CN113227756B - 电子显微观察用试样的制作系统、电子显微观察用试样的制作方法、及它们所使用的等离子体处理装置、溅射装置、以及带传送机构 - Google Patents
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Abstract
提供利用使用了简便的装置的简便方法,使试样切片的连续电子显微观察成为可能的电子显微观察用的试样制作系统以及方法。在带上配置有试样的切片的电子显微观察用的试样制作系统具备:使树脂带在等离子体照射区域内移动,进行等离子体照射以连续地亲水化的等离子体处理装置、和使上述树脂带在溅射区域内移动,连续地溅射以进行导电化的溅射装置的至少一者;以及在利用上述等离子体处理装置或溅射装置进行了处理的上述树脂带的被处理面上,将被连续地切削的上述试样的切片进行依次回收的回收装置。
Description
技术领域
本发明涉及电子显微观察用试样的制作,特别涉及在实施了亲水化处理和导电化处理的至少一者的树脂带上配置有生物体组织的切片的电子显微观察用试样的制作系统、电子显微观察用试样的制作方法、以及它们所使用的等离子体处理装置、溅射装置以及带传送机构。
背景技术
以往,在将生物体组织进行扫描电子显微镜观察的情况下,将进行了树脂包埋的生物体组织利用切片机等薄切而得的切片搭载于塑料带上,将该塑料带在硅晶片等平坦的板上,各1块依次配置来制作试样。
近年来,开发了将电子显微镜观察用的切片连续并且自动地薄切来回收的装置,使用了该装置在塑料带上回收切片的研究室增加。
在该方法中,将进行了树脂包埋的试样利用金刚石刀依次切削,使切削的切片在水等上上浮,在该上浮的切片上同步地移动的带上,将切片以切削顺序进行回收(例如参照非专利文献1)。
然而,塑料带具有产生静电、拨水性,因此发生在塑料带上回收的切片产生褶皱,切片被飞散等问题。
如果将搭载于塑料带的切片直接用扫描电子显微镜进行观察,则带电(chargeup)而难以观察。因此,对于切片薄薄地实施碳等的导电性涂布,对于塑料带赋予导电性以利用扫描电子显微镜进行观察(参照非专利文献1)。这是因为:虽然带本身由具有导电性的材质(例如,金属等)形成是理想的,但是具有导电性的材质通常表面的平坦性并不充分,因此不能用作搭载切片的带。
另一方面,已知将磁带的表面进行等离子体处理的装置(例如参照专利文献1)、对于长条膜实施溅射的装置(例如参照专利文献2)。然而,这些等离子体处理装置、溅射装置为工业用,装置的结构精密,或者为大型装置,存在不适于电子显微镜观察用的试样制作这样的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平07-256087号公报
专利文献2:日本特开2018-9247号公报
非专利文献
非专利文献1:超薄連続切片自動回収機ATUMを用いた試料作製方法、日本顕微鏡学会 P176-180,Vol.49,No.3,(2014)(使用了超薄连续切片自动回收机ATUM的试样制作方法,日本显微镜学会 P176-180,Vol.49,No.3,(2014))
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是为了解决上述课题而提出的,其目的在于采用与以往相比简单的构成和方法,实现使用了由生物体组织形成的切片的电子显微观察用试样的制作。
特别是提供通过进行用于降低带表面的静电或拨水性的等离子体处理以及用于对于带赋予导电性的溅射处理的至少一者,从而利用使用了简便的装置的简便的方法,能够进行由生物体组织形成的切片的电子显微观察的电子显微观察用的试样制作方法和系统。
用于解决课题的方法
本发明人等认识到通过将树脂带的表面事先进行亲水化处理,从而能够在该带上连续地回收切片,容易并且确实地平坦地固定。此外,认识到通过将树脂带的表面事先进行导电化处理,从而即使搭载于树脂带上的切片没有形成碳涂层等导电性膜,也能够不利用扫描电子显微镜进行带电,以高对比度并且高分辨率进行切片的观察等。
本发明是基于上述认识而提出的。在本发明的一方式中,电子显微观察用试样的制作系统具备:
使树脂带在等离子体照射区域内移动,进行等离子体照射以连续地亲水化的等离子体处理装置、和使上述树脂带在溅射区域内移动,连续地溅射以进行导电化的溅射装置的至少一者,以及
在利用上述等离子体处理装置或溅射装置进行了处理的上述树脂带的被处理面上,将被连续地切削的上述试样的切片进行依次回收的回收装置。
根据该电子显微观察用试样的制作系统,通过利用等离子体处理装置将树脂制的带表面进行亲水化,从而即使在具有拨水性、静电的带上,也没有被排斥就能够平坦地搭载切片。此外,由于使用通过溅射装置被导电化的树脂带,因此即使在例如扫描电子显微镜观察中,也能够不进行带电,取得高对比度并且高析像度的图像。
根据电子显微观察用试样的制作系统所使用的等离子体装置,由于能够将由生物体组织形成的切片平坦地搭载,因此能够将塑料等拨水性的带、产生静电的带的表面利用简便的装置和方法进行亲水化。
根据电子显微观察用试样的制作系统所使用的溅射装置,由于能够进行由生物体组织形成的切片的电子显微镜观察,因此能够利用简便的装置和方法将塑料等没有导电性的带进行表面处理而赋予导电性。
发明的效果
采用与以往相比简单的构成和方法,实现使用了由生物体组织形成的切片的电子显微观察用试样的制作。本发明的电子显微观察用的试样制作方法和装置能够将由生物体组织形成的切片以高对比度并且高析像度进行连续电子显微观察。
附图说明
图1A为实施方式的电子显微观察用试样的制作系统的示意图。
图1B为本实施方式的电子显微镜观察的整体工序图。
图2为本实施方式的等离子体处理装置的构成图(其1:亲水化处理)。
图3为表示带被本实施方式的等离子体处理装置的引导轴引导的状态的一例的示意图。
图4为本实施方式的等离子体处理工序的动作说明流程图。
图5为本实施方式的溅射装置的构成图(其2:导电化处理)。
图6为表示本实施方式的溅射装置的带被引导的机构(引导轴)的一例的示意图。
图7为表示带被本实施方式的溅射装置的引导轴引导的状态的一例的示意图。
图8为表示本实施方式的溅射装置所具备的传感器的一例的示意图。
图9为本实施方式的溅射工序的动作说明流程图。
图10为利用图5的溅射装置的带卷绕的外观图。
图11为本实施方式的切片制作(S4)和切片回收(S5)的详细工序图。
图12为表示本实施方式的切断的带在晶片上的排列(S8)的图。
图13A为表示本实施方式的电子显微观察(S9)的例子的图。
图13B为表示利用本实施方式的电子显微观察的图像分析(S9)的例子的图。
图14为本实施方式的电子显微观察中的观察和图像分析(S9)的说明图。
图15为由本实施方式的电子显微镜观察得到的图像的例子(S9)。
图16为由本实施方式的电子显微镜观察得到的图像的其它例。
具体实施方式
实施方式的电子显微观察用试样的制作系统对于试样搭载用的带表面实施连续地亲水化处理,以及导电化处理的至少一者,在处理后的带上将试样的切片连续地回收。试样搭载用的带为例如树脂带。通过本实施方式的试样制作系统,从而能够将搭载有试样的切片的树脂带固定于硅晶片、玻璃基材等基板上,进行例如扫描电子显微镜观察。即使在切片搭载后没有进行导电性涂布,有能够没有进行带电地以高对比度并且高分辨率观察切片,或者取得图像(以下,只要没有特别规定,电子显微镜观察作为包含取得观察图像在内的观察来记载)。
图1A为实施方式的电子显微观察用的试样制作系统100的示意图。电子显微观察用的试样制作系统100包含等离子体处理装置110与溅射装置120的至少一者、以及回收装置130。实施了前处理的带被导入至等离子体处理装置110或溅射装置120。在进行等离子体处理和溅射处理这两者的情况下,可以先进行任一者,但由于等离子体处理具有表面净化作用,因此作为一例,在等离子体处理之后,进行赋予导电性的溅射处理。
被导入的带为用于搭载生物体试样等的切片所使用的带,带的宽度作为一例,为1mm以上10mm以下,优选为数毫米程度,或数毫米以下。等离子体处理装置110和溅射装置120对于这样的宽度的窄带高效地实施等离子体处理或溅射,因此具有紧凑且高效的带输送机构。
等离子体处理装置110具有控制等离子体处理装置110的整体动作和各个部件的动作的控制装置115。溅射装置120具有控制溅射装置120的整体动作和各个部件的动作的控制装置125。控制装置可以不一定单独地配置于等离子体处理装置110和溅射装置120的内部,个人计算机等外部的信息处理装置可以作为控制装置被连接。
实施了等离子体处理或溅射的树脂带设置于回收装置130的卷轴,试样的切片被连续地搭载于带上。事先对于树脂带的表面实施了等离子体处理,以及赋予导电性的溅射处理的至少一者,因此切片在带上的规定的位置被依次正确地配置。此外,抑制带电。
搭载有试样的切片的树脂带可以在带排列平台上,以适于电子显微观察和库(library)用的形态排列在基板上。装置间的带的传送可以是操作者以手动方式来进行,也可以通过器械臂、传送装置被自动传送。
图1B为说明本实施方式的电子显微镜用试样的制作方法以及使用了该方法的电子显微镜观察的整体的工序的图。以下依次详细地说明。
工序S1为进行带的前处理的工序。
(1)树脂带
作为树脂带,能够使用具有耐进展性(没有伸长)、表面平坦性、耐化学性、耐热性的树脂制的带。树脂带具有耐化学性,因此即使在后述的使用了铀、铅的电子染色时,也抑制变形、变性。此外,通过具有耐热性,因此即使在对于树脂带实施了等离子体处理、溅射时,也抑制变形、变性。
作为具有上述那样的特性的树脂带的材质,能够使用聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚醚酮(PEEK)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等。所使用的树脂材料能够根据电子显微观察的方法来选择。例如,在将电子显微镜观察和荧光观察利用相同的切片同时进行的情况下,带本身不具有自发荧光的材料为好。这是因为自发荧光为由树脂材料本身产生的自发的荧光,成为观测来源于人工地添加的标志物的光的荧光观察的噪声。作为不具有自发荧光的带的一例,能够使用聚碳酸酯。PET、聚酰亚胺在特定的波长具有荧光,PEEK在几乎全波长具有颜色,但是这些材料在电子显微镜观察中也适合使用。
另外,带本身具有导电性是理想的,但是具备导电性的材质(例如金属等)往往平坦性、耐化学性不充分。例如铝的平坦性高,但耐化学性低,因此难以在电子显微镜观察中使用。因此,在本实施方式中,使用了树脂带。
树脂带的宽度能够根据例如从生物体组织切出切片的回收装置130的带有水槽的金刚石刀的构成来进行设计。树脂带的宽度的通常宽度为2.5mm以上10mm以下,如果为7.5~8.0mm左右,则充分。对于树脂带的厚度,也与上述同样地,能够根据带有水槽的金刚石刀的构成进行设计,优选为30~70μm。如果厚度为30μm以上,则容易操作,如果为70μm以下,则能够使用通常的带有水槽的金刚石刀,顺利地回收切片。
(2)带前处理(S1)
首先,在带前处理工序(S1)中,将树脂带表面进行净化。在该带的前处理工序中,利用乙醇等擦拭树脂带表面,主要除去附着于树脂带表面的大的尘埃、污染。
利用带前处理工序被净化的树脂带被卷绕于等离子体处理装置所使用的卷轴,被移送至接下来的工序S2。
(3)等离子体处理(S2)
在图1B中,工序S2为等离子体处理工序。在等离子体处理工序中,对于树脂带表面照射等离子体,将树脂带表面进行亲水化。此外,能够通过等离子体处理除去树脂带表面的微细的污染物。
在等离子体处理工序中,首先,将卷绕有树脂带的卷轴放置于等离子体处理装置110。然后,使卷轴旋转,将树脂带传送至等离子体处理装置110的室内的等离子体电极之间(等离子体照射区域),使其在等离子体照射区域内移动。由此,对于带表面照射等离子体。
图2为表示本实施方式的等离子体处理所使用的等离子体处理装置110的构成一例的图。图2的(a)表示平面图,图2的(b)表示主视图,图2的(c)表示侧视图。将带的传送方向设为X方向,将装置的高度方向设为Z方向,将与X方向和Z方向正交的方向设为Y方向。
图2所示的等离子体处理装置110具备作为等离子体电极对置的阳极和阴极。等离子体电极例如,由上下对置地配置的金属制的圆板形成,具有能够对于4、5、6、7、8英寸等的晶片照射等离子体的尺寸。如果等离子体电极的配置彼此对置,则上下的关系并不受限,根据等离子体处理装置110的设置状态,即使左右(例如与X-Z面平行)对置也没有关系。等离子体电极在图2中,使用了不锈钢,但是除此以外,可以为通过放电没有放出金属那样的其它材料。带3为上述树脂带,在一对等离子体电极之间,以将带面相对于电极面垂直的状态被展开。
等离子体处理装置110具备:卷绕带3的卷轴5-1(第1卷轴)和传送侧的卷轴5-2(第2卷轴),以及固定卷轴5-1、5-2的旋转轴8-1、8-2。在卷轴5-1、5-2的、例如,卷绕带3的卷绕轴的外周设置凹凸部,在旋转轴8-1、8-2的外周设置凹凸部,使它们嵌合,从而能够将卷轴5-1、5-2固定于旋转轴8-1、8-2。
壳体6收纳等离子体处理装置110的整体。壳体6如图2所示那样,为收纳对置的等离子体电极、卷轴5-1、5-2和其上所卷绕的带3等的能够真空排气的容器(室)。在壳体6中,附设有没有图示的、减压泵等真空排气机构,由此能够将壳体6内真空排气。能够在壳体6的上表面,即,溅射电极2的上方设置带有窗的门,通过门的开关来将带3取出和放入至壳体6。窗使用透明基板等以能够使内部可见地方式构成。从耐热性、耐化学性方面考虑,作为透明基板,能够使用丙烯酸系树脂、聚碳酸酯等树脂基板、玻璃板。
如上述那样,在等离子体处理装置110中,在等离子体电极之间(等离子体照射区域内),以使带3的两表面同时被等离子体照射的方式将带3的表面垂直地配置于两溅射电极2的对置面。因此,卷轴5-1、5-2它们的侧面都与构成等离子体电极的圆板的平面平行的方式被收容于壳体6内。在图2中,示出使用了1根带3的例子,但是例如,可以使多个卷轴彼此分开来重叠的方式进行配置,配置多根带3。在配置多根带3的情况下,优选送出带3一侧的卷轴5-2将其中的1根固定于旋转轴8-2,其它带在旋转轴8-2的圆周上自由旋转的方式进行设置。通过这样的构成,即使在多根带3的卷绕数不同的情况下,通过将移动速度最快的卷绕数多的带设置于固定在上述旋转轴8-2的卷轴5-2,从而能够防止除此以外的带的松弛,稳定地进行连续等离子体处理。
等离子体处理装置110在等离子体电极之间具备:施加电压的电源装置(没有图示),以及以使规定大小的电流(等离子体电流)流经等离子体电极间的方式通过电路来控制电流值的没有图示的电流调整器。电源装置所施加的电压可以为直流电压或交流电压的任一者,也可以为高频电压,但从将装置小型化方面考虑,优选为直流电压。
驱动装置7驱动旋转轴8-1使其旋转,通过电路将其旋转速度进行自动控制。由此,固定于旋转轴8-1的卷轴5-1被旋转,将带3以规定速度进行卷绕。固定卷轴5-2的旋转轴8-2通过利用卷轴5-1被卷绕的带3的张力而进行旋转。通过使驱动装置7驱动,从而旋转旋转轴8-1,由此,带3以规定的传送速度从卷轴5-2被卷绕于卷轴5-1。驱动装置7为例如带有减速机的电动机。在该情况下,制动能够利用实验事先求出适当的条件来设定。电动机的转速例如,在5~30秒/转程度的范围内,以能够分级地变更地设计为6级(26.5秒/转、16.5秒/转、10.0秒/转、6.0秒/转、5.6秒/转)等。
等离子体处理装置110具备对于旋转轴8-2赋予摩擦力来控制其旋转速度的制动机构9。制动机构9固定于例如壳体6内,能够由在旋转轴8-2的圆周上的特定位置相接的长条板来构成。该长条板的一端固定于壳体6内,其它端与旋转轴8-2的圆周上相接,从而旋转轴8-2与长条板之间产生摩擦力,由此,控制旋转轴8-2的旋转速度。作为长条板的材质,为在等离子体处理装置内没有产生变性等的材料,能够使用具有弹性的材料,例如SUS等不锈钢。此外,在将长条板由不锈钢等金属板构成的情况下,可以在旋转轴8-2的圆周上的、滑接金属板的部分,将树脂制的片沿旋转轴的外周方向来设置。能够根据树脂的种类,调节旋转轴8-2所产生的摩擦力,调节旋转速度。作为树脂,具体而言,能够使用在等离子体处理装置内反应性低的材料,例如,特氟隆(注册商标)等。在本实施方式的等离子体处理装置中,旋转轴8-1也具备同样的制动机构,但是它们可以根据需要仅具备一者。
等离子体处理装置110具备将从卷轴5-2送出的带进行引导的引导轴11。图3为表示带3被引导轴11引导的状态的一例的示意图,为等离子体电极的电极面与平面的X-Y面内的平面图。引导轴11分别设置于等离子体电极的卷轴5-1侧和卷轴5-2侧,被引导轴11引导的带3以通过等离子体电极的大致中心的方式来配置。引导轴11具有:圆筒状轴11a、能够将该圆筒状轴11a的外周面自由旋转地配置的中空的圆筒板11b、以及配设于引导轴两端,防止带3从引导轴11脱离的止动板11c。止动板11c由与例如引导轴11的内径相比直径大的圆板来形成。通过带3接触引导轴11的圆筒板11b,从而使带3通过等离子体照射区域的大致中心的方式移动,将带3的表面的亲水化均匀化。另外,如果在带表面落下一滴水滴时,水滴没有残留于带表面,而在表面扩散开来,则可以判断为充分地进行了亲水化。
等离子体处理装置110具备检测带3是否在等离子体照射区域内移动了的传感器12。传感器12具有例如射出光的光源、以及检测从光源射出,被带3反射的光的光检测器。光源射出通过带3能够反射的波长的光。传感器12以将来自光源的光垂直照射于带3的表面的方式来配置。在作为带3,使用了上述树脂带的本实施方式中,光源为例如射出红外线的元件。等离子体处理装置110如参照图1A来说明的那样,具备控制装置115,在通过传感器12的光检测器没有检测到来自带3的反射光的情况下,控制装置115判断为带3没有在等离子体照射区域中移动,停止驱动装置7和电源装置。
本实施方式的等离子体处理装置110的特征之一在于:具有由卷轴5-1、5-2、旋转轴8-1、8-2、引导轴11、驱动装置7和制动机构9构成的带传送构件、以及检测带的移动状态的传感器12这一点,通过这些构成,从而能够将等离子体处理装置小型并且简便地构成。
图4为说明图1B的等离子体处理的工序S2的动作的流程图。按照图4的流程图,详细地说明等离子体处理的动作。
在图4中,S101为将带3放置于等离子体处理装置110的工序。将图2的壳体6的前表面的带有窗的门打开,将事先作为亲水化处理的对象的带3进行了卷绕的卷轴放置于图2的等离子体处理装置110的传送侧的卷轴5-2的地方。拉出带3的一端,使该带3的一端与用于通过壳体6的中央的引导轴11相接触,接着,放入接受侧的卷轴5-1,将卷轴5-1稍微旋转以被卷绕。然后,使驱动装置7驱动,确认带3沿传送方向(X方向)被传送。
S102为将等离子体处理装置的室内进行真空排气的工序。在S101中将带3放置于卷轴5-2与卷轴5-1之间,然后关闭上表面的门,进行真空排气。真空排气后的真空度最大为6~8Pa左右。
S103为向室内导入气体的工序。在S102中进行真空排气之后,根据需要导入所期望的气体,调整为规定压力。作为等离子体处理的气氛,能够使用氧气或空气(以体积比计为氮:氧=3:1)。其中,在使用氧的情况下,等离子体电流值稳定,因此优选。压力通过实验事先求出,例如,在使用氧气作为气体的情况下,如果为6~20Pa的范围,则是充分的。
S104为对于等离子体电极间施加电压,调整流经等离子体电极间的电流值的工序。在S103中调整为规定气氛的壳体6的内部,施加等离子体电压,以流经上述大小的等离子体电流的方式进行调整。
作为等离子体电流值,如果为25mA左右,则能够充分的亲水化。另外,在以上述条件进行了亲水化的情况下,等离子体处理后,没有问题地被亲水化的状态能够持续1~2周左右。例如,在由于长期保存而亲水化状态劣化了的情况下,只要再次进行等离子体照射即可。另外,最佳的等离子体电流值、带传送速度、气体气氛、气体压力、气体种类等优选根据电子显微镜观察试样等的种类、大小,通过实验事先求出来设定。
S105为使带3在等离子体电极间的等离子体照射区域,以一定速度移动,对于带3表面进行等离子体照射的工序。在S104中将等离子体电压和等离子体电流调整为用于亲水化处理的适当的值之后,使驱动装置7驱动,使旋转轴8-1以规定的旋转速度进行旋转。由此,带3以规定速度移动,连续地对于带3的两面同时实施亲水化处理。关于带传送速度,从充分地亲水化的观点考虑,例如等离子体电流值为25mA左右时,优选为30秒~1分钟左右/200mm,可以根据需要设为其以上的停留时间。
S106为识别带的移动是否结束(检测到终端)的工序。控制装置115如果在S105中驱动装置7被驱动,则从传感器12的光源向带3照射红外光,通过光检测器检测到来自带3的反射光时,识别为带3在等离子体照射区域内移动。另一方面,控制装置115在没有检测到反射光时,识别为带3没有在等离子体照射区域内移动,卷绕于卷轴5-1的带3的亲水化处理结束了。此外,在利用传感器的识别为对(有检测到终端)的情况下,使驱动装置7与电源装置停止,从而使带3的移动停止,结束一系列的处理。在错(没有检测到终端)的情况下,重复S105。
通过以上操作,使用等离子体处理装置110,以使带3的表面相对于等离子体电极的电极面成为垂直方向的方式,使带3以规定的传送速度进行移动。由此,能够对于带3的两表面同时并且均匀地等离子体照射而进行连续地亲水化处理,制作出两表面被亲水化的树脂带。
(4)溅射
回到图1B,工序S3为溅射工序,通过溅射使导电性的重金属附着于树脂带表面进行导电化。在工序S3中,首先,将卷绕有工序S2中被亲水化的树脂带的卷轴放置于溅射装置120。使卷轴旋转,在溅射装置120的室内的溅射电极之间(溅射区域)传送树脂带,进行溅射。
图5为表示本发明的实施方式的溅射装置120的一例的构成的图。图5的(a)为溅射装置的平面图,图5的(b)为主视图。带的传送方向为X方向,装置的高度方向为Z方向,与Z方向和Z方向正交的方向为Y方向。
图5所示的溅射装置120具备溅射电极41、42。溅射电极41、42为例如在装置的高度方向上彼此对置地配置的圆板状的电极,具有能够溅射于4、5、6、7、8英寸等的晶片的尺寸。带13为上述树脂带。另外,溅射电极41、42的配置如果它们对置,则并不限定于上下关系,根据溅射装置120的设置状态为左右等也没有关系。
溅射电极41由溅射靶标构成。作为溅射靶标,能够使用导电性的重金属。作为包含导电性的重金属的溅射靶标,能够使用包含Au、Ag、Pt、Pd等的靶标、包含这些任意的合金的靶标。从在电子显微镜观察中易于进行良好的成像方面考虑,作为溅射靶标,优选为金靶标、Pt-Pd合金靶标,更优选为金靶标。Pt-Pd合金靶标的Pt与Pd的比率例如,以质量比计Pt/Pd为90/10左右即可。
由于溅射电极42在与对置的溅射电极41之间进行放电,因此其材质除了不锈钢以外,能够使用通过放电而不放出金属那样的其它材料。
溅射装置120具备:卷绕带3的卷轴15-1(第3卷轴)、和传送侧的卷轴15-2(第4卷轴)、以及固定卷轴15-1、15-2的旋转轴18-1、18-2。在卷轴15-1、15-2的、例如,卷绕树脂带的卷绕轴的内周设置凹凸部,在旋转轴18-1、18-2的外周上设置凹凸部,使它们嵌合,从而能够将卷轴15-1、15-2固定于旋转轴18-1、18-2。另外,在本实施方式中,使3根带13同时移动,在该情况下,优选送出带13一侧的卷轴15-2将其中1根(例如与壳体16的门相比最内侧)固定于旋转轴18-2,其它2根在旋转轴18-2的圆周上自由旋转的方式进行设置。通过这样的构成,即使在3根带13的匝数不同的情况下,将移动速度最快的匝数多的带13设置在固定于上述旋转轴18-2的卷轴15-2,从而能够防止除此以外的2根带的松弛,稳定地连续溅射。
在本实施方式中,以使溅射电极41、42的圆板的对置的面与带13的表面成为平行的方式配置带13。因此,卷轴15-1、卷轴15-2其侧面与溅射电极41、42的圆板的对置的面垂直地配置。由此,通过溅射,导电性膜被附着于带13的一侧的表面而被导电化。
壳体16收纳溅射装置120的整体。壳体16如图示那样,收纳对置的溅射电极41、42,以及卷轴15-1、15-2和卷绕于该卷轴15-1、15-2的带13等。壳体16附设有减压泵等真空排气机构19,由此,能够将壳体16内真空排气。能够在壳体16的前表面设置能够观察到内部的带有窗的门,通过门的开关,将带13取出和放入至壳体16。窗由透明基板形成。作为透明基板,从耐热性、耐化学性方面考虑,能够使用丙烯酸(acryl)、聚碳酸酯等的树脂基板、玻璃板。
溅射装置120在溅射电极41、42之间,具备施加电压的电源装置(没有图示),以及在溅射电极41、42间流经规定大小的电流(溅射电流)的方式,通过电路控制电流值的没有图示的电流调整器。电源装置所施加的电压可以为直流电压或交流电压的任一者,也可以为高频电压,但从将装置小型化的方面考虑,优选为直流电压。
如果通过电源装置对于将溅射电极41和与其对置的溅射电极42之间施加电压,则两电极41、42间产生放电,由此离子化的气氛中的气体离子与溅射电极41发生碰撞而构成溅射电极41的溅射靶标的材料被放出并被溅射。放出的溅射靶标材料附着于与溅射电极41对置地配置的带13的表面,带13的表面被导电化处理。
驱动装置17驱动旋转轴18-1使其旋转,通过电路来自动控制其旋转速度。由此,固定于旋转轴18-1的卷轴15-1被旋转,将带13以规定速度进行卷绕。固定卷轴15-2的旋转轴18-2通过被卷轴15-1卷绕的带13的张力进行旋转。这样,通过使驱动装置7驱动,从而旋转轴18-1被旋转,由此,带13以规定的传送速度从卷轴15-2卷绕于卷轴15-1。驱动装置17为例如带有减速机的电动机,在该情况下,制动能够通过实验事先求出适当的条件来设定。
溅射装置120具备对于旋转轴18-1、18-2赋予摩擦力来控制其旋转速度的制动机构20。制动机构20能够固定于例如壳体16内,由在旋转轴18-2的圆周上的特定位置相接的长条板来构成。该长条板的一端固定于壳体16内,其它端与旋转轴18-2的圆周上相接触,从而旋转轴18-2与长条板之间产生摩擦力,能够控制旋转轴18-2的旋转速度。作为长条板的材质,为在溅射装置120内不产生变性等的材料,能够使用具有弹性的材料,例如SUS等不锈钢。此外,在由不锈钢等金属板构成长条板的情况下,通过在旋转轴18-2的圆周上的、滑接金属板的部分设置树脂制的片,从而能够通过树脂的种类等来调节旋转轴18-2所产生的摩擦力。作为树脂,能够使用例如,特氟隆(注册商标)。在本实施方式的溅射装置120中,旋转轴18-1也具备同样的制动机构,但是它们可以根据需要仅具备一者。
溅射装置120具备引导从卷轴15-2送出的带的引导轴31、32。图6为示意性示出引导轴31的图,图6(a)为平面图,图6(b)为主视图。图7为表示带13被引导轴31、32引导的状态的一例的示意图,沿卷轴15-1、15-2的平面方向(X-Z面内)观察到的图。引导轴31分别设置于溅射电极41的卷轴15-1侧和卷轴15-2侧,被引导轴31引导的带13以通过溅射电极42的平面的大致中心的方式来配置。如图6所示那样,引导轴31包括:圆筒状轴31a、能够将该圆筒状轴31a的圆周自由旋转地配置的中空的圆筒板31b、隔开多条带13的引导区域的隔开板31c、以及设置于引导轴31的两端,使带13没有从引导轴31脱离的圆盘状的止动板31d。隔开板31c和止动板31d包含例如与引导轴31的内径相比直径大的圆板。另外,带13优选以使被导电化的表面不与引导轴31接触的方式被引导。
引导轴32的构成与图2、3所示的引导轴11同样,所谓引导轴31,在不具有隔开板31c这一点上不同。通过带13接触引导轴31、32的中空圆筒板31b,从而能够使带13在溅射区域内不松弛地移动。此外,通过隔开板31c,从而能够防止带13彼此的接触。根据这些,易于均匀地实现带13表面的导电化。
溅射装置120具备检测带13是否在溅射区域内移动的传感器33。图8为表示溅射装置120所具备的传感器33的示意图,图8(a)为配置有传感器33的图,图8(b)表示传感器33所具备的带有凸缘的圆板。如图8所示那样,传感器33具备例如射出光的光源33a、检测从光源射出的光的光检测器33b以及带有凸缘的圆板33c。传感器33利用与光源对置地配设的光检测器检测来自光源的光。光源33a能够与光检测器33b组合进行适当选择,能够使用例如光的直行性高的LED(Light emitting diode)等。
带有凸缘的圆板33c在其圆周具有形成凸缘331的切口,沿着圆周的凸缘331以通过光源33a与光检测器33b之间的方式,并且带有凸缘的圆板33c以与旋转轴18-12一体地旋转的方式固定于旋转轴18-2。从光源33a射出的光通过相邻的凸缘331间的切口入射至光检测器33b。旋转轴18-12旋转时,光交替地照射于凸缘331和切口部分,因此光检测器33b断断续续地检测光。等离子体处理装置110参照图1A来说明的那样,具备控制装置125,在通过传感器33的检测器断断续续地检测到来自带13的反射光的情况下,识别为带13在溅射区域中移动。此外在通过传感器33的光检测器规定期间没有检测到来自带13的反射光,或者连续地检测到来自带13的反射光的情况下,控制装置125识别为带13在溅射区域没有移动,被卷轴15-2卷绕的带13的导电化处理结束了,停止驱动装置7和电源装置。
另外,溅射装置120具有调整电流(或电压)的电流调整器,例如,通过电流调整器,在施加电压为0.8KV或1.4KVDC时,电流能够在0~50mA之间任意地调整。此外,壳体16具备排气机构,由此,内部的真空能够真空排气直至8Pa。进一步,壳体16具备针阀23,由此能够导入任意的气体(例如空气、氧气等)。
本实施方式的溅射装置120的特征之一在于:具有包含卷轴15-1、15-2,旋转轴18-1、18-2,引导轴31、32,驱动装置17和制动机构20的带传送构件;以及检测带的移动状态的传感器33这一点,通过这些构成,从而能够将溅射装置小型并且简便地构成。
图9为说明溅射装置120的动作的流程图。按照图9的流程图,详细地说明图1B的溅射工序(S3)的动作。
在图9中,S111为放置带的工序。该工序为打开图5的溅射装置120的壳体16的前表面的带有窗的门,将事先卷绕有作为导电化处理的对象的带13的卷轴放置于传送侧的卷轴15-2的地方。拉出带13的一端,使其与用于通过壳体16的中央的引导轴31、32相接触,进入卷绕侧的卷轴15-1,将卷轴15-1稍微旋转并卷绕。然后,使驱动装置17驱动,确认带13在传送方向(X方向)上被传送。
S112为进行真空排气的工序。在S111中,放置卷轴15-2和卷轴15-1之后,关闭前表面的门,将室内进行真空排气。
S113为向室内导入气体的工序。在S112中将室内进行真空排气之后,导入所期望的气体,调整为规定压力。该压力为利用实验事先求出。导入气体能够使用氩气、氮气、干燥空气等。将室内进行真空排气,将溅射压力调节为3MPa(表压,以下相同)左右。室内的压力只要是溅射电流适当地流动的程度即可,如果为3MPa,则能够进行充分的溅射。
S114为对于溅射电极41、42之间施加电压,调整溅射电极间流动的电流值的工序。在S113中,图2的壳体6的内部被调整成规定的气氛的状态下,施加溅射电压(例如0.8KV~1.4KV的规定的大小的溅射电压),以流动规定的大小的溅射电流的方式进行调整。
溅射电流优选为10mA~50mA。如果溅射电流为50mA以下,则能够抑制由树脂带的过热引起的变形、变性。此外,在树脂带上的被溅射的重金属的粒状性不易变差,此外,在树脂带上回收切片的情况下,对于切片不易带来褶皱、损伤。如果溅射电流为10mA以上,则能够将树脂带充分地导电化,因此在电子显微镜观察中,易于进行良好的成像。溅射电流优选为10mA~40mA,10mA左右也没有关系。溅射电流取决于带的种类、溅射气氛(气体)的种类、溅射压力、溅射靶标的种类等,因此优选事先利用实验求出最佳的电流,进行设定。
S115为使带以一定速度移动,进行溅射的工序。在S114中将溅射电压和溅射电流调整为用于带13的溅射(导电化)处理的适当的值之后,使图5所示的驱动装置17驱动以使带13以规定速度移动,连续地对于带13的一侧的表面实施导电化处理。
溅射中的、带13的传送速度优选为10-20分钟左右/200mm,可以根据需要(对于200mm的树脂带)设为这些以上的停留时间。如果树脂带的传送速度过快,则室内的树脂带的累计停留时间变短,因此有时不能形成充分的导电性膜。另外,在卷绕带的卷轴的转速一定的情况下,树脂带的匝数如果多则越多,通过靶标下的时间越短。因此,在树脂带仅通过溅射区域1次的情况下,有时在树脂带的最初和最后,导电性膜的厚度不同。树脂带为了充分地延长室内的靶标下(溅射区域)所存在的累计停留时间,可以反复进行处理。由此,能够均匀地溅射于树脂带表面,能够简便地确保充分的导电性。在该情况下,将卷绕有经导电化处理的带13的卷轴再次放置于溅射装置120的带送出侧的旋转轴18-2再次进行溅射。在进行多次溅射的情况下,可以使其在一个方向上多次移动,但可以将旋转轴18-1和18-2的旋转方向沿逆向切换而在室内往返。另外,带13的传送速度取决于树脂带的材质、溅射电流的大小、溅射靶标的种类、溅射压力等,因此优选通过事先的实验求出最佳的值,进行设定。
S116为识别带的移动是否结束(检测到终端)的工序。在S115中如果驱动装置7开启,则由传感器33识别应当溅射(导电化处理)的带3结束了,或者没有结束。在利用传感器33的识别为对的情况下,使驱动装置7停止,从而使带13的移动停止,结束一系列的处理。在错的情况下,重复S115。
通过以上操作,使用图5的溅射装置120,将溅射电极41、42间以使带13的表面与电极面平行的方式,使带13以规定的传送速度进行移动,从而能够对于带13的一侧的表面均匀地溅射而进行导电化处理。
另外,在溅射装置中,能够将树脂带1根进行传送或将2根以上并行地传送。在传送2根以上的情况下,如果根数变多,则外侧的树脂带的、导电性膜的膜厚变薄,此外,厚度的偏差易于产生,因此取决于溅射靶标的大小,但优选为3根以下。
形成于树脂带表面的导电性膜如果变得过厚,则形成凹凸而有时损伤树脂带的平坦性,因此优选使小的粒子性的重金属尽可能薄,平坦地涂布。此外,形成有导电性膜的树脂带表面的表面电阻如果为10的14次方Ω/cm以下,则能够成像,优选为10的12次方Ω/cm以下左右,更优选为10的10次方Ω/cm以下。如果为10的10次方Ω/cm以下,则能够良好的成像。另外,导电性膜只要在将固定于树脂带上的切片利用电子显微镜进行观察时没有带电即可,因此可以将其作为标准。
图10为表示利用本实施方式的溅射装置120的卷轴15-1、15-2卷绕有3根带13的状态的外观照片。在图10中,在带13的一侧的表面形成有通过溅射形成的导电膜。在图10中,导电膜示出金作为材质。
(5)切片制作
回到图1B,工序S4为制作切片的工序。在本实施方式中,将被树脂包埋的生物体组织薄薄地连续地切出,连续地制作切片。作为生物体组织,如果为动物的组织,就没有特别限定,作为一例,使用作为实验动物的小鼠、狨猴等的脑。
图11表示本实施方式的切片制作(S4)和切片回收(S5)的详细工序图。
图1B的切片制作的工序(S4)通过图11的S4-1的切片制作(试样准备),以及接着该工序的S4-2的切片制作(树脂包埋)来进行。在图11的S4-1的试样准备中,采集生物体组织。在图11的S4-2的树脂包埋中,将由S4-1取得的生物体组织进行树脂包埋,制作树脂包埋块(组织块51)。从组织块51切出试样用的切片。
树脂包埋能够利用公知的方法进行。在本实施方式中,利用戊二醛(2.5wt%)和锇酸(1wt%)依次固定化之后,利用环氧树脂包埋并进行聚合,制作出树脂包埋块。除了该方法以外,可以为例如,TEM(透射电子显微镜)、SEM(扫描电子显微镜),进一步immuno-EM(免疫电子显微镜这样的进行了染色的样品的观察方法)等所使用的树脂包埋的方法。
工序S5为回收切片的工序。在图11的S5的切片回收(连续)中,从由S4-2制作的树脂包埋块(组织块51),利用金刚石刀52等切削工具依次连续地切出切片54,回收至处理完的带63上。
被切出的切片54在水槽59中收容的水的表面依次上浮,在处理完的带63上被捞起并连续地传送。上浮至水槽59的水面的切片54通过使处理完的带63进行移动(在图11中,在纸面的左方向上移动),从而在带63的被导电化处理的表面连续被自动地回收。
切片54通常以厚度25nm~90nm,优选为30nm~60nm的范围内的厚度被切出。切片54的厚度更优选为50nm。如果切片54过薄,则难以切出,如果过厚,则存在电子显微镜观察时,带电而难以观察的担忧。
回到图1B,在工序S6中,将工序S5中搭载有各个切片54的树脂带切断成规定的长度,进行带有切片54的剥离。在带条上,配置有被依次固定的1个以上的切片54。
工序S7为将固定于带条上的切片54进行电子染色的工序。作为电子染色,例如,能够进行使用了饱和乙酸铀溶液等的铀染色以及使用了Reynold铅溶液的铅染色。
在本实施方式中,能够将从生物体组织切出的切片54固定于经导电化处理的带63的表面之后进行电子染色。能够对于膜厚为25nm~90nm薄的切片直接电子染色。此外,能够将搭载于带63的多个切片54以相同浓度进行电子染色,能够进行对比度极其高,高分辨率的电子染色。与此相对,切出切片之前的组织块的阶段时进行电子染色的以往的方法中,由于对于厚且大的块进行电子染色,因此表面和内部的电子染色的程度不同,不能如本实施方式那样地,均匀并且完全的电子染色。
在工序S8中,将在工序S6中被切断,在工序S7中进行了电子染色后的带排列于电子显微镜观察用的晶片上。将带排列在晶片上,然后,使用电子显微镜观察用的、导电性糊料(银糊料等)进行固定。
图12为说明在晶片上排列有被切断的带条的状态(S8)的图。
在图12的S8-1中,准备固定有1个以上切片的带条63s。带条63s切割成包含所期望的数目的切片54的长度。带条63s的长度只要与固定有带条63s的晶片的大小相符即可。对于带条63s,通过已经描述的图1的S2、S3的工序对于两表面进行亲水化处理,或者对于一侧的表面进行导电化处理,或者根据需要实施两项处理。此外,对于带条63s上的切片54进行电子染色。
在图12的S8-2中,表示将带条63s依次载置于晶片的状态。晶片可以使用圆形晶片601,也可以使用矩形晶片602。在晶片的表面粘贴导电性碳双面胶带,在其上依次排列被电子染色的带条63s。配置后,切片54利用电子显微镜用的导电性的银糊料、碳糊料等进行粘接。圆形的晶片601除了4英寸以外,有5、6、7、8英寸等,只要根据需要进行选择即可。
在使用矩形的晶片602的情况下,与圆形的晶片601能够直接利用相比,需要将晶片切出成规定的形状的操作,能够切出成一定长度的带条63s。能够将切割的长度保持一定,使一条被切割的带条63s所搭载的切片54的数目一定,利用多束扫描电子显微镜,将一次能够观察到的条数最大化。
在图12的S8-3中,制作库。将大量排列了搭载有切片54的带条63s的晶片保存并管理。通过构成排列有大量晶片的库,从而能够使从被树脂包埋的生物体的组织块51连续地切出的切片64进行排列并保存的同时,能够观察并分析任意地方的切片54的电子显微镜图像。此外,将来无论多少次,都能够追加观察所期望的地方的切片54。
回到图1B,在工序S9中,使用由上述实施方式的方法获得的电子显微观察用的试样,进行切片的观察、图像的取得/分析。通过使用由实施方式的方法获得的电子显微观察用的试样,从而能够使用电子显微镜等,将晶片上排列并被固定的切片54没有带电而以高对比度并且高分辨率进行观察。
图13A为表示电子显微观察的例子的图。(a)表示利用荧光显微镜的试样S-a的观察,(b)表示利用透射电子显微镜的试样S-b的观察,(c)表示利用扫描电子显微镜的试样S-c的观察。在(a)的荧光显微镜中,能够观察来自收容于图12的库的晶片上的切片54的荧光。获得最大分辨率为约200nm,倍率为10~40倍左右。
在(b)的透射电子显微镜中,能够从透过切片54的电子射线的信息以高分辨率生成切片54的放大图像。获得最大分辨率为约0.1nm,倍率为50~150万倍左右。
在(c)的扫描电子显微镜中,能够从扫描了切片54的电子射线的信息以高析像度生成切片54的放大图像。获得最大分辨率为约0.5nm,倍率为100万倍左右。
图13B表示连续的图像取得的例子。其为利用图13A的扫描电子显微镜,对于固定于晶片上的多个连续的切片54,依次取得观察数据而生成的连续的图像。
图14表示图1B的观察和图像分析(S9)的其它例子。在S9-a中,被连续地取得的图像存储于服务器计算机。被服务器计算机存储的图像介由网络或云(cloud)被共同研究者所共有,图像观察成为可能。
图14的S9-b为将存储于服务器计算机的切片的连续图像在服务器计算机内重叠而得的图像。
图14的S9-c为表示基于在S9-b中被重叠的图像,对于解析对象上色后的图像的一例。这样,能够使解析对象的部位变得清晰。
图14的S9-d表示三维解析图的一例。取得S9-b中解析对象的连续大量的图像,选择这些之中的适当的图像并重叠,将要解析的所期望的“神经回路”的部位的三维结构清晰化。进一步,可以基于厚度方向的连续的多个图像来再现(复原)三维结构。
图15为由本实施方式制作的试样获得的具体的电子显微图像的例子。在图15的(A)中,表示从将切片的尺寸2mm×3mm的区域的连续图像合成为1张图像的情况下,将图像中的一部分进行了放大的放大图像的一例。
图15的(B)表示由比较例取得的参考图像例。在比较例中,为没有进行树脂带的导电化处理,对于搭载于带上的切片进行了导电性涂布的试样的扫描显微镜图像。为了防止利用扫描型电子显微镜观察时的带电,对于切片薄薄地实施导电性(金、碳)涂布,从其上照射电子束的同时进行了平面扫描。在该方法中,为了在切片上被导电性涂布,仅从该被导电性涂布的面放出2次电子。从导电性涂布下的试样切片的2次电子的放出几乎没有,对比度变得极其低。
在本实施方式的电子显微镜观察方法中,即使对于切片没有进行导电性涂布,也能够固定于经导电化处理的带上,从经电子染色的切片直接检测2次电子放出。能够取得图15的(A)那样的高对比度并且高分辨率的图像。
实施例
接下来,对于实施例进行说明。本发明并不限定于以下实施例。
通过图1B所示的工序,取得由狨猴的脑采集的切片的透射电子显微镜连续图像。
(树脂带的亲水化)
作为树脂带,使用Kapton(注册商标)带(聚酰亚胺制,厚度40μm,宽度约8mm),将树脂带的两表面利用乙醇擦拭净化。
使用与图2所示的等离子体处理装置同样的等离子体处理装置110,使树脂带在室内移动,将两表面进行了亲水化。等离子体处理为将等离子体处理装置的室内进行真空排气之后,成为氧气气氛。将等离子体电流值调整为25mA,调节旋转轴的旋转速度,从而使带传送速度成为30秒~1分钟左右/200mm的范围的值来进行。这样操作,制作出两面被亲水化的树脂带。被亲水化的树脂带卷绕于设置在等离子体处理装置110的出口的卷轴。在等离子体处理装置110中,分别各配置1个入口侧的卷轴和出口侧的卷轴,以带表面相对于等离子体电极的对置面成为垂直的方式进行传送,将1根带进行了等离子体处理。在卷轴的内径为40mm,外径为75mm,带被卷绕的状态下,带的卷绕直径随着带的厚度而增加,带的传送速度也随着卷绕直径增大而变快。
(树脂带的导电化)
在由上述进行了亲水化的树脂带表面上,如以下那样形成导电性膜。使用与图5所示的溅射装置同样的溅射装置120,使树脂带在室内移动,在树脂带的一个面上形成导电性膜。处理条件是作为装置的设定,电流值为10mA,带传送速度为10-20分钟左右/200mm的范围的规定的值,使树脂带在室内移动2次。处理为暂时将卷绕于卷轴的带再次放置于溅射装置120,第2次从与第1次的带的相反一端移动至室内来进行。室内进行了真空排气。作为溅射靶标,使用了金靶标。在溅射装置中,分别各配置3个入口侧的卷轴和出口侧的卷轴,以带表面相对于溅射电极的对置面成为平行的方式传送3根带进行了溅射。在溅射装置的卷轴的内径为40mm,外径为75mm,带被卷绕的状态下,带的卷绕直径仅在带的厚度的部分增加,带的传送速度也是卷绕直径大的部分变快。
(切片的制作)
将由狨猴采集的脑切出成适当的尺寸,利用2.5wt%戊二醛和1wt%锇酸依次固定化之后,被环氧树脂包埋,进行72小时以上的聚合。这样操作,制作出树脂包埋块。
(切片的回收)
使用带有水槽的金刚石刀,从由上述获得的树脂包埋块连续地切出厚度50nm的组织切片,将被切出的组织切片通过水槽的水的浮力依次采集于由上述形成的树脂带的被导电化的表面上。
将表面配置有组织切片的树脂带根据扫描电子显微镜观察用的有机硅晶片(直径4英寸)的大小切断成规定的长度,利用铀(饱和乙酸铀溶液)然后铅(Reynold铅溶液)进行了电子染色。将经电子染色的树脂带在硅晶片上以使组织切片成为表面的方式依次排列,从其表面涂布扫描电子显微镜观察用的导电性银糊料进行了固定。
这样,获得了包含从树脂包埋块切出的组织切片以切出的顺序被固定的晶片的观测用晶片。使用该观测用晶片,通过多束扫描电子显微镜,进行多束连续观察和连续拍摄。图15的(A)所示的图像为观察结果中的一张。测定图15的(A)所使用的切片搭载前的树脂带的被导电性涂布的面的表面电阻,结果为10的10次方Ω/cm以下。表面电阻使用HighRester UX(三菱Chemical Analytics公司制)进行测定。
另外,在将溅射装置所使用的靶标变更为Pt-Pd合金靶标(Pt90wt%-Pd10wt%)的情况下,虽然与上述实施例相比稍差,但是解析获得充分的对比度的图像。
此外,将溅射装置的电流值在装置的设定中分别设为20mA、40mA,与上述同样地进行了扫描电子显微镜观察。都能够获得与上述实施例同样的鲜明的对比度。采用了40mA的例子中,一部分存在在采集于树脂带上的组织薄片表面观察到微细的褶皱、损伤的情况。推测这是溅射于树脂带表面的靶标粒子的影响。
在上述中,使用狨猴的脑进行了扫描电子显微镜观察,但是在使用了小鼠的脑的情况下,也与图15的(A)同样地,取得了高对比度并且高析像度的图像。
(比较例)
如参照图15的(B)所描述的那样,树脂带没有附着导电性膜,除此以外,与上述实施例同样地,使用小鼠的脑,制作带有组织切片的树脂带,固定于晶片上。接着,在载置了带有组织切片的树脂带的晶片表面,对于组织切片实施重金属碳涂布,进行多束扫描电子显微镜观察、拍摄。如图15的(B)所示那样,在该拍摄图像中,解析得不到充分的对比度。
(其它实施例)
图16为表示使用聚碳酸酯制的带,被搭载的切片进行了电子显微镜观察的结果。除了带的材料,带的宽度、厚度、所使用的组织切片与图15的(A)的使用了聚酰亚胺的带的实施例相同。如图13B所示那样,为将被连续地拍摄的电子显微观察图像拼接为一张图像中的一部分的放大图。与图15的(A)同样地,获得了良好的对比度。作为试样切片搭载用的带,不仅聚碳酸酯,使用上述PEN、PET、PEEK时,也与图15的(A)和图16同样地获得良好的对比度。
本国际申请以于2018年12月28日向日本特许厅申请的特愿2018-248067号作为优先权的基础,包含其全部内容。
符号的说明
2、41、42:溅射电极
3、13:带
5-1、5-2、15-1、15-2:卷轴
6、16:壳体
7、17:驱动装置
11、31、32:引导轴
12、33:传感器
14:导电性膜
18-1、18-2:旋转轴
19:排气机构
20:制动机构
23:针阀
51:组织块
52:金刚石刀
53:被回收的切片
54:连续切片
100 试样制作系统
110 等离子体处理装置
115 控制装置
120 溅射装置
125 控制装置
130 回收装置
Claims (11)
1.一种电子显微观察用的试样制作系统,其特征在于,其为在带上配置有试样的切片的电子显微观察用的试样制作系统,其具备:
等离子体处理装置和溅射装置,所述等离子体处理装置使树脂带在等离子体照射区域内移动,进行等离子体照射以连续地进行亲水化,所述溅射装置使所述树脂带在溅射区域内移动,连续地溅射以进行导电化;以及
在利用所述等离子体处理装置或溅射装置进行了处理的所述树脂带的被处理面上,将被连续地切削的所述试样的切片进行依次回收的回收装置。
2.根据权利要求1所述的电子显微观察用的试样制作系统,其特征在于,所述电子显微观察用的试样制作系统具备所述溅射装置,针对在所述树脂带上被依次回收的所述切片,能够以不从该切片之上进行导电性涂布的方式进行电子显微镜观察。
3.根据权利要求1或2所述的电子显微观察用的试样制作系统,其特征在于,所述树脂带选自聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。
4.一种等离子体处理装置,其特征在于,其为权利要求1~3中任一项所述的电子显微观察用的试样制作系统所使用的所述等离子体处理装置,其具备:
等离子体处理室、
在所述等离子体处理室内对置地配置的一对等离子体电极、
在所述一对等离子体电极之间施加电流的第1电源装置、
将所述树脂带在其长度方向上,在所述一对等离子体电极之间的所述等离子体照射区域内进行传送的第1传送构件、以及
对利用所述第1传送构件所进行的传送的带传送速度进行调整的第1驱动装置,
所述第1传送构件具备:将所述树脂带送出至所述等离子体照射区域的第1卷轴、以及从所述等离子体照射区域卷绕所述树脂带的第2卷轴,
所述第1卷轴和所述第2卷轴设置于所述等离子体处理室内,所述第1驱动装置对于所述第2卷轴赋予旋转力,使其以规定的旋转速度进行旋转。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,所述第1传送构件以使所述树脂带的表面相对于所述一对等离子体电极的对置面处于垂直方向的方式传送所述树脂带。
6.一种溅射装置,其特征在于,其为权利要求1~3中任一项所述的电子显微观察用的试样制作系统所使用的所述溅射装置,其具备:
溅射室、
在所述溅射室内对置地配置的一对溅射电极、
将所述树脂带在其长度方向上,在所述溅射室内的所述一对溅射电极之间的所述溅射区域内进行传送的第2传送构件、以及
对利用所述第2传送构件所进行的传送的带传送速度进行调整的第2驱动装置,
所述第2传送构件具备将所述树脂带送出至所述溅射区域的第3卷轴、以及从所述溅射区域卷绕所述树脂带的第4卷轴,
所述第3卷轴和所述第4卷轴设置于所述溅射室内,所述第2驱动装置对于所述第4卷轴赋予旋转力,使其以规定的旋转速度进行旋转。
7.根据权利要求6所述的溅射装置,其特征在于,
所述第2传送构件以使所述树脂带的表面相对于所述一对溅射电极的对置面处于水平方向的方式传送所述树脂带。
8.根据权利要求6或7所述的溅射装置,其特征在于,
溅射靶标配置于所述一对溅射电极的阴极,
所述溅射靶标采用Au、Ag、Pt、Pd中的1种或它们的2种以上的合金。
9.一种电子显微观察用的试样制作方法,其特征在于,其为在带上配置有试样的切片的电子显微观察用的试样制作方法,其具有下述步骤:
使树脂带在等离子体照射区域内移动从而对于所述树脂带的表面进行等离子体照射以进行亲水化处理的步骤、和使所述树脂带在溅射区域内移动从而对于所述树脂带的表面进行溅射以进行导电化处理的步骤;以及
在实施了所述亲水化处理或所述导电化处理的所述树脂带上,将被连续地切削的切片进行依次回收的回收步骤。
10.根据权利要求9所述的电子显微观察用的试样制作方法,其特征在于,
在基板上固定将配置有所述切片的所述树脂带切割成包含1个以上所述切片的长度而获得的带条,
对于固定于该基板上的各切片以不进行导电性涂布的方式,进行电子显微镜观察,或取得图像。
11.一种带传送机构,其为使权利要求1~3中任一项所述的电子显微观察用的试样制作系统所使用的所述树脂带移动至所述等离子体处理装置或所述溅射装置内的带传送机构,其具有:
送出所述树脂带的送出卷轴和卷绕所述树脂带的卷绕卷轴、
通过固定所述卷绕卷轴,从而与所述卷绕卷轴一体地旋转的旋转轴、
使所述旋转轴旋转的电动机、以及
包含与所述旋转轴滑接的长条板,通过所述旋转轴进行旋转,从而对于所述旋转轴赋予摩擦力,控制所述旋转轴的旋转速度的制动机构。
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---|---|---|---|---|
JPH06323967A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Tokyo Met Gov Shinkei Kagaku Sogo Kenkyusho | 顕微鏡用連続薄切片の収拾保持方法とその装置 |
JPH07256087A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001215181A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 顕微鏡観察用の高分子支持体 |
JP2014037985A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | めっき被膜の異物採取方法 |
Family Cites Families (8)
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US5746855A (en) | 1996-10-24 | 1998-05-05 | Advanced Pathology Systems, Inc. | Method and apparatus for automatic archival storage of tissue sample sections cut from a sample block |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06323967A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Tokyo Met Gov Shinkei Kagaku Sogo Kenkyusho | 顕微鏡用連続薄切片の収拾保持方法とその装置 |
JPH07256087A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001215181A (ja) * | 2000-02-01 | 2001-08-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 顕微鏡観察用の高分子支持体 |
JP2014037985A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | めっき被膜の異物採取方法 |
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