CN113224110B - 显示基板、显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示基板、显示面板及其制备方法，其中，显示基板包括背板；第一像素界定层设于背板上，反射层层叠于第一像素界定层上，反射层包括导电材料；第二像素界定层层叠于反射层上，且第二像素界定层上开设有电极连接孔以至少暴露部分反射层，暴露部分的反射层用于与顶电极接触；底电极，设于背板上；其中，第一像素界定层包括与背板呈一定倾斜角度的坡面，第一像素界定层的至少部分坡面被反射层覆盖。上述显示基板能够提高发光器件的发光均匀性。

Description

显示基板、显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，特别涉及显示基板、显示面板及其制备方法。

背景技术

印刷型电致发光器件在制备过程中，须使用一层用于界定像素的材料，该层材料通常被称为像素界定层(即像素bank，也称为像素限定层)。通过在背板上设置像素Bank，形成众多的凹陷区域作为墨水的“容器”，每个凹陷区域对应于一个像素。目前广泛采用的工艺流程，是采用喷墨打印工艺将墨水填入每个像素区域，墨水在像素bank所围绕的区域内铺展；随后，在一定温度(例如室温或低温)下进行真空干燥，通过严格控制溶剂的挥发速率、溶剂蒸汽压等参数以尽量保证像素内不同区域、不同像素之间获得均匀的干燥；最后，通过烘烤使薄膜彻底干燥。

对于大尺寸顶发射型的电致发光器件，顶电极通常是透明导电氧化物薄膜(ITO、AZO或IZO等)或者半透明的薄层金属电极(通常厚度为13～20nm)。但无论是透明导电氧化物或者薄层金属，其面电阻还不够低，会产生大尺寸显示面板的边缘到中心区域的电压降而导致发光不均匀的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种显示基板、显示面板及其制备方法。该显示基板能够提高显示面板的发光均匀性。

背板；

第一像素界定层，设于所述背板上，

反射层，层叠于所述第一像素界定层上，所述反射层包括导电材料；

第二像素界定层，层叠于所述反射层上，且所述第二像素界定层上开设有电极连接孔以至少暴露部分所述反射层，暴露部分的反射层用于与顶电极接触；

底电极，设于所述背板上；

其中，所述第一像素界定层包括与所述背板呈一定倾斜角度的坡面，所述第一像素界定层的至少部分所述坡面被所述反射层覆盖。

在其中一实施例中，所述第一像素界定层的坡面与背板之间的倾斜角度α为0°＜α＜90°；

所述坡面至少80％的表面被所述反射层覆盖。

在其中一实施例中，所述第一像素界定层在垂直于所述背板的方向上的截面呈梯形，所述第一像素界定层的坡面与背板之间的倾斜角度α为30°～60°；和/或

覆盖于所述第一像素界定层的坡面上的所述第二像素界定层与背板之间的倾斜角度β为30°～90°；和/或

沿垂直于所述背板的方向，所述第一像素界定层的高度小于所述第二像素界定层的高度。

在其中一实施例中，所述反射层为连续薄膜或间断薄膜。

在其中一实施例中，所述反射层为连续薄膜，所述反射层覆盖所述第一像素界定层的坡面和所述第一像素界定层的顶端，且靠近所述背板处的所述反射层与所述底电极被所述第二像素界定层间隔开；或

所述反射层为间断薄膜，所述间断薄膜包括被所述第二像素界定层间隔开的第一区域和第二区域，所述第一区域覆盖所述第一像素界定层的顶端，所述第二区域覆盖所述第一像素界定层的坡面，且所述第一区域与所述顶电极接触，所述第二区域与所述底电极一体成型。

在其中一实施例中，所述第二像素界定层的材料的疏水角大于所述第一像素界定层的材料的疏水角。

在其中一实施例中，所述反射层为金属层、合金层或金属氧化物膜层中的一种或多种的叠层。

在其中一实施例中，所述反射层包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层靠近所述第一像素界定层，所述第三导电层靠近所述第二像素界定层；其中，所述第一导电层的材料为ITO，厚度为14-16nm；第二导电层的材料为Ag，厚度为135nm-145nm；第三导电层的材料为ITO，厚度为15-80nm。

一种显示面板，包括显示基板、发光功能层和顶电极；

所述显示基板包括：背板、第一像素界定层、反射层、第二像素界定层和底电极；其中，所述第一像素界定层设于所述背板上；所述反射层层叠于所述第一像素界定层上，所述反射层包括导电材料；所述第二像素界定层层叠于所述反射层上，且所述第二像素界定层上开设有电极连接孔以至少暴露部分所述反射层；所述底电极设于所述背板上；其中，所述第一像素界定层包括与所述背板呈一定倾斜角度的坡面，所述第一像素界定层的至少部分所述坡面被所述反射层覆盖；

所述发光功能层设于所述底电极上；

所述顶电极设于所述发光功能层上并覆盖于所述第二像素界定层上，且所述顶电极与通过所述电极连接孔暴露的反射层接触。

一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供背板；

在所述背板上形成第一像素界定层，所述第一像素界定层包括与所述背板呈一定倾斜角度的坡面；

在所述背板上形成底电极，在所述第一像素界定层上形成反射层；且所述第一像素界定层的至少部分所述坡面被所述反射层覆盖；其中，所述反射层包括导电材料；

在所述反射层上形成第二像素界定层；且在所述第二像素界定层上开设电极连接孔，以至少暴露部分所述反射层；

在所述底电极上形成发光功能层；

在所述第二像素界定层和所述发光功能层上形成顶电极，且使所述顶电极与电极连接孔中暴露的所述反射层接触。

在其中一实施例中，所述反射层和所述底电极采用相同的材料同步形成。

上述显示基板通过设置具有反射层的双层像素界定层结构，并在第二像素界定层上形成电极连接孔以露出部分反射层，且反射层包括导电材料，此时反射层可以作为辅助电极，便于制备显示面板时与顶电极接触，如此可以降低顶电极的电阻值，进而可以避免大尺寸显示面板的边缘到中心区域的电压降而导致的发光不均匀；同时由于第一像素界定层的坡面至少部分区域被反射层覆盖，当发光功能层设置在像素坑内时，发光功能层发射的光在该反射层的反射作用下，将横向传播的这部分光给反射到垂直或者接近垂直的方向，从而提高显示面板正面的出光强度。

附图说明

图1为本发明一实施方式的显示面板的示意图；

图2为本发明另一实施方式的显示面板的示意图；

图3为本发明一实施方式的line bank结构示意图；

图4为本发明另一实施方式的显示面板的示意图；

图5为本发明一实施方式的显示面板制备流程图；

图6为本发明另一实施方式的显示面板制备流程图；

图7为本发明一实施方式的显示面板制备流程图；

图8为本发明一实施方式的显示面板制备流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，并给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1和图2所示，本发明一实施方式的显示基板10，包括背板100、第一像素界定层210、第二像素界定层220、反射层300和底电极400。第一像素界定层210设于背板100上，反射层300层叠于第一像素界定层210上，反射层300包括导电材料，第二像素界定层220层叠于反射层300上，且第二像素界定层220上开设有电极连接孔O以至少暴露部分反射层300；底电极400设于背板100上；其中，第一像素界定层210包括与背板100呈一定倾斜角度的坡面，第一像素界定层210的坡面至少部分区域被反射层300覆盖。

需要说明的是，本发明中以背板为基准，远离背板的一端称为“顶端”，靠近背板的一端称为“底端”。

需要说明的是，本发明中“a设于b之上”或“a层叠于b之上”应该理解为相对位置，相对于背板来说，a在b的上方，不应理解为a在b的垂直上方；例如“反射层300层叠于第一像素界定层210上”应理解为，相对于背板100，反射层300在第一像素界定层210的上方，其可以仅设置在第一像素界定层210的坡面上，也可以覆盖第一像素界定层210部分坡面和部分顶端，不应理解为，仅设置在第一像素界定层的垂直上方(第一像素界定层的顶端)。

其中，背板100可以为本领域常用背板，背板100上带有TFT电路，背板材料及TFT电路的制备方法在此不进行特别限定，应理解为均在本发明的保护范围内。

可理解的，本发明的像素界定层，也称像素bank，应该按本领域的常规理解，是指形成于背板100上用于形成容纳发光材料的像素坑的区域，其制备工艺无特别限定，可以先在背板100上层叠像素界定层材料，然后采用曝光显影等方法，形成所需形状的像素界定层。

本发明中，像素界定层呈凸起的形状，该凸起形状的像素界定层包括顶端和与背板呈一定倾斜角度的坡面。需要说明的是，该坡面无需为严格意义上的平面，仅需与背板形成一定角度，其还可以为曲面，或凹凸不平的不规则表面等，仅需能够形成像素坑即可，在此不进行特别限定，且倾斜角度无特别限定，可以采用本领域的常规设置，仅需能够形成像素坑即可。

进一步地，第一像素界定层210的坡面与背板100之间的倾斜角度α为0°＜α＜90°。可理解的，当坡面为曲面、不规则平面等时，坡面的不同位点与背板组成的角度不相同，应理解为均在本发明的保护范围内。

进一步地，第一像素界定层210在垂直于背板100的方向上的截面呈梯形，第一像素界定层210的坡面与背板之间的倾斜角度α为30°～60°，即第一像素界定层210的梯形截面靠近背板一侧的内角角度为30°～60°。

进一步地，覆盖于第一像素界定层210的坡面上的第二像素界定层220与背板100之间的倾斜角度β为30°～90°。

可理解的，本发明第二像素界定层的倾斜角度以外表面(即远离第一像素界定层的表面)为基准，即第二像素界定层的外表面与背板之间的角度。

需要说明的是，上述梯形截面并非严格意义的梯形截面，由于制备工艺等的限制，应该理解为上述梯形截面的各面、各边及各角度均可包括本领域可接受范围的误差。

通过将第一像素界定层210和第二像素界定层220的倾斜角度控制在上述范围内，并结合反射层的作用，更进一步地有利于将横向传播的这部分光给反射到垂直或者接近垂直的方向，进一步提高显示面板正面的出光强度。

进一步地，优选第一像素界定层210的坡面至少50％的表面被反射层300覆盖；进一步地，优选第一像素界定层210的坡面至少60％的表面被反射层300覆盖；进一步地，优选第一像素界定层210的坡面至少80％的表面被反射层300覆盖；更进一步地，第一像素界定层210的坡面均被反射层300覆盖。

由于发光功能层20发射的光除了沿着垂直方向传播，还会沿着横向以波导方式传播，这部分横向传播的光随着传播距离的增加而逐渐被吸收损耗，当第一像素界定层210的坡面被反射层300覆盖，如此当发光功能层20设置在像素坑内时，发光功能层20发射的光在该反射层300的反射作用下，将横向传播的这部分光给反射到垂直或者接近垂直的方向，从而提高显示面板正面的出光强度。

另外，本发明中，第二像素界定层220层叠于反射层300上，第一像素界定层210和第二像素界定层220可以采用相同或不同的材料制备而成，具体材料可以为本领域的常用材料，优选采用感光性高分子材料，以降低制备难度；进一步地，第一像素界定层210的材料和第二像素界定层220的材料的疏水性不相同，以提高墨水在像素坑内的均一性。进一步地，第二像素界定层220的材料的疏水角度大于第一像素界定层210的材料的疏水角。进一步地，第一像素界定层210的材料的疏水角为0°至90°，第二像素界定层220的材料的疏水角为60°至120°，如此可以较好地将墨水限制在像素坑范围内，提高薄膜均一性，且与坡面上的反射层300共同作用，进一步改善反射作用。

本发明中像素界定层的高度(厚度)是指沿垂直于背板100的方向，像素界定层到背板的最大距离。本发明中像素界定层的宽度是指沿背板延伸的方向，同一像素界定层一侧表面到另一侧表面之间的距离，如图1所示，第一像素界定层210的宽度为D1，第二像素界定层220的宽度为D2。

进一步地，沿背板延伸的方向，第一像素界定层210的宽度D1小于第二像素界定层220的宽度D2。

进一步地，上述第一像素界定层210的高度H1和第二像素界定层220的高度H2无特别限定，可以H1＞H2、H1＝H2或H1＜H2；优选H1＜H2，以方便制备。

另外，上述显示基板10上的像素界定层200采用line bank结构，也可不采用linebank结构。Line bank结构应该按本领域的常规含义，包括两种高度不同的像素bank，外层像素bank高于内层像素bank，墨水在内层像素bank之间可以流动，如此同样发光颜色的像素单元可以同时制备，降低制备难度。在一实施例中，如图3所示，显示基板10上的像素界定层形成A像素bank和B像素bank，其中A像素bank为上述设置有反射层的双层像素界定层结构(双层像素bank结构)，B像素bank为不含有反射层的像素bank，且A像素bank中有一层像素bank高于B像素bank，如此，墨水在B像素bank之间可以流动，并被限制在A像素bank内。进一步地，A像素bank中的第二像素界定层的高度高于B像素bank的高度，第一像素界定层的高度等于B像素bank的高度，如此，第一像素界定层可以和B像素bank同时制备，降低制备难度。

本发明中，第二像素界定层220顶端开设有电极连接孔O，以至少暴露部分反射层300，以便于与顶电极30电连接形成并联，如此可以降低阴极的电阻值，进而可以避免大尺寸显示面板的边缘到中心区域的电压降而导致的发光不均匀。

可理解的，第二像素界定层220顶端上的电极连接孔O的大小无特别限定，根据反射层300与顶电极30的接触面积进行设置即可。另外，电极连接孔O数目无特别限定，可以开设数个电极连接孔。

另外，电极连接孔O的位置无特别限定，只需保证顶电极30和电极连接孔O中暴露的反射层300能够接触即可。优选，如图1和图2所示，电极连接孔开设在第二像素界定层220的顶端，即远离背板100的表面，如此一方面能够降低制备难度，另一方面不影响坡面上的反射层300的反射作用，进而提高综合效果。

可理解的，本发明中反射层300是指包括具有反射功能的材料，且本发明中的反射层包括导电材料，以使得该反射层能够作为辅助电极的同时，还具有反射作用。

进一步地，反射层300和底电极400采用相同的材料制备而成；更进一步地，反射层300和底电极400采用相同的材料同时制备而成，以进一步降低电阻。

进一步地，反射层300为连续薄膜或间断薄膜。可理解的，间断薄膜是指为非连续薄膜，整个反射层300分为n个相互间隔的区域，其中，n为大于或等于2的整数；可理解的，可以通过第二像素界定层实现各区域之间的间隔；更进一步地，n为2，即反射层包括相互间隔的第一区域和第二区域。可理解的，当采用间隔薄膜时，反射层的部分区域可以与底电极接触(如图2所示)，也可以不与底电极接触(如图4所示)，只要避免短路现象的出现即可。

可理解的，本发明中，顶电极30和底电极400不会发生短路现象，具体可以采用本领域常规的避免短路现象出现的方式，不应理解为对本发明的限制。进一步地，可以根据反射层300的设置方式来避免上述短路现象的发生，例如：如图1所示，当反射层为连续薄膜时，反射层和底电极不接触，如图2和4所示当反射层为间断薄膜时，反射层可以和底电极接触(如图2所示)，反射层也可以不与底电极接触(如图4所示)。

另外，需要说明的是，间隔薄膜的具体间隔位置无特别限定，优选将间隔位置设置在顶端或靠近背板部位。另外，第二像素界定层220可以覆盖部分底电极400，也可以不覆盖部分底电极400，应理解为均在本发明的保护范围内。

进一步地，如图1所示，反射层300为连续薄膜，反射层300覆盖第一像素界定层210的坡面和第一像素界定层210的顶端，且靠近背板100处的反射层300与底电极400被第二像素界定层220间隔开(如图1中P)。

进一步地，如图2和图4所示，反射层300为间断薄膜，间断薄膜包括被第二像素界定层间隔开(如图2中P)的第一区域310和第二区域320，第一区域310覆盖第一像素界定层210的顶端，第二区域320覆盖第一像素界定层210的坡面，且第一区域310用于与顶电极30接触；进一步地，优选如图2所示，反射层300的第二区域320与底电极400一体成型，以降低制备难度。

可理解的，第二区域320覆盖第一像素界定层210坡面的同时还可以覆盖部分第一像素界定层210的顶端，仅需其能够覆盖第一像素界定层210的坡面且与第一区域310间隔开即可，不应理解为对本发明的限制。

进一步地，反射层300由一层或多层导电薄膜组成；更进一步地，反射层300为金属层、合金层或金属氧化物膜层中的一种或多种的叠层。

更进一步地，金属单质选自：银、铝、铜、金、钯和铟中的一种或多种；合金选自：含银的合金、含铝的合金或APC合金(如Ag-Pd-Cu合金)；金属氧化物选自：ITO、IZO和ZnO中的一种。

更进一步地，反射层300包括三层相互层叠的导电薄膜，其中一层为金属氧化物形成的薄膜，一层为金属单质薄膜或合金形成的薄膜，一层为金属氧化物形成的薄膜。

更进一步地，反射层300为ITO/Ag/ITO、ITO/APC/ITO、ITO/Al/ITO、IZO/Ag/IZO、IZO/APC/IZO或IZO/Al/IZO。其中，X/Y/Z是指层叠的三层导电薄膜层，ITO、Ag等表示形成该导电薄膜层的材料。

更进一步地，反射层300包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，第一导电层靠近第一像素界定层210，第三导电层靠近第二像素界定层220；其中，第一导电层的材料为ITO，厚度为14-16nm；第二导电层的材料为Ag，厚度为135nm-145nm；第三导电层的材料为ITO，厚度为15-80nm。通过将第一导电层设置为ITO并控制在上述厚度范围内，有利于提高Ag层的成膜质量，Ag层具有较优的反射率，能够提高光的反射效果，且当Ag层厚度在135nm-145nm时，反射效果最优，通过在Ag层上再设置一层ITO层，其功函数有利于向HIL层注入空穴。

如图1和图2所示，本发明另一实施方式的显示面板1，包括显示基板10、发光功能层20和顶电极30。

显示基板10包括：包括背板100、第一像素界定层210、第二像素界定层220、反射层300和底电极400。其中，第一像素界定层210设于背板100上，反射层300层叠于第一像素界定层210上，反射层300包括导电材料；第二像素界定层220层叠于反射层300上，且第二像素界定层220上开设有电极连接孔O以至少暴露部分反射层300；底电极400设于背板100上，其中，第一像素界定层210包括与背板100呈一定倾斜角度的坡面，第一像素界定层210的至少部分坡面表面被反射层300覆盖。

其中，显示基板中各部件的位置关系及其相关材料等如上所述，在此不再进行赘述。

发光功能层20设于底电极400上；顶电极30设于发光功能层20上并覆盖于第二像素界定层220上，顶电极30通过电极连接孔O与第二像素界定层220上暴露的反射层300接触，以实现顶电极30和反射层300电连接。

可理解的，发光功能层20至少包括发光层，其还可以包括其他功能层，例如：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层等，在此不进行特别限定，可以根据本领域常规方式进行设置。

另外，顶电极30可以是透明导电氧化物(例如IZO，厚度为60-80nm)，或者半透明的薄层金属(例如MgAg，厚度为10-20nm)等，在此不进行特别限定。

通过设置上述显示基板10，并使显示基板10的第二像素界定层220上暴露的反射层300与顶电极30相接触，反射层300包括导电材料，如此反射层300可以作为辅助电极，如此可以降低阴极的电阻值，进而可以避免大尺寸显示面板的边缘到中心区域的电压降而导致的发光不均匀；同时由于第一像素界定层210的至少部分坡面被反射层覆盖，发光功能层20发射的光在该反射层300的反射作用下，将横向传播的这部分光给反射到垂直或者接近垂直的方向，从而提高显示面板正面的出光强度。

进一步地，优选反射层300的材料和底电极400的材料相同；更进一步地，优选反射层300与底电极400同时制备，以进一步降低电阻。

进一步地，第一像素界定层210的坡面至少80％的表面被反射层和/或底电极覆盖；更进一步地，坡面均被辅助电极或底电极覆盖。

上述显示面板可以为电脑显示屏、手机屏、广告牌、游戏机屏幕等，在此不做特别限定。

如图5-图8所示，本发明还提供了上述显示面板的制备方法，包括以下步骤：

S101：提供背板100；

可理解的，步骤S101包括在背板100上形成TFT电路的步骤，背板材料及TFT电路的制备方法在此不进行特别限定，应理解为均在本发明的保护范围内。

S102：如图5-图8中a和b所示，在背板100上形成第一像素界定层210，第一像素界定层210包括与背板100呈一定倾斜角度的坡面；

可以如图5-图8中a所示，采用涂覆工艺在背板上形成涂层，然后如图5-图8中b所示，通过曝光显影的方法来形成第一像素界定层210。第一像素界定层210的材料及其位置关系如上述所述在此不再进行限定。

S103:如图5-图8中c和d所示，在背板100上形成底电极400，在第一像素界定层210上形成反射层300，且使第一像素界定层210的坡面至少部分区域被反射层300覆盖；其中，反射层300包括导电材料；

进一步地，步骤S103中同时形成反射层300和底电极400，以进一步降低电阻。反射层300及底电极400的材料及其设置方式如上所述，在此不再进行赘述。如图5-图8中c所示，可以先沉积反射层300和底电极400的相关材料，然后如图5-图8中d所示，采用黄光工艺进行刻蚀，在此不进行特别限定。进一步地，反射层300和底电极400采用相同的材料同步形成。反射层300和底电极400材料如上所述，在此不再进行赘述。

S104：如图5-图8中e和f所示，在反射层300上形成第二像素界定层220；且在第二像素界定层220上开设电极连接孔O，以至少暴露部分反射层300；

步骤S104中可以采用与步骤S102中相同的方法形成第二像素界定层220，可以如图5-图8中e所示，采用涂覆工艺在背板上形成涂层，然后如图5-图8中f所示，通过曝光显影的方法来形成第二像素界定层220。第二像素界定层220的材料可以与第一像素界定层210相同或不同，第二像素界定层220的材料及其位置关系如上述所述在此不再进行限定。

需要说明的是，可以根据反射层300的种类来选择底电极400和顶电极30的间隔方式，例如当反射层300为间隔薄膜时，此时反射层300和底电极400可以相互接触，当反射层300为连续薄膜时，反射层300和底电极之间不能接触。

S105:如图5-图8中g所示，在底电极400上形成发光功能层20；

可以采用现有的材料及其制备方法形成发光功能层20，在此不进行特别限定。

S106：如图5-图8中h所示，在第二像素界定层220和发光功能层20上形成顶电极30，使顶电极30与电极连接孔O中暴露的反射层300接触。

可以采用现有的材料及其制备方法形成顶电极30，在此不进行特别限定。

上述显示面板的制备方法操作简单，且无需特殊仪器设备，能够降低生产成本，且由上述方法制备得到的显示面板的发光效果较优，特别适宜制备尺寸较大的显示面板。

本发明还涉及一种显示装置，包括上述显示面板或由上述方法制备而成的显示面板。

下面列举具体实施例来对本发明进行说明。

实施例1

工艺步骤包括：

(1)如图5中a所示，在带有TFT电路(图中未画出)的背板100上，以涂覆工艺制备第一像素界定层涂层，第一像素界定层涂层的高度为0.5微米。

(2)如图5中b所示，通过曝光显影工艺，使第一像素界定层涂层形成所需的图案获得第一像素界定层210；第一像素界定层210的倾斜角为40-60°。

(3)如图5中c所示，在第一像素界定层210以及背板100上方依次沉积三层导电材料，分别为IZO(15nm)/Ag(130nm)/IZO(50nm)。

(4)如图5中d所示，通过黄光工艺刻蚀导电材料，形成底电极400和反射层300，反射层300为连续薄膜，且第一像素界定层210的顶端和坡面被反射层300覆盖。

(5)如图5中e所示，在背板100、底电极400与反射层300的上方，以涂覆工艺制备第二像素界定层涂层；第二像素界定层涂层的高度为1.2微米。

(6)如图5中f所示，通过曝光显影工艺，使第二像素界定层涂层形成所需的图案获得第二像素界定层220，并在第二像素界定层220上开设电极连接孔O，以在该电极连接孔暴露部分反射层300；第二像素界定层的倾斜角为40-60°。

(7)如图5中g所示，采用喷墨打印方式，在底电极400上沉积墨水，依次形成空穴注入层(70-120nm)、空穴传输层(100-150nm)、发光层(40-100nm)和电子传输层(10-30nm)，其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层组成发光功能层20。

(8)如图5中h所示，采用溅射或蒸镀方式，在第二像素界定层220和发光功能层20上形成顶电极30，以使顶电极30和反射层300相接触；其中，顶电极30为半透明的薄层金属(例如MgAg，厚度为10-20nm)。

实施例2

与实施例1基本相同，不同之处在于，第二像素界定层的高度等于第一像素界定层的高度，具体地：

(1)如图6中a所示，在带有TFT电路(图中未画出)的背板100上，以涂覆工艺制备第一像素界定层涂层，第一像素界定层涂层的高度为1.2微米。

(2)如图6中b所示，通过曝光显影工艺，使第一像素界定层涂层形成所需的图案获得第一像素界定层210；第一像素界定层210的倾斜角为40-60°。

(3)如图6中c所示，在第一像素界定层210以及背板100上方依次沉积三层导电材料，分别为IZO(15nm)/Ag(130nm)/IZO(50nm)。

(4)如图6中d所示，通过黄光工艺刻蚀导电材料，形成底电极400和反射层300，反射层300为连续薄膜，且第一像素界定层210的顶端和坡面被反射层300覆盖。

(5)如图6中e所示，在背板100、底电极400与反射层300的上方，以涂覆工艺制备第二像素界定层涂层；第二像素界定层涂层的高度为1.2微米。

(6)如图6中f所示，通过曝光显影工艺，使第二像素界定层涂层形成所需的图案获得第二像素界定层220，并在第二像素界定层220上开设电极连接孔O，以在该电极连接孔暴露部分反射层300；第二像素界定层的倾斜角为40-60°。

(7)如图6中g所示，采用喷墨打印方式，在底电极400上沉积墨水，依次形成空穴注入层(70-120nm)、空穴传输层(100-150nm)、发光层(40-100nm)和电子传输层(10-30nm)，其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层组成发光功能层20。

(8)如图6中h所示，采用溅射或蒸镀方式，在第二像素界定层220和发光功能层20上形成顶电极30，以使顶电极30和反射层300相接触；其中，顶电极为半透明的薄层金属(例如MgAg，厚度为10-20nm)。

实施例3

与实施例1基本相同，不同之处在于，第二像素界定层的高度小于第一像素界定层的高度，具体地：

(1)如图7中a所示，在带有TFT电路(图中未画出)的背板100上，以涂覆工艺制备第一像素界定层涂层，第一像素界定层涂层的高度为1.2微米。

(2)如图7中b所示，通过曝光显影工艺，使第一像素界定层涂层形成所需的图案获得第一像素界定层210；第一像素界定层210的倾斜角为40-60°。

(3)如图7中c所示，在第一像素界定层210以及背板100上方依次沉积三层导电材料，分别为IZO(15nm)/Ag(130nm)/IZO(50nm)。

(4)如图7中d所示，通过黄光工艺刻蚀导电材料，形成底电极400和反射层300，反射层300为连续薄膜，且第一像素界定层210的顶端和坡面被反射层300覆盖。

(5)如图7中e所示，在背板100、底电极400与反射层300的上方，以涂覆工艺制备第二像素界定层涂层；第二像素界定层涂层的高度为0.8微米。

(6)如图7中f所示，通过曝光显影工艺，使第二像素界定层涂层形成所需的图案获得第二像素界定层220，并在第二像素界定层220上开设电极连接孔O，以在该电极连接孔暴露部分反射层300；第二像素界定层的倾斜角为40-60°。

(7)如图7中g所示，采用喷墨打印方式，在底电极400上沉积墨水，依次形成空穴注入层(70-120nm)、空穴传输层(100-150nm)、发光层(40-100nm)和电子传输层(10-30nm)，其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层组成发光功能层20。

(8)如图7中h所示，采用溅射或蒸镀方式，在第二像素界定层220和发光功能层20上形成顶电极30，以使顶电极30和反射层300相接触；其中，顶电极为半透明的薄层金属(例如MgAg，厚度为10-20nm)。

实施例4

制备工艺包括以下步骤：

(1)如图8中a所示，在带有TFT电路(图中未画出)的背板100上，以涂覆工艺制备第一像素界定层涂层，第一像素界定层涂层的高度为0.5微米。

(2)如图8中b所示，通过曝光显影工艺，使第一像素界定层涂层形成所需的图案获得第一像素界定层210；第一像素界定层210的倾斜角为40-60°。

(3)如图8中c所示，在第一像素界定层210以及背板100上方依次沉积三层导电材料，分别为IZO(15nm)/Ag(130nm)/IZO(50nm)。

(4)如图8中d所示，通过黄光工艺刻蚀导电材料，形成底电极210和反射层300，反射层300为间断薄膜，包括第一区域310和第二区域320，其中，第一区域310覆盖第一像素界定层210的顶端，第二区域320覆盖第一像素界定层210的坡面，第二区域320与底电极400一体成型。

(5)如图8中e所示，在背板100、底电极400与反射层300的上方，以涂覆工艺制备第二像素界定层涂层；第二像素界定层涂层的高度为1.2微米。

(6)如图8中f所示，通过曝光显影工艺，使第二像素界定层涂层形成所需的图案获得第二像素界定层220，并在第二像素界定层220上开设电极连接孔O，以在该电极连接孔暴露部分反射层300；第二像素界定层的倾斜角为40-60°。

(7)如图8中g所示，采用喷墨打印方式，在底电极400上沉积墨水，依次形成空穴注入层(70-120nm)、空穴传输层(100-150nm)、发光层(40-100nm)和电子传输层(10-30nm)，其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层组成发光功能层20。

(8)如图8中h所示，采用溅射或蒸镀方式，在第二像素界定层220和发光功能层20上形成顶电极30，以使顶电极30和反射层300的第一区域相接触；其中，顶电极为半透明的薄层金属(例如MgAg，厚度为10-20nm)。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

背板；

第一像素界定层，设于所述背板上；

反射层，层叠于所述第一像素界定层上，所述反射层包括导电材料；

第二像素界定层，层叠于所述反射层上，且所述第二像素界定层上开设有电极连接孔以至少暴露部分所述反射层，暴露部分的反射层用于与顶电极接触；

底电极，设于所述背板上；

其中，所述第一像素界定层包括与所述背板呈一定倾斜角度的坡面，所述第一像素界定层的至少部分所述坡面被所述反射层覆盖，所述底电极用于设置发光功能层，所述反射层能够反射所述发光功能层的发射的光；所述反射层为间断薄膜，所述间断薄膜包括被所述第二像素界定层间隔开的第一区域和第二区域，所述第一区域覆盖所述第一像素界定层的顶端，所述第二区域覆盖所述第一像素界定层的坡面，且所述第一区域用于与所述顶电极接触，所述第二区域与所述底电极一体成型。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一像素界定层的坡面与背板之间的倾斜角度α为0°＜α＜90°；

所述坡面至少80％的表面被所述反射层覆盖。

3.根据权利要求1的显示基板，其特征在于，所述第一像素界定层在垂直于所述背板的方向上的截面呈梯形，所述第一像素界定层的坡面与所述背板之间的倾斜角度α为30°～60°。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，覆盖于所述第一像素界定层的坡面上的所述第二像素界定层与背板之间的倾斜角度β为30°～90°。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，沿垂直于所述背板的方向，所述第一像素界定层的高度小于所述第二像素界定层的高度。

6.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二像素界定层的材料的疏水角大于所述第一像素界定层的材料的疏水角。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述反射层为金属层、合金层或金属氧化物膜层中的一种或多种的叠层。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述反射层包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层靠近所述第一像素界定层，所述第三导电层靠近所述第二像素界定层；其中，所述第一导电层的材料为ITO，厚度为14-16nm；第二导电层的材料为Ag，厚度为135nm-145nm；第三导电层的材料为ITO，厚度为15-80nm。

9.一种显示面板，其特征在于，包括显示基板、发光功能层和顶电极；

所述显示基板包括：背板、第一像素界定层、反射层、第二像素界定层和底电极；其中，所述第一像素界定层设于所述背板上；所述反射层层叠于所述第一像素界定层上，所述反射层包括导电材料；所述第二像素界定层层叠于所述反射层上，且所述第二像素界定层上开设有电极连接孔以至少暴露部分所述反射层；所述底电极设于所述背板上；其中，所述第一像素界定层包括与所述背板呈一定倾斜角度的坡面，所述第一像素界定层的至少部分所述坡面被所述反射层覆盖；

所述发光功能层设于所述底电极上；

所述顶电极设于所述发光功能层上并覆盖于所述第二像素界定层上，且所述顶电极与通过所述电极连接孔暴露的反射层接触；

所述反射层能够反射所述发光功能层发射的光；所述反射层为间断薄膜，所述间断薄膜包括被所述第二像素界定层间隔开的第一区域和第二区域，所述第一区域覆盖所述第一像素界定层的顶端，所述第二区域覆盖所述第一像素界定层的坡面，且所述第一区域用于与所述顶电极接触，所述第二区域与所述底电极一体成型。

10.一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供背板；

在所述背板上形成第一像素界定层，所述第一像素界定层包括与所述背板呈一定倾斜角度的坡面；

在所述背板上形成底电极，在所述第一像素界定层上形成反射层；且所述第一像素界定层的至少部分所述坡面被所述反射层覆盖；其中，所述反射层包括导电材料；

在所述反射层上形成第二像素界定层；且在所述第二像素界定层上开设电极连接孔，以至少暴露部分所述反射层；

在所述底电极上形成发光功能层；

在所述第二像素界定层和所述发光功能层上形成顶电极，且使所述顶电极与电极连接孔中暴露的所述反射层接触；

所述反射层能够反射所述发光功能层发射的光；所述反射层为间断薄膜，所述间断薄膜包括被所述第二像素界定层间隔开的第一区域和第二区域，所述第一区域覆盖所述第一像素界定层的顶端，所述第二区域覆盖所述第一像素界定层的坡面，且所述第一区域用于与所述顶电极接触，所述第二区域与所述底电极一体成型。

11.根据权利要求10所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述反射层和所述底电极采用相同材料同步形成。

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