CN113224219B - 一种全彩调色cob光源及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种全彩调色COB光源及其制作方法，其中包括封装基板、COB芯片和固晶胶，本申请在制备封装基板时，创造性地将原本的固晶区设置为若干个横向固晶槽，纵向固晶槽，横向固晶槽，纵向固晶槽的尺寸与所需胶接的COB芯片一致，同时固晶槽内设置有沟槽，在后续在固晶槽中点胶后，固晶胶能够进入沟槽，这样设置可以极大程度的降低溢胶情况，同时胶接时固晶胶不易覆盖COB芯片侧边，避免出现漏电情况。本申请制备的COB光源出光效率高，出光均匀，在制备过程中COB芯片的侧边不会覆胶，且固晶胶不会出现溢胶情况，COB光源的良率和可靠性高，发光效果优异，实用性更高。
Description
技术领域
本发明涉及COB光源加工技术领域，具体为一种全彩调色COB光源及其制作方法。
背景技术
COB光源是将LED芯片直接贴在金属基板上的高光效集成面光源技术，此技术剔除了支架概念，无电镀、无回流焊、无贴片工序，因此工序减少近三分之一，成本也节约了三分之一。
在常规COB光源加工过程中，通常会存在以下技术问题：COB封装时一般会将COB芯片通过固晶胶胶接在封装基板上，但在实际点胶过程中，容易出现因点胶量过多导致固晶胶覆盖在COB芯片侧面，影响COB芯片出光，同时固晶胶一般为选择导电银胶，还容易出现漏电现象。
基于以上情况，为解决该技术问题，本申请公开了一种全彩调色COB光源及其制作方法，以解决该技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种全彩调色COB光源及其制作方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：
一种全彩调色COB光源制作方法，包括以下步骤：
(1)制备封装基板，封装基板表面设有形成若干个固晶槽；所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽；
(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽、纵向固晶槽内，超声处理3-5min，静置5-10min，再转移至烘箱中烘烤1.5-2h，烘烤温度为150-160℃；
(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；
(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至140-150℃下，保温烘烤45-50min，再以2℃/min的速率降温冷却；
(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源。
较优化的方案，步骤(1)中，封装基板的制备步骤如下：
A.取单面覆铜板，剪切成预设的规格尺寸，备用；
B.通过刷板机去除覆铜板表面的氧化膜，在覆铜板表面镀铜层上涂覆正性光刻胶，烘烤固化，通过掩膜版曝光出固晶区图形，放置于显影液中进行显影刻蚀，形成若干个固晶区；
C.将单面覆铜板置于ICP刻蚀机内，分别对固晶区进行ICP刻蚀并形成固晶槽，去除正性光刻胶，所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽，所述横向固晶槽的相邻位置均为纵向固晶槽，所述纵向固晶槽的相邻位置均为横向固晶槽；
D.在固晶槽底部进行二次光刻，取步骤C处理后的单面覆铜板，表面涂覆正性光刻胶，烘烤固化，曝光显影出沟槽图形，再进行ICP刻蚀，在固晶槽底部形成若干道沟槽；
E.取步骤D处理后的单面覆铜板，通过正胶去胶液去除正性光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
F.取步骤E处理后的单面覆铜板，在固晶槽内涂覆固晶保护层，再在镀铜层表面旋涂正性光刻胶并覆盖整个镀铜层，烘烤固化，通过掩膜版曝光电路连接图形，再通过掩膜版曝光出固晶区图形，显影液进行显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负性光刻胶，置于烘箱中烘烤坚膜，再转移至蚀刻液中，刻蚀去除未曝光区域的镀铜层；
G.取步骤F处理后的单面覆铜板，通过负胶去胶液去除镀铜层表面光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
H.去除固晶槽内的固晶保护层；
I.在单面覆铜板表面进行阻焊制作，钻孔加工，形成封装基板。
较优化的方案，步骤(2)、步骤(4)中，烘烤时均处于超声条件下，超声功率为60-70W，超声频率为20kHz。
较优化的方案，步骤D中，沟槽的分布方向与固晶槽的方向相反，横向固晶槽中的沟槽为纵向排列，纵向固晶槽中的沟槽为横向排列。
较优化的方案，步骤F中，固晶保护层为二氧化硅膜；步骤H中通过氢氟酸去除二氧化硅膜。
较优化的方案，步骤C中，ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，镀铜层的厚度为c，则c+0.2b＜a＜c+0.5b。
较优化的方案，步骤F中，烘烤坚膜时，先置于85-90℃下烘烤5-10min，再在110-115℃下烘烤20-30min，烘烤后转移至蚀刻液中；刻蚀液为酸性氯化铜蚀刻液。
较优化的方案，步骤B、步骤D、步骤F中，烘烤固化时烘烤温度均为90-
100℃，烘烤时间均为15-20min。
较优化的方案，负胶去胶液去胶时，在80-85℃水浴条件下去胶20-25min。
较优化的方案，根据以上所述的一种全彩调色COB光源制作方法制作的COB光源。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：
本申请公开了本申请公开了一种全彩调色COB光源及其制作方法，其中包括封装基板、COB芯片和固晶胶，为解决因固晶胶胶量过多导致溢胶或固晶胶覆盖COB芯片侧面这一技术问题，本申请在制备封装基板时，创造性地将原本的固晶区设置为若干个横向固晶槽，纵向固晶槽，横向固晶槽，纵向固晶槽的尺寸与所需胶接的COB芯片一致，同时固晶槽内设置有沟槽，在后续在固晶槽中点胶后，固晶胶能够进入沟槽，这样设置可以极大程度的降低溢胶情况，同时胶接时固晶胶不易覆盖COB芯片侧边，避免出现漏电情况。
同时，COB封装时一般会将多颗芯片按照一定的排布方式固定在基板上，常规排布方式一般为单向排布，芯片排布方向一致，彼此之间并没有有效错开，因此相邻芯片的侧边出光会被相互吸收，影响芯片的出光效率；因此本申请对COB芯片的排布方式进行改进，从常规的同向排布设置为COB芯片分别横向、纵向放置，并间隔设置，其中横向固晶槽的相邻位置均为纵向固晶槽，纵向固晶槽的相邻位置均为横向固晶槽；这样设计可以极大程度的避免相邻芯片之间的影响；同时本申请限定了“ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，镀铜层的厚度为c，c+0.2b＜a＜c+0.5b”，这一参数的限定保证了COB芯片的出光不会受到凹槽的限制。
在实际制备过程中，本申请首先进行封装基板的加工，将单面覆铜板剪切成预设的规格尺寸后，本申请在覆铜板的镀铜层上涂覆正性光刻胶，并进行曝光显影，曝光出若干个横向固晶槽、纵向固晶槽的图形，此时选择正性光刻胶是因为正性光刻胶易被去除，且后续清洗干净，残留胶少；显影后进行ICP刻蚀，刻蚀时刻蚀掉镀铜层之后继续往下刻蚀，并形成若干个固晶槽。
为进行固晶槽底部沟槽设置，本申请在覆铜板表面涂覆正性光刻胶，并进行二次光刻，以形成沟槽，便于在后续点固晶胶时，能够避免固晶胶溢胶，同时避免固晶胶覆盖COB芯片侧边；在设置沟槽时，为保证后续COB芯片的粘结性能，本申请限定了沟槽的排布方向与固晶槽的方向相反，在横向固晶槽内纵向排布沟槽，在纵向固晶槽内横向排列；沟槽纵截面形状可为“V型”、“矩形”、“梯形”等，具体形状可根据实际加工时采用的刻蚀工艺选择；
沟槽刻蚀结束后，本申请通过正胶去胶液、丙酮、乙醇、纯水依次进行超声清洗，以去除单面镀铜板表面的正性光刻胶；接着后续需要进行封装基板线路的设计，需要接触大量刻蚀液，为保证固晶槽形状不被破坏，本申请先在固晶槽内涂覆一层固晶保护层，而且在进行电路光刻时，选择抗蚀刻性能更加优异的负性光刻胶；
而负性光刻胶易残留，为避免该情况，本申请在固晶槽内涂覆固晶保护层后，又在镀铜层上方涂覆一层正性光刻胶，再利用掩膜版曝光电路连接图形和固晶区图形，曝光显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负性光刻胶，再刻蚀去除未曝光区域的镀铜层；这一操作以易去除的正性光刻胶为底膜，抗刻蚀的负性光刻胶为掩膜保护层，从而在保证光刻效果的同时降低负性光刻胶的残留。
在本申请中，固晶保护层选择为二氧化硅层，实际操作中也可选择为水溶性聚合物，如聚丙烯酰胺(PAM)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等，后续处理时可通过清水去除固晶保护层。
后续再通过负胶去胶液去除覆铜板表面的光刻胶，此时正性光刻胶也会随之一起去除，避免负胶残留，再通过氢氟酸去除固晶保护层，阻焊制作，钻孔加工，形成封装基板。
后续进行COB封装时，本申请先在固晶槽内点涂固晶胶，超声处理3-5min后静置，使得固晶胶能够进入沟槽内，再将COB芯片胶接；常规固晶胶固晶过程中需要进行烘烤，但在该过程中往往会因为应力释放导致COB芯片破裂，影响COB光源的良率；本申请为为避免固晶胶应力释放对COB芯片造成影响，烘烤时处于超声环境下，“超声功率为60-70W，超声频率为20kHz”，在该条件下超声作用能够有效降低固晶胶的内部应力，避免造成COB芯片损坏；在通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合，围坝后灌入荧光胶，在该方案中选择蓝色芯片表面涂覆荧光胶，以实现全彩调光调色，具体荧光胶选择已被现有技术公开，在此不加赘述。
本申请在荧光胶烘烤固化过程中，为避免荧光胶的应力释放对COB光源的出光造成影响，烘烤时以2℃/min的升温速率升温、升温，且烘烤过程中处于超声环境下，降低胶膜内应力。
本申请公开了一种全彩调色COB光源及其制作方法，制备得到的COB光源的发光效率更高，发光效果更均匀，有效提高了COB光源的良率，可靠性更高，加工工艺更加简单，具有较高的实用性。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明制备COB光源的整体工艺流程图；
图2是实施例1制备封装基板时，A步骤单面覆铜板表面涂覆正性光刻胶后的固晶区局部结构示意图；
图3是实施例1制备封装基板时，A步骤单面覆铜板表面曝光显影后的固晶区局部结构示意图；
图4是实施例1制备封装基板时，C步骤处理后的固晶区局部结构示意图；
图5是实施例1制备封装基板时，D步骤单面覆铜板表面涂覆正性光刻胶后的固晶区局部结构示意图；
图6是实施例1制备封装基板时，E步骤处理后的固晶区局部结构示意图；
图7是实施例1制备封装基板时，F步骤涂覆固晶保护层后的固晶区局部结构示意图；
图8是实施例1制备封装基板时，F步骤处理后的结固晶区局部结构示意图；
图9是实施例1横向固晶槽、纵向固晶槽的排列分布示意图；
图10是图9中纵向固晶槽的放大图。
图中：1-单面覆铜板基板、2-镀铜层、3-正性光刻胶、4-纵向固晶槽、5-横向固晶槽、6-固晶保护层、7-负性光刻胶、8-沟槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
一种全彩调色COB光源制作方法，包括以下步骤：
(1)制备封装基板：
A.取单面覆铜板，剪切成预设的规格尺寸，备用；单面覆铜板包括单面覆铜板基板1和镀铜层2；
B.通过刷板机去除覆铜板表面的氧化膜，在覆铜板表面镀铜层2上涂覆正性光刻胶3，烘烤固化，通过掩膜版曝光出固晶区图形，放置于显影液中进行显影刻蚀，形成若干个固晶区；
C.将单面覆铜板置于ICP刻蚀机内，分别对固晶区进行ICP刻蚀并形成固晶槽，去除正性光刻胶；其中ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，镀铜层2的厚度为c，则c+0.2b＝a；
所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽5和纵向固晶槽4，所述横向固晶槽5的相邻位置均为纵向固晶槽4，所述纵向固晶槽4的相邻位置均
为横向固晶槽5；
D.在固晶槽底部进行二次光刻，取步骤C处理后的单面覆铜板，覆铜板表面涂覆正性光刻胶，烘烤固化，烘烤固化时烘烤温度均为90℃，烘烤时间均为20min，曝光显影出沟槽图形，再进行ICP刻蚀，在固晶槽底部形成若干道沟槽8；
沟槽8的分布方向与固晶槽的方向相反，横向固晶槽5中的沟槽为纵向排列，纵向固晶槽4中的沟槽为横向排列。
E.取步骤D处理后的单面覆铜板，通过正胶去胶液去除正性光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
F.取步骤E处理后的单面覆铜板，在固晶槽内涂覆固晶保护层6，固晶保护层6为二氧化硅膜；再在镀铜层2表面旋涂正性光刻胶并覆盖整个镀铜层2，烘烤固化，烘烤固化时烘烤温度均为90℃，烘烤时间均为20min；
再通过掩膜版曝光电路连接图形，通过掩膜版曝光出固晶区图形，显影液进行显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负性光刻胶7，置于烘箱中烘烤坚膜，再转移至蚀刻液中，刻蚀去除未曝光区域的镀铜层2；
其中烘烤坚膜时，先置于85℃下烘烤10min，再在110℃下烘烤
30min，烘烤后转移至蚀刻液中；刻蚀液为酸性氯化铜蚀刻液。
G.取步骤F处理后的单面覆铜板，通过负胶去胶液去除镀铜层2表面光刻胶，在80℃水浴条件下去胶25min，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干
H.去除固晶槽内的固晶保护层6；操作时通过氢氟酸去除二氧化硅膜，室温下腐蚀10s；
I.在单面覆铜板表面进行阻焊制作，钻孔加工，形成封装基板。
(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽5、纵向固晶槽4内，超声处理3min，静置5min，再转移至烘箱中烘烤1.5h，烘烤温度为150℃；烘烤时均处于超声条件下，超声功率为60W，超声频率为20kHz。
(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；
(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至140℃下，保温烘烤50min，再以2℃/min的速率降温冷却；烘烤时均处于超声条件下，超声功率为60W，超声频率为20kHz。
(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源。
实施例2：
一种全彩调色COB光源制作方法，包括以下步骤：
(1)制备封装基板：
A.取单面覆铜板，剪切成预设的规格尺寸，备用；
B.通过刷板机去除覆铜板表面的氧化膜，在覆铜板表面镀铜层2上涂覆正性光刻胶，烘烤固化，通过掩膜版曝光出固晶区图形，放置于显影
液中进行显影刻蚀，形成若干个固晶区；
C.将单面覆铜板置于ICP刻蚀机内，分别对固晶区进行ICP刻蚀并形成固晶槽；去除正性光刻胶；ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，
镀铜层2的厚度为c，则c+0.4b＝a。
所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽5和纵向固晶槽4，所述横向固晶槽5的相邻位置均为纵向固晶槽4，所述纵向固晶槽4的相邻位置均为横向固晶槽5；
D.在固晶槽底部进行二次光刻，取步骤C处理后的单面覆铜板，覆铜板表面涂覆正性光刻胶，烘烤固化，烘烤固化时烘烤温度均为95℃，烘烤时间均为18min，曝光显影出沟槽图形，再进行ICP刻蚀，在固晶槽底部形成若干道沟槽8；
沟槽8的分布方向与固晶槽的方向相反，横向固晶槽5中的沟槽为纵向排列，纵向固晶槽4中的沟槽为横向排列。
E.取步骤D处理后的单面覆铜板，通过正胶去胶液去除正性光刻胶，再
依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
F.取步骤E处理后的单面覆铜板，在固晶槽内涂覆固晶保护层6，固晶保护层6为二氧化硅膜；再在镀铜层2表面旋涂正性光刻胶并覆盖整个镀铜层2，烘烤固化，烘烤固化时烘烤温度均为95℃，烘烤时间均为18min；
再通过掩膜版曝光电路连接图形，通过掩膜版曝光出固晶区图形，显影液进行显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负性光刻胶，置于烘箱中烘烤坚膜，再转移至蚀刻液中，刻蚀去除未曝光区域的镀铜层2；
其中烘烤坚膜时，先置于88℃下烘烤8min，再在113℃下烘烤
25min，烘烤后转移至蚀刻液中；刻蚀液为酸性氯化铜蚀刻液。
G.取步骤F处理后的单面覆铜板，通过负胶去胶液去除镀铜层2表面光刻胶，在82℃水浴条件下去胶23min，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干
H.去除固晶槽内的固晶保护层6；操作时通过氢氟酸去除二氧化硅膜，室温下腐蚀15s；
I.在单面覆铜板表面进行阻焊制作，钻孔加工，形成封装基板。
(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽5、纵向固晶槽4内，超声处理4min，静置8min，再转移至烘箱中烘烤1.8h，烘烤温度为155℃；烘烤时均处于超声条件下，超声功率为65W，超声频率为20kHz。
(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；
(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至145℃下，保温烘烤48min，再以2℃/min的速率降温冷却；烘烤时均处于超声条件下，超声功率为65W，超声频率为20kHz。
(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源。
实施例3：
一种全彩调色COB光源制作方法，包括以下步骤：
(1)制备封装基板：
A.取单面覆铜板，剪切成预设的规格尺寸，备用；
B.通过刷板机去除覆铜板表面的氧化膜，在覆铜板表面镀铜层2上涂覆正性光刻胶，烘烤固化，通过掩膜版曝光出固晶区图形，放置于显影
液中进行显影刻蚀，形成若干个固晶区；
C.将单面覆铜板置于ICP刻蚀机内，分别对固晶区进行ICP刻蚀并形成固晶槽；去除正性光刻胶；ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，
镀铜层2的厚度为c，则c+0.5b＝a。
所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽5和纵向固晶槽4，所述横向固晶槽5的相邻位置均为纵向固晶槽4，所述纵向固晶槽4的相邻位置均为横向固晶槽5；
D.在固晶槽底部进行二次光刻，取步骤C处理后的单面覆铜板，覆铜板表面涂覆正性光刻胶，烘烤固化，烘烤固化时烘烤温度均为100℃，烘烤时间均为15min，曝光显影出沟槽图形，再进行ICP刻蚀，在固晶槽底部形成若干道沟槽；
沟槽的分布方向与固晶槽的方向相反，横向固晶槽5中的沟槽为纵向排列，纵向固晶槽4中的沟槽为横向排列。
E.取步骤D处理后的单面覆铜板，通过正胶去胶液去除正性光刻胶，再
依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
F.取步骤E处理后的单面覆铜板，在固晶槽内涂覆固晶保护层6，固晶保护层6为二氧化硅膜；再在镀铜层2表面旋涂正性光刻胶并覆盖整个镀铜层2，烘烤固化，烘烤固化时烘烤温度均为100℃，烘烤时间均为15min；
再通过掩膜版曝光电路连接图形，通过掩膜版曝光出固晶区图形，显影液进行显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负性光刻胶，置于烘箱中烘烤坚膜，再转移至蚀刻液中，刻蚀去除未曝光区域的镀铜层2；
其中烘烤坚膜时，先置于90℃下烘烤5min，再在115℃下烘烤
20min，烘烤后转移至蚀刻液中；刻蚀液为酸性氯化铜蚀刻液。
G.取步骤F处理后的单面覆铜板，通过负胶去胶液去除镀铜层2表面光刻胶，在85℃水浴条件下去胶20min，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干
H.去除固晶槽内的固晶保护层6；操作时通过氢氟酸去除二氧化硅膜，室温下腐蚀20s；
I.在单面覆铜板表面进行阻焊制作，钻孔加工，形成封装基板。
(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽5、纵向固晶槽4内，超声处理5min，静置10min，再转移至烘箱中烘烤2h，烘烤温度为150℃；烘烤时均处于超声条件下，超声功率为70W，超声频率为20kHz。
(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；
(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至150℃下，保温烘烤45min，再以2℃/min的速率降温冷却；烘烤时均处于超声条件下，超声功率为70W，超声频率为20kHz。
(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源。
结论：观察实施例1-3制备的COB光源出光效率高，出光均匀，在制备过程中COB芯片的侧边不会覆胶，且固晶胶不会出现溢胶情况，COB光源的良率和可靠性高，发光效果优异，实用性更高。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)制备封装基板，封装基板表面设有形成若干个固晶槽；所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽；
(2)取封装基板，在封装基板的固晶槽内点涂固晶胶，分别将COB芯片胶接在横向固晶槽、纵向固晶槽内，超声处理3-5min，静置5-10min，再转移至烘箱中烘烤1.5-2h，烘烤温度为150-160℃；
(3)采用热压超声波键合工艺，通过金线将COB芯片与封装基板表面的电路连接键合；
(4)围坝，并在围坝围起来的区域内灌入荧光胶，以2℃/min的升温速率升温至140-150℃下，保温烘烤45-50min，再以2℃/min的速率降温冷却；
(5)进行性能测试，包装入库，得到成品COB光源；
步骤(1)中，封装基板的制备步骤如下：
A.取单面覆铜板，剪切成预设的规格尺寸，备用；
B.通过刷板机去除覆铜板表面的氧化膜，在覆铜板表面镀铜层上涂覆正性光刻胶，烘烤固化，通过掩膜版曝光出固晶区图形，放置于显影液中进行显影刻蚀，形成若干个固晶区；
C.将单面覆铜板置于ICP刻蚀机内，分别对固晶区进行ICP刻蚀并形成固晶槽，去除正性光刻胶，所述固晶槽包括间隔设置的横向固晶槽和纵向固晶槽，所述横向固晶槽的相邻位置均为纵向固晶槽，所述纵向固晶槽的相邻位置均为横向固晶槽；
D.在固晶槽底部进行二次光刻，取步骤C处理后的单面覆铜板，表面涂覆正性光刻胶，烘烤固化，曝光显影出沟槽图形，再进行ICP刻蚀，在固晶槽底部形成若干道沟槽；
E.取步骤D处理后的单面覆铜板，通过正胶去胶液去除正性光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
F.取步骤E处理后的单面覆铜板，在固晶槽内涂覆固晶保护层，再在镀铜层表面旋涂正性光刻胶并覆盖整个镀铜层，烘烤固化，通过掩膜版曝光电路连接图形，再通过掩膜版曝光出固晶区图形，显影液进行显影，再在正性光刻胶上表面涂覆负性光刻胶，置于烘箱中烘烤坚膜，再转移至蚀刻液中，刻蚀去除未曝光区域的镀铜层；
G.取步骤F处理后的单面覆铜板，通过负胶去胶液去除镀铜层表面光刻胶，再依次通过丙酮、乙醇、纯水超声清洗，氮气烘干；
H.去除固晶槽内的固晶保护层；
I.在单面覆铜板表面进行阻焊制作，钻孔加工，形成封装基板。
2.根据权利要求1所述的一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：步骤(2)、步骤(4)中，烘烤时均处于超声条件下，超声功率为60-70W，超声频率为20kHz。
3.根据权利要求1所述的一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：步骤D中，沟槽的分布方向与固晶槽的方向相反，横向固晶槽中的沟槽为纵向排列，纵向固晶槽中的沟槽为横向排列。
4.根据权利要求1所述的一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：步骤F中，固晶保护层为二氧化硅膜；步骤H中通过氢氟酸去除二氧化硅膜。
5.根据权利要求1所述的一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：步骤C中，ICP刻蚀深度为a，COB芯片的厚度为b，镀铜层的厚度为c，则c+0.2b＜a＜c+0.5b。
6.根据权利要求1所述的一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：步骤F中，烘烤坚膜时，先置于85-90℃下烘烤5-10min，再在110-115℃下烘烤20-30min，烘烤后转移至蚀刻液中；刻蚀液为酸性氯化铜蚀刻液。
7.根据权利要求1所述的一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：步骤B、步骤D、步骤F中，烘烤固化时烘烤温度均为90-100℃，烘烤时间均为15-20min。
8.根据权利要求1所述的一种全彩调色COB光源制作方法，其特征在于：负胶去胶液去胶时，在80-85℃水浴条件下去胶20-25min。
9.根据权利要求3所述的一种全彩调色COB光源制作方法制作的COB光源。
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