CN113219705A - 一种tft-lcd面板玻璃减薄工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种TFT‑LCD面板玻璃减薄工艺，包括以下步骤：S1、Panel成型：向薄膜晶体管及彩色滤光片中间灌进液晶形成Cell；S2、封胶：薄膜晶体管及彩色滤光片边缘缝隙处涂抹UV胶后固化；S3、减薄抛光：将面板玻璃放入蚀刻装置中，面板玻璃减薄的同时表面抛光；S4、清洗：将减薄抛光后的面板玻璃浸入DI水中浸泡5‑10min，取出常温晾干；S5、除胶：在UV胶处涂抹除胶剂，剥离除去UV胶；S6、QA：将除胶后的进行面板玻璃视觉检测，检查面板玻璃的外观缺陷或UV胶残留，剔除存在缺陷的面板玻璃，得到成品。本发明利用化学蚀刻及抛光同时完成的特殊加工技术，Panel表面在完成蚀刻时在腔体的旋转简谐运动中达成等同于抛光的效果，不需要使用机械抛光的工程，成本可大幅降低。
Description
技术领域
本发明涉及LCD屏加工领域，具体的是一种TFT-LCD面板玻璃减薄工艺。
背景技术
TFT是薄膜晶体管的缩写，TFT式显示屏是各类笔记本电脑和台式机上的主流显示设备，该类显示屏上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，因此TFT式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备，TFT式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优点。TFT-LCD基本原理是利用薄膜晶体管产生电压,控制夹在中间的液晶转向来产生灰阶再配合彩色滤光片就能够显示出各种色彩。
在TFT-LCD加工过程中，薄膜晶体管及彩色滤光片中间灌进液晶形成Cell后，需要进行减薄的加工后，才能再进行模组的加工，目前业界多半是减薄到0.2/0.2mm，最薄至0.15/0.15mm，主要的技术瓶颈是蚀刻后由于有波纹或凸凹点或影像纹，所以必须再做抛光才能维持减薄前的品质，但0.15/0.15/mm已经是中大型抛光机加工的极限，压力稍有不均，容易产生碎片问题。
发明内容
为解决上述背景技术中提到的不足，本发明的目的在于提供一种TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，利用化学蚀刻及抛光同时完成的特殊加工技术，Panel表面在完成蚀刻时在腔体的旋转简谐运动中达成等同于抛光的效果，不需要使用机械抛光的工程，成本可大幅降低。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，包括以下步骤：
S1、Panel成型：向薄膜晶体管及彩色滤光片中间灌进液晶形成Cell；
S2、封胶：薄膜晶体管及彩色滤光片边缘缝隙处涂抹UV胶，除去多余的UV胶后紫外光固化；
S3、减薄抛光：将面板玻璃放入蚀刻装置中，加入蚀刻液，面板玻璃在蚀刻装置旋转简谐运动的蚀刻腔体内与蚀刻液反应，使面板玻璃减薄的同时表面抛光；
S4、清洗：将减薄抛光后的面板玻璃浸入DI水中浸泡5-10min，取出常温晾干；
S5、除胶：在UV胶处涂抹除胶剂，剥离除去UV胶；
S6、QA：将除胶后的进行面板玻璃视觉检测，检查面板玻璃的外观缺陷或UV胶残留，剔除存在缺陷的面板玻璃，得到成品。
进一步优选地，所述蚀刻装置为双轴驱动，包括蚀刻箱，蚀刻箱顶部固定密封盖，蚀刻箱侧壁下端设有进液口，蚀刻箱侧壁上端设有进气口，蚀刻箱内设有面板玻璃的放置架，密封盖与第一驱动轴连接，放置架与第二驱动轴连接，第一驱动轴驱动蚀刻箱作简谐运动，第二驱动轴驱动放置架转动。
进一步优选地，蚀刻液为HF、硝酸、醋酸、和纯水混合液。
进一步优选地，步骤S3中减薄抛光温度为20-40℃，蚀刻时间根据具体的蚀刻量和蚀刻率来定。
进一步优选地，步骤S3中减薄后面板玻璃厚度至0.035/0.035mm以下。
本发明的有益效果：
本发明利用化学蚀刻及抛光同时完成的特殊加工技术，Panel表面在完成蚀刻时在腔体的旋转简谐运动中达成等同于抛光的效果，所以不需要使用机械抛光的工程，如此可达成0.035/0.035mm以下的超薄面板规格，且由于不需抛光及抛光后清洗等工程，成本可大幅降低。
附图说明
图1为本发明蚀刻装置的原理示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“开孔”、“上”、“下”、“厚度”、“顶”、“中”、“长度”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
实施例1
一种TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，包括以下步骤：
S1、Panel成型：向薄膜晶体管及彩色滤光片中间灌进液晶形成Cell；
S2、封胶：薄膜晶体管及彩色滤光片边缘缝隙处涂抹UV胶，除去多余的UV胶后紫外光固化；
S3、减薄抛光：将面板玻璃放入蚀刻装置中，加入蚀刻液为HF、硝酸、醋酸、和纯水混合的蚀刻液，面板玻璃在蚀刻装置旋转简谐运动的蚀刻腔体内与蚀刻液反应，蚀刻温度为30℃，使面板玻璃减薄至0.035/0.035mm，同时完成面板玻璃的抛光；
S4、清洗：将减薄抛光后的面板玻璃浸入DI水中浸泡8min，取出常温晾干；
S5、除胶：在UV胶处涂抹除胶剂，剥离除去UV胶；
S6、QA：将除胶后的进行面板玻璃视觉检测，检查面板玻璃的外观缺陷或UV胶残留，剔除存在缺陷的面板玻璃，得到成品。
实施例2
一种TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，包括以下步骤：
S1、Panel成型：向薄膜晶体管及彩色滤光片中间灌进液晶形成Cell；
S2、封胶：薄膜晶体管及彩色滤光片边缘缝隙处涂抹UV胶，除去多余的UV胶后紫外光固化；
S3、减薄抛光：将面板玻璃放入蚀刻装置中，加入蚀刻液为HF、硝酸、醋酸、和纯水混合的蚀刻液，面板玻璃在蚀刻装置旋转简谐运动的蚀刻腔体内与蚀刻液反应，蚀刻温度为25℃，使面板玻璃减薄至0.02/0.02mm，同时完成面板玻璃的抛光；
S4、清洗：将减薄抛光后的面板玻璃浸入DI水中浸泡10min，取出常温晾干；
S5、除胶：在UV胶处涂抹除胶剂，剥离除去UV胶；
S6、QA：将除胶后的进行面板玻璃视觉检测，检查面板玻璃的外观缺陷或UV胶残留，剔除存在缺陷的面板玻璃，得到成品。
如图1所示，本发明设计一种面板玻璃蚀刻装置，包括蚀刻箱，蚀刻箱顶部固定密封盖，蚀刻箱侧壁下端设有进液口，蚀刻箱侧壁上端设有进气口，蚀刻箱内设有面板玻璃的放置架，密封盖与第一驱动轴连接，放置架与第二驱动轴连接。使用的时候将面板玻璃固定在放置架上，然后将密封盖与蚀刻箱固定，通过进液口加入蚀刻液淹没面板玻璃，然后向蚀刻箱中冲入氮气保护，通过第一驱动轴驱动蚀刻箱作简谐运动，通过第二驱动轴驱动放置架转动，面板玻璃相对蚀刻液作椭圆形运动，通过计算获得两个转轴的相对位置及转动速度，使面板玻璃表面均匀受力，从而使蚀刻时保持面板表面的平整，起到抛光的作用。。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
Claims (5)
1.一种TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、Panel成型：向薄膜晶体管及彩色滤光片中间灌进液晶形成Cel l；
S2、封胶：薄膜晶体管及彩色滤光片边缘缝隙处涂抹UV胶，除去多余的UV胶后紫外光固化；
S3、减薄抛光：将面板玻璃放入蚀刻装置中，加入蚀刻液，面板玻璃在蚀刻装置旋转简谐运动的蚀刻腔体内与蚀刻液反应，使面板玻璃减薄的同时表面抛光；
S4、清洗：将减薄抛光后的面板玻璃浸入DI水中浸泡5-10min，取出常温晾干；
S5、除胶：在UV胶处涂抹除胶剂，剥离除去UV胶；
S6、QA：将除胶后的进行面板玻璃视觉检测，检查面板玻璃的外观缺陷或UV胶残留，剔除存在缺陷的面板玻璃，得到成品。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，其特征在于，所述蚀刻装置为双轴驱动，包括蚀刻箱，蚀刻箱顶部固定密封盖，蚀刻箱侧壁下端设有进液口，蚀刻箱侧壁上端设有进气口，蚀刻箱内设有面板玻璃的放置架，密封盖与第一驱动轴连接，放置架与第二驱动轴连接，第一驱动轴驱动蚀刻箱作简谐运动，第二驱动轴驱动放置架转动。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，其特征在于，所述蚀刻液为HF、硝酸、醋酸、和纯水混合液。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，其特征在于，所述步骤S3中减薄抛光温度为20-40℃，蚀刻时间根据具体的蚀刻量和蚀刻率来定。
5.根据权利要求1所述的TFT-LCD面板玻璃减薄工艺，其特征在于，所述步骤S3中减薄后面板玻璃厚度至0.035/0.035mm以下。
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