CN113261110B

CN113261110B - Oled显示结构及电子设备

Info

Publication number: CN113261110B
Application number: CN201980073522.5A
Authority: CN
Inventors: 黄强灿
Original assignee: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd
Priority date: 2019-01-07
Filing date: 2019-01-07
Publication date: 2022-11-25
Anticipated expiration: 2039-01-07
Also published as: US20220109032A1; CN113261110A; WO2020142877A1

Abstract

本申请公开一种OLED显示结构，包括像素(10)。像素(10)包括第一子像素(11)、第二子像素(12)及第三子像素(13)。第一子像素(11)包括第一存储电容(111)、第一辅助电容(112)及第一发光区域(114)。第二子像素(12)包括第二存储电容(121)、第二辅助电容(122)及第二发光区域(124)。第三子像素(13)包括第三存储电容(131)、第三辅助电容(132)及第三发光区域(134)。定义第一、第二及第三发光区域(114,124,134)的面积分别为S(1)、S(2)及S(3)，第一、第二及第三辅助电容的电容值分别为C2(1)、C2(2)及C2(3)。其中S(1)＜S(2)＜S(3)，且C2(1)＞C2(2)＞C2(3)。本申请的OLED显示结构不易出现色偏问题。

Description

OLED显示结构及电子设备

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示结构及电子设备。

背景技术

现有的OLED显示结构中，薄膜晶体管(TFT)的阈值电压(V_th)在长时间加正电压的情况下，容易出现漂移现象，V_th变化最终将导致OLED的电流发生变化，而对于OLED显示结构的三种颜色红绿蓝(R/G/B)来说，由于R/G/B三种颜色的发光面积不同，R/G/B三种颜色的OLED电流随着V_th的变化快慢并不一致，最终体现出来的R/G/B亮度变化快慢也不一致，容易导致OLED显示结构的色偏问题的产生。

发明内容

本发明技术方案揭示一种显色均匀的OLED显示结构及电子设备。

一种OLED显示结构，包括像素，所述像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素包括第一存储电容、第一辅助电容及第一发光区域，所述第二子像素包括第二存储电容、第二辅助电容及第二发光区域，所述第三子像素包括第三存储电容、第三辅助电容及第三发光区域，定义所述第一发光区域的面积为S(1)，定义所述第二发光区域的面积为S(2)，定义所述第三子发光区域的面积为S(3)，定义所述第一辅助电容的电容值为C2(1)，定义所述第二辅助电容的电容值为C2(2)，定义所述第三辅助电容的电容值为C2(3)，其中S(1)＜S(2)＜S(3)，且C2(1)＞C2(2)＞C2(3)。

一种电子设备，所述电子设备包括如上述的OLED显示结构。

本发明的OLED显示结构及电子设备中，通过设置C2(1)＞C2(2)＞C2(3)，从而可以弥补不同的V_th下的R/G/B的OLED电流变化快慢差异，从而不易出现色偏问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明第一实施例中的OLED显示结构的结构示意图。

图2为本发明第一实施例中的OLED显示结构的一子像素的一种4T2C像素驱动电路示意图。

图3为本发明第一实施例中的OLED显示结构的一子像素的另一种4T2C像素驱动电路示意图。

图4为本发明第二实施例中的包含OLED显示结构的电子设备的示意图。

图5为现有技术中的不同的V_th下的R/G/B的OLED电流变化快慢示意图。

图6为本技术方案中的不同的V_th下的R/G/B的OLED电流变化快慢示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明技术方案实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，本技术方案第一实施例提供一种OLED显示结构100，所述OLED显示结构100包括有多个像素10(图中仅示出两个像素10)，每个像素10包括第一子像素11、第二子像素12及第三子像素13。

每个子像素均包括存储电容、辅助电容及有机发光二极管，每个子像素还均具有一发光区域，其中，三个子像素的发光区域的面积不同，三个子像素中，发光区域面积越大的子像素的辅助电容值越小。

具体地，如本实施例的图1所示，所述第一子像素11包括第一存储电容111、第一辅助电容112及第一有机发光二极管(图未示)，所述第一有机发光二极管使所述第一子像素11具有一第一发光区域114，或者说，所述第一有机发光二极管形成于所述第一发光区域114中；所述第二子像素12包括第二存储电容121、第二辅助电容122及第二有机发光二极管(图未示)，所述第二有机发光二极管使所述第二子像素12具有一第二发光区域124，或者说，所述第二有机发光二极管形成于所述第二发光区域124中；所述第三子像素13包括第三存储电容131、第三辅助电容132及第三有机发光二极管(图未示)，所述第三有机发光二极管使所述第三子像素13具有一第三发光区域134，或者说，所述第三有机发光二极管形成于所述第三发光区域134中。可以理解，在其他实施例中，所述各子像素的结构并不以本实施例为限。

定义所述第一子像素11的第一发光区域114的面积为S(1)，定义所述第二子像素12的第二发光区域124的面积为S(2)，定义所述第三子像素13的第三发光区域134的面积为S(3)，定义所述第一子像素11对应的第一辅助电容112的电容值为C2(1)，定义所述第二子像素12对应的第二辅助电容122的电容值为C2(2)，定义所述第三子像素13对应的第三辅助电容132的电容值为C2(3)，则，S(1)＜S(2)＜S(3)，且C2(1)＞C2(2)＞C2(3)。

进一步，定义所述第一子像素11对应的第一存储电容111的电容值为C1(1)，定义所述第二子像素12对应的第一存储电容121的电容值为C1(2)，定义所述第三子像素13对应的第一存储电容131的电容值为C1(3)，则，C1(1)＝C1(2)＝C1(3)。

本实施例中，通过调整电容的面积以调整电容的电容值。

如图1所示，所示第一、第二及第三辅助电容的面积不同，从而电容值也不同，每个像素10的三个子像素中，所述第一辅助电容112的面积最大，所述第三辅助电容132的面积最小，从而，所述第一辅助电容112的电容值C2(1)最大，所述第三辅助电容132的电容值C2(3)最小，也即，所述第一辅助电容112的面积大于所述第二辅助电容122的面积，所述第二辅助电容122的面积大于所述第三辅助电容132的面积；所述第一、第二及第三存储电容111、121、131的形状虽然不同，但面积相同，从而电容值也相同。

所述第一子像素11、第二子像素12及第三子像素13可以分别为三原色子像素，即红色、绿色及蓝色子像素中的一个。

在本实施例中，所述第一子像素11为红色子像素，所述第二子像素12为绿色子像素，所述第三子像素13为蓝色子像素。

每个子像素还包含多个晶体管，优选地，每个子像素均至少包含4个薄膜晶体管。

本实施例中，每个子像素均包括有四个薄膜晶体管、一个存储电容、一个辅助电容及至少一个有机发光二极管，也就是说，本实施例中，每个子像素的像素驱动电路均为4T2C像素驱动电路。

在一实施例中，四个薄膜晶体管分别为一驱动薄膜晶体管及三个开关薄膜晶体管。

在一实施例中，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极，所述存储电容连接于所述驱动薄膜晶体管的栅极及漏极之间。

在一实施例中，所述辅助电容连接于一开光薄膜晶体管与该驱动薄膜晶体管之间，该开关薄膜晶体管可用于接收一参考电压；例如，所述辅助电容连接于该开关薄膜晶体管的源极与该驱动薄膜晶体管的漏极之间，或连接于该开关薄膜晶体管的漏极与该驱动薄膜晶体管的源极之间。

在一实施例中，所述有机发光二极管的阳极电性连接于所述驱动薄膜晶体管的漏极。

优选地，本技术方案的薄膜晶体管均为顶栅结构，即栅极在通道层上侧，源、漏电极在通道层下侧。

以下以一实施例中来进行详细的说明一子像素的一种4T2C像素驱动电路：

请参阅图2，一种4T2C像素驱动电路20，包括一第一开关薄膜晶体管SW1、一第二开关薄膜晶体管SW2、一第三开关薄膜晶体管SW3、一驱动薄膜晶体管DR、一存储电容C1、一辅助电容C2及一有机发光二极管OLED。

所述第一、第二、第三开关薄膜晶体管SW1、SW2及SW3及驱动薄膜晶体管DR均包括栅极、漏极及源极。其中，所述第一开关薄膜晶体管SW1的栅极用于接收上一级栅极信号Gn-1，源极用于接收一输入信号Int，漏极电性连接至节点A。所述第二开关薄膜晶体管SW2的栅极用于接收栅极信号Gn，漏极电性连接所述驱动薄膜晶体管DR的栅极，源极用于接收一数据信号Data，其中数据信号具有一数据电压。所述第三开关薄膜晶体管SW3的栅极用于电性连接控制主线En，漏极电性连接所述驱动薄膜晶体管DR的源极，漏极电性连接一第一参考电压ELVDD。所述驱动薄膜晶体管DR的栅极电性连接所述第二开关薄膜晶体管SW2的漏极，漏极电性连接至所述节点A，源极电性连接所述第三开关薄膜晶体管SW3的源极。

所述存储电容C1跨接于所述驱动薄膜晶体管DR的栅极与漏极之间。所述辅助电容C2跨接于所述第三开关薄膜晶体管SW3的源极与节点A(所述驱动薄膜晶体管DR的漏极)之间。

所述有机发光二极管OLED包括阳极及阴极，所述有机发光二极管OLED的阳极电性连接至所述驱动薄膜晶体管DR的漏极，阴极电性连接至一第二参考电压ELVSS。本实施例中，所述有机发光二极管OLED的阳极与阴极之间还并联有一滤波电容C3。

以下以另一实施例中来进行详细的说明一子像素的另一种4T2C像素驱动电路：

请参阅图3，一4T2C像素驱动电路30，包括一第一开关薄膜晶体管T1、一驱动薄膜晶体管T2、一第二开关薄膜晶体管T3、一第三开关薄膜晶体管T4、一存储电容C1、一辅助电容C2及一有机发光二极管OLED。

在一实施例中，所述驱动薄膜晶体管T2及所述第一、第二、第三开关薄膜晶体管T1、T3、T4均为N型薄膜晶体管。

所述第一开关薄膜晶体管T1的栅极用于接收一扫描信号(Scan)，源极用于接收一数据信号Data(数据信号Data代表一数据电压)，漏极电性连接节点G。驱动薄膜晶体管T2的栅极电性连接至第一开关薄膜晶体管T1的漏极及节点G，漏极电性连接所述第二开关薄膜晶体管T3的漏极与节点D，漏极电性连接节点S。第二开关薄膜晶体管T3的栅极接收一开关信号EM，源极电性连接至一第一参考电压OVDD。第三开关薄膜晶体管T4的栅极接收一复位信号RESET，源极接收一维持电压信号Vsus，漏极电性连接至节点S。

所述有机发光二极管OLED的阳极电性连接至节点S(驱动薄膜晶体管T2的漏极)，阴极电性连接至一第二参考电压OVSS，其中，第一参考电压OVDD大于第二参考电压OVSS。

所述存储电容C1跨接于节点G(驱动薄膜晶体管T2的栅极)与节点S(驱动薄膜晶体管T2的漏极)之间；所述辅助电容C2跨接于所述第二开关薄膜晶体管T3的源极与节点S(驱动薄膜晶体管T2的漏极)之间。

在其他实施例中，各所述子像素也可以包括五个薄膜晶体管，还可以包括六个薄膜晶体管，甚至更多，也即，所述子像素的像素驱动电路也可以为5T2C像素驱动电路、6T2C像素驱动电路等。

请参阅图4，本技术方案第二实施例还提供一种电子设备2，所述电子设备2包括前述的OLED显示结构100。

其中，所述电子设备2可以为手机、平板电脑、电子书等。

现有技术中的不同的V_th下的R/G/B的OLED电流变化快慢不一致，如图5所示的(横坐标为阈值电压V_th，单位为伏V，纵坐标为电流I_OLED，单位为纳米安培nA；图6亦同)，尤其是在0V至0.8V之间，R/G/B的OLED电流变化快慢明显不一样；本技术方案的OLED显示结构中，通过设置C2(1)＞C2(2)＞C2(3)，从而可以弥补不同的V_th下的R/G/B的OLED电流变化快慢差异，如图6所示的，本技术方案的仿真实验中，不同的V_th下的R/G/B的OLED电流变化的一致性均较好，在0V至0.8V之间，R/G/B的OLED电流变化快慢也基本一样。从而，本技术方案的OLED显示结构不易出现色偏问题。

以上所述是本发明的优选实施例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种OLED显示结构，包括像素，所述像素包括第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素包括第一存储电容、第一辅助电容及第一发光区域，所述第二子像素包括第二存储电容、第二辅助电容及第二发光区域，所述第三子像素包括第三存储电容、第三辅助电容及第三发光区域，定义所述第一发光区域的面积为S(1)，定义所述第二发光区域的面积为S(2)，定义所述第三发光区域的面积为S(3)，定义所述第一辅助电容的电容值为C2(1)，定义所述第二辅助电容的电容值为C2(2)，定义所述第三辅助电容的电容值为C2(3)，其中S(1)＜S(2)＜S(3)，且C2(1)＞C2(2)＞C2(3)，所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素均包括有四个薄膜晶体管、一个存储电容、一个辅助电容及至少一个有机发光二极管，其中，所述四个薄膜晶体管的其中一个为驱动薄膜晶体管，所述辅助电容连接于一开关薄膜晶体管与该驱动薄膜晶体管之间，该开关薄膜晶体管用于接收一参考电压。

2.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述第一辅助电容的面积大于所述第二辅助电容的面积，所述第二辅助电容的面积大于所述第三辅助电容的面积。

3.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，定义所述第一存储电容的电容值为C1(1)，定义所述第二存储电容的电容值为C1(2)，定义所述第三存储电容的电容值为C1(3)，其中C1(1)＝C1(2)＝C1(3)。

4.如权利要求3所述的OLED显示结构，其特征在于，所述第一存储电容、所述第二存储电容、所述第三存储电容的面积相同。

5.如权利要求4所述的OLED显示结构，其特征在于，所述第一存储电容、所述第二存储电容、所述第三存储电容的形状不同。

6.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，所述第三子像素为蓝色子像素。

7.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管包括栅极、源极及漏极，所述存储电容连接于所述驱动薄膜晶体管的栅极及漏极之间。

8.如权利要求7所述的OLED显示结构，其特征在于，所述辅助电容连接于该开关薄膜晶体管的源极与该驱动薄膜晶体管的源极之间，或连接于该开关薄膜晶体管的漏极与该驱动薄膜晶体管的源极之间。

9.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述有机发光二极管的阳极电性连接于所述驱动薄膜晶体管的漏极。

10.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素均包括第一开关薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管、第三开关薄膜晶体管、所述驱动薄膜晶体管、所述存储电容、所述辅助电容及所述有机发光二极管；所述第一开关薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管及第三开关薄膜晶体管均包括栅极、漏极及源极；其中，所述第一开关薄膜晶体管的栅极用于接收上一级栅极信号，源极用于接收一输入信号，漏极电性连接至一节点；所述第二开关薄膜晶体管的栅极用于接收栅极信号，源极用于接收一数据信号，漏极电性连接所述驱动薄膜晶体管的栅极，其中数据信号具有一数据电压；所述第三开关薄膜晶体管的栅极用于电性连接控制主线，源极电性连接一第一参考电压，漏极电性连接所述驱动薄膜晶体管的源极；所述驱动薄膜晶体管也包括栅极、漏极及源极，所述驱动薄膜晶体管的栅极电性连接所述第二开关薄膜晶体管的漏极，源极电性连接所述第三开关薄膜晶体管的漏极，漏极电性连接至所述节点。

11.如权利要求10所述的OLED显示结构，其特征在于，所述存储电容跨接于所述驱动薄膜晶体管的栅极与漏极之间；所述辅助电容跨接于所述第三开关薄膜晶体管的源极与所述驱动薄膜晶体管(DR)的漏极之间。

12.如权利要求10所述的OLED显示结构，其特征在于，所述有机发光二极管包括阳极及阴极，所述有机发光二极管的阳极电性连接至所述驱动薄膜晶体管的漏极，阴极电性连接至一第二参考电压。

13.如权利要求10所述的OLED显示结构，其特征在于，所述有机发光二极管的阳极与阴极之间还并联一滤波电容。

14.如权利要求1所述的OLED显示结构，其特征在于，所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素均包括第一开关薄膜晶体管、所述驱动薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管、第三开关薄膜晶体管、所述存储电容、所述辅助电容及所述有机发光二极管；所述第一开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管及第三开关薄膜晶体管均包括栅极、漏极及源极；所述第一开关薄膜晶体管的栅极用于接收一扫描信号，源极接收一数据信号；驱动薄膜晶体的栅极电性连接至第一开关薄膜晶体管的漏极，并电性连接所述存储电容，源极电性连接所述第二开关薄膜晶体管的漏极；第二开关薄膜晶体管的栅极接收一开关信号，源极电性连接至一第一参考电压；第三开关薄膜晶体管的栅极接收一复位信号，源极接收一维持电压信号，漏极电性连接至驱动薄膜晶体管的漏极。

15.如权利要求14所述的OLED显示结构，其特征在于，所述存储电容跨接于所述驱动薄膜晶体管的栅极与漏极之间；所述辅助电容跨接于所述第二开关薄膜晶体管的源极与驱动薄膜晶体管的漏极之间。

16.如权利要求14所述的OLED显示结构，其特征在于，所述有机发光二极管包括阳极及阴极，所述有机发光二极管的阳极电性连接至所述驱动薄膜晶体管的漏极，阴极电性连接至一第二参考电压。

17.一种电子设备，所述电子设备包括如权利要求1至16任一项所述的OLED显示结构。

18.如权利要求17所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为手机、平板电脑、电子书。