CN113257978A - 芯片转移装置和芯片转移方法 - Google Patents

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李洪濛
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Abstract

本发明公开了一种芯片转移装置和芯片转移方法。该芯片转移装置包括掩膜版、投影元件、芯片转移基板以及芯片承载基板；投影元件设置于掩膜版远离光源的一侧，投影元件用于对掩膜版出射的光线进行投影；芯片转移基板用于在转移待转移芯片时设置于投影元件远离掩膜版的一侧，芯片转移基板用于转移待转移芯片，并通过光辐射释放待转移芯片；芯片承载基板设置于芯片转移基板远离投影元件的一侧，芯片承载基板用于承载所待转移芯片。可以有效地防止掩膜版被刮伤的现象，而且可以根据需要降低掩膜版的加工难度。另外，可以提高芯片转移的效率，同时芯片转移基板可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高芯片转移基板的通用性。

Description

芯片转移装置和芯片转移方法
技术领域
本发明实施例涉及芯片转移技术领域，尤其涉及一种芯片转移装置和芯片转移方法。
背景技术
在制作Mini发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示面板以及micro LED显示面板时，需要通过转移的方式，将发光颜色不同的mini/micro LED芯片从芯片基板上以特定的排列方式转移到同一芯片承载基板上，从而形成像素阵列。现有技术中，在转移LED芯片时，可以通过多组转移头，采用一一对应的方式，或通过磁性吸附的方式，实现LED芯片的拾取和释放。由于转移过程中LED芯片的数量巨大，且转移头受物理空间、机械运动等诸多限制，导致采用转移头转移LED芯片时效率低下，同时容易因机械贴近造成缺陷，制约了mini LED显示面板和micro LED显示面板量产的瓶颈。
发明内容
本发明提供一种芯片转移装置和芯片转移方法，以降低因机械体积造成的缺陷，同时提高了芯片批量转移的效率。
第一方面，本发明实施例提供了一种芯片转移装置，包括掩膜版、投影元件、芯片转移基板以及芯片承载基板；
所述投影元件设置于所述掩膜版远离光源的一侧，所述投影元件用于对所述掩膜版出射的光线进行投影；所述芯片转移基板用于在转移待转移芯片时设置于所述投影元件远离所述掩膜版的一侧，所述芯片转移基板用于转移待转移芯片，并通过光辐射释放所述待转移芯片；所述芯片承载基板设置于所述芯片转移基板远离所述投影元件的一侧，所述芯片承载基板用于承载所待转移芯片。
可选地，所述投影元件包括投影镜头，所述投影镜头的倍率大于或等于1。
可选地，所述芯片转移基板包括第一对位标记，所述芯片承载基板包括至少一类第二对位标记，所述第一对位标记与一类所述第二对位标记对准，所述投影元件用于根据所述第一对位标记确定所述芯片承载基板的投影照射区域。
可选地，所述掩膜版包括第三对位标记，所述第三对位标记用于与所述第一对位标记对准。
可选地，所述芯片转移基板包括转移载板和光辐射释放膜层，所述光辐射释放膜层设置于所述转移载板远离所述投影元件的表面，所述光辐射释放膜层用于拾取所述待转移芯片，并通过光辐射释放所述待转移芯片。
可选地，所述光辐射释放膜层包括衬底以及设置在所述衬底上的缓冲层和非晶硅层，所述缓冲层设置于所述衬底上，所述非晶硅层设置于所述缓冲层上；所述非晶硅层的材料包括氢化非晶硅。
可选地，所述氢化非晶硅中的氢含量占所述氢化非晶硅的比例为8％-15％。
第二方面，本发明实施例还提供了一种芯片转移方法，采用第一方面任意实施例提供的芯片转移装置实施，包括：
转移芯片转移基板，使所述芯片转移基板与芯片承载基板对准；
设置掩膜版，使所述掩膜版与所述芯片转移基板对准；
设置投影元件，使所述投影元件对所述掩膜版出射的光线投影至所述芯片转移基板；
在所述掩膜版远离所述芯片转移基板的一侧进行曝光，使所述芯片转移基板通过光辐射释放所述待转移芯片至所述芯片承载基板上。
可选地，所述芯片转移基板包括第一对位标记，所述芯片承载基板包括至少一类第二对位标记；转移芯片转移基板，使所述芯片转移基板与芯片承载基板对准，包括：
转移所述芯片转移基板，使所述第一对位标记与一类所述第二对位标记对准。
可选地，当所述第二对位标记包括至少两类时，在所述掩膜版远离所述芯片转移基板的一侧进行曝光，使所述芯片转移基板通过光辐射释放所述待转移芯片至所述芯片承载基板上之后，还包括：
转移所述芯片转移基板，使所述第一对位标记与另一类所述第二对位标记对准。
本发明实施例的技术方案，通过设置投影元件位于掩膜版和芯片转移基板之间，投影元件可以增加掩膜版与芯片转移基板之间的工作距离，从而可以有效地防止掩膜版被刮伤的现象。而且，投影元件可以根据芯片转移过程中的需求设置倍率，从而可以提高芯片转移过程中以特定的排列方式释放待转移芯片的精度，同时可以降低掩膜版开口的尺寸精度需求，进而降低了掩膜版的加工难度。另外，芯片转移基板采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片批量转移的效率。而且，当待转移芯片的尺寸越小时，芯片转移基板单位面积内转移的待转移芯片数量越多，待转移芯片的转移效率就越高。另外，使用芯片转移基板转移待转移芯片时，可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板的通用性。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种芯片转移装置的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种芯片转移装置的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种芯片承载基板的俯视图；
图4为本发明实施例提供的另一种芯片承载基板的俯视图；
图5为本发明实施例提供的一种芯片转移基板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种芯片转移方法的流程示意图；
图9为步骤S810对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图10为步骤S820对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图11为步骤S830对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图；
图12为步骤S840对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种芯片转移装置的结构示意图。如图1所示，该芯片转移装置包括掩膜版110、投影元件120、芯片转移基板130以及芯片承载基板140；投影元件120设置于掩膜版110远离光源的一侧，投影元件120用于对掩膜版110出射的光线进行投影；芯片转移基板130用于在转移待转移芯片时设置于投影元件120远离掩膜版110的一侧，芯片转移基板130用于转移待转移芯片，并通过光辐射释放待转移芯片；芯片承载基板140设置于芯片转移基板130远离投影元件120的一侧，芯片承载基板140用于承载所待转移芯片。
具体地，芯片转移装置还可以包括芯片基板(图1中未示出)，芯片基板上设置有待转移芯片。在芯片转移基板130转移待转移芯片之前，芯片转移基板130从芯片基板上拾取待转移芯片，然后移动芯片转移基板130，使芯片转移基板130与芯片承载基板140相对设置，为芯片承载基板140承载芯片转移基板130拾取的待转移芯片做准备。掩膜版110上设置有开口111，在掩膜版110的一侧设置有光源时，光源提供的光线可以通过掩膜版110的开口111射至掩膜版110远离光源一侧的投影元件120，投影元件120对掩膜版110出射的光线进行投影，使光线照射至芯片转移基板130。芯片转移基板130在光辐射的作用下释放待转移芯片，芯片承载基板140承载待转移芯片，从而实现待转移芯片的批量转移。在上述过程中，掩膜版110可以根据开口111的位置控制光线通过投影元件120投影至芯片转移基板130的位置，从而可以实现芯片转移基板130通过光辐射的作用以特定的排列方式释放待转移芯片，使芯片承载基板140承载释放的待转移芯片，从而在芯片承载基板140上形成像素阵列。
由于投影元件120设置于掩膜版110和芯片转移基板130之间，投影元件120可以增加掩膜版110与芯片转移基板130之间的工作距离，从而可以有效地防止掩膜版110被刮伤的现象。而且，投影元件120可以根据芯片转移过程中的需求设置倍率，从而可以提高芯片转移过程中以特定的排列方式释放待转移芯片的精度，同时可以降低掩膜版110开口111的尺寸精度需求，进而降低了掩膜版110的加工难度。另外，芯片转移基板130采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片批量转移的效率。而且，当待转移芯片的尺寸越小时，芯片转移基板130单位面积内转移的待转移芯片数量越多，待转移芯片的转移效率就越高。另外，使用芯片转移基板130转移待转移芯片时，可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板的通用性。
在上述技术方案的基础上，投影元件包括投影镜头，投影镜头的倍率大于或等于1。
具体地，投影镜头可以根据对掩膜版出射的光线进行投影，使其照射至芯片转移基板上。掩膜版出射的光线数量和位置由掩膜版上的开口确定。当投影镜头对掩膜版出射的光线进行投影时，可以根据芯片转移基板所需的光线以及掩膜版的开口尺寸对光线进行不同倍率的投影，不仅可以提高芯片转移基板上的待转移芯片释放精度，同时可以降低掩膜版的尺寸精度要求，进而降低了掩膜版的加工难度。示例性地，芯片转移基板上的待转移芯片的尺寸为1um*1um，使用倍率为1:1的投影镜头时，掩膜版的开口尺寸可以为1um*1um，使掩膜版的每个开口能够为芯片转移基板上的待转移芯片提供光线，从而可以提高芯片转移基板上的待转移芯片释放精度。当投影经过的倍率大于1时，例如为5:1，此时掩膜版的开口尺寸可以为5um*5um，从而可以极大的降低了掩膜版的尺寸精度要求，进而降低了掩膜版的加工难度。
需要说明的是，在其他实施例中，投影镜头的倍率还可以为其他的数值，例如为4:1，此处不做限定。
图2为本发明实施例提供的另一种芯片转移装置的结构示意图，图3为本发明实施例提供的一种芯片承载基板的俯视图。如图2和图3所示，芯片转移基板130包括第一对位标记131，芯片承载基板140包括至少一类第二对位标记141，第一对位标记131与一类第二对位标记141对准，投影元件120用于根据第一对位标记131确定芯片承载基板140的投影照射区域。
具体地，对位标记可以用于不同结构之间的对准，以确定待转移芯片转移时的位置。芯片承载基板140还设置有电极142，电极142与待转移芯片对准，可以形成芯片承载基板140的像素。芯片承载基板140可以包括一类第二对位标记141，此时第二对位标记141用于标记芯片承载基板140上的所有电极142，投影元件120根据第一对位标记131确定芯片转移基板130的投影照射区域可以为芯片承载基板140承载待转移芯片的整体区域，芯片转移基板130可以一次性释放待转移芯片。在第一对位标记131与第二对位标记141对准后，芯片转移基板130上的待转移芯片分别与芯片承载基板140上的电极142对准，实现待转移芯片的转移。芯片承载基板140还可以包括至少两类的第二对位标记141，不同类的第二对位标记141对应芯片承载基板140上不同的电极142，当第一对位标记131与一类第二对位标记141对准后，投影元件120根据第一对位标记131对应的芯片承载基板140上的电极142位置确定芯片承载基板140的投影照射区域，芯片转移基板130中与电极142对应的待转移芯片在投影元件120投影的光线作用下释放，从而可以实现芯片转移基板130上与投影照射区域对应的待转移芯片的转移。
需要说明的是，在一类第二对位标记141对应的电极142承载待转移芯片后，可以使另一类的第二对位标记141与第一对位标记131对准，并重复上述过程，投影元件120根据第一对位标记131重新确定芯片承载基板140的投影照射区域，使当前的投影照射区域对应的待转移芯片在投影元件120投影的光线作用下释放，并与芯片承载基板140上对应位置的电极142形成像素，完成投影照射区域对应的待转移芯片的转移。示例性地，图4为本发明实施例提供的另一种芯片承载基板的俯视图。如图4所示，芯片承载基板可以分为4个投影照射区域，依次为第一投影照射区域101、第二投影照射区域102、第三投影照射区域103和第四投影照射区域104。此时可以依次设置投影元件120投影的光线照射至不同的投影照射区域，然后芯片转移基板130将不同的投影照射区域对应的待转移芯片释放，实现待转移芯片的批量转移到芯片承载基板140上不同的指定位置。
继续参考图2，掩膜版110包括第三对位标记112，第三对位标记112用于与第一对位标记131对准。
具体地，在芯片转移基板130与芯片承载基板140对准后，设置第三对位标记112与第一对位标记131对准，使掩膜版110与芯片转移基板130对准，从而可以使掩膜版110透过开口111的光线通过投影元件120照射至对应的投影照射区域，实现待转移芯片的转移。
图5为本发明实施例提供的一种芯片转移基板的结构示意图，如图5所示，芯片转移基板130包括转移载板132和光辐射释放膜层133，光辐射释放膜层133设置于转移载板132远离投影元件的表面，光辐射释放膜层133用于拾取待转移芯片，并通过光辐射释放待转移芯片。
具体地，转移载板132具有承载作用，示例性地，转移载板132可以为柔性载板，也可以为刚性载板(例如玻璃载板)。光辐射释放膜层133设置于转移载板132远离投影元件的表面，在芯片转移基板130转移待转移芯片时，光辐射释放膜层133拾取待转移芯片，在芯片转移基板130转移至芯片承载基板140的上方时，投影元件投影的光线照射至光辐射释放膜层133，使得光辐射释放膜层133在光线的作用下释放待转移芯片，芯片承载基板140承载待转移芯片，从而实现了采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片批量转移的效率。而且，当待转移芯片的尺寸越小时，光辐射释放膜层133单位面积内转移的待转移芯片数量越多，待转移芯片的转移效率就越高。另外，使用光辐射释放膜层133转移待转移芯片时，可以适应待转移芯片之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板130的通用性。
示例性地，光辐射释放膜层133可以为具有粘性的光辐射释放胶。在光辐射释放膜层133拾取待转移芯片时，可以通过光辐射释放膜层133的粘性拾取待转移芯片，然后通过光线照射光辐射释放膜层133，使光辐射释放膜层133的粘性消失，从而实现释放待转移芯片。另外，图6为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图。如图6所示，光辐射释放膜层133还可以是通过点胶形成的图案化膜层，点胶的位置与待转移芯片的位置相对设置，从而既可以实现光辐射释放膜层133转移待转移芯片，同时可以减少光辐射释放膜层133的使用。
图7为本发明实施例提供的另一种芯片转移基板的结构示意图，如图7所示，光辐射释放膜层133包括衬底1331以及设置在衬底1331上的缓冲层1332和非晶硅层1333，缓冲层1332设置于衬底1331上，非晶硅层1333设置于缓冲层1332上；非晶硅层1332的材料包括氢化非晶硅。
具体地，衬底1331可以为透光性好的基板，例如为玻璃基板，从而可以保证投影元件投影提供的光线通过衬底1331和缓冲层1332照射至非晶硅层1333。缓冲层1332的材料可以是二氧化硅，通过在衬底1331和非晶硅层1333之间设置缓冲层1332，可以避免衬底1331上的钠、钾等离子污染非晶硅层1333，保证非晶硅层1333的纯净。非晶硅层1333设置于缓冲层1332上，当光辐射释放膜层133拾取待转移芯片时，待转移芯片与非晶硅层1333贴合。非晶硅层1333可以通过化学气相沉积工艺形成，非晶硅层1333中包括氢化非晶硅，当光线照射至非晶硅层1333时，非晶硅层1333可以瞬间吸收光源内的能量，使得非晶硅层1333产生氢爆，从而形成推力使贴合在非晶硅层1333的待转移芯片脱落，实现了光辐射释放膜层1330释放待转移芯片。
示例性地，光线可以为激光，激光的能量比较高，使得非晶硅层1333容易吸收比较的能量从而产生氢爆。
在上述技术方案的基础上，氢化非晶硅中的氢含量占氢化非晶硅的比例为8％-15％。
具体地，非晶硅层1333中的氢化程度可以直接影响非晶硅层1333产生氢爆的程度。当非晶硅层1333中的氢化程度比较低时，在非晶硅层1333吸收光线内的能量后，非晶硅层1333产生的氢爆程度比较低，此时对待转移芯片形成的推力比较小，容易造成待转移芯片无法由光辐射释放膜层133释放的情况。当非晶硅层1333中的氢化程度比较高时，在非晶硅层1333吸收光线内的能量后，非晶硅层1333产生的氢爆程度比较高，此时对待转移芯片形成的推力比较大，容易造成待转移芯片的损坏或释放至芯片承载基板时位置发生偏移的现象。此时可以设置氢化非晶硅中的氢含量占氢化非晶硅的比例为8％-15％，既可以保证待转移芯片被释放，同时可以降低待转移芯片的损坏或位置偏移。
本发明实施例还提供一种芯片转移方法，采用本发明任意实施例提供的芯片转移装置实施。图8为本发明实施例提供的一种芯片转移方法的流程示意图。如图8所示，该芯片转移方法包括：
S810、转移芯片转移基板，使芯片转移基板与芯片承载基板对准；
具体地，图9为步骤S810对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图9所示，芯片转移基板130上拾取有待转移芯片134，转移芯片转移基板130，使芯片转移基板130与芯片承载基板140对准，此时待转移芯片134与芯片承载基板140相对设置，为后期芯片承载基板140承载待转移芯片134做准备。芯片转移基板130上设置有第一对位标记131，芯片承载基板140上设置有第二对位标记141和电极142，在芯片转移基板130和芯片承载基板140对准时，可以使第一对位标记131与第二对位标记141对准，待转移芯片134与电极142对准。
继续参考图9，芯片转移装置还可以包括图像获取元件，用于实时获取第一对位标记131和第二对位标记141的相对位置，从而可以根据第一对位标记131和第二对位标记141的相对位置调整芯片转移基板130的位置，使第一对位标记131与第二对位标记141准确对位。示例性地，芯片转移装置可以包括电荷耦合元件(Charge-coupled Device，CCD)，在第一对位标记131与第二对位标记141对位过程中，可以通过CCD实时获取第一对位标记131与第二对位标记141的相对位置，然后根据第一对位标记131与第二对位标记141的相对位置调整芯片转移基板130的位置，直至第一对位标记131与第二对位标记141准确对位。
需要说明的是，第一对位标记131和第二对位标记141均可以包括多个，此时可以设置多个图像获取元件，每个图像获取单元对应一个第一对位标记131和第一对位标记131对应的第二对位标记141，然后根据不同的图像获取元件分别对多个第一对位标记131和第二对比标记141进行准确对位。
S820、设置掩膜版，使掩膜版与芯片转移基板对准；
具体地，图10为步骤S820对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图10所示，掩膜版110上设置有第三对位标记112。在掩膜版110与芯片转移基板130对准时，使第三对位标记112与第一对位标记131对准，从而在后续设置投影元件后，掩膜版110通过开口111出射的光线能够投影至芯片转移基板130的投影照射区域。
需要说明的是，在第三对位标记112与第一对位标记131对准时，同样可以采用图像获取元件实时获取第一对位标记131和第三对位标记112的相对位置，从而可以根据第一对位标记131和第三对位标记112的相对位置调整掩膜版110的位置，使第一对位标记131与第三对位标记112准确对位。
S830、设置投影元件，使投影元件对掩膜版出射的光线投影至芯片转移基板；
具体地，图11为步骤S830对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图11所示，在掩膜版110与芯片转移基板130对准后，设置投影元件120位于掩膜版110与芯片转移基板130之间，使投影元件120对掩膜版110出射的光线投影至芯片转移基板130的投影照射区域。
S840、在掩膜版远离芯片转移基板的一侧进行曝光，使芯片转移基板通过光辐射释放待转移芯片至芯片承载基板上。
具体地，图12为步骤S840对应的一种芯片转移装置的部分结构示意图。如图12所示，在掩膜版110远离芯片转移基板130的一侧设置光源，光源提供的光线通过掩膜版110后再经过投影元件120投影至芯片转移基板130的投影照射区，投影照射区域对应的待转移芯片134在光线的光辐射作用下被释放，芯片承载基板140承载待转移芯片134，从而实现待转移芯片134的批量转移。在上述过程中，掩膜版110可以根据开口111的位置控制光线通过投影元件120投影至芯片转移基板130的位置，从而可以实现芯片转移基板130通过光辐射的作用以特定的排列方式释放待转移芯片134，使芯片承载基板140承载释放的待转移芯片，从而在芯片承载基板140上形成像素阵列。
由于投影元件120设置于掩膜版110和芯片转移基板130之间，投影元件120可以增加掩膜版110与芯片转移基板130之间的工作距离，从而可以有效地防止掩膜版110被刮伤的现象。而且，投影元件120可以根据芯片转移过程中的需求设置倍率，从而可以提高芯片转移过程中以特定的排列方式释放待转移芯片134的精度，同时可以降低掩膜版110开口111的尺寸精度需求，进而降低了掩膜版110的加工难度。另外，芯片转移基板130采用光辐射的方式快速的批量转移待转移芯片134，不仅能够有效地克服了采用转移头转移待转移芯片134时的物理空间、机械运动等诸多限制，提高了待转移芯片134批量转移的效率。而且，当待转移芯片134的尺寸越小时，芯片转移基板130单位面积内转移的待转移芯片134数量越多，待转移芯片134的转移效率就越高。另外，使用芯片转移基板130转移待转移芯片134时，可以适应待转移芯片134之间具有不同的间距，从而提高了芯片转移基板130的通用性。
在其他实施例中，当芯片转移基板包括第一对位标记，芯片承载基板包括至少一类第二对位标记；转移芯片转移基板，使芯片转移基板与芯片承载基板对准，包括：
转移芯片转移基板，使第一对位标记与一类第二对位标记对准。
具体地，通过设置第一对位标记与一类第二对位标记对准，可以根据第一对位标记确定芯片转移基板的投影照射区域，从而可以通过投影元件对投影照射区域对应的待转移芯片投影光线，使芯片转移基板通过光线的光辐射释放待转移芯片，实现待转移芯片的批量转移。
在上述技术方案的基础上，当第二对位标记包括至少两类时，在掩膜版远离芯片转移基板的一侧进行曝光，使芯片转移基板通过光辐射释放待转移芯片至芯片承载基板上之后，还包括：
转移芯片转移基板，使第一对位标记与另一类第二对位标记对准。
具体地，当第二对位标记包括至少两类时，每一类第二对位标记可以对应芯片承载基板上的部分区域，使得第一对位标记与不同类的第二对位标记对准时形成多个投影照射区域。当第一对位标记与一类对位标记对准，并通过光辐射使芯片转移基板批量转移部分待转移芯片后，可以重复上述过程，使第一对位标记与另一类第二对位标记对准，此时可以重新确定投影照射区域，使当前的投影照射区域对应的待转移芯片在投影元件投影的光线作用下释放，并与芯片承载基板上对应位置的电极形成像素，完成投影照射区域对应的待转移芯片的转移。由此可以实现芯片转移基板上的待转移芯片分批释放。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种芯片转移装置，其特征在于，包括掩膜版、投影元件、芯片转移基板以及芯片承载基板；
所述投影元件设置于所述掩膜版远离光源的一侧，所述投影元件用于对所述掩膜版出射的光线进行投影；所述芯片转移基板用于在转移待转移芯片时设置于所述投影元件远离所述掩膜版的一侧，所述芯片转移基板用于转移待转移芯片，并通过光辐射释放所述待转移芯片；所述芯片承载基板设置于所述芯片转移基板远离所述投影元件的一侧，所述芯片承载基板用于承载所待转移芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，所述投影元件包括投影镜头，所述投影镜头的倍率大于或等于1。
3.根据权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，所述芯片转移基板包括第一对位标记，所述芯片承载基板包括至少一类第二对位标记，所述第一对位标记与一类所述第二对位标记对准，所述投影元件用于根据所述第一对位标记确定所述芯片承载基板的投影照射区域。
4.根据权利要求3所述的芯片转移装置，其特征在于，所述掩膜版包括第三对位标记，所述第三对位标记用于与所述第一对位标记对准。
5.根据权利要求1所述的芯片转移装置，其特征在于，所述芯片转移基板包括转移载板和光辐射释放膜层，所述光辐射释放膜层设置于所述转移载板远离所述投影元件的表面，所述光辐射释放膜层用于拾取所述待转移芯片，并通过光辐射释放所述待转移芯片。
6.根据权利要求5所述的芯片转移装置，其特征在于，所述光辐射释放膜层包括衬底以及设置在所述衬底上的缓冲层和非晶硅层，所述缓冲层设置于所述衬底上，所述非晶硅层设置于所述缓冲层上；所述非晶硅层的材料包括氢化非晶硅。
7.根据权利要求6所述的芯片转移装置，其特征在于，所述氢化非晶硅中的氢含量占所述氢化非晶硅的比例为8％-15％。
8.一种芯片转移方法，采用权利要求1-7任一项所述的芯片转移装置实施，其特征在于，包括：
转移芯片转移基板，使所述芯片转移基板与芯片承载基板对准；
设置掩膜版，使所述掩膜版与所述芯片转移基板对准；
设置投影元件，使所述投影元件对所述掩膜版出射的光线投影至所述芯片转移基板；
在所述掩膜版远离所述芯片转移基板的一侧进行曝光，使所述芯片转移基板通过光辐射释放所述待转移芯片至所述芯片承载基板上。
9.根据权利要求8所述的芯片转移方法，其特征在于，所述芯片转移基板包括第一对位标记，所述芯片承载基板包括至少一类第二对位标记；转移芯片转移基板，使所述芯片转移基板与芯片承载基板对准，包括：
转移所述芯片转移基板，使所述第一对位标记与一类所述第二对位标记对准。
10.根据权利要求9所述的芯片转移方法，其特征在于，当所述第二对位标记包括至少两类时，在所述掩膜版远离所述芯片转移基板的一侧进行曝光，使所述芯片转移基板通过光辐射释放所述待转移芯片至所述芯片承载基板上之后，还包括：
转移所述芯片转移基板，使所述第一对位标记与另一类所述第二对位标记对准。
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