CN113279034A - 用于Mini LED微盲孔的填孔电镀加工方法 - Google Patents

Abstract

本申请是关于一种用于Mini LED微盲孔的填孔电镀加工方法。该方法包括：使用1027pp压合，得到目标介厚工件，对该目标介厚工件进行镭射钻孔处理，得到钻孔工件，对该钻孔工件进行plasma清洗处理，得到除胶工件，对该除胶工件进行去膜处理，得到去膜工件，对该去膜工件进行日蚀处理，得到镀碳工件，对该镀碳工件进行填孔电镀处理，得到成品工件。本申请提供的方案，控制压合介厚，降低盲孔径纵横比，通过plasma清洗，减少异物堵孔风险，除净孔壁以及底部的残胶，使VCP填孔电镀环节可以使得药水交换更充分，从而使铜层和电镀层结合充分，增加成品率。

Description

用于Mini LED微盲孔的填孔电镀加工方法

技术领域

本申请涉及LED孔的电镀加工技术领域，尤其涉及小间距Mini LED应用领域。

背景技术

相关技术中，小间距Mini LED定义为，芯片尺寸介于50～200μm的LED芯片，这种小间距Mini LED属于主动型自发光显示，对光的利用率相比于其他LED芯片更高。随着MiniLED芯片的发展趋势，同时伴随着小型化和集成度的提升，必然会导致盲孔数量和盲孔纵横比的大步提升，生产厂家和市场需求都对显示有更高的要求，那么小间距Mini LED会发展出更高的高亮度，更高的对比度以及更低的功耗。

小间距Mini LED中钻孔的盲孔数量都是百万级往千万级每平米发展，小盲孔孔径一般在60um左右，同时控制介厚在40um以内，这样的发展趋势，对小盲孔加工技术提出了更高的要求。以Pitch0.6为例，盲孔孔径为60um，pad的尺寸为140um，pad的间距为60um，盲孔的ring为40um，盲孔数量密度为1318万/m²，常规的盲孔加工方式其生产流程为：

镭射钻孔→plasma→去膜→日蚀(膨松→化学除胶→中和→微蚀→除油→黑孔→微蚀)→VCP填孔电镀。

这种常规流程适用于盲孔孔径70um以上的，盲孔数量密集度在千万级每平米以下，而对于Mini LED填孔电镀中存在的难题是，小盲孔堵孔以及盲孔底部留有残胶导致盲孔底部黑线。

这两种难题的产生原因包括：

1.小盲孔堵孔主要来源于盲孔加工后到填孔过程中，第一、填孔前处理研磨时有粉屑进入孔内粉屑产生于长时间磨板；第二、电镀前处理缸药水副反应物，在过程中进入小盲孔内并形成堵塞；

2.盲孔底部残胶，来源在镭射钻孔参数不良，能量不足以将盲孔底部的树脂部分清除干净，在电镀前处理，化学除胶不能彻底将残胶清除干净，造成盲孔底部的铜层和电镀层没有很好地结合。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种用于Mini LED微盲孔的填孔电镀加工方法，该用于Mini LED微盲孔的填孔电镀加工方法，能够除胶彻底从而使铜层和电镀层结合充分。

本申请第一方面提供一种用于Mini LED微盲孔的填孔电镀加工方法，包括：使用1027pp压合，得到目标介厚工件。对该目标介厚工件进行镭射钻孔处理，得到钻孔工件。对该钻孔工件进行plasma清洗处理，得到除胶工件。对该除胶工件进行去膜处理，得到去膜工件。对该去膜工件进行日蚀处理，得到镀碳工件。对该镀碳工件进行填孔电镀处理，得到成品工件。该1027pp为压合后介厚厚度范围为30um-40um的半固化片。

在一种实施方法中，使用1027pp压合，得到目标介厚工件的方法，包括：以薄介厚为1027的半固化片作为工件的粘合层进行工件的压合，控制压合后的工件介厚范围，得到纵横比的比值小于阈值的目标介厚工件。

在一种实施方法中，纵横比为工件厚度与微盲孔直径的比例，且所述纵横比的比值的阈值，随成品工件的要求提高而减小。

在一种实施方法中，镭射钻孔处理，包括：将所述目标介厚工件放入预设光圈的激光钻孔机中，对所述目标介厚工件进行铜面棕化，采用三枪成孔的方式，在所述目标介厚工件上制作盲孔。

在一种实施方法中，plasma清洗处理为1080P程式的等离子清洗，是以气体物质的等离子态轰击，将孔壁及底部的残胶除净的方法，且plasma的清洗时间根据盲孔的纵横比以及具体工件材质的除胶速率确定。

在一种实施方法中，去膜处理的方法，包括去除所述除胶工件表面的棕化层，以及清除所述除胶工件的板面异物，且所述除胶工件经所述去膜处理后要保留一定的铜厚。

在一种实施方法中，日蚀处理的步骤，包括：中和，微蚀，除油和黑孔处理。

在一种实施方法中，填孔电镀为VCP填孔电镀，电镀过程采用小电流长时间的方式进行，且所述VCP填孔电镀处理要在预设时间内完成。

本申请第二方面提供一种电子设备，包括：

处理器；以及

存储器，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被所述处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的方法。

本申请第三方面提供一种非暂时性机器可读存储介质，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的方法。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：使用1027pp的半固化片进行工件的压合，这样控制压合工件的介厚在期望范围内，在镭射钻孔处理时，更薄的介厚与更宽直径的孔所形成的纵横比更小，这样在VCP填孔电镀环节可以使得药水交换更充分，而充足时间的plasma等离子清洗可以将工件上的残胶清除干净，不易起气泡，且清洗难度低，避免在电镀时，因为残胶的存在影响铜层与电镀层的结合，通过控制纵横比以及除胶彻底，从而使铜层和电镀层结合充分，增加成品率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

通过结合附图对本申请示例性实施方式进行更详细的描述，本申请的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本申请示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。

图1是本申请实施例示出的合格的微盲孔填孔电镀切片示意图；

图2是本申请实施例示出的微盲孔底部黑线的切片示意图；

图3是本申请实施例示出的微盲孔堵孔的切片示意图；

图4是本申请实施例示出的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请的优选实施方式。虽然附图中显示了本申请的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本申请更加透彻和完整，并且能够将本申请的范围完整地传达给本领域的技术人员。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

实施例一

在本实施例中，示例出的是从电路板的压合到钻孔再到清洗电镀的工艺流程。

首先，使用以薄介厚为1027的半固化片作为工件的粘合层进行工件的压合，控制压合后的工件介厚范围，使得压合后介厚厚度范围为30um-40um，因为后续镭射钻孔步骤的钻孔直径确定，所以介厚厚度越薄，得到纵横比的比值就越小，这样控制压合，得到纵横比的比值小于阈值的目标介厚工件。

将该目标介厚工件放入预设光圈为1.6mm的激光钻孔机中，对所述目标介厚工件进行铜面棕化，厚度在8um左右，激光能量为6mj，且脉冲周期包括6us，3us和2um，控制悬铜在5um内。钻孔采用三枪成孔的方式，在所述目标介厚工件上制作盲孔，上下孔径比在75％-100％范围内，钻孔的真圆度要大于等于90％，这样工序下得到钻孔工件。

填孔前处理研磨时，可能有因为长时间磨板产生的粉屑进入孔内，同时，镭射钻孔时参数不良，能量不足以将盲孔底部的树脂部分清除干净，盲孔底部也会有残胶，这些异物和残胶会在后续填孔电镀步骤时，影响铜层与电镀层的结合，导致小盲孔堵孔以及盲孔底部黑线，影响成品率，所以要在电镀前，以气体物质的等离子态轰击盲孔底部残留的碳化胶渣的方法，对所述钻孔工件进行plasma清洗处理，得到除胶工件。在现有技术背景下，一般plasma除胶进行20分钟，再进行化学除胶，但是化学除胶的方法一方面药水可能交换清洗不干净，第二方面化学除胶会有副反应产生药水副反应物，在除胶过程中进入小盲孔形成堵塞，所以在本方案中为了除胶彻底，plasma的持续时间要大于20分钟，或者进行两次20分钟的plasma，但是也要考虑纵横比和具体板材的除胶速率，防止因为plasma除胶时间过长而导致的除胶过度。

对该除胶工件进行去膜处理，去除所述除胶工件表面的棕化层，以及清除所述除胶工件的板面异物，且所述除胶工件经所述去膜处理后要保留一定的铜厚，这层保留的铜厚范围为6um-8um，得到去膜工件。

对该去膜工件进行日蚀处理，日蚀处理包括：中和，微蚀，除油和黑孔步骤，日蚀处理相比现有技术中，跳过了蓬松和化学除胶的步骤，本实施例在中和步骤放板，微蚀步骤清洁外表铜面，去除油污，表面形成一定粗糙度，加大铜面与下道工序的结合力，除油步骤去除线路图表面油脂及氧化物等，确保铜表面清洁，经过日蚀处理后的去膜工件，其孔壁及底部的油污都被处理干净，且为该去膜工件的孔壁镀上一层薄碳，得到孔壁与孔铜结合力更大的镀碳工件，便于下一步处理中铜层与电镀层结合，日蚀处理后得到镀碳工件。

对所述镀碳工件进行填孔电镀处理，填孔电镀为VCP填孔电镀，电镀过程采用小电流长时间的方式进行，且所述VCP填孔电镀处理要在预设时间内完成，一般这个预设时间在4小时，经过VCP填孔电镀后，得到成品工件，成品工件要满足可靠性验证，成品工件的切片要无分层无气泡等不良现象，才能合格。

通过本实施例的方法，使用1027pp的半固化片进行工件的压合，这样控制压合工件的介厚在期望范围内，在镭射钻孔处理时，更薄的介厚与更宽直径的孔所形成的纵横比更小，这样在VCP填孔电镀环节可以使得药水交换更充分，而充足时间的plasma等离子清洗可以将工件上的残胶清除干净，不易起气泡，且清洗难度低，同时排除了化学除胶的副反应物影响，避免在电镀时，因为残胶的存在影响铜层与电镀层的结合，通过控制纵横比以及除胶彻底，从而使铜层和电镀层结合充分，增加成品率。

实施例二

与前述微盲孔填孔电镀工艺实现方法实施例相对应，本申请还提供盲孔纵横比及相应的实施例。

首先，本实施例中的微盲孔为，从电路板的外层钻到内层的孔，而不会像通孔一样一直穿过电路板。一方面，微孔与标准孔的不同之处在于，它们是用激光钻孔的，这使它们比常规钻孔小，另一方面，微孔通常仅跨越两层，这样在这些小孔内镀铜会相对困难。所以在电镀之前，对于工件的处理要通过减小介厚的方式，尽量降低纵横比。

纵横比为工件厚度与微盲孔直径的比例，在本实施例中，为保证纵横比的比值小于1∶1，工件介厚范围控制在30um-40um内，这样纵横比的比值越低，在VCP填孔电镀时，就越有利于电镀药水的充分交换，电镀的效果就越好，而介质越薄，在钻孔时候产生的残胶就会越少，残胶的可能性也就越小，这样对plasma清洗的困难程度也就越小。

在镭射钻孔制作的盲孔直径确定的情况下，只能通过控制介厚厚度的方式来减小纵横比。这样在压合阶段控制住介厚的厚度，不仅仅在VCP填孔电镀时候使得电镀药水的交换更充分，还能使钻孔时产生的残胶更少，除胶效率更高，除胶程度更彻底，这样产品的铜层和电镀层结合充分，产品的质量更高。

实施例三

本实施例根据附图示例出了可靠性验证中，不同情况的盲孔切片的示意图。

可靠性验证的方法为在288℃下浸锡3次，每次10s，然后对成品工件进行切片，观察有无分层、有无气泡等不良现象。

图1是本实施例示出的合格的微盲孔填孔电镀切片示意图，盲孔经plasma清洗和VCP电镀药水充分交换后，其切片可看出铜层与电镀层结合整齐且无黑线。

图2是本实施例示出的微盲孔底部黑线的切片示意图，工件盲孔底部存在残胶，导致盲孔底部的铜层和电镀层没有很好地结合。残胶的产生原因为镭射钻孔的参数不良，能量不足以将盲孔底部的树脂部分清除干净，同时plasma清洗没有彻底清除干净残胶，这样会影响铜层和电镀层的结合，为了避免这种情况出现，本实施例通过增加plasma时间或者增加plasma次数，使残胶清除干净，且用降低纵横比的方式减少残胶的产生。

图3是本实施例示出的微盲孔堵孔的切片示意图，产生工件盲孔堵孔的主要原因是在盲孔加工成型后到填孔电镀过程之间，填孔前处理研磨时有产生于长时间磨板的粉屑进入孔内，残留的异物在电镀后产生的堵孔。同时，现有技术中采用化学除胶，化学药水的副反应物，也会进入小盲孔内并形成堵塞，本实施例跳过化学除胶，延长plasma清洗时间，且在日蚀处理时，清除工件上的异物，使工件在VCP填孔电镀时干净，铜层和电镀层的结合充分，产品的质量更高。

根据可靠性验证中不同的切片呈现形式，分析成品存在的问题以及产生问题的原因，本实施例以对成品的可靠性验证来确保工艺流程的实施效果，保证产品的合格率。

实施例四

与前述应用功能实现方法实施例相对应，本申请还提供了一种区分玻璃表面异物和内部异物的方法的电子设备及相应的实施例。

图4是本申请实施例示出的电子设备的结构示意图。

参见图4，电子设备1000包括存储器1010和处理器1020。

处理器1020可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现场可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

存储器1010可以包括各种类型的存储单元，例如系统内存、只读存储器(ROM)，和永久存储装置。其中，ROM可以存储处理器1020或者计算机的其他模块需要的静态数据或者指令。永久存储装置可以是可读写的存储装置。永久存储装置可以是即使计算机断电后也不会失去存储的指令和数据的非易失性存储设备。在一些实施方式中，永久性存储装置采用大容量存储装置(例如磁或光盘、闪存)作为永久存储装置。另外一些实施方式中，永久性存储装置可以是可移除的存储设备(例如软盘、光驱)。系统内存可以是可读写存储设备或者易失性可读写存储设备，例如动态随机访问内存。系统内存可以存储一些或者所有处理器在运行时需要的指令和数据。此外，存储器1010可以包括任意计算机可读存储媒介的组合，包括各种类型的半导体存储芯片(DRAM，SRAM，SDRAM，闪存，可编程只读存储器)，磁盘和/或光盘也可以采用。在一些实施方式中，存储器1010可以包括可读和/或写的可移除的存储设备，例如激光唱片(CD)、只读数字多功能光盘(例如DVD-ROM，双层DVD-ROM)、只读蓝光光盘、超密度光盘、闪存卡(例如SD卡、min SD卡、Micro-SD卡等等)、磁性软盘等等。计算机可读存储媒介不包含载波和通过无线或有线传输的瞬间电子信号。

存储器1010上存储有可执行代码，当可执行代码被处理器1020处理时，可以使处理器1020执行上文述及的方法中的部分或全部。

上文中已经参考附图详细描述了本申请的方案。在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所涉及的动作和系统并不一定是本申请所必需的。另外，可以理解，本申请实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减，本申请实施例装置中的模块可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

此外，根据本申请的方法还可以实现为一种计算机程序或计算机程序产品，该计算机程序或计算机程序产品包括用于执行本申请的上述方法中部分或全部步骤的计算机程序代码指令。

或者，本申请还可以实施为一种非暂时性机器可读存储介质(或计算机可读存储介质、或机器可读存储介质)，其上存储有可执行代码(或计算机程序、或计算机指令代码)，当所述可执行代码(或计算机程序、或计算机指令代码)被电子设备(或电子设备、服务器等)的处理器执行时，使所述处理器执行根据本申请的上述方法的各个步骤的部分或全部。

本领域技术人员还将明白的是，结合这里的申请所描述的各种示例性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实现为电子硬件、计算机软件或两者的组合。

附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的系统和方法的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标记的功能也可以以不同于附图中所标记的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

以上已经描述了本申请的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (10)

1.一种用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

使用1027pp压合，得到目标介厚工件；

对所述目标介厚工件进行镭射钻孔处理，得到钻孔工件；

对所述钻孔工件进行plasma清洗处理，得到除胶工件；

对所述除胶工件进行去膜处理，得到去膜工件；

对所述去膜工件进行日蚀处理，得到镀碳工件；

对所述镀碳工件进行填孔电镀处理，得到成品工件；

所述1027pp为压合后介厚厚度范围为30um-40um的半固化片。

2.根据权利要求1所述的用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于：

所述使用1027pp压合，得到目标介厚工件，包括：以薄介厚为1027的半固化片作为工件的粘合层进行工件的压合，控制压合后的工件介厚范围，得到纵横比的比值小于阈值的目标介厚工件。

3.根据权利要求2所述的用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于：

所述纵横比为工件厚度与微盲孔直径的比例，且所述纵横比的比值的阈值，随成品工件的要求提高而减小。

4.根据权利要求1所述的用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于：

所述镭射钻孔处理包括：将所述目标介厚工件放入预设光圈的激光钻孔机中，对所述目标介厚工件进行铜面棕化，采用三枪成孔的方式，在所述目标介厚工件上制作盲孔。

5.根据权利要求1所述的用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于：

所述plasma清洗处理为1080P程式的等离子清洗，是以气体物质的等离子态轰击，将孔壁及底部的残胶除净的方法，且所述plasma的清洗时间根据盲孔的纵横比以及具体工件材质的除胶速率确定。

6.根据权利要求1所述的用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于：

所述去膜处理包括去除所述除胶工件表面的棕化层，以及清除所述除胶工件的板面异物，且所述除胶工件经所述去膜处理后要保留一定的铜厚。

7.根据权利要求1所述的用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于：

所述日蚀处理的步骤包括：中和，微蚀，除油和黑孔处理。

8.根据权利要求1所述的用于Mini LED微盲孔的填孔电镀的加工方法，其特征在于：

所述填孔电镀为VCP填孔电镀，电镀过程采用小电流长时间的方式进行，且所述VCP填孔电镀处理要在预设时间内完成。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器；以及

存储器，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被所述处理器执行时，使所述处理器执行如权利要求1-8中任一项所述的方法。

10.一种非暂时性机器可读存储介质，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如权利要求1-8中任一项所述的方法。

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