CN113224118B - 纹路识别显示面板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种纹路识别显示面板,包括:衬底基板;多个感光元件,位于衬底基板的一侧,靠近衬底基板的一侧为入光侧;多个发光元件,位于感光元件远离衬底基板的一侧;第一遮光结构,位于衬底基板靠近衬底基板的一侧,形成有多个第一成像孔;第二遮光结构,位于感光元件内感光层与衬底基板之间,形成有多个第二成像孔,每个第二成像孔对应一个发光元件和一个第一成像孔;反射层,位于第一遮光结构和第二遮光结构靠近衬底基板的一侧,其朝向感光元件的一侧为反射面,配置为将经过纹路反射后从第一成像孔透过的光反射至与第一成像孔相对应的第二成像孔,并透过第二成像孔后到达对应的感光元件。本公开还提供了一种显示装置。
Description
技术领域
本公开涉及显示领域,特别涉及一种纹路识别显示面板和显示装置。
背景技术
为减小产品厚度,部分厂商提出了将光学纹路识别传感器(感光元件,例如PIN光电二极管)以内嵌(In-Cell)方式集成于显示面板内部的技术方案;具体地,在显示面板内分别制备用于画面显示的显示元件(例如,有机发光二极管)和用于进行纹路识别的感光元件,感光元件接收纹路谷部位置或脊部位置反射出的光线,并生成相应的电信号;由于谷部位置和脊部位置所反射的光线有差异,因此生成的电信号也有差异,从而能够实现谷、脊的识别。
发明内容
本公开提供了一种纹路识别显示面板和显示装置。
第一方面,本公开实施例提供了一种纹路识别显示面板,包括:
衬底基板;
多个感光元件,位于所述衬底基板的一侧,靠近所述衬底基板的一侧为入光侧;
多个发光元件,位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧;
第一遮光结构,位于所述衬底基板靠近所述衬底基板的一侧,形成有多个第一成像孔;
第二遮光结构,位于所述所述感光元件内感光层与所述衬底基板之间,形成有多个第二成像孔,每个所述第二成像孔对应一个所述发光元件和一个所述第一成像孔;
反射层,位于所述第一遮光结构和所述第二遮光结构靠近所述衬底基板的一侧,其朝向所述感光元件的一侧为反射面,配置为将经过纹路反射后从所述第一成像孔透过的光反射至与所述第一成像孔相对应的第二成像孔,并透过所述第二成像孔后到达对应的所述感光元件。
在一些实施例中,所述第一成像孔及其所对应的第二成像孔二者的中心到所述反射层所处平面的距离分别为h1和h2,所述第一成像孔其所对应的第二成像孔二者的中心在平行于所述衬底基板方向上的距离为L,h1、h2和L满足:40°≤actan[L/(h1+h2)]≤50°。
在一些实施例中,所述感光元件包括:沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的第一电极、感光层和第二电极;
所述第一电极复用为所述第二遮光结构。
在一些实施例中,所述第一遮光结构与所述第二遮光结构同层设置。
在一些实施例中,所述第二电极的材料包括金属材料,所述第二电极靠近所述感光层的一侧为反射面。
在一些实施例中,纹路识别显示面板还包括:
像素界定层,位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧,所述像素界定层上形成有多个像素开口,所述发光元件位于所述像素开口内;
所述像素界定层的材料包括遮光材料,所述像素界定层复用为所述第一遮光结构。
在一些实施例中,纹路识别显示面板还包括:
平坦化层,位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧;
信号传输走线,位于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,所述信号传输走线通过平坦化层、覆盖层上的过孔与所述第二电极连接;
遮光反射结构,位于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,其远离所述衬底基板的一侧为遮光面,其靠近所述衬底基板的一侧为反射面,所述遮光反射结构在所述衬底基板上正投影与所述感光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
在一些实施例中,所述信号传输走线与所述遮光反射结构同层设置;
所述遮光反射结构与所述遮光反射结构二者在所述衬底基板上正投影完全覆盖所述感光层在所述衬底基板上的正投影。
在一些实施例中,纹路识别显示面板还包括:
多个薄膜晶体管,位于所述感光元件和所述衬底基板之间,每个所述薄膜晶体管对应一个所述感光元件或一个所述发光元件,所述薄膜晶体管与对应的所述感光元件或所述发光元件电连接。
所述反射层位于所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间,所述反射层与所述薄膜晶体管之间设置有透明且绝缘的厚度调节层。
在一些实施例中,所述反射层包括多个反射图形,所述反射图形、所述第一成像孔、所述第二成像孔三者一一对应。
在一些实施例中,所述反射图形的中心与所述反射图形所对应的第一成像孔的中心的连线与所述衬底基板所处平面的法线的夹角为θ,所述反射图形的中心与所述反射图形所对应的第二成像孔的中心的连线与所述衬底基板所处平面的法线的夹角为θ,θ的取值范围为[40°,50°]。
在一些实施例中,所述第一成像孔平行于所述衬底基板所处平面的截面形状为圆形或矩形;
所述第二成像孔平行于所述衬底基板所处平面的截面形状为圆形或矩形;
所述第一成像孔的孔径范围为:2um~10um;
所述第二成像孔的孔径范围为:2um~10um。
第二方面,本公开实施例还提供了一种显示装置,包括:如上述第一方面所提供的所述纹路识别显示面板。
附图说明
图1为相关技术所涉及的纹路识别显示面板的纹路识别原理示意图;
图2A为本公开实施例提供的一种纹路识别显示面板的截面示意图;
图2B为本公开实施例提供的另一种纹路识别显示面板的截面示意图;
图3为本公开实施例所提供的纹路识别显示面板的纹路识别原理示意图;
图4为本公开实施例中谷部位置所处界面所反射光的光强度角谱分布示意图;
图5本公开实施例中纹路识别显示面板上感光元件、第一成像孔、反射图形和第二成像孔的一种俯视示意图;
图6a为本公开实施例中感光元件的一种截面示意图;
图6b为本公开实施例中第二电极对未被感光层所吸收的光线进行反射时的示意图;
图7为本公开实施例提供的又一种纹路识别显示面板的结构示意图;
图8为本公开实施例提供的再一种纹路识别显示面板的结构示意图;
图9为本公开实施例提供的再一种纹路识别显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案,下面结合附图对本公开提供的一种纹路识别显示面板和显示装置进行详细描述。
图1为相关技术所涉及的纹路识别显示面板的纹路识别原理示意图,如图1所示,在相关技术所涉及的In-Cell纹路识别显示面板中,感光元件2远离衬底基板1的一侧作为入光面(即,入光面朝向纹路纹路);为克服杂散光、相邻谷部位置或相邻脊部位置所反射光的串扰等问题,一般会在感光元件2远离衬底基板1的一侧设置准直结构20,准直结构包括多层遮光层20a,遮光层20a上形成有透光孔,这些透光孔限定出透光通道。
透光通道一般需要特定的收光角,特定的收光角需要透光通道的直径d和整体光程h具有一定比例来实现。以Array工艺内常规孔径d=5um为例,需要光程h达到20um才能够形成纹路可以成像的收光角,因此所需要的准直结构的厚度在20um左右。而通过常规显示面板工艺形成在衬底基板1上的各膜层的总厚度一般不超过5um,即便对工艺进行调整以增大各膜层厚度,也难以将形成所需要的20um光程;所以,相关技术所涉及的这种In-Cell纹路识别显示面板仅仅停留在设计阶段,难以真正应用于产线生产。
为克服相关技术中所存在至少之一的技术问题,本公开实施例提供了相应解决方案。
图2A为本公开实施例提供的一种纹路识别显示面板的截面示意图,图2B为本公开实施例提供的另一种纹路识别显示面板的截面示意图,图3为本公开实施例所提供的纹路识别显示面板的纹路识别原理示意图,如图2A、图2B和图3所示,该纹路识别显示面板包括:衬底基板1、多个感光元件2、多个发光元件3、第一遮光结构4、第二遮光结构5和反射层6。
其中,感光元件2位于衬底基板1的一侧,感光元件2靠近衬底基板1的一侧为入光侧;发光元件3位于感光元件2远离衬底基板1的一侧,其远离衬底基板1的一侧为出光侧;第一遮光结构4位于衬底基板1靠近衬底基板1的一侧,第一遮光结构4上形成有多个第一成像孔4a;第二遮光结构5位于感光元件2内感光层202与衬底基板1之间,第二遮光结构5上形成有多个第二成像孔5a,每个第二成像孔5a对应一个发光元件3和一个第一成像孔4a;反射层6位于第一遮光结构4和第二遮光结构5靠近衬底基板1的一侧,其朝向感光元件2的一侧为反射面,反射层6配置为将经过纹路反射后从第一成像孔4a透过的光反射至与第一成像孔4a相对应的第二成像孔5a,并透过第二成像孔5a后到达对应的感光元件2。
需要说明的是,图2A中仅示意性画出了1发光元件3、1个感光元件2、1个第一成像孔4a、一个第二成像孔5a,且1个感光元件2对应1个第二成像孔5a,1个第二成像孔5a对应一个第一成像孔4a,图2A所示情况仅起到示例性作用,其不会对本公开的技术方案产生限制。
继续参见图2B所示,与图2A所示情况不同,图2B中1个感光元件2对应3个第二成像孔5a,每个第二成像孔5a对应1个第一成像孔4a。
在本公开实施例中,1个感光元件2可对应1个、2个或多个第二成像孔5a,每个第二成像对应1个第一成像孔4a,每个第一成像孔4a可对应1个、2个或多个第二成像孔5a,但不同的第一成像孔4a对应不同第二成像孔5a以防止出现光线串扰。
继续参见图3所示,发光元件3发出的光经过纹路纹路反射后射向第一遮光结构4,其中部分光线透过第一遮光结构4上的第一成像孔4a后射向反射层6,在反射层6的反射面上反生反射后射向对应的第二成像孔5a,透过第二成像孔5a的光线被感光元件2内的感光层202所接收,从而得到纹路纹路的图像。
由第一遮光结构4、反射层6和第二遮光结构5可以构成倾斜准直结构,第一成像孔4a、反射层6以及第一成像孔4a所对应的第二成像孔5a所限定出的透光通道的中心线与衬底基板1所处平面的发现呈一定角度α。以α为45°为例,在光线通过第一成像孔4a且经由反射层6反射通过第二成像孔5a的光程(图3中L1与L2之和)为20um时,第一遮光结构4到反射层6所处平面的距离h1与第二遮光结构5到反射层6所处平面的距离h2之和h1+h2近似等于14.14um。在h1与h2取值相等时,由第一遮光结构4、反射层6和第二遮光结构5所构成的倾斜准直结构的整体厚度达到最小且近似等于7.07um。按照常规显示面板工艺形成在衬底基板1上的各膜层的总厚度为4um~5um,仅需将合膜层的总厚度增加2um~3um即可满足光程要求,该技术方案可以在产线上得到实施。
在本公开实施例中,由于感光元件2的入光侧是远离纹路纹路,因此外光强环境无法直接照射至感光元件2内的感光层202,所以可有效屏蔽强环境光对纹路检测的干扰;另外,通过第一遮光结构4、反射层6、第二遮光结构5所形成的倾斜准直结构可以有效消除杂散光、防止相邻谷部位置或相邻脊部位置所反射光的发生串扰,以提升成像质量;更重要的是,上述由第一遮光结构4、反射层6和第二遮光结构5所构成的倾斜准直结构其整体厚度相对较小,可以真正集成到显示面板内,并应用于产线生产。
图4为本公开实施例中谷部位置所处界面所反射光的光强度角谱分布示意图,如图4所示,光线在纹路识别显示面板内可认为是在折射率接近玻璃(折射率在1.5左右)的均匀介质内传播;手指与盖板14的按压界面可划分为手指谷部与盖板14正对的谷界面及手指脊部与盖板14相接触的脊界面。由于,手指脊部与盖板14的折射率相近,因此光线在脊界面具有很高的透过率,并且在手指内被大量吸收。谷界面实际是空气与盖板所形成的界面,符合菲涅尔定律,当光线入射角较小时反射率约4%-5%,当入射角增大到全反射临界角(42°左右)时反射率提升为100%。而光线从光源出射时光强分布符合郎伯分布,即光强度随角度增大而减小;结合光线从发光元件3出射时的分布及光线在谷界面的反射分布,得出图4所示光强度角谱分布。通过图4可知,当准直中心光线角度在40°~50°之间时具有最高的谷界面反射强度,谷信号为亮区,而脊界面破坏全反射呈暗区。基于上述分析,为提高识别精准度,可通过倾斜准直结构来限定位于透光通道内的绝大部分光线与衬底基板1所处平面的法线之间的夹角处于40°~50°范围。
在一些实施例中,第一成像孔4a及其所对应的第二成像孔5a二者的中心到反射层6所处平面的距离分别为h1和h2,第一成像孔4a其所对应的第二成像孔5a二者的中心在平行于衬底基板1方向上的距离为L,h1、h2和L满足:
40°≤actan[L/(h1+h2)]≤50°
通过上述设定,可使得倾斜透光通道的中心线与衬底基板1所处平面的法线之间的夹角α处于40°~50°,即位于透光通道内的绝大部分光线与衬底基板1所处平面的法线之间的夹角处于40°~50°范围。
在一些实施例中,反射层6包括多个反射图形6a,反射图形6a、第一成像孔4a、第二成像孔5a三者一一对应;反射图形6a的中心与反射图形6a所对应的第一成像孔4a的中心的连线与衬底基板1所处平面的法线的夹角为θ,反射图形6a的中心与反射图形6a所对应的第二成像孔5a的中心的连线与衬底基板1所处平面的法线的夹角为θ,θ的取值范围为[40°,50°]。
需要说明的是,图2A中仅示例性画出了1个反射图形6a,图2B中进行示例性画出了3个反射图形6a,其不会对本公开的技术方案产生限制。
图5本公开实施例中纹路识别显示面板上感光元件、第一成像孔、反射图形和第二成像孔的一种俯视示意图,如图5所示,纹路识别显示面板上第一成像孔4a、反射图形6a、第二成像孔5a三者数量相等且排布方式相同。以图5中所示情况为例,一个感光元件2对应9个第二成像孔5a且9个第二成像孔5a呈阵列3×3排布,此时对应设置有呈阵列3×3排布的9个第一成像孔4a和呈阵列3×3排布的9个反射图形6a。
在本公开实施例中,第二成像孔5a及其所对应的反射图形6a、第一成像孔4a,三者在平行于衬底基板1上的正投影的形状可以相同也可以不同;一般地,三者在平行于衬底基板1上的正投影的形状相同。三者在平行于衬底基板1上的正投影的面积可以相同或者在一定范围(例如±20%)内浮动。
需要说明的是,本公开的技术方案对第二成像孔5a及其所对应的反射图形6a、第一成像孔4a的形状和尺寸均不作限定。
在一些实施例中,第一成像孔4a平行于衬底基板1所处平面的截面形状为圆形或矩形;第二成像孔5a平行于衬底基板1所处平面的截面形状为圆形或矩形;第一成像孔4a的孔径范围为:2um~10um;第二成像孔5a的孔径范围为:2um~10um;反射图形6a的形状和尺寸可根据实际需要进行相应设计。
图6a为本公开实施例中感光元件的一种截面示意图,如图6所示,感光元件2具体可以为PIN光敏器件、PN光敏器件或肖特基型光敏器件;感光元件2包括:沿远离衬底基板1的方向依次层叠设置的第一电极201、感光层202和第二电极203。
图6b为本公开实施例中第二电极对未被感光层所吸收的光线进行反射时的示意图,如图6b所示,在一些实施例中,第二电极203的材料为金属材料,且第二电极203靠近感光层202的一侧为反射面。在光线从感光元件2靠近衬底基板1的一侧入射时,可能存在部分光线未被感光层202所吸收转化,此时第二电极203可对该部分光线进行反射,以在感光元件2内进行二次转化,有利于提高纹路识别精准度。在一些实施例中,第二电极203的材料包括银(Ag)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)等。
在本公开实施例中,第一电极201可以为透明电极或非透光电极。当第一电极201为透明电极时,第一电极201的材料采用透明导电材料,例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓锌(IGZO)等;当第一电极201为非透明电极时,则需要在第一电极201上开设能够让光线透至感光层202的过孔,第一电极201的材料可用非透明导电材料,例如金属材料,具体可以为银、钼、钛、铝等。
当第一电极201为非透明电极时,第一电极201可复用为第二遮光结构5。在本公开中,通过将第一电极201复用为复用为第二遮光结构5,因而无需在显示面板中额外增设用于形成第二遮光结构5的膜层,有利于实现产品的轻薄化。
在一些实施例中,感光元件2和发光元件3之间设置有平坦化层10和像素界定层11,平坦化层10与像素界定层11之间设置有信号传输走线8,信号传输走线8通过平坦化层10上的过孔与感光元件2内的第二电极203相连,信号传输走线8用于将感光元件2产生的电信号导出,像素界定层11上形成有像素容纳孔,发光元件3位于像素容纳孔内。
在一些实施例中,在平坦化层10与第二电极203之间还设置有覆盖层9。信号传输走线8通过平坦化层10、覆盖层9上的过孔与感光元件2内的第二电极203相连。
本公开实施例中的发光元件3包括:沿远离衬底基板1的方向依次层叠设置的第三电极301、发光层302和第四电极303。在一些实施例中,发光元件3为顶发射型发光元件3,第三电极301的材料采用金属材料,例如银、钼、钛、铝等,第四电极303的材料采用透明导电材料,例如氧化铟锡、氧化铟镓锌等。发光元件3具体可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)。在一些实施例中,信号传输走线8与第三电极301同层设置且材料相同;具体地,信号传输走线8与第三电极301的材料为金属材料。
在一些实施例中,纹路识别显示面板还包括:位于感光元件2靠近衬底基板1一侧的多条栅线(未示出)、多条数据线(未示出)和多个薄膜晶体管16,每个薄膜晶体管16对应一个感光元件2或一个发光元件3,薄膜晶体管16与对应的感光元件2(第一电极201)或发光元件3(第三电极301)电连接。在附图中,发光元件3的第三电极301通过搭接电极12与对应的薄膜晶体管16电连接。
需要说明的是,附图中薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管的情况仅起到示例性作用,其不会对本公开的技术方案产生限制;在本公开中,薄膜晶体管还可采用其他结构,例如底栅型薄膜晶体管、双栅型薄膜晶体管等。
在一些实施例中,搭接电极12与感光元件2内的第一电极201同层设置且材料相同,此时可通过一次图案化工艺以同时制备出第一电极201和搭接电极12。
在又一些实施例中,搭接电极12与感光元件2内第一电极201的材料不同。示例性地,搭接电极的材料为透明导电材料(例如ITO),感光元件2内的第一电极201的材料为非透明导电材料(例如金属材料)。
继续参见图2A和图2B所示,在一些实施例中,反射层6位于薄膜晶体管16与衬底基板1之间,反射层6与薄膜晶体管16之间设置有透明且绝缘的厚度调节层7。其中,厚度调节层7的材料为透明树脂材料,通过设置厚度调节层7可以在一定程度上提升衬底基板1上个膜层的总厚度,以满足倾斜准直结构内透光通道的光程需求。示例性地,所设计的由第一遮光结构4、反射层6和第二遮光结构5所构成的倾斜准直结构的整体厚度在7um。按照常规显示面板工艺形成在衬底基板1上的各膜层的总厚度为4um~5um,则可将厚度调节层7的厚度设置在2um~3um。在实际应用中,可根据实际需要来设计厚度调节层7的厚度。
在一些实施例中,像素界定层11的材料包括遮光材料(例如黑色树脂材料),像素界定层11复用为第一遮光结构4。在本公开中,通过将像素界定层11复用为复用为第一遮光结构4,因而无需在显示面板中额外增设用于形成第一遮光结构4的膜层,有利于实现产品的轻薄化。
图7为本公开实施例提供的又一种纹路识别显示面板的结构示意图,如图7所示,与图2A和图2B中所示纹路识别显示面板不同,图7所示纹路识别显示面板内感光元件2的第二电极203的材料为透明导电材料(例如ITO),在平坦化层10远离衬底基板1的一侧设置有遮光反射结构17。
具体地,遮光反射结构17位于平坦化层10远离衬底基板1的一侧,其远离衬底基板1的一侧为遮光面,其靠近衬底基板1的一侧为反射面,遮光反射结构17在衬底基板1上正投影与感光层202在衬底基板1上的正投影存在交叠。此时,遮光反射结构17不但能够对位于感光元件2远离衬底基板1一侧且射向感光层202的至少部分光线进行遮挡,还能够对从感光元件2靠近衬底基板1的一侧入射且未被感光层202所吸收转化的部分光线进行反射,以在感光元件2内进行二次转化,有利于提高纹路识别精准度。
在一些实施例中,信号传输走线8与遮光反射结构17同层设置且材料相同,具体地,信号传输走线8与遮光反射结构17的材料为金属材料;可选地,信号传输走线8与遮光反射结构17为一体结构。
进一步地,遮光反射结构17与信号传输走线8二者在衬底基板1上正投影完全覆盖感光层202在衬底基板1上的正投影,通过遮光反射结构17和信号传输走线8可实现对位于感光元件2远离衬底基板1一侧且射向感光层202的光线进行有效遮挡,同时还能够对从感光元件2靠近衬底基板1的一侧入射且未被感光层202所吸收转化的光线进行有效反射。
图8为本公开实施例提供的再一种纹路识别显示面板的结构示意图,如图8所示,与前面实施例中像素界定层11复用作第一遮光结构4不同,本公开实施例中第一电极201复用为第二遮光结构5且第一遮光结构4与第二遮光结构5同层设置且材料相同。将第一遮光结构4与第二遮光结构5同层设置其优点在于:位于同一膜层的成像孔的位置可以精确制作,排除了不同层之间覆膜(overlay)工艺偏差的影响。
需要说明的是,在图8所示纹路识别显示面板中,像素界定层11的材料为透明树脂材料。
图9为本公开实施例提供的再一种纹路识别显示面板的结构示意图,如图9所示,与图8中所示纹路识别显示面板不同,图9所示纹路识别显示面板中的像素界定层11材料为黑色树脂材料以减少屏幕反光,为保证经过纹路反射后的光线能够到达至第一成像孔4a,则需要在像素界定层11上开设透光孔11a,像素界定层11上的这些透光孔11a不作为对光线的限制光阑,因此这些透光孔11a的尺寸可以设计相对较大。
继续参见图2A、图2B、图7、图8以及图9所示,在像素界定层11远离衬底基板1的一侧设置有隔离坝15;隔离坝15设置在相邻像素开口之间,隔离坝15用于在通过蒸镀工艺向像素开口内沉积发光层302的工序中支撑掩膜版以及避免出现混色的问题。
在一些实施例中,在第四电极303远离衬底基板1的一侧还设置有封装层13和盖板14,封装层13和盖板14能够对纹路识别显示面板内的结构进行有效封装和保护。
基于同一发明构思,本公开实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括前面任一实施例提供的纹路识别显示面板,对于该纹路识别显示面板的具体描述可参见前面实施例中相应内容,此处不再赘述。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式,然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本公开的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (12)
1.一种纹路识别显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
多个感光元件,位于所述衬底基板的一侧,靠近所述衬底基板的一侧为入光侧;
多个发光元件,位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧;
第一遮光结构,位于所述衬底基板靠近所述衬底基板的一侧,形成有多个第一成像孔;
第二遮光结构,位于所述感光元件内感光层与所述衬底基板之间,形成有多个第二成像孔,每个所述第二成像孔对应一个所述发光元件和一个所述第一成像孔;
反射层,位于所述第一遮光结构和所述第二遮光结构靠近所述衬底基板的一侧,其朝向所述感光元件的一侧为反射面,配置为将经过纹路反射后从所述第一成像孔透过的光反射至与所述第一成像孔相对应的第二成像孔,并透过所述第二成像孔后到达对应的所述感光元件;
所述第一成像孔及其所对应的第二成像孔二者的中心到所述反射层所处平面的距离分别为h1和h2,所述第一成像孔其所对应的第二成像孔二者的中心在平行于所述衬底基板方向上的距离为L,h1、h2和L满足:40°≤actan[L/(h1+h2)]≤50°。
2.根据权利要求1所述的纹路识别显示面板,其特征在于,所述感光元件包括:沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的第一电极、感光层和第二电极;
所述第一电极复用为所述第二遮光结构。
3.根据权利要求2所述的纹路识别显示面板,其特征在于,所述第一遮光结构与所述第二遮光结构同层设置。
4.根据权利要求2所述的纹路识别显示面板,其特征在于,所述第二电极的材料包括金属材料,所述第二电极靠近所述感光层的一侧为反射面。
5.根据权利要求1所述的纹路识别显示面板,其特征在于,还包括:
像素界定层,位于所述感光元件远离所述衬底基板的一侧,所述像素界定层上形成有多个像素开口,所述发光元件位于所述像素开口内;
所述像素界定层的材料包括遮光材料,所述像素界定层复用为所述第一遮光结构。
6.根据权利要求2所述的纹路识别显示面板,其特征在于,还包括:
平坦化层,位于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧;
信号传输走线,位于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,所述信号传输走线通过平坦化层、覆盖层上的过孔与所述第二电极连接;
遮光反射结构,位于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧,其远离所述衬底基板的一侧为遮光面,其靠近所述衬底基板的一侧为反射面,所述遮光反射结构在所述衬底基板上正投影与所述感光层在所述衬底基板上的正投影存在交叠。
7.根据权利要求6所述的纹路识别显示面板,其特征在于,所述信号传输走线与所述遮光反射结构同层设置;
所述遮光反射结构与所述遮光反射结构二者在所述衬底基板上正投影完全覆盖所述感光层在所述衬底基板上的正投影。
8.根据权利要求1所述的纹路识别显示面板,其特征在于,还包括:
多个薄膜晶体管,位于所述感光元件和所述衬底基板之间,每个所述薄膜晶体管对应一个所述感光元件或一个所述发光元件,所述薄膜晶体管与对应的所述感光元件或所述发光元件电连接;
所述反射层位于所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间,所述反射层与所述薄膜晶体管之间设置有透明且绝缘的厚度调节层。
9.根据权利要求1所述的纹路识别显示面板,其特征在于,所述反射层包括多个反射图形,所述反射图形、所述第一成像孔、所述第二成像孔三者一一对应。
10.根据权利要求9所述的纹路识别显示面板,其特征在于,所述反射图形的中心与所述反射图形所对应的第一成像孔的中心的连线与所述衬底基板所处平面的法线的夹角为θ,所述反射图形的中心与所述反射图形所对应的第二成像孔的中心的连线与所述衬底基板所处平面的法线的夹角为θ,θ的取值范围为[40°,50°]。
11.根据权利要求1-10中任一所述的纹路识别显示面板,其特征在于,所述第一成像孔平行于所述衬底基板所处平面的截面形状为圆形或矩形;
所述第二成像孔平行于所述衬底基板所处平面的截面形状为圆形或矩形;
所述第一成像孔的孔径范围为:2um~10um;
所述第二成像孔的孔径范围为:2um~10um。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:如上述权利要求1-11中任一所述的纹路识别显示面板。
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