CN113224213B - 红外发光二极管外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在n型AlGaAs限制层与多量子阱层之间增加第一应力调整层，应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，第一应力调整层生长时会积累张应力，张应力会被多量子阱层的压应力抵消，最终得到的多量子阱层中的压应力较少，提高多量子阱层的晶体质量以提高发光效率。在第一应力调整层包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格本身生长过程中也会释放一定的应力，多量子阱层以下的底层结构的质量较好，可以进一步提高多量子阱层的晶体质量。
Description
技术领域
本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及一种红外发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术
红外发光二极管是一种重要的光源器件，广泛应用于远程遥控，车辆传感，闭路电视等方面，红外发光二极管外延片则是用于制备红外发光二极管的基础结构。红外发光二极管外延片通常包括衬底及依次层叠在衬底上的n型AlGaAs电流扩展层、n型AlGaAs限制层、多量子阱层、p型AlGaAs限制层及p型AlGaAs电流扩展层，多量子阱层通常包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层。
多量子阱层中的InGaAs阱层与GaAs垒层由于存在较大的晶格失配，容易导致多量子阱层中存在较大的应力，应力的存在进一步导致多量子阱层中存在较多的缺陷，使得最终得到的多量子阱层的质量不够理想，红外发光二极管的发光效率较低。
发明内容
本公开实施例提供了红外发光二极管外延片及其制备方法，能够提高多量子阱层的晶体质量以提高红外发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：
本公开实施例提供了一种红外发光二极管外延片，所述红外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaAs电流扩展层、n型AlGaAs限制层、第一应力调整层、多量子阱层、p型AlGaAs限制层及p型AlGaAs电流扩展层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层，
所述第一应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格。
可选地，所述第一AlGaAsP层的厚度为10nm～20nm。
可选地，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的AlGaAsP子层的厚度为5nm～10nm，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的GaInP子层的厚度为5nm～10nm。
可选地，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的GaInP子层的P组分为100％，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的AlGaAsP子层中P组分为10％～15％。
可选地，所述第一AlGaAsP层中P组分为10％～15％。
可选地，所述红外发光二极管外延片还包括第二应力调整层，所述第二应力调整层位于所述多量子阱层中，所述第二应力调整层包括第二AlGaAsP层或第二AlGaAsP/GaInP超晶格。
可选地，在由所述多量子阱层指向所述p型AlGaAs限制层的方向上，所述第二应力调整层夹设在所述多量子阱层中最后一个周期的GaAs垒层与倒数第二个周期的InGaAs阱层之间。
可选地，所述第一应力调整层的层次排列与所述第二应力调整层的层次排列相同，且所述第二应力调整层的厚度小于所述第一应力调整层的厚度。
可选地，所述第二应力调整层的厚度与所述第一应力调整层的厚度之比为0.5～0.7。
本公开实施例提供了一种红外发光二极管外延片制备方法，所述红外发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型AlGaAs电流扩展层；
在所述n型AlGaAs电流扩展层上生长n型AlGaAs限制层；
在所述n型AlGaAs限制层上生长第一应力调整层，所述第一应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格；
在所述第一应力调整层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层；
在所述多量子阱层上生长p型AlGaAs限制层；
在所述p型AlGaAs限制层上生长p型AlGaAs电流扩展层。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：
由于多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层，多量子阱层在生长过程中会积累较多的压应力而导致多量子阱层中存在较多缺陷。因此在n型AlGaAs限制层与多量子阱层之间增加第一应力调整层，且应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格。第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格的晶格常数与n型AlGaAs限制层的晶格常数较为接近，过渡到多量子阱层会产生的晶格失配较小。且第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格的晶格常数均小于n型AlGaAs电流扩展层的晶格常数，在生长时会积累张应力，这一部分张应力会被后续多量子阱层生长时存在的压应力所抵消，最终得到的多量子阱层中的压应力较少，由应力导致的应变及缺陷较少，可以提高多量子阱层的晶体质量以提高发光效率。在第一应力调整层包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格本身生长过程中也会释放一定的应力，多量子阱层以下的底层结构的质量较好，可以进一步提高多量子阱层的晶体质量。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种红外发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的另一种红外发光二极管外延片的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一种红外发光二极管外延片制备方法流程图；
图4是本公开实施例提供的另一种红外发光二极管外延片制备方法流程图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种红外发光二极管外延片的结构示意图，参考图1可知，本公开实施例提供了一种红外发光二极管外延片，红外发光二极管外延片包括衬底1及依次层叠在衬底1上的n型AlGaAs电流扩展层2、n型AlGaAs限制层3、第一应力调整层4、多量子阱层5、p型AlGaAs限制层6及p型AlGaAs电流扩展层7，多量子阱层5包括多个周期交替生长的InGaAs阱层51和GaAs垒层52。第一应力调整层4包括第一AlGaAsP层41或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格42。
由于多量子阱层5包括多个周期交替生长的InGaAs阱层51和GaAs垒层52，多量子阱层5在生长过程中会积累较多的压应力而导致多量子阱层5中存在较多缺陷。因此在n型AlGaAs限制层3与多量子阱层5之间增加第一应力调整层4，且应力调整层包括第一AlGaAsP层41或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格42。第一AlGaAsP层41或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格42的晶格常数与n型AlGaAs限制层3的晶格常数较为接近，过渡到多量子阱层5会产生的晶格失配较小。且第一AlGaAsP层41或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格42的晶格常数均小于n型AlGaAs电流扩展层2的晶格常数，在生长时会积累张应力，这一部分张应力会被后续多量子阱层5生长时存在的压应力所抵消，最终得到的多量子阱层5中的压应力较少，由应力导致的应变及缺陷较少，可以提高多量子阱层5的晶体质量以提高发光效率。在第一应力调整层4包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格42时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格42本身生长过程中也会释放一定的应力，多量子阱层5以下的底层结构的质量较好，可以进一步提高多量子阱层5的晶体质量。
需要说明的是，多量子阱层5中的缺陷较多时，容易导致空穴与电子在缺陷处发生非辐射复合，在多量子阱层5内正常复合进行发光的电子与空穴的数量则相应会减少，因此最终影响到红外发光二极管的发光效率。
可选地，第一AlGaAsP层41的厚度为10nm～20nm。
第一应力调整层4为第一AlGaAsP层41时，且第一AlGaAsP层41的厚度在以上范围内，第一AlGaAsP层41本身的质量较好，可以有效缓解多量子阱层5中最终积累的应力，提高最终得到红外发光二极管外延片的质量。
示例性地，第一AlGaAsP/GaInP超晶格42中的AlGaAsP子层的厚度为5nm～10nm，第一AlGaAsP/GaInP超晶格42中的GaInP子层的厚度为5nm～10nm。
第一应力调整层4为超晶格时，且第一AlGaAsP层41的厚度在以上范围内，第一AlGaAsP/GaInP超晶格42本身的质量较好，且可以有效缓解多量子阱层5中最终积累的应力，提高最终得到红外发光二极管外延片的质量。
可选地，第一AlGaAsP/GaInP超晶格42中的GaInP子层的P组分为100％，第一AlGaAsP/GaInP超晶格42中的AlGaAsP子层中P组分为10％～15％。
第一AlGaAsP/GaInP超晶格42中P组分在以上范围内时，第一AlGaAsP/GaInP超晶格42中整体的晶格常数与n型AlGaAs限制层3的晶格常数较为接近，可以保证第一AlGaAsP/GaInP超晶格42本身的晶体质量。同时第一AlGaAsP/GaInP超晶格42可以积累一定的张应力，抵消多量子阱层5中会积累的压应力，最终提高红外发光二极管外延片的晶体质量。
示例性地，第一AlGaAsP层41中P组分为10％～15％。
第一AlGaAsP层41中P组分在以上范围内时，第一AlGaAsP层41中整体的晶格常数与n型AlGaAs限制层3的晶格常数较为接近，可以保证第一AlGaAsP层41本身的晶体质量。同时第一AlGaAsP层41可以积累一定的张应力，抵消多量子阱层5中会积累的压应力，最终提高红外发光二极管外延片的晶体质量。
参考图1可知，红外发光二极管外延片还包括第二应力调整层8，第二应力调整层8位于多量子阱层5中，第二应力调整层8包括第二AlGaAsP层81或第二AlGaAsP/GaInP超晶格82。
位于多量子阱层5中的第二应力调整层8，可以进一步释放多量子阱层5本身会积累的压应力，在第一应力调整层4的基础上，进一步提高多量子阱层5的晶体质量，以提高红外发光二极管的发光效率。
可选地，在由多量子阱层5指向p型AlGaAs限制层6的方向上，第二应力调整层8夹设在多量子阱层5中最后一个周期的GaAs垒层52与倒数第二个周期的InGaAs阱层51之间。
第二应力调整层8夹设在多量子阱层5中最后一个周期的GaAs垒层52与倒数第二个周期的InGaAs阱层51之间，第二应力调整层8可以抵消多量子阱层5前期生长所积累的应力，使得多量子阱层5整体的质量较好。且多量子阱层5的表面会较为平整，在多量子阱层5上生长的外延结构的质量也较好。最终得到的红外发光二极管外延片的质量得到有效提高。
可选地，第一应力调整层4的层次排列与第二应力调整层8的层次排列相同，且第二应力调整层8的厚度小于第一应力调整层4的厚度。
第一应力调整层4的层次排列与第二应力调整层8的层次排列相同，可以便于红外发光二极管外延片的生长，且整体质量会更好。而由于第一应力调整层4一定程度上已经可以缓解应力，因此第二应力调整层8的厚度小于第一应力调整层4的厚度，可以进一步缓解应力的同时，控制红外发光二极管外延片整体的生长成本不会过高。
示例性地，第二应力调整层8的厚度与第一应力调整层4的厚度之比为0.5～0.7。
第二应力调整层8的厚度与第一应力调整层4的厚度之比在以上范围内时，可以得到质量较好的多量子阱层5。
可选地，第二AlGaAsP层81的厚度为3nm～5nm。
第二应力调整层8为第二AlGaAsP层81时，且第二AlGaAsP层81的厚度在以上范围内，第二AlGaAsP层81本身的质量较好，可以有效缓解多量子阱层5中最终积累的应力，提高最终得到红外发光二极管外延片的质量。
示例性地，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中的AlGaAsP子层的厚度为3nm～5nm，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中的GaInP子层的厚度为3nm～5nm。
第二应力调整层8为第二AlGaAsP/GaInP超晶格82时，且第二AlGaAsP/GaInP超晶格82的厚度在以上范围内，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82本身的质量较好，可以有效缓解多量子阱层5中最终积累的应力，提高最终得到红外发光二极管外延片的质量。
示例性地，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中的GaInP子层的P组分，可小于第一AlGaAsP/GaInP超晶格42中的GaInP子层的P组分，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中的AlGaAsP子层中P组分，可小于第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中的AlGaAsP子层中P组分。
采用上一段中的设置，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中，各层的晶格常数会更接近多量子阱层5中阱层51与垒层52的晶格常数，缓解应力的同时避免本身产生较大的晶格失配，保证最终得到的多量子阱层5的晶体质量。
示例性地，第二AlGaAsP层81中的P组分，可小于第一AlGaAsP层41中的P组分。
采用上一段中的设置，第二AlGaAsP层81的晶格常数会更接近多量子阱层5中阱层51与垒层52的晶格常数，缓解应力的同时避免本身产生较大的晶格失配，保证最终得到的多量子阱层5的晶体质量。
可选地，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中的GaInP子层的P组分为100％，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中的AlGaAsP子层中P组分为10％～15％。
第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中P组分在以上范围内时，第二AlGaAsP/GaInP超晶格82中整体的晶格常数与n型AlGaAs限制层3的晶格常数较为接近，可以保证第二AlGaAsP/GaInP超晶格82本身的晶体质量。同时第二AlGaAsP/GaInP超晶格82可以积累一定的张应力，抵消多量子阱层5中会积累的压应力，最终提高红外发光二极管外延片的晶体质量。
示例性地，第二AlGaAsP层81中P组分为10％～15％。
第二AlGaAsP层81中P组分在以上范围内时，第二AlGaAsP层81中整体的晶格常数与n型AlGaAs限制层3的晶格常数较为接近，可以保证第二AlGaAsP层81本身的晶体质量。同时第二AlGaAsP层81可以积累一定的张应力，抵消多量子阱层5中会积累的压应力，最终提高红外发光二极管外延片的晶体质量。
图2是本公开实施例提供的另一种红外发光二极管外延片的结构示意图，参考图2可知，红外发光二极管外延片可包括衬底1及依次层叠在衬底1上的GaAs缓冲层9、n型AlGaAs电流扩展层2、n型AlGaAs限制层3、第一应力调整层4、多量子阱层5、p型AlGaAs限制层6、p型AlGaAs电流扩展层7。多量子阱层5包括多个周期交替生长的InGaAs阱层51和GaAs垒层52，第二应力调整层8位于多量子阱层5的多个周期之间。
图2中的第一应力调整层4的结构及第二应力调整层8的结构，在前文中已进行说明，因此此处对此不再进行赘述。需要说明的是，为便于理解，图1中的第一应力调整层4与第二应力调整层8均为单层结构，图2中的第一应力调整层4与第二应力调整层8均为超晶格结构。
为便于理解，以下详细提供红外发光二极管外延片中的一些层次结构。
可选地，衬底1的材料为砷化镓。便于获取与制备。
示例性地，GaAs缓冲层9的厚可为150～300nm。得到的红外发光二极管外延片的质量较好。
可选地，n型AlGaAs电流扩展层2的厚度为3～3.5um。得到的红外发光二极管外延片的质量较好。
可选地，n型AlGaAs限制层3的厚度为250～350nm。得到的红外发光二极管外延片的质量较好。
可选地，多量子阱层5中InGaAs阱层51的厚度为7～9nm，V/III为40-50，生长速率0.4-0.6nm/s；得到的红外发光二极管外延片的质量较好。
可选地，多量子阱层5中GaAs垒层52的厚度20～22nm；得到的红外发光二极管外延片的质量较好。
可选地，p型AlGaAs限制层6的厚度为350～450nm。得到的红外发光二极管外延片的质量较好。
可选地，p型AlGaAs电流扩展层7的厚度6～8um。得到的红外发光二极管外延片的质量较好。
图2中红外发光二极管外延片的结构，相对图1中所示的红外发光二极管的结构，在衬底1与n型AlGaAs电流扩展层2之间增加了GaAs缓冲层9，可以缓解晶格失配起到进一步提高红外发光二极管外延片的质量的效果。
需要说明的是，图2仅用于示例，在本公开所提供的其他实现方式中，红外发光二极管还可具有其他不同的层次结构，本公开对此不做限制。
图3是本公开实施例提供的一种红外发光二极管外延片制备方法流程图，参考图3可知，该红外发光二极管外延片制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上生长n型AlGaAs电流扩展层。
S103：在n型AlGaAs电流扩展层上生长n型AlGaAs限制层。
S104：在n型AlGaAs限制层上生长第一应力调整层，第一应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格。
S105：在第一应力调整层上生长多量子阱层，多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层。
S106：在多量子阱层上生长p型AlGaAs限制层。
S107：在p型AlGaAs限制层上生长p型AlGaAs电流扩展层。
图3中所示的红外发光二极管外延片制备方法的技术效果可参考图1中所示的红外发光二极管外延片的结构技术效果，因此在此处不再对图2中红外发光二极管外延片制备方法的技术效果进行赘述。
执行完步骤S107之后的红外发光二极管外延片的结构可参考图1。
图4是本公开实施例提供的另一种红外发光二极管外延片制备方法流程图，参考图4可知，该红外发光二极管外延片制备方法包括：
S201：提供一衬底。
步骤S201中，衬底的材料可为砷化镓。
S202：在衬底上生长GaAs缓冲层。
可选地，GaAs缓冲层的生长条件包括：生长温度650-670度，厚度150-300nm，V/III为20-30，生长速率0.5-0.8nm/s。
S203：在GaAs缓冲层上生长n型AlGaAs电流扩展层。
可选地，n型AlGaAs电流扩展层生长条件包括：生长温度670-680度，厚度3-3.5um，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
S204：在n型AlGaAs电流扩展层上生长n型AlGaAs限制层。
可选地，n型AlGaAs限制层生长条件包括：生长温度670-680度，厚度250-350nm，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
S205：在n型AlGaAs限制层上生长第一应力调整层。
可选地，第一应力调整层包括第一AlGaAsP层时，第一应力调整层的生长条件包括：生长温度650～660度，厚度5nm～10nm，V/III 60～80，生长速率为0.5-1nm/s。
采用上一段中的条件，可以得到质量较好的第一应力调整层。
示例性地，第一应力调整层包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，第一应力调整层中，第一AlGaAsP子层的生长条件包括：生长温度650～660度，厚度5nm～10nm，V/III 60～80，生长速率为0.5-1nm/s；GaInP子层的生长条件包括：生长温度650～660度，厚度5nm～10nm，V/III 100～200，生长速率为0.5-0.7nm/s。可以得到质量较好的第一应力调整层。
需要说明的是，生长超晶格结构时，向反应腔内交替通入不同层的生长材料并维持一端时间即可。
S206：在第一应力调整层上生长多量子阱层与第二应力调整层。
步骤S206中，多量子阱层中InGaAs阱层的生长条件包括：生长温度650-660度，厚度7-9nm，V/III为40-50，生长速率0.4-0.6nm/s。多量子阱层中GaAs垒层的生长条件包括：生长温度650-660度，厚度20-22nm，V/III为40-50，生长速率1-2nm/s。能够得到质量较好的多量子阱层。
需要说明的是，在多量子阱层生长多个周期的InGaAs阱层与GaAs垒层之后，可以再生长第二应力调整层，并在第二应力调整层生长完之后，继续生长一个周期的InGaAs阱层与GaAs垒层。最后得到多量子阱层与第二应力调整层。
可选地，第二应力调整层包括第二AlGaAsP层时，第二应力调整层的生长条件包括：生长温度650～660度，厚度5nm～10nm，V/III 60～80，生长速率为0.5-1nm/s。
采用上一段中的条件，可以得到质量较好的第二应力调整层。
示例性地，第二应力调整层包括第二AlGaAsP/GaInP超晶格，第二应力调整层中，第二AlGaAsP子层的生长条件包括：生长温度650～660度，厚度5nm～10nm，V/III 60～80，生长速率为0.5-1nm/s；GaInP子层的生长条件包括：生长温度650～660度，厚度5nm～10nm，V/III 100～200，生长速率为0.5-0.7nm/s。可以得到质量较好的第二应力调整层。
S207：在多量子阱层上生长p型AlGaAs限制层。
可选地，p型AlGaAs限制层生长条件包括：生长温度670-680度，厚度350-450nm，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～2e18。
S208：在p型AlGaAs限制层上生长p型AlGaAs电流扩展层。
可选地，p型AlGaAs电流扩展层生长条件包括：生长温度670-680度，厚度6-8um，V/III为40-50，生长速率1.2-1.7nm/s，载流子浓度1～3e18。
以上所述，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (8)
1.一种红外发光二极管外延片，其特征在于，所述红外发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaAs电流扩展层、n型AlGaAs限制层、第一应力调整层、多量子阱层、p型AlGaAs限制层及p型AlGaAs电流扩展层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层，
所述第一应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格，
所述红外发光二极管外延片还包括第二应力调整层，所述第二应力调整层位于所述多量子阱层中，所述第二应力调整层包括第二AlGaAsP层或第二AlGaAsP/GaInP超晶格，在由所述多量子阱层指向所述p型AlGaAs限制层的方向上，所述第二应力调整层夹设在所述多量子阱层中最后一个周期的GaAs垒层与倒数第二个周期的InGaAs阱层之间。
2.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP层的厚度为10nm~20nm。
3.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的AlGaAsP子层的厚度为5nm~10nm，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的GaInP子层的厚度为5nm~10nm。
4.根据权利要求1~3任一项所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的GaInP子层的P组分为100%，所述第一AlGaAsP/GaInP超晶格中的AlGaAsP子层中P组分为10%~15%。
5.根据权利要求1~3任一项所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlGaAsP层中P组分为10%~15%。
6.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一应力调整层的层次排列与所述第二应力调整层的层次排列相同，且所述第二应力调整层的厚度小于所述第一应力调整层的厚度。
7.根据权利要求1所述的红外发光二极管外延片，其特征在于，所述第二应力调整层的厚度与所述第一应力调整层的厚度之比为0.5~0.7。
8.一种红外发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述红外发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型AlGaAs电流扩展层；
在所述n型AlGaAs电流扩展层上生长n型AlGaAs限制层；
在所述n型AlGaAs限制层上生长第一应力调整层，所述第一应力调整层包括第一AlGaAsP层或包括第一AlGaAsP/GaInP超晶格；
在所述第一应力调整层上生长多量子阱层与第二应力调整层，所述多量子阱层包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和GaAs垒层，所述第二应力调整层位于所述多量子阱层中，所述第二应力调整层包括第二AlGaAsP层或第二AlGaAsP/GaInP超晶格；
在所述多量子阱层上生长p型AlGaAs限制层，且在由所述多量子阱层指向所述p型AlGaAs限制层的方向上，所述第二应力调整层夹设在所述多量子阱层中最后一个周期的GaAs垒层与倒数第二个周期的InGaAs阱层之间；
在所述p型AlGaAs限制层上生长p型AlGaAs电流扩展层。
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