CN113267620A - 磁传感器、磁检测装置及磁检测系统 - Google Patents

磁传感器、磁检测装置及磁检测系统 Download PDF

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Abstract

一种磁传感器，用于检测试样中的被检测物质，其具备：基板，其具有第一面及与第一面相对的第二面；检测部，其设置于基板的第一面上，检测部包括：磁阻效应元件，其设置于基板的第一面上，电阻值根据输入磁场变化；保护层，其至少覆盖磁阻效应元件，磁阻效应元件构成为沿基板的第一面上的第一方向延伸的线状，检测部具有第一宽度及大于第一宽度的第二宽度，所述第一宽度是在基板的第一面上与第一方向正交的第二方向上的长度，第一宽度是检测部在基板的第一面上的长度，第二宽度是检测部的上表面的长度。

Description

磁传感器、磁检测装置及磁检测系统
技术领域
本发明涉及磁传感器、磁检测装置及磁检测系统。
背景技术
作为定量免疫测定(免疫测定法)，已知有放射免疫测定法(RIA(radioimmunoassay)、IRMA(immunoradiometric assay))。在该方法中，能够通过放射性核素标记竞争抗原或抗体，根据比放射性的测定结果定量测定抗原。免疫测定是通过标记抗原等靶标并间接地进行测定的方法。该方法由于灵敏度高，在临床诊断中作出了巨大贡献，但是存在需要保证放射性核素的安全性，需要专用设施或装置的缺点。因此，作为更容易操作的方法，例如，提出了使用利用磁珠等作为标记的生物传感器的方法(参照专利文献1～4)。
现有的生物传感器具备：基板、设置于基板上的GMR元件等磁阻效应元件、以及覆盖磁阻效应元件的保护膜。如果对试样中的生物分子具有亲和性的磁珠经由生物分子被捕捉到保护层上后施加磁场，则从磁珠产生杂散磁场。通过该杂散磁场输入到磁阻效应元件，磁阻效应元件的电阻值发生变化，能够基于该电阻值变化而间接检测生物分子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5161459号公报
专利文献2：日本专利第6043395号公报
专利文献3：日本专利第6101215号公报
专利文献4：国际公开第2017/82227号小册子
发明内容
发明所要解决的问题
在试样中生物分子的检测使用上述生物传感器时，通过使生物传感器接触包含作为检测对象的生物分子的试样而使保护层表面捕捉该生物分子。而且，使被保护层表面捕捉的生物分子与磁珠结合后，通过梯度磁场(倾斜磁场)或清洗等选择性除去未被保护层捕捉的多余生物分子及磁珠，测量磁阻效应元件的电阻值变化。
但是，在现有的生物传感器中，梯度磁场的施加或清洗等可能会除去一部分已被保护层捕捉的生物分子及磁珠。由此，存在磁阻效应元件的电阻值可能难以发生足以用于检测生物分子的变化，检测结果产生偏差的问题。特别是使用低生物分子浓度的试样检测该生物分子的情况下，存在该检测结果的偏差增大的问题。
鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种能够使用磁珠高精度地检测被检测物质的具备磁阻效应元件的磁传感器、磁检测装置及磁检测系统。
用于解决问题的技术方案
为了解决上述课题，本发明提供一种磁传感器，所述磁传感器用于检测试样中的被检测物质，其特征在于，具备：基板，其具有第一面及与所述第一面相对的第二面；检测部，其设置于所述基板的所述第一面上，所述检测部包括：磁阻效应元件，其设置于所述基板的所述第一面上，电阻值根据输入磁场变化；保护层，其至少覆盖所述磁阻效应元件，所述磁阻效应元件构成为沿所述基板的所述第一面上的第一方向延伸的线状，所述检测部具有在所述基板的所述第一面上与所述第一方向正交的第二方向上的长度即第一宽度和第二宽度，所述第一宽度是所述检测部在所述基板的所述第一面上的所述长度，所述第二宽度是沿着与所述基板的所述第一面正交的第三方向位于所述第一宽度的上方的所述检测部的所述长度，所述第二宽度大于所述第一宽度。
在上述磁传感器中，当观察沿所述第二方向的截面时，所述保护层包括位于所述磁阻效应元件的所述上表面的第一保护层以及沿着所述磁阻效应元件的所述侧面的第二保护层，所述磁阻效应元件的所述上表面侧的所述第二保护层的厚度可以大于所述基板的所述第一面上的所述第二保护层的厚度。
在上述磁传感器中，所述磁阻效应元件的所述上表面侧的所述第二保护层的厚度与所述基板的所述第一面上的所述第二保护层的厚度的比可以为1：0.05～1：0.95，所述第一保护层的厚度与所述磁阻效应元件的上表面侧的所述第二保护层的厚度的比可以为1：0.05～1：1。
在上述磁传感器中，所述磁阻效应元件的所述侧面相对于所述基板的所述第一面的角度可以为90～135°，所述保护层可以为具有多个层的层叠体，所述磁阻效应元件可以为GMR元件，所述被检测物质可以为生物分子。
本发明提供一种磁检测装置，其特征在于，具备上述磁传感器以及支承所述磁传感器的支承部。
在上述磁检测装置中，所述保护层的表面可以存在能够与所述被检测物质特异性结合的探针。
本发明提供一种磁检测系统，其特征在于，所述磁检测系统具备上述磁检测装置、磁场产生部以及能够保持所述试样的保持部，所述磁检测装置设置为使所述磁传感器能够接触所述保持部保持的所述试样，所述磁场产生部设置为对与所述保持部保持的所述试样接触的所述磁传感器施加磁场。
发明效果
根据本发明，能够提供一种能够使用磁珠高精度地检测被检测物质的具备磁阻效应元件的磁传感器、磁检测装置及磁检测系统。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第一方式的概略结构的切断端面图。
图2是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第一方式的概略结构的局部放大切断端面图。
图3是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第二方式的概略结构的切断端面图。
图4是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第二方式的概略结构的局部放大切断端面图。
图5是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第三方式的概略结构的切断端面图。
图6是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第三方式的概略结构的局部放大切断端面图。
图7是表示本发明的一实施方式的磁阻效应元件的概略结构的切断端面图。
图8是表示本发明的一实施方式的生物传感器的概略结构的立体图。
图9是用于说明使用本发明的一实施方式的生物传感器的生物分子检测方法的概要的切断端面图。
图10A是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第二方式的制造工序中的一道工序的切断端面图。
图10B是表示接着图10A所示的工序的工序的切断端面图。
图10C是表示接着图10B所示的工序的工序的切断端面图。
图10D是表示接着图10C所示的工序的工序的切断端面图。
图10E是表示接着图10D所示的工序的工序的切断端面图。
图11是表示本发明的一实施方式的磁检测系统的概略结构的切断端面图。
图12A是表示本发明的一实施方式的生物传感器的第一方式的制造工序中的一道工序的切断端面图。
图12B是表示接着图12A所示的工序的工序的切断端面图。
图12C是表示接着图12B所示的工序的工序的切断端面图。
具体实施方式
参照附图说明本发明的实施方式。此外，在本实施方式中，作为磁传感器的一例，列举用于检测作为被检测物质的生物分子的生物传感器进行说明，但是并不限于此。作为能够被磁传感器检测的被检测物质，除了生物分子，例如，还可以包括被污染水等所含的挥发性有机化合物(Volatile Organic Compounds，VOCs)等各种有机化合物等。
图1是表示本实施方式的生物传感器的第一方式的概略结构的切断端面图，图2是表示本实施方式的生物传感器的第一方式的概略结构的局部放大切断端面图，图3是表示本实施方式的生物传感器的第二方式的概略结构的切断端面图，图4是表示本实施方式的生物传感器的第二方式的概略结构的局部放大切断端面图，图5是表示本实施方式的生物传感器的第三方式的概略结构的切断端面图，图6是表示本实施方式的生物传感器的第三方式的概略结构的局部放大切断端面图，图7是表示本实施方式的磁阻效应元件的概略结构的切断端面图，图8是表示本实施方式的生物传感器的概略结构的立体图。
在本实施方式的生物传感器中，根据需要，在一些附图中规定了“X方向、Y方向及Z方向”。其中，X方向及Y方向是本实施方式中的基板的面内(与基板的第一面及第二面实际上平行的平面内)的相互正交的方向，Z方向是基板的厚度方向(与基板的第一面正交的方向)。
如图1～图6所示，本实施方式的生物传感器1具备：基板2，其具有第一面21及与第一面21相对的第二面22；检测部3，其设置于基板2的第一面21上。检测部3具备：磁阻效应元件4，其设置于基板2的第一面21上；保护层5，其至少覆盖磁阻效应元件4。保护层5包括位于磁阻效应元件4的上表面4A的第一保护层51和位于磁阻效应元件4的侧面4B的第二保护层52。在本实施方式的生物传感器1中，通过对被覆盖磁阻效应元件4的保护层5捕捉的聚集了试样中的生物分子的磁珠10施加磁场H，利用磁阻效应元件4检测来自该磁珠10的杂散磁场Hs，从而能够检测生物分子(参照图9)。
基板2只要是能够搭载磁阻效应元件4的矩形基板即可，例如，可以举出硅晶圆等半导体基板；AlTiC基板、氧化铝基板等陶瓷基板；树脂基板；玻璃基板等。也可以根据基板2的种类，在基板2的第一面21上、特别是在基板2的第一面21与磁阻效应元件4之间设置包含Al2O3等的基底层(省略图示)。从基板2的强度、生物传感器1的薄型化或轻量化等观点考虑，基板2的厚度可以适当设定，例如，可以为5～100nm左右。
在本实施方式中，作为磁阻效应元件4，能够使用自旋阀型GMR元件等。如图7所示，磁阻效应元件4具有包括从基板2侧依次层叠的反铁磁性层61、磁化固定层62、非磁性层63及自由层64的MR层叠体60。反铁磁性层61由反铁磁性材料构成，通过在反铁磁性层61与磁化固定层62之间产生交换结合，起到固定磁化固定层62的磁化方向的作用。此外，磁阻效应元件4也可以具有从基板2侧依次层叠有自由层64、非磁性层63、磁化固定层62及反铁磁性层64的结构。另外，也可以通过将磁化固定层62设为铁磁性层/非磁性中间层/铁磁性层的层叠铁磁结构，设为使两个铁磁性层反铁磁性地结合而成的所谓的自销型固定层(Synthetic Ferri Pinned层，SFP层)，从而省略反铁磁性层61。
在作为磁阻效应元件4的GMR元件中，非磁性层63为非磁性导电层。在GMR元件中，电阻值根据自由层64的磁化方向相对于磁化固定层62的磁化方向而成的角度变化，该角度为0°(磁化方向彼此平行)时，电阻值最小，该角度为180°(磁化方向彼此反平行)时，电阻值最大。
如图8所示，磁阻效应元件4包括沿X方向(第一方向)延伸的多个线状部41。多个线状部41在Y方向(第二方向)上以规定间隔并排，通过使相邻线状部41的端部(X方向(第一方向)上的端部)之间通过引线电极6连续，从而构成为曲折状。此外，在图8中，由于附图变得复杂，所以省略了保护层5的图示。
作为磁阻效应元件4的GMR元件一般具有相对低的元件电阻值，因此，为了从生物传感器1输出规定强度的信号，需要减小GMR元件的线宽，增加线长。而且，通过将GMR元件构成为上述曲折状，能够在基板2的第一面21上的有限区域内减小GMR元件的线宽，增加线长。引线电极6例如只要由Cu、Al、Au、Ta、Ti等中的一种导电材料或两种以上导电材料的复合膜构成即可。
在由上述多个线状部41构成的磁阻效应元件4中，磁化固定层62的磁化方向与各线状部41的短边方向(Y方向、第二方向)实际上平行。在本实施方式的生物传感器1中，通过对被磁阻效应元件4上的保护层5捕捉的磁珠10施加与基板2的第一面21正交的方向的磁场H，从磁珠10产生杂散磁场Hs，并施加到磁阻效应元件4(参照图9)。通过将该杂散磁场Hs施加到磁阻效应元件4，自由层64的磁化方向发生变化，由此，磁阻效应元件4的电阻值发生变化。该电阻值的变化作为信号被输出，由此，在生物传感器1中，能够检测试样中的生物分子的存在及存在量。
线状部41的长边方向的长度能够根据生物传感器1整体的大小或生物传感器1要求的灵敏度等适当设定，例如，可以为10～500μm左右，短边方向的长度例如可以为0.2～10μm左右。
如图1～图6所示，当观察本实施方式的生物传感器1的沿Y方向(第二方向)的截面时，检测部3具有第一宽度W31和第二宽度W32。第一宽度W31是检测部3在基板2的第一面21上的长度(沿着Y方向(第二方向)的长度)，第二宽度W32是检测部3的上表面3A(位于第一宽度W31上方(+Z侧)的面)的长度(沿着Y方向(第二方向)的长度)。第一宽度W31是磁阻效应元件4(线状部41)在基板的第一面21上的宽度W41与位于磁阻效应元件4的两侧面4B、4B的第二保护层52、52的厚度T522、T522的总和。
检测部3的第二宽度W32优选大于第一宽度W31。通过第二宽度W32大于第一宽度W31，能够使用磁珠10高精度地检测作为被检测物质的生物分子。第一宽度W31与第二宽度W32的差(W32－W31)只要为2.0nm以上左右即可，可以为2.0～60.0nm左右。
当观察本实施方式的生物传感器1的沿Y方向(第二方向)的截面时，具有大于第一宽度W31的第二宽度W32的检测部3可以具有检测部3的上表面3A附近沿Y方向(第二方向)突出的突出部31。在图1及图2所示的第一方式中，当观察沿Y方向(第二方向)的截面时，突出部31的高度H31只要为检测部3的高度H3(沿着从基板2的第一面21到检测部3的上表面3A的Z方向(第三方向)的长度)的2/3以下左右即可，优选为1～60.0nm左右。若突出部31的高度H31大于检测部3的高度H3的2/3，则在磁阻效应元件4的上表面4A上保护层5变厚，被保护层5捕捉的磁珠10(参照图9)与磁阻效应元件4之间的距离变远，因此，可能难以将从磁珠10产生的杂散磁场Hs适当地施加到磁阻效应元件4。突出部31的突出长度ΔW/2例如只要为1.0～30.0nm左右即可，优选为2.0～15.0nm左右。若该突出长度ΔW/2小于1.0nm，则位于磁阻效应元件4(线状部41)的侧面4B、4B的第二保护层52难以捕捉磁珠10(参照图9)，生物传感器1的检测精度可能降低。另一方面，若突出部31的突出长度ΔW/2大于30.0nm，则位于磁阻效应元件4(线状部41)的两侧面4B、4B的第二保护层52的厚度T522可能变得过薄。如下所述，将生物传感器1浸渍在试样200(溶液)中使用(参照图11)，但是，若突出部31的突出长度ΔW/2大于30.0nm，第二保护层52的厚度T522变得过薄，则试样200(溶液)接触磁阻效应元件4(线状部41)，由此磁阻效应元件4(线状部41)发生电阻异常，生物传感器1的检测精度可能降低。作为具有突出部31的检测部3，可以是第二保护层52的上方侧(+Z侧)的一部分沿Y方向(第二方向)突出(参照图2)，也可以是磁阻效应元件4的上表面4A侧的一部分沿Y方向(第二方向)突出(参照图4)。此外，检测部3可以具有大于第一宽度W31的第二宽度W32，如图5及图6所示，当观察沿Y方向(第二方向)的截面时，检测部3可以具有倒锥形状。
在图2所示的第一方式中，上方侧(+Z侧)的第二保护层52的厚度T521只要大于第二保护层52在基板2的第一面21上的厚度T522即可，厚度T521与厚度T522的比优选为1：0.05～1：0.95，更优选为1：0.1～1：0.9，特别优选为1：0.5～1：0.8。若厚度T521与厚度T522的比超过上述范围，则磁珠10难以经由生物分子被保护层5捕捉，生物分子的检测精度可能降低。
在图4所示的第二方式中，上方侧(+Z侧)的磁阻效应元件4的宽度W41只要大于基板2的第一面21侧的磁阻效应元件4的宽度W42即可，宽度W41与宽度W42的差只要为1.0nm以上左右，优选为1.0～60.0nm，更优选为2.0～40.0nm，特别优选为4.0～30.0nm。若宽度W41与宽度W42的差小于1nm，则覆盖磁阻效应元件4的保护层5特别是位于磁阻效应元件4的侧面4B的第二保护层52可能不连续，试样200(溶液)接触磁阻效应元件4(线状部41)，由此磁阻效应元件4(线状部41)被蚀刻，发生电阻异常，生物传感器1的检测精度可能降低。另外，若宽度W41与宽度W42的差大于60.0nm，则会出现自由层及磁化固定层的形状各向异性，磁阻效应元件4的执行区域减少，不能适当检测从磁珠10产生的杂散磁场Hs的区域增加，因此，生物分子的检测精度可能降低。
当观察本实施方式的生物传感器1的沿Y方向(第二方向)的截面时，第一保护层51的厚度T51只要大于上方侧(+Z侧)的第二保护层52的厚度T521即可，厚度T51与厚度T521的比优选为1：0.05～1：1，更优选为1：0.1～1：0.95，特别优选为1：0.2～1：0.5。若厚度T51与厚度T521的比超过上述范围，则难以除去未被保护层5捕捉的磁珠10，生物传感器1的检测精度可能降低。
在本实施方式中，磁阻效应元件4的侧面4B相对于基板2的第一面21的角度θ优选为90～135°，更优选为95～100°。通过使该角度θ在上述范围内，从而容易在磁阻效应元件4(线状部41)的两侧面4B、4B的上方形成相对厚的第一保护层51，容易在两侧面4B、4B的下方形成相对薄的第二保护层52，因此，便于突出部31的突出长度ΔW/2的工艺管理。其结果是，能够使检测部3的第二宽度W32大于第一宽度W31。
在本实施方式中，覆盖基板2的第一面21及磁阻效应元件4整体的保护层5是能够捕捉聚集于磁珠10的生物分子的层。聚集于磁珠10的生物分子可以通过与保护层5之间的例如，静电相互作用、氢键相互作用等被保护层5捕捉，也可以通过设置于保护层5的表面的能够与生物分子特异性结合的探针捕捉。保护层5可以由例如SiO2、Al2O3、Si3N4、TiN、TaN、TaO、TiO、AlN等能够与生物分子之间发挥静电相互作用、氢键相互作用等的材料构成。此外，为了能够容易捕捉生物分子，保护层5的表面可以具备能够与作为检测对象的生物分子特异性结合的亲和性物质。保护层5可以为由上述材料构成的一层的单层结构，也可以具有两层以上的多层结构。保护层5为多层结构的情况下，该多层结构的各层的构成材料可以为相同材料，也可以为不同材料。保护层5为多层结构的情况，例如，在制造图1及图2所示的生物传感器1的过程中通过溅射成膜保护层5的情况下，通过调整溅射的处理条件(例如，成膜温度、放电功率及成膜压力、靶与成膜对象的距离等)，从而磁阻效应元件4的上表面的成膜速率与侧面的成膜速率的变得可控，能够调整保护层5在磁阻效应元件4的侧面的突出量。其结果是，能够使检测部3的第二宽度W32大于第一宽度W31。
位于磁阻效应元件4的上方的第一保护层51的厚度T51可以设定为例如3～200nm左右。保护层5具有多层结构的情况下，各层的厚度只要为例如0.1～100nm左右即可。第二保护层52中上方侧(+Z侧)的第二保护层52的厚度T521只要在例如2～60nm的范围内即可，基板2侧(-Z侧)的第二保护层52的厚度T522只要在例如1～59nm的范围内即可。
通过使具有上述结构的生物传感器1与包含作为检测对象的生物分子11的试样接触，能够使保护层5的表面捕捉该生物分子11。而且，使被保护层5的表面捕捉的生物分子11与磁珠10结合后，通过梯度磁场或清洗等选择性除去未被磁阻效应元件4上的保护层5的表面捕捉的多余生物分子11及磁珠10。在本实施方式中，通过检测部3的第二宽度W32大于第一宽度W31，从而使生物分子11及磁珠10容易被捕捉到保护层5上特别是构成检测部3的侧面的第二保护层52，另外，能够使被捕捉的生物分子11及磁珠10不容易被梯度磁场的施加或清洗等除去。由此，能够使用磁珠10高精度地检测生物分子的存在及存在量，能够抑制检测结果的偏差。
在如上所述使生物分子11及磁珠10残留在磁阻效应元件4上的保护层5的表面后，通过沿着相对于基板2的第一面21的正交方向施加磁场H，从而磁珠10带有磁性，从磁珠10产生杂散磁场Hs(参照图9)。通过将该杂散磁场Hs施加到磁阻效应元件4，从而自由层64的磁化方向发生变化，其结果是，磁阻效应元件4的电阻值发生变化。该电阻值变化与被保护层5的表面捕捉的生物分子11结合的磁珠10的数量之间具有相关性(线性相关)，因此，通过该电阻值变化作为信号从生物传感器1输出，由此，能够检测试样中的作为检测对象的生物分子的存在及存在量。
作为能够使用本实施方式的生物传感器1检测的生物分子11，可以举出例如，DNA、mRNA、miRNA、siRNA、人工核酸(例如，LNA(Locked Nucleic Acid)、BNA(Bridged NucleicAcid)等)等核酸(可以源自天然的，也可以是化学合成的。)；配体、细胞因子、激素等肽；受体、酶、抗原、抗体等蛋白质；细胞、病毒、细菌、真菌等。
另外，作为包括作为检测对象的生物分子11的试样，例如，血液、血清、血浆、尿液、血沉棕黄层、唾液、精液、胸腔积液、脑脊液、泪液、痰、粘液、淋巴液、腹水、胸水、羊水、膀胱灌洗液、支气管肺泡灌洗液、细胞提取液、细胞培养上清液等。
磁珠10只要为能够带有磁性的粒子即可，例如，可以为由金、氧化铁等构成的粒子等。磁珠10的平均粒径只要为例如5～250nm左右即可，优选为20～150μm左右。此外，磁珠10的平均粒径可以使用例如激光衍射式粒径分布测定装置(产品名称：SALD－2300，岛津制作所制)测量。
磁珠10的表面可以固定有链酶亲和素等蛋白质，还可以具备能够与生物分子特异性结合的亲和性物质。在用于捕捉作为生物分子11的配体的情况下，磁珠10优选具有亲水性表面，在用于捕捉作为生物分子11的抗体的情况下，磁珠10优选具有疏水性表面。
根据具有上述结构的生物传感器1，通过使检测部3的第二宽度W32大于第一宽度W31，从而生物分子11及磁珠10容易被捕捉到保护层5上，另外，能够使被捕捉的生物分子11及磁珠10不容易被梯度磁场的施加或清洗等除去。因此，根据本实施方式的生物传感器1，能够使用磁珠10高精度地检测生物分子的存在及存在量，能够抑制检测结果的偏差。
具有上述结构的生物传感器1例如可以如下制作。图10A～图10E是通过切断端面表示本实施方式的生物传感器1的制造方法的各工序的流程图。
在硅晶圆等半导体基板；AlTiC基板、氧化铝基板等陶瓷基板；树脂基板；玻璃基板等基板2的第一面21上形成磁阻效应元件4的预定区域形成包含Al2O3等的基底层(省略图示)，在该基板2的第一面21上通过溅射等形成MR膜70(反铁磁性膜、铁磁性膜、非磁性膜及铁磁性膜依次层叠的层叠膜)(参照图10A)。
接着，形成覆盖MR膜70的抗蚀层80(参照图10B)，通过曝光·显影处理，形成与磁阻效应元件4对应的抗蚀剂图案82(参照图10C)。作为构成抗蚀层80的抗蚀材料，可以为正型或负型中的任一种，例如，可以举出环戊酮系抗蚀材料、线型酚醛清漆树脂系抗蚀材料等。
接着，将抗蚀剂图案82作为掩模对MR膜70实施研磨处理(参照图10D)。作为研磨处理，例如，可以举出通过将离子束入射到MR膜70，从而将离子束入射部分的MR膜70除去的处理等。通过在通过该研磨处理形成的线状部41的侧面4B再沉积(redeposition)该研磨处理中待除去的MR膜70，能够使检测部3的第二宽度W32大于第一宽度W31。为了在线状部41的侧面4B再沉积MR膜70，可以采用使研磨处理中的离子束的入射角度相对于MR膜70实际上正交的方法等。此外，离子束的入射角度相对于MR膜70实际上正交是指以能够在线状部41的侧面4B再沉积MR膜70的程度正交，例如，该入射角度只要在65～85°的范围内即可。离子束的入射角度是指基板2的第一面21与离子束的入射方向形成的角度。为了控制检测部3的突出部31的突出量，例如，可以在除去MR膜70期间改变离子束的入射角度。例如，通过在除去MR膜70期间使离子束的入射角度与MR膜70正交，从而在线状部41的侧面4B过度再沉积，突出部31的突出量过大的情况下，可以在MR膜70的研磨处理途中将离子束的入射角度调整为超出上述数值范围的值。由此，能够将检测部3的突出部31的突出长度ΔW/2控制为期望的范围。
然后，通过一边实施规定的退火处理一边施加磁场，从而将包括多个线状部41的磁阻效应元件4形成在基板2的第一面上。施加的磁场可以根据磁阻效应元件4的各层的构成材料、各层的膜厚、尺寸、形状、由磁化固定层62的垂直磁各向异性能Ku和形状各向异性能Kd给出的有效垂直磁各向异性能Keff等适当设定，以在反铁磁性层61与磁化固定层62之间引起规定的交换磁各向异性。
接着，通过导电材料的溅射等形成相邻线状部41的长边方向端部间连续的引线电极6，从而形成磁阻效应元件4。而且，在剥离除去抗蚀剂图案82后，通过CVD法、反应溅射等PVD法、真空蒸镀法等成膜法形成覆盖基板2的第一面21及磁阻效应元件4的保护层5(参照图10E)。这样，能够制造本实施方式的生物传感器1。
对使用具有上述结构的生物传感器1的磁检测装置及具备该磁检测装置的磁检测系统进行说明。图11是表示本实施方式的磁检测系统的概略结构的切断端面图。
本实施方式的磁检测系统100具备：磁检测装置，其具有生物传感器1及支承该生物传感器1的支承部110；磁场产生部120；板130，其具有收容含有生物分子的试样200的多个贮存器140。
也可以在生物传感器1的保护层5的表面设置能够与试样200中的生物分子特异性结合的探针(例如，配体等)。当然，也可以不在生物传感器1的保护层5的表面设置该探针，而是生物传感器1的保护层5的表面构成为通过例如静电相互作用、氢键相互作用等使生物分子被保护层5捕捉。试样200中的生物分子可以聚集于磁珠10(参照图9)。支承生物传感器1的支承部110具有大小能够插入各贮存器140的多个条形部。各条形部的前端安装有该生物传感器1，以在该条形部的前端插入贮存器140时使生物传感器1能够接触各贮存器140收容的试样200。支承部110可升降地设置，由此，能够将各条形部插入各贮存器140或从各贮存器140中拔出。
磁场产生部120由例如能够产生与生物传感器1的基板2的第一面21正交的方向的磁场的线圈等构成，设置为在生物传感器1接触各贮存器140收容的试样200时，能够对该生物传感器1施加磁场。
在具有这种结构的磁检测系统100中，使生物传感器1接触各贮存器140收容的试样200，从而聚集于磁珠10(参照图9)的生物分子被生物传感器1的保护层5捕捉。在该状态下，从磁场产生部120产生沿着相对于基板2的第一面21的正交方向的磁场，从而磁珠10带有磁性，从磁珠10产生杂散磁场Hs(参照图9)。通过将该杂散磁场Hs施加到磁阻效应元件4，从而自由层64的磁化方向发生变化，其结果是，磁阻效应元件4的电阻值发生变化，从生物传感器1输出信号。该磁阻效应元件4的电阻值变化与被保护层5的表面捕捉的生物分子11结合的磁珠10的数量之间具有相关性(线性相关)，因此，在磁检测系统100中，能够基于从生物传感器1输出的信号检测试样中的生物分子的存在及存在量。
此外，在上述磁检测系统100中，磁场产生部120可以在产生用于磁化磁珠10的磁场的同时，在聚集于磁化后的磁珠10的生物分子被生物传感器1的保护层5捕捉的状态下产生磁阻效应元件4的面内方向(XY平面的面内方向)的交流磁场。在该方式的磁检测系统100中，首先，使生物传感器1接触各贮存器140收容的试样200，通过从磁场产生部120产生的磁场磁化磁珠10，同时聚集于磁化后的磁珠10的生物分子被生物传感器1的保护层5捕捉。在该状态下，从磁场产生部120产生上述交流磁场，从而从磁珠10产生杂散磁场。通过将该杂散磁场施加到磁阻效应元件4，从而自由层64的磁化方向发生变化，其结果是，磁阻效应元件4的电阻值发生变化，从生物传感器1输出信号。
以上说明的实施方式仅用于便于理解本发明，并不用于限定本发明。因此，上述实施方式公开的各要素旨在还包括属于本发明的技术范围的所有设计变化或等同物。
在上述实施方式中，在以使线状部41的侧面4B整体相对于基板2的第一面21实际上正交的方式形成该线状部41，并形成覆盖该线状部41的临时保护层5’后，可以通过研磨除去基板2的第一面21上且位于沿Y方向(第二方向)观察时相邻线状部41之间的临时保护层5’，从而使第二宽度W32大于第一宽度W31(参照图12A～图12C)。另外，可以通过形成覆盖线状部41的多层结构的保护层5，使第二宽度W32大于第一宽度W31。
在上述实施方式中，保护层5覆盖磁阻效应元件4及基板2的第一面21，但是，并不限于此，例如，只要覆盖磁阻效应元件4(线状部41)即可，可以不覆盖基板2的第一面21未形成磁阻效应元件4的部分(外露的第一面21)。
实施例
下面，列举实施例等进一步详细说明本发明，本发明不限于下述任一实施例等。
〔试验例1〕
使用具有图1及图2所示的结构，且突出部31的突出长度ΔW/2(厚度T521与厚度T522的差)为1nm(试样1)、15nm(试样2)及30nm(试样3)的生物传感器1，将含有作为被检测物质的生物分子的试样溶液沿X方向(第一方向)导入，此时，通过模拟求解检测部3的侧面的试样溶液的流速FV以及保护层5对磁珠10的捕捉率CR。另外，作为比较，使用除了没有突出部31(厚度T521与厚度T522的差为0nm)以外具有与试样1相同结构的生物传感器(试样4)，与试样1～3同样地通过模拟求解检测部3的侧面的试样溶夜的流速FV以及保护层5对磁珠10的捕捉率CR。这些模拟条件如下所示。结果如表1所示。
〈模拟条件〉
模拟软件：三维流体模拟软件(产品名称：Flowsquare)模拟模式＝非反应非压缩性流体模式
用于离散化的X方向(第一方向)晶格点数：250
用于离散化的Y方向(第二方向)晶格点数：150
模拟区域的X方向(第一方向)长度：0.5×10－3m
模拟区域的Y方向(纵向)长度：1.5×10－4m
确定每个时间步长的物理时间(dt)时的系数：10
数值计算方法：低精度计算法；二阶精度中心差分+欧拉方法(一阶精度)
解泊松方程时的松弛系数：1.8
泊松方程收敛计算结束时的公差：5.0×10－4
流体：具有密度变化的反应性流体
周期边界：无
压力：1.0×105Pa
初始速度：0.1m/s
初始密度：1.0×103kg/m3
边界速度：0.1m/s
边界密度：1.0×103kg/m3
流体的粘度系数(运动粘度系数×密度)＝9.0×10－4kg/m·s
显示的每个晶格点的像素数：2
对于突出部31的突出长度ΔW/2，计算突出部31内部(Z方向上突出部31与基板2之间的空间)的流速，将试样4的流速设为捕捉率CR＝1时，基于试样1～3的流速计算出捕捉率。
表1
Figure BDA0002910596720000161
如表1所示，在检测部3的侧面具有突出部31的试样1～3中，与没有突出部31的试样4相比，发现能够降低检测部3的侧面的试样溶液的流速FV，能够提高保护层5对磁珠10的捕捉率CR。由该结果可知，通过检测部3的侧面具有突出部31，检测部3的第二宽度W32大于第一宽度W31，从而生物分子11及磁珠10容易被捕捉到保护层5上特别是构成检测部3的侧面的第二保护层52上，另外，能够使被捕捉的生物分子11及磁珠10不容易被梯度磁场的施加或清洗等除去，能够使用磁珠10高精度地检测生物分子的存在及存在量，能够抑制检测结果的偏差。
符号说明
1…生物传感器
2…基板
21…第一面
22…第二面
3…检测部
4…磁阻效应元件
4A…线状部
4…保护层

Claims (11)

1.一种磁传感器，用于检测试样中的被检测物质，其特征在于，具备：
基板，其具有第一面及与所述第一面相对的第二面；
检测部，其设置于所述基板的所述第一面上，
所述检测部包括：磁阻效应元件，其设置于所述基板的所述第一面上，电阻值根据输入磁场变化；及保护层，其至少覆盖所述磁阻效应元件，
所述磁阻效应元件构成为沿所述基板的所述第一面上的第一方向延伸的线状，
所述检测部具有在所述基板的所述第一面上的与所述第一方向正交的第二方向上的长度即第一宽度和第二宽度，
所述第一宽度是所述检测部在所述基板的所述第一面上的所述长度，
所述第二宽度是沿着与所述基板的所述第一面正交的第三方向位于所述第一宽度的上方的所述检测部的上表面的所述长度，
所述第二宽度大于所述第一宽度。
2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，
当观察沿所述第二方向的截面时，所述保护层包括位于所述磁阻效应元件的所述上表面的第一保护层和沿着所述磁阻效应元件的所述侧面的第二保护层，
所述磁阻效应元件的所述上表面侧的所述第二保护层的厚度大于所述基板的所述第一面上的所述第二保护层的厚度。
3.根据权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件的所述上表面侧的所述第二保护层的厚度与所述基板的所述第一面上的所述第二保护层的厚度的比为1：0.05～1：0.95。
4.根据权利要求2或3所述的磁传感器，其特征在于，
所述第一保护层的厚度与所述磁阻效应元件的上表面侧的所述第二保护层的厚度的比为1：0.05～1：1。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件的所述侧面相对于所述基板的所述第一面的角度为90～135°。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述保护层为具有多个层的层叠体。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述磁阻效应元件为GMR元件。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，
所述被检测物质为生物分子。
9.一种磁检测装置，其特征在于，具备：
权利要求1～3中任一项所述的磁传感器；和
支承所述磁传感器的支承部。
10.根据权利要求9所述的磁检测装置，其特征在于，
所述保护层的表面存在能够与所述被检测物质特异性结合的探针。
11.一种磁检测系统，其特征在于，具备：
权利要求9所述的磁检测装置；
磁场产生部；以及
能够保持所述试样的保持部，
所述磁检测装置设置为使所述磁传感器能够接触所述保持部保持的所述试样，
所述磁场产生部设置为对与所述保持部保持的所述试样接触的所述磁传感器施加磁场。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184680B1 (en) * 1997-03-28 2001-02-06 Tdk Corporation Magnetic field sensor with components formed on a flexible substrate
US20060202291A1 (en) * 2005-02-23 2006-09-14 Stefan Kolb Magnetoresistive sensor module and method for manufacturing the same
US20090152657A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Jeongdae Suh Magnetic field detector
US20120231960A1 (en) * 2011-03-09 2012-09-13 Osterfeld Sebastian J Systems and methods for high-throughput detection of an analyte in a sample
CN106019182A (zh) * 2015-03-27 2016-10-12 Tdk株式会社 磁传感器及磁性编码器
CN107894575A (zh) * 2016-10-03 2018-04-10 Tdk株式会社 磁阻效应元件及其制造方法、以及位置检测装置
CN108205119A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 Tdk株式会社 三轴磁传感器及其制造方法
US20180299407A1 (en) * 2015-11-10 2018-10-18 Tdk Corporation Biosensor, method for detecting biomolecules, and biochip
CN108885190A (zh) * 2016-03-28 2018-11-23 Tdk株式会社 生物传感器和生物芯片
US20190154676A1 (en) * 2015-08-19 2019-05-23 Tdk Corporation Detection system, detection apparatus, and detection method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6724059B2 (en) * 2000-04-06 2004-04-20 Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. Magnetoelectric transducer and method for producing the same
JP3550533B2 (ja) * 2000-07-06 2004-08-04 株式会社日立製作所 磁界センサー、磁気ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶素子
US7067046B2 (en) 2000-08-04 2006-06-27 Essen Instruments, Inc. System for rapid chemical activation in high-throughput electrophysiological measurements
EP1456658B1 (en) * 2001-12-21 2006-05-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sensor and method for measuring the areal density of magnetic nanoparticles on a micro-array
US7906345B2 (en) 2003-11-12 2011-03-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Magnetic nanoparticles, magnetic detector arrays, and methods for their use in detecting biological molecules
JP2006179051A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気抵抗センサ及びその製造方法
DE102005047482A1 (de) * 2005-10-04 2007-04-12 Infineon Technologies Ag Magnetoresistives Sensormodul und Verfahren zum Herstellen desselben
JP2007299880A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子，および磁気抵抗効果素子の製造方法
US7377333B1 (en) * 2007-03-07 2008-05-27 Pathfinder Energy Services, Inc. Linear position sensor for downhole tools and method of use
CN101868286A (zh) * 2007-09-20 2010-10-20 马格雷股份有限公司 采用磁性传感器进行的分析物检测
HUE024903T2 (en) 2007-12-26 2016-02-29 Xencor Inc FC variants with modified binding to FCRN
US9671211B2 (en) * 2010-07-23 2017-06-06 Halliburton Energy Service, Inc. Method and apparatus for measuring linear displacement
JP5876817B2 (ja) * 2012-12-04 2016-03-02 日信工業株式会社 耐熱シール部材
US9249648B2 (en) * 2013-02-06 2016-02-02 Baker Hughes Incorporated Continuous circulation and communication drilling system
JP6118416B2 (ja) * 2013-10-08 2017-04-19 旭化成エレクトロニクス株式会社 磁気センサ
WO2016129288A1 (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 旭化成エレクトロニクス株式会社 センサ装置及びその製造方法
US10180468B2 (en) * 2016-06-08 2019-01-15 Infineon Technologies Ag Chip package, a chip package system, a method of manufacturing a chip package, and a method of operating a chip package
JP2018073913A (ja) * 2016-10-26 2018-05-10 株式会社デンソー 磁気センサおよびその製造方法
CA3123020A1 (en) * 2018-12-18 2020-06-25 Saudi Arabian Oil Company Downhole tool for gas kick detection using coaxial resonators

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184680B1 (en) * 1997-03-28 2001-02-06 Tdk Corporation Magnetic field sensor with components formed on a flexible substrate
US20060202291A1 (en) * 2005-02-23 2006-09-14 Stefan Kolb Magnetoresistive sensor module and method for manufacturing the same
US20090152657A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Jeongdae Suh Magnetic field detector
US20120231960A1 (en) * 2011-03-09 2012-09-13 Osterfeld Sebastian J Systems and methods for high-throughput detection of an analyte in a sample
CN106019182A (zh) * 2015-03-27 2016-10-12 Tdk株式会社 磁传感器及磁性编码器
US20190154676A1 (en) * 2015-08-19 2019-05-23 Tdk Corporation Detection system, detection apparatus, and detection method
US20180299407A1 (en) * 2015-11-10 2018-10-18 Tdk Corporation Biosensor, method for detecting biomolecules, and biochip
CN108885190A (zh) * 2016-03-28 2018-11-23 Tdk株式会社 生物传感器和生物芯片
CN107894575A (zh) * 2016-10-03 2018-04-10 Tdk株式会社 磁阻效应元件及其制造方法、以及位置检测装置
CN108205119A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 Tdk株式会社 三轴磁传感器及其制造方法

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