CN113284808A (zh) | 2021-08-20 |
| CN113284808B CN113284808B (zh) | 2021-10-15 |
Family
ID=77286946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110827756.3A Active CN113284808B (zh) | 2021-07-22 | 2021-07-22 | 一种半导体结构的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113284808B (zh) |
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2021
- 2021-07-22 CN CN202110827756.3A patent/CN113284808B/zh active Active
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|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |