CN113223990A - 静电卡盘 - Google Patents

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CN113223990A CN202010518120.6A CN202010518120A CN113223990A CN 113223990 A CN113223990 A CN 113223990A CN 202010518120 A CN202010518120 A CN 202010518120A CN 113223990 A CN113223990 A CN 113223990A
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赵秀范
许明洙
金太钟
安珖成
柳海永
张容文
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Abstract

本发明提供一种静电卡盘，为了将静电卡盘与基板的间隙最小化来防止气体泄漏，具备：主体部，配置有在一面上具备显示要素的基板；第一绝缘层，介于所述主体部与所述基板之间；第一电极层，配置在所述第一绝缘层上，且上表面距所述基板的另一面远离了第一距离，其中，所述基板的所述另一面与所述一面相反；第二电极层，配置在所述第一电极层上，且上表面距所述基板的所述另一面远离了比所述第一距离短的第二距离；以及堤坝部，配置在所述第二电极层上。

Description

静电卡盘
技术领域
本发明涉及静电卡盘(Electrostatic chuck)，更详细而言，涉及用于显示装置或者半导体装置等的制造中的静电卡盘。
背景技术
不仅是处理器、存储器等各种半导体芯片的制造，用于如有机发光显示装置等平板显示装置的显示装置或者面板的制造也是在各种工序设备或者腔室(chamber)中进行的。
在半导体装置的制造工序以及显示装置的制造工序中利用用于将晶片或基板固定于工作台的卡盘。例如，卡盘可以为了将基板固定于工作台而包括利用夹具或真空的机械卡盘和利用电力的电卡盘。
作为电卡盘之一的静电卡盘可以利用静电力来将基板固定于工作台，因此具有简单且吸附力强的优点。
但是，在现有技术中的静电卡盘中，由于在基板的外廓部与静电卡盘之间产生间隙，从而存在用于使基板冷却的气体泄漏至外部的问题。
发明内容
本发明用于解决包括上述问题在内的各种问题，目的在于提供一种将静电卡盘与基板的间隙最小化来防止气体的泄漏的同时提高品质的显示装置。但是，这是例示，并不由此限定本发明的范围。
根据本发明的一观点，提供一种静电卡盘，具备：主体部，配置有在一面上具备显示要素的基板；第一绝缘层，介于所述主体部与所述基板之间；第一电极层，配置在所述第一绝缘层上，且上表面距所述基板的另一面远离了第一距离，其中，所述基板的所述另一面与所述一面相反；第二电极层，配置在所述第一电极层上，且上表面距所述基板的所述另一面远离了比所述第一距离短的第二距离；以及堤坝部，配置在所述第二电极层上。
在一实施例中，可以是，所述第一电极层的侧面和与所述第一电极层相邻的所述第二电极层的侧面在第一方向上位于同一线上。
在一实施例中，可以是，所述基板和所述第一电极层以彼此不同的极性带电。
在一实施例中，可以是，所述基板、所述第一电极层以及所述第二电极层以单极(monopolar)方式带电，所述第一电极层和所述第二电极层具有相同的极性。
在一实施例中，可以是，还包括：电源部，向所述第一电极层以及所述第二电极层供给直流电源。
在一实施例中，可以是，还包括：第一电源部，向所述第一电极层供给第一直流电源；以及第二电源部，向所述第二电极层供给第二直流电源。
在一实施例中，可以是，还包括：第二绝缘层，介于所述第一电极层与所述第二电极层之间；以及第三绝缘层，配置在所述第二电极层上。
在一实施例中，可以是，所述第三绝缘层的上表面与所述基板的所述另一面至少分开一部分。
在一实施例中，可以是，所述第三绝缘层的上表面具有平坦(flat)的形状。
在一实施例中，可以是，所述第三绝缘层的上表面具有浮雕(emboss)形状。
在一实施例中，可以是，所述堤坝部的上表面与所述基板的所述另一面接触。
在一实施例中，可以是，在平面上，所述第一电极层与所述第二电极层至少一部分重叠。
在一实施例中，可以是，在平面上，所述第一电极层和所述第二电极层相互被分开。
在一实施例中，可以是，所述第一绝缘层包围所述主体部的上表面和两侧面。
在一实施例中，可以是，还包括：贯通孔，用于向所述第三绝缘层与所述基板之间的空间注入冷却物质。
根据本发明的其他观点，提供一种静电卡盘，具备：主体部，配置有基板；第一绝缘层，介于所述主体部与所述基板之间；第一电极层，配置在所述第一绝缘层上，且以与所述基板带电的极性不同的极性带电；第二电极层，在平面上，至少一部分与所述第一电极层重叠或者分开，且以与所述第一电极层相同的极性带电；以及堤坝部，配置在所述第二电极层上，且与所述基板接触。
在一实施例中，可以是，所述第一电极层和所述第二电极层配置在不同的层。
在一实施例中，可以是，所述第一电极层的上表面距所述基板的另一面远离了第一距离，所述第二电极层的上表面距所述基板的所述另一面远离了比所述第一距离短的第二距离。
在一实施例中，可以是，所述第一电极层和所述第二电极层配置在同一层。
在一实施例中，可以是，所述基板、所述第一电极层以及所述第二电极层以单极(monopolar)方式带电。
通过以下的用于实施发明的具体内容、权利要求书以及附图，前述以外的其他侧面、特征、优点会变得明确。
(发明效果)
根据如上所述那样构成的本发明的一实施例，可以将静电卡盘与基板的间隙最小化来实现防止气体的泄漏的同时提高了品质的显示装置。当然，并不通过这些效果限定本发明的范围。
附图说明
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的立体图。
图2是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的剖视图。
图3是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的平面图。
图4是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
图5是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
图6是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
图7以及图8是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的平面图以及剖视图。
图9以及图10是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的平面图以及剖视图。
图11是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
(符号说明)
1：显示装置；2：静电卡盘；100：基板；500：主体部；509：堤坝部；520：第一电极层；540：第二电极层。
具体实施方式
本发明可以具有各种变换以及各种实施例，在图中例示特定实施例，并进行详细说明。参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的效果、特征以及达成这些效果和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以各种方式实现。
在以下的实施例中，第一、第二等用语并不是限定性用语，是为了将一个构成要素区别于其他构成要素而使用。
在以下的实施例中，单数的表现在文中没有明确相反意思时包括多个的表现。
在以下的实施例中，“包括”或者“具有”等用语应理解为是指代说明书上记载的特征或构成要素的存在，并不是事先排除一个以上的其他特征或构成要素的附加可能性。
在以下的实施例中，膜、区域、构成要素等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他膜、区域、构成要素等的情况。
在附图中，为了便于说明，各构成要素其大小可能会有所扩大或缩小。例如，图示的各构成的大小以及厚度是为了便于说明而示出的，本发明并不一定限于图示的情况。
在本说明书中，“A和/或B”表示是A、或者是B、或者是A和B的情况。此外，在本说明书中，“A和B中的至少一个”表示是A、或者是B、或者是A和B的情况。
在以下的实施例中，布线在“第一方向或者第二方向上延伸”不仅是指以直线形状延伸的情况，还包括沿着第一方向或者第二方向以蜿蜒形状或者曲线形状延伸的情况。
在以下的各实施例中，“平面上”是指俯视对象部分的情况，“剖面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。在以下的各实施例中，“重叠”包括“平面上”以及“剖面上”的重叠。
以下，为了参照附图详细说明本发明的各实施例，在参照附图进行说明时，对相同或对应的构成要素赋予相同的符号。
图1是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的立体图。
参照图1，显示装置1包括显示区域DA以及包围显示区域DA的非显示区域NDA。显示装置1可以利用从配置在显示区域DA的多个像素P射出的光来提供预定的图像。
显示区域DA可以被非显示区域NDA包围。非显示区域NDA是没有配置像素P的区域，非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。
以下，作为本发明的一实施例涉及的显示装置1，以有机发光显示装置为例进行说明，但是本发明的显示装置并不限于此。作为一实施例，本发明的显示装置1可以是如无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display或者无机EL显示装置)或量子点发光显示装置(Quantum dot Light Emitting Display)这样的显示装置。例如，显示装置1具备的显示要素的发光层可以包括有机物、无机物、量子点、有机物与量子点或者无机物与量子点。
在图1中示出了具备平坦的显示面的显示装置1，但是本发明并不限于此。作为一实施例，显示装置1可以包括立体型显示面或者弯曲型显示面。
在显示装置1包括立体型显示面的情况下，显示装置1可以包括指示互不相同的方向的多个显示区域，例如，可以包括多边形柱型显示面。作为一实施例，在显示装置1包括弯曲型显示面的情况下，显示装置1可以以可弯曲、可折叠或可卷曲的显示装置等各种方式实现。
在图1中示出了可适用于移动电话终端机的显示装置1。虽然未图示，但是可以在托架/外壳等与显示装置1一起配置安装于主板的电子模块、相机模块、电源模块等，从而实现移动电话终端机。以如电视机、监控器等大型电子装置为例，本发明涉及的显示装置1可以适用于如台式机、汽车导航仪、游戏机、智能手表等中小型电子装置等中。
在图1中示出了显示装置1的显示区域DA为四边形的情况，但是显示区域DA的形状也可以是如圆形、椭圆形、三角形或者五角形等多角形。
图2是示意性表示本发明的一实施例涉及的显示装置的剖视图。更具体而言，图2相当于沿着图1的I-I′线截取的剖视图。
参照图2，在基板100上可以配置显示要素。显示要素可以包括薄膜晶体管TFT以及有机发光二极管OLED。
基板100可以包括玻璃或者高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyether imide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或者乙酸丙酸纤维素(cellulose acetatepropionate)等。包括高分子树脂的基板100可以具有可弯曲、可卷曲或者可弯折特性。基板100可以是包括前述的高分子树脂的层以及无机层(未图示)的多层结构。
可以在基板100上配置缓冲层101。缓冲层101位于基板100上，从而可以减少或阻止异物、湿气或者外气从基板100的下部的渗透，并且可以在基板100上提供平坦面。缓冲层101可以包括如氧化物或氮化物的无机物、有机物或者有机-无机复合物，可以由无机物与有机物的单层或者多层结构形成。
可以在缓冲层101上配置薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层134、与半导体层134重叠的栅电极136以及与半导体层134电连接的连接电极。薄膜晶体管TFT可以与有机发光二极管OLED连接而驱动有机发光二极管OLED。
半导体层134配置在缓冲层101上，可以包括：沟道区域131，与栅电极136重叠；以及源极区域132和漏极区域133，配置在沟道区域131的两侧，且包括浓度比沟道区域131高的杂质。在此，杂质可以包括N型杂质或者P型杂质。源极区域132和漏极区域133可以与连接电极电连接。
半导体层134可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。在半导体层134由氧化物半导体形成的情况下，例如可以包括从包含铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)以及锌(Zn)的组中选择的至少一种的物质的氧化物。例如，半导体层134可以是ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。在半导体层134由硅半导体形成的情况下，例如可以包括非晶硅(a-Si)或者将非晶硅(a-Si)结晶化的低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)。
可以在半导体层134上配置第一栅极绝缘层103。第一栅极绝缘层103可以包括从包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中选择的至少一种的无机绝缘物。第一栅极绝缘层103可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
可以在第一栅极绝缘层103上配置栅电极136。栅电极136可以由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选出的一种的金属形成单层或者多层。栅电极136可以与向栅电极136施加电信号的栅极线连接。
可以在栅电极136上配置第二栅极绝缘层105。第二栅极绝缘层105可以包括从包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中选择的至少一种的无机绝缘物。第二栅极绝缘层105可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
可以在第二栅极绝缘层105上配置存储电容器Cst。存储电容器Cst可以包括下部电极144以及与下部电极144重叠的上部电极146。存储电容器Cst的下部电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅电极136重叠，存储电容器Cst的下部电极144可以被配置成与薄膜晶体管TFT的栅电极136成为一体。作为一实施例，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠，存储电容器Cst的下部电极144可以是独立于薄膜晶体管TFT的栅电极136的构成要素。
存储电容器Cst的上部电极146可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，可以是上述物质的单层或者多层。
可以在存储电容器Cst的上部电极146上配置层间绝缘层107。层间绝缘层107可以包括从包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中选择的至少一种的无机绝缘物。层间绝缘层107可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
可以在层间绝缘层107上配置数据线DL、下部驱动电压线PL1、作为连接电极的源电极137以及漏电极138。数据线DL、下部驱动电压线PL1、源电极137以及漏电极138可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括所述的材料的多层或者单层形成。数据线DL、下部驱动电压线PL1、源电极137以及漏电极138可以由Ti/Al/Ti的多层结构形成。作为一实施例，数据线DL、下部驱动电压线PL1、源电极137以及漏电极138可以包括相同的物质。
数据线DL可以与数据驱动电路电连接。可以通过数据线DL向像素P提供数据驱动电路的数据信号。虽然未图示，但是与扫描驱动电路电连接的扫描线可以配置在第一栅极绝缘层103或者第二栅极绝缘层105上，与发光驱动电路电连接的发光控制线可以配置在第一栅极绝缘层103或者第二栅极绝缘层105上。可以通过扫描线向像素P提供扫描驱动电路的扫描信号，并且可以通过发光控制线向像素P提供发光驱动电路的发光控制信号。
可以在数据线DL、下部驱动电压线PL1、源电极137以及漏电极138上配置第一平坦化层111。第一平坦化层111可以通过由有机物质或者无机物质形成的膜形成为单层或者多层。作为一实施例，第一平坦化层111可以包括如苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methy lmethacrylate)，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚高分子、酰胺高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子以及它们的混合物等。另一方面，第一平坦化层111可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO2)等。可以在形成第一平坦化层111之后，为了提供平坦的上表面而执行化学-机械抛光。
可以在第一平坦化层111上配置上部驱动电压线PL2以及接触金属层CM。上部驱动电压线PL2以及接触金属层CM可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，可以由多层或者单层形成。上部驱动电压线PL2以及接触金属层CM可以由Ti/Al/Ti的多层结构形成。作为一实施例，上部驱动电压线PL2以及接触金属层CM可以包括相同物质。
上部驱动电压线PL2可以通过贯通第一平坦化层111的接触孔而与下部驱动电压线PL1电连接，从而防止通过驱动电压线提供的驱动电压的电压下降。
接触金属层CM可以通过贯通第一平坦化层111的接触孔而与薄膜晶体管TFT电连接，像素电极210可以通过贯通第二平坦化层113的接触孔与接触金属层CM电连接。
在上部驱动电压线PL2以及接触金属层CM上可以配置第二平坦化层113。第二平坦化层113可以通过由有机物质或者无机物质形成的膜形成为单层或者多层。作为一实施例，第二平坦化层113可以包括如苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methylmethacrylate)，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、芳醚高分子、酰胺高分子、氟系高分子、对二甲苯系高分子、乙烯醇系高分子以及它们的混合物等。另一方面，第二平坦化层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO2)等。可以在形成第二平坦化层113之后，为了提供平坦的上表面而执行化学-机械抛光。
可以在第二平坦化层113上配置包括像素电极210、中间层220以及对置电极230的有机发光二极管OLED。像素电极210可以通过贯通第二平坦化层113的接触孔而与接触金属层CM电连接，接触金属层CM可以通过贯通第一平坦化层111的接触孔而与作为薄膜晶体管TFT的连接电极的源电极137以及漏电极138电连接，从而有机发光二极管OLED可以与薄膜晶体管TFT电连接。
可以在第二平坦化层113上配置像素电极210。像素电极210可以是(半)透光性电极或者反射电极。像素电极210可以具备反射膜和形成在反射膜上的透明或者半透明的电极层，其中，反射膜由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)以及它们的化合物等形成。透明或者半透明的电极层可以具备从包含铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)以及铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)的组中选择的至少一种的物质。像素电极210可以具备由ITO/Ag/ITO层叠的结构。
可以在第二平坦化层113上配置像素定义膜180，像素定义膜180可以具有使像素电极210的至少一部分露出的开口。可以将通过像素定义膜180的开口露出的区域定义为发光区域EA。发光区域EA的周边可以是不发光区域NEA，不发光区域NEA可以包围发光区域EA。即，显示区域DA可以包括多个发光区域EA以及包围所述多个发光区域EA的不发光区域NEA。像素定义膜180可以增加像素电极210的上部的对置电极230之间的距离来防止在像素电极210的边缘位置处产生电弧等。像素定义膜180例如可通过对如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO(hexamethyldisiloxane)以及酚醛树脂等有机绝缘物质实施旋涂等的方法来形成。
可以在因像素定义膜180而至少一部分露出的像素电极210上配置中间层220。中间层220可以包括发光层220b，在发光层220b的下方和上方可以选择性地配置第一功能层220a以及第二功能层220c。
第一功能层220a可以包括空穴注入层(HIL：hole injection layer)和/或空穴传输层(HTL：hole transport layer)，第二功能层220c可以包括电子传输层(ETL：electrontransport layer)和/或电子注入层(EIL：electron injection layer)。
发光层220b可以包括包含射出红色、绿色、蓝色或者白色的光的荧光或者磷光物质的有机物。发光层220b可以是低分子有机物或者高分子有机物。
在发光层220b包括低分子有机物的情况下，中间层220可以具有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等以单层或者多层结构被层叠的结构，作为低分子有机物，可以包括如钛箐铜(CuPc：copper phthalocyanine)、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-联苯基-联苯胺(N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine：NPB)、三-(8-羟基喹啉)铝((tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3))等的各种有机物质。这些层可通过真空蒸镀的方法形成。
在发光层220b包括高分子有机物的情况下，中间层220可以具有包括空穴传输层以及发光层220b的结构。此时，空穴传输层可以包括PEDOT，发光层220b可以包括PPV(Poly-Phenylene vinylene)系以及聚芴(Polyfluorene)系等高分子物质。这种发光层220b可以通过丝网印刷或喷墨印刷方法、激光热转印方法(LITI；Laser induced thermal imaging)等形成。
可以在中间层220上配置对置电极230。对置电极230可以配置在中间层220上，且以覆盖中间层220的全部的方式进行配置。对置电极230可以配置在显示区域DA的上部，且以覆盖显示区域DA的全部的方式进行配置。即，对置电极230可以利用开放式掩模(openmask)在整个显示面板形成为一体，使得覆盖配置于显示区域DA的多个像素P。
对置电极230可以包括功函数小的导电性物质。例如，对置电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者它们的合金等的(半)透明层。或者，对置电极230还可以在包括上述的物质的(半)透明层上包括如ITO、IZO、ZnO或者In2O3的层。
可以用薄膜封装层300覆盖有机发光二极管OLED。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。作为一实施例，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及其间的有机封装层320。
第一无机封装层310以及第二无机封装层330可以分别包括一种的无机绝缘物。无机绝缘物可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物(polymer)系的物质。作为聚合物系的材料，可以包括丙烯酸系树脂、环氧树脂、聚酰亚胺以及聚乙烯等。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸系树脂、例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。
图3是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的平面图，图4是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
可以在图4的基板100的一面100a上配置包括在图2中说明的薄膜晶体管TFT(图2)以及有机发光二极管OLED(图2)的显示要素，但是为了便于说明而进行了省略。
参照图3以及图4，一实施例涉及的静电卡盘2可以包括：主体部500，配置有在一面100a上具备显示要素的基板100；第一绝缘层503，介于主体部500与基板100之间；第一电极层520，配置在第一绝缘层503上，且上表面520a距基板100的与一面100a相反的另一面100b远离了第一距离d1；以及第二电极层540，配置在第一电极层520上，且上表面540a距基板100的另一面100b远离了比第一距离d1短的第二距离d2。
可以在基板100的一面100a上配置包括薄膜晶体管TFT以及有机发光二极管OLED的显示要素。例如，可以利用干式蚀刻(Dry eching)或者等离子体化学气相沉积法(PCVD)，在基板100的一面100a上配置包括薄膜晶体管TFT以及有机发光二极管OLED的显示要素。
当利用干式蚀刻(Dry eching)工序在基板100上形成薄膜晶体管TFT以及有机发光二极管OLED时，存在基板100的温度增加而使工序中所使用的感光性物质受损(burning)的情况。
为了防止进行干式蚀刻(Dry eching)工序时所使用的感光性物质受损，在基板100的与一面100a相反的另一面100b填充气体来将基板100的温度下降至70℃以下，由此进行显示装置的制造工序。
此时，可以在基板100的另一面100b配置静电卡盘2，夹住(chucking)基板100和静电卡盘2，从而防止填充到基板100的另一面100b的气体泄漏到外部导致基板100翘起的情况。
一实施例涉及的静电卡盘2可以包括主体部500、第一电极层520以及第二电极层540。主体部500可以包括金属或者陶瓷。作为一实施例，主体部500可以由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的一种的金属形成为单层或者多层，可以包括从包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中选择的至少一种的无机绝缘物。例如，主体部500可以包括铝(Al)或者氧化铝(Al2O3)。
作为一实施例，主体部500可以具有30mm至50mm的厚度，且可以进行各种变更，如具有40mm至60mm的厚度、或具有20mm至60mm的厚度等。例如，主体部500可以具有40mm至50mm的厚度。
可以在主体部500上配置第一绝缘层503。具体而言，第一绝缘层503可以配置成包围主体部500的上表面500a和两侧面500b。即，第一绝缘层503可以配置成包围主体部500的除了与上表面500a相反的另一面的三个面。第一绝缘层503可以介于主体部500与基板100之间。
第一绝缘层503可以包括从包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中选择的至少一种的无机绝缘物。例如，第一绝缘层503可以包括氧化铝(Al2O3)。
作为一实施例，第一绝缘层503可以利用大气等离子喷涂(APS，atmosphericplasma spraying)方法形成在主体部500上。此时，第一绝缘层503可以具有200μm至600μm的厚度，且可以进行各种变更，如具有300μm至550μm的厚度，250μm至500μm的厚度等。例如，第一绝缘层503可以具有300μm至500μm的厚度。
可以在主体部500与第一绝缘层503之间配置粘接层501。通常，在利用大气等离子喷涂(APS，atmospheric plasma spraying)方法在主体部500直接涂布第一绝缘层503的情况下，存在涂布不良的问题。
为此，可以在主体部500与第一绝缘层503之间配置粘接层501。粘接层501可以包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种的金属或者它们的合金。例如，粘接层501可以包括镍-铝(NiAl)合金。
粘接层501可以具有30μm至70μm的厚度，且可以进行各种变更，如具有40μm至70μm的厚度，30μm至60μm的厚度等。例如，粘接层501可以具有40μm至60μm的厚度。
可以在第一绝缘层503上配置第一电极层520。第一电极层520的上表面520a可以距基板100的另一面100b远离了第一距离d1。
第一电极层520可以由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种的金属形成为单层或者多层。例如，第一电极层520可以由钨(W)形成。
可以通过大气等离子喷涂(APS，atmospheric plasma spraying)方法在第一绝缘层503上涂布第一电极层520。第一电极层520可以具有5μm至45μm的厚度，且可以进行各种变更，如具有10μm至45μm的厚度，5μm至40μm的厚度等。例如，第一电极层520可以具有20μm至30μm的厚度。
可以在第一电极层520上配置第二绝缘层505。具体而言，第二绝缘层505配置在第一电极层520上，且配置成包围主体部500的上表面500a和两侧面500b。即，第二绝缘层505可以配置成包围除了主体部500的与上表面500a相反的另一面外的三面。第二绝缘层505可以包括从包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中选择的至少一种的无机绝缘物。例如，第二绝缘层505可以包括氧化铝(Al2O3)。作为一实施例，第二绝缘层505可以利用大气等离子喷涂(APS，atmospheric plasma spraying)方法形成在第一电极层520上。例如，第二绝缘层505可以包括与第一绝缘层503相同的物质，可以通过与第一绝缘层503相同的工序同时形成。
第二绝缘层505可以具有100μm至500μm的厚度，且可以进行各种变更，如具有150μm至500μm的厚度，200μm至500μm的厚度等。例如，第二绝缘层505可以具有100μm至350μm的厚度。
可以在第二绝缘层505上配置第二电极层540。第二电极层540的上表面540a可以距基板100的另一面100b远离了比第一距离d1短的第二距离d2。
第二电极层540可以由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)之中选择的一种的金属形成为单层或者多层。例如，第二电极层540可以由钨(W)形成。作为一实施例，第二电极层540包括与第一电极层520相同的物质。
在本实施例中，可以在第一绝缘层503上配置第一电极层520，且在第一电极层520上配置第二绝缘层505，并且在第二绝缘层505上配置第二电极层540。此外，也可以将第一绝缘层503配置得厚，将作为要配置第一电极层520的区域的第一绝缘层503的一部分去除后，在第一绝缘层503上形成高度不同的两个电极层。
可以在第二电极层540上配置第三绝缘层507。具体而言，第三绝缘层507可以配置成包围主体部500的上表面500a和两侧面500b。即，第三绝缘层507可以配置成包围主体部500的除了与上表面500a相反的另一面外的三面。
第三绝缘层507可以包括从包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中选择的至少一种的无机绝缘物。例如，第三绝缘层507可以包括氧化铝(Al2O3)。作为一实施例，第三绝缘层507可以利用大气等离子喷涂(APS，atmospheric plasma spraying)方法来形成，第三绝缘层507的上表面507a可以具有平坦(flat)的形状。
第三绝缘层507可以具有100μm至500μm的厚度，且可以进行各种变更，如具有150μm至500μm的厚度，200μm至500μm的厚度等。例如，第三绝缘层507可以具有100μm至350μm的厚度。
作为一实施例，粘接层501、第一绝缘层503、第一电极层520、第二绝缘层505、第二电极层540以及第三绝缘层507的厚度的总和可以是800μm至1200μm，且可以进行各种变更，如800μm至1100μm，900μm至1200μm等。例如，粘接层501、第一绝缘层503、第一电极层520、第二绝缘层505、第二电极层540以及第三绝缘层507的厚度的总和可以是900μm至1100μm。
第三绝缘层507的上表面507a和基板100的另一面100b可以远离至少一部分，使得可以在第三绝缘层507与基板100之间填充用于冷却基板100的冷却物质。由此，在第三绝缘层507与基板100之间可以形成空的空间。例如，在第三绝缘层507与基板100之间用于冷却基板100的冷却物质可以是气体。尤其是，在第三绝缘层507与基板100之间，用于冷却基板100的冷却物质可以是氦气。
可以在第三绝缘层507上配置堤坝部509。堤坝部509可以沿着第二电极层540的外廓配置。堤坝部509可以起到将气体限制在第三绝缘层507与基板100之间使得该气体不会向外泄漏的作用，其中，为了冷却基板100而将该气体填充到第三绝缘层507与基板100之间。为此，堤坝部509可以配置在第三绝缘层507上，且堤坝部509的上表面509a与基板100的另一面100b直接接触。作为一实施例，堤坝部509可以利用大气等离子喷涂(APS，atmospheric plasma spraying)方法来形成。例如，堤坝部509可以包括与第三绝缘层507相同的物质，可以通过与第三绝缘层507相同的工序形成。
作为一实施例，还可以在静电卡盘2的外侧配置用于保护静电卡盘2的聚焦环(Focus Ring)550，并且在聚焦环550的下部配置用于支承聚焦环(Focus Ring)550的绝缘体560。
聚焦环550配置在静电卡盘2的外侧，可以起到保护静电卡盘2的作用。为了防止在基板100与堤坝部509之间形成间隙，聚焦环550可以配置成在第一方向(y方向)上距基板100远离了预定间隔。
本发明的一实施例涉及的静电卡盘2可以具备为了在静电卡盘2与基板100之间填充用于冷却基板100的气体的贯通孔。更具体而言，静电卡盘2可以包括：第一贯通孔561，为了向在第三绝缘层507与基板100之间形成的空的空间填充用于冷却基板100的氦气(He)，贯通主体部500、粘接层501、第一绝缘层503、第一电极层520、第二绝缘层505以及第三绝缘层507。在图4中示出了静电卡盘2具备一个贯通孔的情况，但是本发明并不限于此。可以具备多个将静电卡盘2的主体部500、粘接层501、第一绝缘层503、第一电极层520、第二绝缘层505以及第三绝缘层507贯通的第一贯通孔561，附加地，还可以具备多个将主体部500、粘接层501、第一绝缘层503、第二绝缘层505、第二电极层540以及第三绝缘层507贯通的贯通孔。
作为一实施例，还可以包括向第一电极层520以及第二电极层540供给直流电源的电源部600。具体而言，第一电极层520可以通过第一电源供给线521从电源部600接受第一直流电源的供给，第二电极层540可以通过第二电源供给线541从电源部600接受第二直流电源的供给。在电源部600与第一电极层520之间可以具备第一可变阻抗522，在电源部600与第二电极层540之间可以具备第二可变阻抗542。通过调节设置在电源部600与第一电极层520之间的第一可变阻抗522以及设置在电源部600与第二电极层540之间的第二可变阻抗542的阻抗值，可以调节第一电极层520以及第二电极层540分别与基板100被夹住的力。
本发明的一实施例涉及的静电卡盘2可以以单极(monopolar)方式带电。
在通过电源部600向第一电极层520和第二电极层540供给直流电源的情况下，第一电极层520和第二电极层540可以以相同的极性带电。例如，第一电极层520和第二电极层540可以以正极性带电。
在设备或者腔室内，由于在进行显示装置的制造工序时所使用的等离子体，可能会产生并存在正电荷和负电荷。在通过电源部600向第一电极层520和第二电极层540供给直流电源而使第一电极层520和第二电极层540以正极性带电的情况下，因存在于设备或者腔室内的负电荷，使得基板100可以以与正极性相反的负极性带电，从而对静电卡盘2与基板100之间作用夹持力(Chucking Force)。例如，通过电源部600向第一电极层520和第二电极层540供给直流电源，第一电极层520和第二电极层540以正极性带电，而因存在于设备或者腔室内的负电荷，基板100可以以负极性带电，从而在静电卡盘2与基板100之间作用夹持力(Chucking Force)。因此，通过在静电卡盘2与基板100之间产生的夹持力(ChuckingForce)，基板100附着于静电卡盘2，可以防止因填充到静电卡盘2与基板100之间的气体泄漏至外部导致气体使基板100翘起的情况。
可以通过以下的数学式1来计算以彼此不同的极性带电的基板100与第一电极层520以及基板100与第二电极层540的夹持力F(Chucking Force)。
[数学式1]
Figure BDA0002530923640000181
此时，ε表示介电常数，A表示面积，V表示电压，D表示物体之间的距离。
参照数学式1，在增加介电常数、面积、电压或者减少物体之间的距离的情况下，可以增加以彼此不同的极性带电的物体的夹持力(Chucking Force)。
现有技术中的静电卡盘2的情况下，在静电卡盘2的堤坝部509的下部不能配置电极层，进行干式蚀刻(Dry etching)工序时，在静电卡盘2的堤坝部509的外侧、例如基板100与聚焦环550之间会堆积蚀刻副产物，由此存在以下问题，即，由于堆积在静电卡盘2的堤坝部509的外侧的副产物，在静电卡盘2的外廓部夹持力(Chucking Force)变弱，在基板100与堤坝部509之间会产生间隙，使得为了冷却基板100而填充的气体泄漏到间隙之间，导致基板100翘起。
为了解决上述问题，在增加包括于静电卡盘2中的电极层的面积或者减少配置在电极层上的绝缘层的厚度的情况下，由于基板100与电极层之间的绝缘变弱，因此还可能发生电弧。
本发明用于解决如上所述的问题，通过配置成第二电极层540与基板100之间的距离短于第一电极层520与基板100之间的距离，其中，第二电极层540配置在静电卡盘2的外廓部，第一电极层520配置在静电卡盘2的中央部，从而提高了静电卡盘2的外廓部的夹持力(Chucking Force)，可以防止填充到基板100与静电卡盘2之间的气体泄漏。例如，在平面上配置在静电卡盘2的中央部的第一电极层520的上表面520a距基板100的另一面100b远离了第一距离d1，并且在平面上配置在静电卡盘2的外廓部的第二电极层540的上表面540a距基板100的另一面100b远离了比第一距离d1短的第二距离d2，从而提高了静电卡盘2的外廓部的夹持力(Chucking Force)，可以防止填充到基板100与静电卡盘2之间的气体泄漏导致基板100翘起的情况。
作为一实施例，如图3以及图4所示，配置在静电卡盘2的中央部的第一电极层520的侧面520b在第一方向(y方向)可以和与第一电极层520相邻的第二电极层540的侧面540b位于同一线上。通过使配置在静电卡盘2的中央部的第一电极层520的侧面520b在第一方向(y方向)和与第一电极层520相邻的第二电极层540的侧面540b位于同一线上，第一电极层520和第二电极层540可以更好地夹住基板100。
图5是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
图5的实施例与图4的实施例的区别在于，第一电极层和第二电极层从彼此不同的电源部接受直流电源的供给，且在第一电极层及第二电极层与各电源部之间不具备阻抗。在图5的构成中，对于与图4相同的构成省略说明，以下主要说明区别点。
参照图5，一实施例涉及的静电卡盘2可以包括：第一电源部601，向第一电极层520供给直流电源；以及第二电源部602，向第二电极层540供给直流电源。更具体而言，第一电极层520可以通过第一电源供给线521从第一电源部601接受第一直流电源的供给，第二电极层540可以通过第二电源供给线541从第二电源部602接受第二直流电源的供给。
通过使第一电极层520和第二电极层540分别通过不同的电源部接受直流电压的供给，从而容易调节供给至第一电极层520和第二电极层540的电压的强度，可以更有效地调节第一电极层520和第二电极层540的夹持力(Chucking Force)。
图6是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
图6的实施例与图4的实施例的区别在于，第三绝缘层的上表面具有浮雕(emboss)形状。在图6的构成中，对于与图4相同的构成省略说明，以下主要说明区别点。
参照图6，一实施例涉及的静电卡盘2的第三绝缘层507的上表面507a可以具有浮雕508形状。通过使静电卡盘2的第三绝缘层507的上表面507a具有浮雕508形状，可以使为了基板100的冷却而填充的气体更有效地扩散或者移动。
图7以及图8是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的平面图以及剖视图。
图7以及图8的实施例与图3以及图4的实施例的区别在于，在平面上，第一电极层和第二电极层至少一部分重叠。在图7以及图8的构成中，对于与图3以及图4的实施例相同的构成省略说明，以下主要说明区别点。
参照图7以及图8，一实施例涉及的静电卡盘2的第一电极层520和第二电极层540在平面上至少一部分重叠且配置在主体部500上。更具体而言，在平面上，第一电极层520和与第一电极层520相邻的第二电极层540重叠第三距离d3，并配置在主体部500上。
图9以及图10是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的平面图以及剖视图。
图9以及图10的实施例与图3以及图4的实施例的区别在于，配置成在平面上第一电极层远离了第二电极层。在图9以及图10的构成中，对于与图3以及图4的实施例相同的构成省略说明，以下主要说明区别点。
参照图9以及图10，一实施例涉及的静电卡盘2的第一电极层520和第二电极层540在平面上彼此远离，且配置在主体部500上。更具体而言，在平面上，第一电极层520的侧面520b与和第一电极层520相邻的第二电极层540的侧面540b彼此远离，且配置在主体部500上。例如，第一电极层520距第二电极层540远离了第四距离d4，且配置在主体部500上。
图11是示意性表示本发明的一实施例涉及的静电卡盘的剖视图。
图11的实施例与图10的实施例的区别在于，第一电极层和第二电极层配置在同一层且彼此远离。在图11的构成中，对于与图10的实施例相同的构成省略说明，以下主要说明区别点。
参照图11，可以在一实施例涉及的静电卡盘2的第一绝缘层503上配置第一电极层520和第二电极层540，且在第一电极层520和第二电极层540上配置第二绝缘层505，并且在第二绝缘层505上配置堤坝部509。
静电卡盘2的第一电极层520和第二电极层540在平面上彼此远离且配置在主体部500上。更具体而言，在平面上，第一电极层520的侧面520b和与第一电极层520相邻的第二电极层540的侧面540b彼此远离且配置在主体部500上。例如，第一电极层520和第二电极层540可以彼此远离第五距离d5且配置在主体部500上。
如上所述，在现有技术的静电卡盘中，进行干式蚀刻(Dry etching)工序时，在静电卡盘2的堤坝部509的外侧、例如基板100与聚焦环550之间会堆积蚀刻副产物，由于堆积在静电卡盘2的堤坝部509的外侧的副产物，在静电卡盘2的外廓部夹持力(ChuckingForce)变弱，在基板100与堤坝部509之间会产生间隙，从而会发生为了冷却基板100而填充的气体泄漏至间隙之间的情况，因此存在设备的作业率下降的问题。
本发明的一实施例涉及的静电卡盘2配置成第二电极层540与基板100之间的距离短于第一电极层520与基板100之间的距离，其中，第二电极层540配置在静电卡盘2的外廓部，第一电极层520配置在静电卡盘2的中央部，从而提高了静电卡盘2的外廓部的夹持力(Chucking Force)，防止填充到基板100与静电卡盘2之间的气体泄漏，由此可以提高设备的作业率，且可以防止感光性物质受损(burning)，并且通过同一电源部或者互不相同的电源部来向第一电极层和第二电极层供给电压，可以按工序以期望的方式调节第一电极层和第二电极层的夹持力(Chucking Force)的比率，同时可以提供提高了品质的显示装置。
参照图示的实施例说明了本发明，但这只是例示，本领域技术人员应当能够理解由以上所述的内容可以实施各种变更以及等同的其他实施例。因此，应由权利要求书的技术思想定义本发明的真正的技术保护范围。

Claims (10)

1.一种静电卡盘，具备：
主体部，配置有在一面上具备显示要素的基板；
第一绝缘层，介于所述主体部与所述基板之间；
第一电极层，配置在所述第一绝缘层上，且上表面距所述基板的另一面远离了第一距离，其中，所述基板的所述另一面与所述一面相反；
第二电极层，配置在所述第一电极层上，且上表面距所述基板的所述另一面远离了比所述第一距离短的第二距离；以及
堤坝部，配置在所述第二电极层上。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
所述第一电极层的侧面和与所述第一电极层相邻的所述第二电极层的侧面在第一方向上位于同一线上。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
所述基板和所述第一电极层以彼此不同的极性带电。
4.根据权利要求1所述的静电卡盘，还包括：
第二绝缘层，介于所述第一电极层与所述第二电极层之间；以及
第三绝缘层，配置在所述第二电极层上。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
在平面上，所述第一电极层与所述第二电极层至少一部分重叠。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，
所述第一绝缘层包围所述主体部的上表面和两侧面。
7.一种静电卡盘，包括：
主体部，配置有基板；
第一绝缘层，介于所述主体部与所述基板之间；
第一电极层，配置在所述第一绝缘层上，且以与所述基板带电的极性不同的极性带电；
第二电极层，在平面上，至少一部分与所述第一电极层重叠或者分开，且以与所述第一电极层相同的极性带电；以及
堤坝部，配置在所述第二电极层上，且与所述基板接触。
8.根据权利要求7所述的静电卡盘，其中，
所述第一电极层和所述第二电极层配置在不同的层。
9.根据权利要求7所述的静电卡盘，其中，
所述第一电极层和所述第二电极层配置在同一层。
10.根据权利要求7所述的静电卡盘，其中，
所述基板、所述第一电极层以及所述第二电极层以单极(monopolar)方式带电。
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